CN108461607B - 发光装置及图像显示装置 - Google Patents
发光装置及图像显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108461607B CN108461607B CN201810112795.3A CN201810112795A CN108461607B CN 108461607 B CN108461607 B CN 108461607B CN 201810112795 A CN201810112795 A CN 201810112795A CN 108461607 B CN108461607 B CN 108461607B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- phosphor
- emitting device
- quantum dot
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 279
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 86
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 82
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 89
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 claims description 50
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 49
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- -1 methacryloyloxy Chemical group 0.000 claims description 23
- MYLBTCQBKAKUTJ-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-6,8-bis(methylsulfanyl)pyrrolo[1,2-a]pyrazine Chemical compound C1=CN=CC2=C(SC)C(C)=C(SC)N21 MYLBTCQBKAKUTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 13
- ZXMGHDIOOHOAAE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-n-(trifluoromethylsulfonyl)methanesulfonamide Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)NS(=O)(=O)C(F)(F)F ZXMGHDIOOHOAAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QAXLTZBBDSDRPW-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethanethiol;hydron;chloride Chemical compound Cl.CCN(CC)CCS QAXLTZBBDSDRPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQAPREJURVMGMB-UHFFFAOYSA-M 2-acetylsulfanylethyl(trimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].CC(=O)SCC[N+](C)(C)C HQAPREJURVMGMB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- GLFDLEXFOHUASB-UHFFFAOYSA-N trimethyl(tetradecyl)azanium Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C GLFDLEXFOHUASB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 9
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 101100109978 Arabidopsis thaliana ARP3 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100427547 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ULS1 gene Proteins 0.000 description 7
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 101150117607 dis1 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical class [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 5
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 241000238097 Callinectes sapidus Species 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GFFIJCYHQYHUHB-UHFFFAOYSA-N 2-acetylsulfanylethyl(trimethyl)azanium Chemical class CC(=O)SCC[N+](C)(C)C GFFIJCYHQYHUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXRFDZFCGOPDTD-UHFFFAOYSA-M Cetrimide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C CXRFDZFCGOPDTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000590 K2MnF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N (3s)-n-[(3s,5s,6r)-6-methyl-2-oxo-1-(2,2,2-trifluoroethyl)-5-(2,3,6-trifluorophenyl)piperidin-3-yl]-2-oxospiro[1h-pyrrolo[2,3-b]pyridine-3,6'-5,7-dihydrocyclopenta[b]pyridine]-3'-carboxamide Chemical compound C1([C@H]2[C@H](N(C(=O)[C@@H](NC(=O)C=3C=C4C[C@]5(CC4=NC=3)C3=CC=CN=C3NC5=O)C2)CC(F)(F)F)C)=C(F)C=CC(F)=C1F QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N 0.000 description 1
- YBDSNEVSFQMCTL-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethanethiol Chemical group CCN(CC)CCS YBDSNEVSFQMCTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150071927 AANAT gene Proteins 0.000 description 1
- 206010003497 Asphyxia Diseases 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910021570 Manganese(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004074 SiF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMNYLVQQZFXFBS-UHFFFAOYSA-N carboxy trifluoromethanesulfonate Chemical compound OC(=O)OS(=O)(=O)C(F)(F)F MMNYLVQQZFXFBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- YLMXTGWAYICZRY-UHFFFAOYSA-N methyl 2,5-bis(2,2,2-trifluoroethoxy)benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OCC(F)(F)F)=CC=C1OCC(F)(F)F YLMXTGWAYICZRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Substances OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 1
- 229940071127 thioglycolate Drugs 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Substances FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAKSIRCIOXDVPT-UHFFFAOYSA-N trioctyl(selanylidene)-$l^{5}-phosphane Chemical compound CCCCCCCCP(=[Se])(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZAKSIRCIOXDVPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
- C09K11/617—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
- G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种发光装置(10),具备:发光元件(11),其设置于基板(15)并发出蓝色光;绿色荧光体(13),其通过蓝色光激发而发出绿色光;红色荧光体(12),其通过蓝色光激发而发出红色光;以及透明树脂(14),其在内部分散有所述绿色荧光体和所述红色荧光体,红色荧光体与发光元件及基板接触,透明树脂包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位。
Description
技术领域
以下揭露涉及一种具备发光元件和波长转换部件的发光装置、以及具备该发光装置的图像显示装置。
背景技术
近年来,正在开发(i)发光二极管(Light Emitting Diode,LED)等发光元件和(ii)将来自该发光元件的激发光转换为荧光的波长转换部件(例如,将荧光体粒子分散在树脂中的部件)组合而成的发光装置。该发光装置具有小型且消耗电力少于白炽灯这样的优点。故此,该发光装置作为各种图像显示装置或照明装置的光源而被实用化。
作为这样的发光装置,通常使用将蓝色LED和黄色荧光体组合而成的装置。作为黄色荧光体,由于Ce活化YAG(钇铝石榴石)荧光体发光效率较高而被广泛使用。
顺带一提,在将发光装置用作图像显示装置的背光源的情况下,随着荧光体的发光光谱的半值宽度变窄,而图像显示装置的色域变宽。然而,Ce活化YAG荧光体的发光光谱的半值宽度,为100nm程度且比较宽。因此,在使将Ce活化YAG荧光体作为黄色荧光体的方式的半导体发光装置作为图像显示装置的液晶背光源的情况下,色域的宽度不充分。
具体而言,所述的图像显示装置相对于CRT(Cathode Ray Tube)所使用的色域即sRGB的色域,能够大致覆盖整个区域。但是,所述的图像显示装置相对于宽色域液晶显示面板所使用的色域即AdobeRGB的色域,覆盖率显着变低。
更具体而言,将使用Ce活化YAG黄色荧光体的方式的半导体发光装置作为液晶背光源的图像显示装置的色域,相对于AdobeRGB的色域停留在70%程度的覆盖率。因此,所述半导体发光装置不适合用于宽色域液晶显示面板。
在此,sRGB的色域是指,在CIE(Commission Internationale del'Eclairage)1931色度座标上,通过由(CIEx,CIEy)=(0.640,0.330)、(0.300,0.600)、(0.150,0.060)这3点的色度点包围而成的三角形而定义的色域。
另一方面,AdobeRGB的色域是指,在CIE1931色度座标上,通过由(CIEx,CIEy)=(0.640,0.330)、(0.210,0.710)、(0.150,0.060)这3点的色度点包围而成的三角形而定义的色域。如果对sRGB的色域与AdobeRGB的色域进行比较,AdobeRGB的色域的绿色的色域广泛扩大。
作为用作与AdobeRGB对应的宽色域液晶显示面板的背光源的而使用的半导体发光装置,适于将绿色荧光体和红色荧光体这两个颜色的荧光体组合而使用的构成者。而且,优选为这些荧光体的发光光谱的半值宽度较窄。
例如专利文献1以及2揭示了:作为荧光体而将Eu活化βSiAlON荧光体和Mn4+活化氟络合物组合而使用的半导体发光装置。根据该组合,与以往通常的作为荧光体而使用的黄色荧光体的构成相比较,在构成图像显示装置的情况下能够实现较宽的色域。
这是因为,Eu活化βSiAlON荧光体的发光光谱的半值宽度和Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱的半值宽度,均窄于Ce活化YAG荧光体的发光光谱的半值宽度。具体而言,Eu活化βSiAlON荧光体的发光光谱的半值宽度为55nm以下。此外,Mn4+活化氟络合物荧光体的半值宽度为10nm以下。
如上所述,Eu活化βSiAlON荧光体的发光光谱的半值宽度为55nm以下,且窄于Ce活化YAG黄色荧光体的发光光谱的半值宽度。但是,通过与发光光谱的半值宽度更窄的荧光体组合,进而能够进一步实现色域的较广的图像显示装置。
作为发光光谱的半值宽度的狭窄的荧光体的示例,公知有量子点荧光体。在专利文献3公开了一种点灯装置,具备:光源;第一荧光体层,其直接或间接配置于该光源的顶部;第一量子点层,其直接配置于该第一荧光体层的顶部;以及第二荧光体层,其直接配置于该第一量子点层的顶部。第一量子点层是通过使稀释于有机溶剂的量子点与未固化聚合体母材混合,并使该混合溶液干燥而形成。
现有技术文献
专利文件
专利文献1:国际公开公报「WO2009/110285号公报(2009年9月11日公开)」
专利文献2:日本国公开专利公报「日本特开2010-93132号公报(2010年4月22日公开)」
专利文献3:日本国公开专利公报「日本特开2014-170938号公报(2014年9月18日公开)」
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,在专利文献3所记载的点灯装置中,第一荧光体层中均匀地分散有荧光体。存在于远离光源的位置的荧光体所产生的热量使第一荧光体层的温度上升。而且,所述的热量经由与第一荧光体层相邻的第一量子点层,而传递至该第一量子点层所包含的量子点。其结果,为存在有量子点因热量而劣化这样的问题。
本揭示的一个方式,其目的在于,实现一种能够抑制量子点荧光体的劣化的发光装置等。
解决问题的手段
为了解决所述的课题,本公开的一个方式所涉及的发光装置具备:发光元件,其出发蓝色光;基板,其设置有所述发光元件;量子点荧光体,其通过所述蓝色光激发而发出绿色光;Mn4+活化氟络合物荧光体,其通过所述蓝色光激发而发出红色光;以及透明树脂,其在内部包含所述发光元件,且在内部分散有所述量子点荧光体和所述Mn4+活化氟络合物荧光体,所述Mn4+活化氟络合物荧光体与所述发光元件和所述基板接触,所述透明树脂包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位。
发明效果
根据本揭示的一个方式,能够实现一种能够抑制量子点荧光体的劣化的发光装置等。
附图说明
图1为表示本公开的实施方式一所涉及的发光装置的构成的剖视图。
图2为示意地表示表面结合有离子性表面改性分子的状态的绿色荧光体的图。
图3为表示通过本公开的实施方式一的制造例所制造的Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱以及激发光谱的图表。
图4为表示通过本公开的实施方式一的制造例所制造的量子点荧光体的发光光谱以及激发光谱的图表。
图5为表示通过本公开的实施方式一的实施例而获得的发光装置的发光光谱的图表。
图6为表示本公开的实施方式一的变形例所涉及的发光装置的构成的剖视图。
图7为表示本公开的实施方式一的比较例D1所涉及的发光装置的构成的剖视图。
图8为表示关于通过本公开的实施方式一的实施例以及比较例而获得的发光装置的实验结果的表。
图9的(a)为实施方式二所涉及的图像显示装置的分解立体图,(b)为(a)所示的图像显示装置所具备的液晶显示装置的分解立体图。
图10为表示图像显示装置所具备的滤光器的透射光谱的图表。
图11的(a)为表示实施例DIS1的图像显示装置的白色点的色温、CIE1931色度座标中的白色点、红色点、绿色点、蓝色点的色度座标以及AdobeRGB覆盖率的表,(b)为对实施例DIS1的图像显示装置的色域与AdobeRGB的色域进行比较的图表。
具体实施方式
〔实施方式一〕
以下,基于图1~图7对本公开的实施方式一进行说明,如以下所述。本实施方式中,对能够抑制量子点荧光体的劣化的发光装置进行说明。
图1为表示本实施方式所涉及的发光装置10的构成的剖视图。如图1所示,发光装置10具备:发光元件11、红色荧光体12(Mn4+活化氟络合物荧光体)、绿色荧光体13(量子点荧光体)、透明树脂14、基板15以及树脂框16。
(发光元件11)
发光元件11为发出蓝色光的发光元件。作为发光元件11,只要能够吸收后述的红色荧光体12以及绿色荧光体13而产生荧光那样的一次光(激发光),则并不特别限定。作为发光元件11,例如能够使用氮化镓(GaN)系半导体。
优选为从发光元件11发出的一次光(激发光)的峰值波长为420nm以上且480nm以下,进一步优选为440nm以上且460nm以下。在一次光(激发光)的峰值波长为420nm以上且480nm以下的范围内的情况下,发光元件11的发光效率变高。另外,在一次光(激发波长)的峰值波长为440nm以上且460nm以下的情况下,发光元件11的发光效率特别高,且后述的红色荧光体12的激发光谱以及后述的蓝色滤光器246b的透射光谱的波长整合性较佳。因此,能够提高发光装置10的发光效率。
(红色荧光体12)
红色荧光体12,为被发光元件11所发出的蓝色光激发而发出红色光的Mn4+活化氟络合物荧光体。Mn4+活化氟络合物荧光体所发出的红色光的发光光谱的半值宽度为10nm以下且非常窄。故此,本实施方式所涉及的发光装置10在红色区域的色再现性优异。
作为用作红色荧光体12的Mn4+活化氟络合物荧光体,例如能够使用通过以下的通式(A)或通式(B)来表示的荧光体。Mn4+活化氟络合物荧光体即使用通式(A)以及通式(B)中的任一式子来表示,也如上所述,发光光谱的半值宽度为10nm以下且极狭。这是起因于作为发光离子的Mn4+的性质。
通式(A):MI2(MII1-hMnh)F6
所述通式(A)中,MI为从由Li,Na,K,Rb以及Cs构成的组中选出的至少一种碱金属元素。MII为从由Ge,Si,Sn,Ti以及Zr构成的组中选出的至少一种4价的金属元素。此外,优选为0.001≤h≤0.1。
在通式(A)中,根据发光强度的高度以及荧光体结晶的稳定性的高度,优选MI为K。此外,根据同样的理由,优选MII包含Ti或Si。
另外,通式(A)中,h的值表示Mn的组成比(浓度),即Mn4+的浓度。在h的值未满0.001的情况下,作为发光离子的Mn4+的浓度不足且存在有无法获得充分的明亮度这样的不良情况。另一方面,在h的值超过0.1的情况下,因浓度淬火(concentration quenching)等,而存在有明亮度大幅下降这样的不良情况。
即,优选为通式(A)所表示的Mn4+活化氟络合物荧光体为K2(Ti1-hMnh)F6或K2(Si1- hMnh)F6,h为0.001以上且0.1以下。
通式(B):MIII(MII1-hMnh)F6
所述通式(B)中,MIII为从由Mg,Ca,Sr以及Ba构成的组中选出的至少一种碱土类金属元素。MII为从由Ge,Si,Sn,Ti以及Zr构成的组中选出的至少一种4价的金属元素。此外,优选0.001≤h≤0.1。
在通式(B)中,荧光体的发光效率较高且难以因热量以及外力而劣化,因此,优选MIII至少包含Ba。同样的理由,优选为MII包含Ti或Si。
特别是,即使在Mn4+活化氟络合物荧光体以通式(A)以及(B)中的任一形式表示的情况下,如果MII为Si,则荧光体相对于水的溶解度较低且荧光体的耐水性变高,因此更加优选。另外,在通式(B)中,优选为表示Mn的组成比(浓度)的h的值与上述的通式(A)中的h相同为0.001≤h≤0.1。
另外,本实施方式中,优选红色荧光体12的粒径为10μm以上,进一步优选为30μm以上。在红色荧光体12的粒径为所述的范围内的情况下,在后述的透明树脂14的制造过程中,离子液体中易于沉淀有红色荧光体12。
此外,优选红色荧光体12的粒径为100μm以下。当红色荧光体12的粒径超过100μm时,存在有产生将分散有红色荧光体12的离子液体向树脂框16内填充时所使用的分配器中堵塞之虞,而使发光装置10的生产率下降,因此不是优选的。
(绿色荧光体13)
绿色荧光体13,为通过发光元件11所发出的蓝色光激发而发出绿色光的荧光体。优选绿色荧光体13所发出的绿色光的发光光谱的峰值波长为520nm以上且540nm以下。在绿色荧光体13的发光光谱的峰值波长小于520nm或超过540nm的情况下,在将发光装置10作为图像显示装置的背光源而使用的情况下,相对于AdobeRGB的色域的覆盖率变差等、图像显示装置的色再现性变差。
为了利用专利文献1以及2所记载的半导体发光装置而扩大绿色的色域,而考虑到了作为绿色荧光体13而使用量子点荧光体的构成。量子点荧光体,能够通过使量子点的粒径一致从而将发光光谱的半值宽度理论上缩窄至15nm程度。另外,半值宽度为40nm以下程度的狭线宽的绿色荧光体全部得以实现。
因此,通过使用量子点荧光体作为绿色荧光体13,使绿色荧光体的发光光谱的半值宽度为55nm程度,能够利用专利文献1或2所记载的荧光体的组合进一步扩大绿色的色域。
在本实施方式中,绿色荧光体13的发光光谱的半值宽度为25nm以上。根据如此的设计,在绿色荧光体13的制造工序中,容许的粒径的偏差的范围变广。其结果,为能够提高绿色荧光体13的制造中的产率,能够将绿色荧光体13的制造成本、进而将发光装置10的制造成本抑制得较低。
本实施方式中,如上所述,红色荧光体12的发光光谱的半值宽度为10nm以下且极窄。因此,即使绿色荧光体13的发光光谱的半值宽度较宽,绿色荧光体13的发光光谱与红色荧光体12的发光光谱重叠也较小。因此,使用了发光装置10的图像显示装置的色再现性不易下降。即,即使将绿色荧光体13的发光光谱的半值宽度限定为25nm以上,也能够实现具有较高的色再现性的图像显示装置。
优选构成作为绿色荧光体13使用的量子点荧光体的半导体结晶材料,为高效且能够发出可视光的荧光体材料。作为这样的材料,例如可列举出II-VI族化合物半导体、III族窒化物半导体以及黄铜矿材料。更具体而言,优选量子点荧光体以CdSe,CdS,CdTe,InP,InN,AlInN,InGaN,AlGaInN,以及CuInGaSe中的任一者为主成分。
通过调节量子点荧光体的粒径或物质组成,从而能够调节量子点荧光体的能量带隙,进而能够取出各种的波长的荧光。
(离子性表面改性分子13a)
图2为示意地表示表面结合有离子性表面改性分子13a的状态的绿色荧光体13的图。本实施方式中的绿色荧光体13如图2所示,也可以表面结合有离子性表面改性分子13a。离子性表面改性分子13a为具有极性的分子,且在阴极侧结合于绿色荧光体13的表面。
(i)通过使绿色荧光体13的表面结合离子性表面改性分子13a,(ii)将该绿色荧光体13分散于具有聚合性官能团的离子液体14A,(iii)使其聚合而获得包含源自具有聚合性官能团的离子液体14A的构成单位的透明树脂14,从而能够在透明树脂14中以静电稳定化的状态坚固地保护绿色荧光体13。由此,能够抑制因热量而离子性表面改性分子13a被剥离的现象,结果具有能够抑制绿色荧光体13的劣化这样的优点。
作为这样的离子性表面改性分子13a,并不特别限制而能够使用以往公知的适当的分子。作为离子性表面改性分子13a的具体例,可列举出:
■2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐
■十六烷基三甲基铵溴化物
■十四烷基三甲基铵
■巯基乙酸盐
■溴化乙酰硫代胆碱等。
在这之中,能够将从由:
■2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐
■十六烷基三甲基铵溴化物
■十四烷基三甲基铵
■溴化乙酰硫代胆碱
虽然构成的组中选出的任意一者作为离子性表面改性分子13a而使用,但是从可更稳定地与绿色荧光体13结合的阳离子性的表面改性剂这样的观点而言为优选。
作为使离子性表面改性分子13a与绿色荧光体13结合的方法,例如在作为离子性表面改性分子13a而使用2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐的情况下,可列举出:
·在绿色荧光体13的制作时作为表面改性剂而对2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐进行混合的方法
·在绿色荧光体13的制作后对2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐进行混合的方法等。
虽然对于相对于绿色荧光体13的离子性表面改性分子13a的添加量也并不特别限制,但是优选为相对于100重量部的绿色荧光体13为0.1~100重量部的范围内,进一步优选为1~50重量部的范围内。在离子性表面改性分子13a的添加量相对于100重量部的绿色荧光体13为小于0.1重量部的情况下,存在有无法充分地使绿色荧光体13的表面改性的可能性。另外,在离子性表面改性分子13a的添加量相对于100重量部的绿色荧光体13超过100重量部的情况下,存在有因多余的离子性表面改性分子13a而引起绿色荧光体13的凝集之虞。
(透明树脂14)
透明树脂14,是在内部包含发光元件11,且在内部分散有绿色荧光体13以及红色荧光体12的树脂。透明树脂14包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位。
这样的透明树脂14相对于热量较稳定,且与量子点荧光体的亲和性较高。因此,绿色荧光体13与透明树脂14的界面成为化学性稳定的状态。在发光装置10中,通过使绿色荧光体13分散于透明树脂14,从而能够利用透明树脂14保护绿色荧光体13,特别能够抑制由热量引起的绿色荧光体13的劣化。
另外,如后述,透明树脂14在构成元素中包含硫黄。因此,当透明树脂14与发光元件11以及基板15所包含的电极等金属部件接触时,会有接触部位被硫化之虞。当金属部件被硫化时,该金属部件的电气传导率以及反射率等下降,发光装置10的发光效率显着下降。
因此,在发光装置10中,如图1所示,由稳定的无机物构成的红色荧光体12与发光元件11以及基板15接触。由此,能够抑制透明树脂14与所述金属部件的接触、以及因该接触而引起的金属部件的硫化,并能够抑制发光装置10的发光效率的下降。
红色荧光体12例如也可以以一部分的粒子与发光元件11或基板15接触,其它的粒子与发光元件11以及基板15对向的方式,配置在离发光元件11以及基板15规定的距离内。在该情况下,红色荧光体12与发光元件11以及基板15的接触面积越大,红色荧光体12产生的热量的放热效率越提高。关于这样的红色荧光体12的状态,也能够表现为覆盖发光元件11以及基板15。
作为本实施方式中的透明树脂14的来源的离子液体,优选常温(例如25℃)下为熔融状态的盐(常温熔融盐),用以下的通式(I)
X+Y- (I)
来表示。
通式(I)中,优选X+为以下的物质中的任一者。
■咪唑鎓离子
■吡啶鎓离子
■磷鎓离子
■脂肪族季铵离子
■吡咯烷
■锍
在这之中,从热量以及大气中的稳定性优异这样的理由,可列举脂肪族季铵离子为特别优选的阳离子。
此外所述通式(I)中,优选Y-为以下的物质中的任一者。
■四氟錋酸离子
■六氟磷酸离子
■双(三氟甲磺酰)亚胺酸离子
■过氯酸离子
■三(三氟甲基磺酰)碳酸离子
■三氟甲烷磺酸离子
■三氟乙酸酐离子
■羧酸离子
■卤素离子
在这之中,从热量以及大气中的稳定性优异这样的理由,可列举双(三氟甲磺酰)亚胺酸离子为特别优选的阴离子。
如上所述,透明树脂14包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位。透明树脂14通过使红色荧光体12沉淀,使分散有绿色荧光体13的状态的离子液体聚合来形成。此时,例如能够抑制在使分散有绿色荧光体13的硅酮树脂固体化时引起的绿色荧光体13的凝集等。
另外,通过使绿色荧光体13分散于透明树脂14中,而使绿色荧光体13静电稳定化,并且,能够坚固地保护绿色荧光体13的表面免受空气或水分等侵害。因此,能够提高发光装置10的发光效率。
虽然作为离子液体所具有的聚合性官能团,并不特别限制,但是从能够以保持维持分散有绿色荧光体13的状态固体化的观点而言,优选为(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酰氧基)。
作为具有这样的(甲基)丙烯酸酯的离子液体的优选的示例,从热量稳定性以及大气中的稳定性优异这样的理由出发,例如可列举下述式:
【化1】
所示的2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺,或下述式:
【化2】
所示的1-(3-丙烯酰氧基)-3-甲基咪唑鎓盐双(三氟甲磺酰)亚胺等。
具有上述的聚合性官能团的离子液体,通过向以往公知的适当的离子液体,通过以往公知的适当的方法导入聚合性官能团而获得。另外,作为具有聚合性官能团的离子液体也可以使用市售品。
另外,以分散有绿色荧光体13的状态,用于使具有聚合性官能团的离子液体聚合的温度以及时间等条件,根据该离子液体的种类以及量等而适当选择适宜的条件,但是并不特别限制。例如,在作为离子液体使用2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺的情况下,能够以60~100℃的温度且1~10小时这样的条件适当地聚合。另外,例如在作为离子液体而使用1-(3-丙烯酰氧基)-3-甲基咪唑鎓盐双(三氟甲磺酰)亚胺的情况下,能够以60~150℃的温度且1~10小时这样的条件适当地聚合。
在离子液体的聚合中使用催化剂的情况下,关于所使用的催化剂并不特别限制,例如能够使用以往公知的以下的催化剂。
■偶氮双异丁腈
■二甲基2,2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)
其中,将偶氮双异丁腈用作催化剂,从快速进行聚合较这样的理由而言是优选的。
虽然在向离子液体添加交联剂的情况下,对于其添加量并不特别限制,但是优选为相对于离子液体100重量部为1~50重量部的范围内,进一步优选为10~30重量部的范围内。在交联剂的添加量为相对于离子液体100重量部为小于1重量部的情况下,存在有交联结构的形成未完成而透明树脂14的强度不足之虞。另外,在交联剂的添加量相对于离子液体100重量部为超过50重量部的情况下,存在有绿色荧光体13不会在透明树脂14中稳定地分散之虞。
(构成发光装置10的其它的部件)
基板15设置有发光元件11,并且,形成有对发光元件11进行驱动的电气电路的印刷配线基板。树脂框16为载置于基板15上的树脂制的框。
(Mn4+活化氟络合物荧光体的制造例)
参照图3对用作红色荧光体12的Mn4+活化氟络合物荧光体的制造例进行说明。图3为表示通过以下的制造例制造而成的Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱以及激发光谱的图表。在以下的制造例中,所述的通式(A)中,调制了MI为K,MII为Si,h=0.06的Mn4+活化氟络合物荧光体。
首先,在氯乙烯树脂制的反应槽的中央设置氟树脂系离子交换膜的隔板(隔膜),在各个隔着离子交换膜的两室,均设置了作为白金板的阳极和阴极。在反应槽的阳极侧放入溶解了氟化锰(II)的氢氟酸水溶液、在阴极侧放入氢氟酸水溶液。
使所述阳极以及阴极与电源连接,以电压3V,电流0.75A实施电解。当在结束电解之后,向阳极侧的反应液过剩地添加氢氟酸水溶液中饱和的氟化钾的溶液时,K2MnF6生成为黄色的固体生成物。对该固体生成物进行过滤分离并进行回收,从而获得K2MnF6。
接着,使4.8g的二氧化硅溶解于100cm3的48质量%氢氟酸水溶液,从而调制包含氟化硅的水溶液。在使该水溶液放冷至室温之后,将其放入附盖的树脂容器,并在保持为70℃的水浴中保持1小时以上,并进行加温。向包含该氟化硅的水溶液添加1.19g所述的K2MnF6粉末并进行搅拌使其溶解,而调制包含氟化硅和K2MnF6的水溶液(第一溶液)。
此外,使13.95g的氟化钾溶解于40cm3的48质量%氢氟酸水溶液,并放冷至室温,而调制包含氟化钾的水溶液(第二溶液)。
之后,当向搅拌后的第一溶液用约2.5分钟稍许添加第二溶液,并搅拌10分钟程度时,生成淡橙色的固体。对该固体生成物进行过滤分离,以少量的20质量%氢氟酸水溶液将过滤分离后的固体生成物洗净。之后,再用乙醇将固体生成物洗净之后,进行真空干燥。通过以上的工序,获得了15.18g的Mn4+活化氟络合物荧光体。
在通过(株)Rigaku制的X射线衍射装置,使用Cu的K-α射线对所述Mn4+活化氟络合物荧光体的X射线衍射图案进行了调查时,确认到生成了K2SiF6相。
另外,对所述Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱进行了测定。具体而言,首先,通过轻敲使所述Mn4+活化氟络合物荧光体在宽度10mm×长度10mm×深度50mm的大小的比色管(cuvette)中进行最密填充。之后,关于所述比色管内的Mn4+活化氟络合物荧光体,使用荧光分光光度计((株)堀场制作所制:Fluoromax4),测定被波长445nm的光激发的情况下的发光光谱。
测定的结果,为关于所述Mn4+活化氟络合物荧光体,获得了图3中实线所示的发光光谱。对图3所示的发光光谱进行了分析的结果,为确认到所述Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱的峰值波长为630nm,半值宽度为8nm。
另外,通过用激发波长对使激发光的波长发生变动的情况下的所述Mn4+活化氟络合物荧光体的峰值波长630nm中的发光强度进行标记,而获得图3中以虚线所示的激发光谱。
(量子点荧光体的制造例)
参照图4对作为绿色荧光体13而使用的量子点荧光体的制造例进行说明。图4为表示通过以下的制造例制造而成的量子点荧光体的发光光谱以及激发光谱的图表。
获得量子点荧光体的工序并不特别限制,能够使用公知的量子点荧光体的制造方法。根据方法简便且低成本这样的观点,优选使用化学合成法。在化学合成法中,在使包含生成物质的构成元素的多个起始物质分散于介质的前提下,使它们反应而能够获得目的的生成物质。
作为这样的化学合成法,例如可列举出溶胶凝胶法(胶体法)、热皂法、反胶束法、溶剂热法、分子前体法、水热合成法、或熔剂法等。从能够适当地制造由化合物半导体材料构成的半导体纳米粒子这样的观点而言,优选为使用热皂法。
以下,示出了使用热皂法,制造具有CdSe核以及ZnS壳的CdSe/ZnS半导体纳米粒子即量子点荧光体的方法的一个示例。
首先,合成CdSe核。在惰性環境中使3ml的三正辛基膦(TOP)与1mmol的硒化三正辛基膦(TOPSe)以及1mmol的二甲基镉混合,而获得混合溶液。
接着,将5g的三辛基膦氧化膦(TOPO)注入到氮環境中加热至350℃的所述混合溶液。所述混合溶液的温度下降至约260℃,且与TOPO反应,而形成CdSe纳米晶。在使所述混合溶液与TOPO反应70分钟之后,使反应溶液立刻冷却至室温,而调节由CdSe构成的量子点(CdSe核)。在使所述混合溶液与TOPO反应70分钟之后,使反应溶液立刻冷却至室温,并停止反应。
相对于该反应溶液,实施五次包括以下的3个操作的分级工序:
(i)添加作为弱溶剂的脱水乙醇10ml而使量子点荧光体析出的操作;
(ii)以4000rpm进行10分钟离心分离从而使量子点荧光体沈殿的操作;
(iii)添加脱水甲苯而使量子点荧光体再溶解的操作;
通过所述的分级工序,而获得在所述反应溶液内合成出CdSe核的CdSe核溶液。
接下来,合成ZnS壳。通过在所述的方法而合成的CdSe核溶液添加作为壳层的原料的3mmol的乙酸锌以及3mmol的硫黄的3ml的TOP溶液并以150℃反应2小时之后,冷却至室温。由此,能够获得包含由CdSe/ZnS构成的量子点荧光体的分散液。相对于所获得的分散液再次实施所述(i)~(iii)的操作,通过调节脱水甲苯的量,而获得由分散有5重量%CdSe/ZnS构成的量子点荧光体的量子点荧光体分散溶液。
对由所述的过程制作而成的CdSe/ZnS量子点的发光光谱进行了测定。具体而言,首先将所获得的量子点荧光体分散溶液填充于宽度10mm×长度10mm×深度50mm的大小的比色管。然后,对于所述比色管内的CdSe/ZnS量子点,使用荧光分光光度计((株)堀场制作所制:Fluoromax4),测定被波长445nm的光激发的情况下的的发光光谱。
测定的结果,为关于所获得的量子点荧光体,获得了图4中以实线所示的发光光谱。对图4所示的发光光谱进行了分析的结果,为确认到所获得的量子点荧光体的发光光谱的峰值波长为535nm,半值宽度为35nm。
另外,通过用激发波长对使激发光的波长发生变动的情况下的所述量子点荧光体的峰值波长535nm的发光强度进行标记,而获得图4中以虚线所示的激发光谱。
此外,在使离子性表面改性分子13a与绿色荧光体13的表面结合的情况下,例如在所述制造例中,在获得由CdSe/ZnS构成的量子点荧光体的分散液之后,只要对该分散液中,作为离子性表面改性分子13a,而混合了2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐50mg的水1mL进行混合搅拌即可。由此,能够获得包含在CdSe/ZnS的表面结合有2-(二乙基氨基)乙硫醇的量子点荧光体的分散液。
(发光装置10的实施例以及比较例)
(实施例D1)
作为图1所示的发光装置10的具体例的实施例D1如以下所示。
在作为具有(甲基)丙烯酸酯的离子液体的2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺的溶液1g中,混合115mg包含5重量%的通过所述制造例制造而成的由CdSe/ZnS构成的绿色荧光体13的量子点分散溶液,而获得CdSe/ZnS分散离子液体。在该CdSe/ZnS分散离子液体中分别混合(i)1.4mg作为聚合开始的催化剂的偶氮双异丁腈,(ii)140mg通过所述制造例制造而成的红色荧光体12,而获得分散有红色荧光体12以及绿色荧光体13的荧光体分散树脂。
接着,将发光峰值波长为445nm的蓝色LED的发光元件11载置在基板15上,并以包围发光元件11的周围的方式,将树脂框16载置在基板15上。在向树脂框16内填充所述的荧光体分散树脂,并以室温放置24小时而仅使红色荧光体12的沉淀之后,以80℃加热1小时而由此树脂化。通过以上的工序,制作如图1所示那样的、具有在透明树脂14中分散有绿色荧光体13以及红色荧光体12,且红色荧光体12与发光元件11以及基板15接触的结构的发光装置10。
图5为表示通过实施例D1而获得的发光装置10的发光光谱的图表。在通过分光光度计(大冢电子制:MCPD-7000)对以20mA的驱动电流驱动发光装置10的情况下的发光光谱进行了测定后,获得了图5所示的发光光谱。此外,在图5所示的发光光谱对实施例D1的发光装置10的色度座标进行了计算后,在CIE1931色度座标上(CIEx,CIEy)=(0.256,0.224)。
实施例D1中,红色荧光体12的重量相对于透明树脂14的重量、以及绿色荧光体13的重量相对于透明树脂14的重量被调节,为在发光装置10所发出的光通过后述的液晶面板时,白色点的色温位于10,000K附近。在后述的实施例以及比较例中,红色荧光体12以及绿色荧光体13的重量相对于透明树脂14的重量也相同地被调节。
具体而言,优选为绿色荧光体13相对于100重量%的透明树脂14的重量比在1~25重量%的范围内,进一步优选在3~15重量%的范围内。另一方面,优选为红色荧光体12相对于100重量%的透明树脂14的重量比在1~60重量%的范围内,进一步优选在5~30重量%的范围内。
(实施例D2)
图6为表示本实施方式的变形例的发光装置10A的构成的剖视图。如图6所示,发光装置10A是除了发光装置10的构成,还具备玻璃板17。作为发光装置10A的具体例的实施例D2如以下所示。
首先,与实施例D1相同地,作成了发光装置10。接着,将覆盖树脂框16的开口部的形状的玻璃板17配置于该开口部,并以80℃的温度加热1小时,从而制作了发光装置10A。
玻璃板17作为抑制向透明树脂14的大气等接触的气层而发挥功能。玻璃板17为阻气层的一个示例,也可以替代玻璃板17,而使用由玻璃以外的具有透光性的物质形成的部件。
(比较例D1)
图7为表示比较例D1的发光装置10X的构成的剖视图。如图7所示,发光装置10X在红色荧光体12不与发光元件11以及基板15接触的方面,与发光装置10不同。
以下对发光装置10X的制作方法进行说明。在作为具有(甲基)丙烯酸酯的离子液体的2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺的溶液1g中,混合包括5重量%量子点荧光体的量子点分散溶液115mg,而制作CdSe/ZnS分散离子液体,所述混合量子点荧光体由通过所述制造例制造而成的CdSe/ZnS构成。
向CdSe/ZnS分散离子液体添加作为聚合开始的催化剂的偶氮双异丁腈1.4mg,制作量子点分散树脂。而且,将制作而成的量子点分散树脂以覆盖发光元件11的方式填充到树脂框16内,并以80℃加热30分钟。之后,向所述量子点分散树脂添加Mn4+活化氟络合物荧光体160mg,再次填充到树脂框16内,以80℃加热30分钟,从而制作发光装置10X。
(比较例D2)
以下对与比较例D1不同的比较例D2的发光装置的制作方法进行说明。首先,相对于硅酮树脂(信越有机硅制:KER-2500)1g,混合139mgMn4+氟络合物荧光体的制造例中获得的Mn4+氟络合物荧光体,而获得树脂组成物。接着,相对于所述树脂组成物(硅酮树脂+红色荧光体)100重量%,混合10重量%包含5重量%由量子点荧光体的制造例中获得的CdSe/ZnS构成的量子点荧光体的量子点分散溶液,而获得荧光体分散树脂。
在此,将作为发光峰值波长445nm的蓝色LED的发光元件11载置在基板15上,以包围发光元件11的周围的方式,将树脂框16载置在基板15上。在向树脂框16内填充所述的荧光体分散树脂,在以室温放置24小时之后,以80℃加热30分钟,以120℃加热1小时,由此使荧光体分散树脂固化而制作发光装置。制作出的发光装置除了透明树脂14为硅酮树脂以外,具有与图1所示的发光装置10同样的结构。
(发光装置的发光效率评价)
关于通过实施例D1、D2以及比较例D1、D2获得的发光装置实施了实验。所述的实验中,以20mA的驱动电流且最大500小时驱动实施例D1、D2以及比较例D1、D2的发光装置,并对光束的初始值以及光束的值成为驱动开始时的值(初始值)的50%为止的时间(以下,记作光束半衰时间。)进行测定。
图8为表示所述的实验的结果的表。在图8所示的表中,用实施例D1的情况下设为100的相对值来表示光束的初始值。如图8所示,实施例D1、D2的发光装置的光束半衰时间均显着长于比较例D1以及D2的光束半衰时间。这是因为,对于实施例的发光装置,作为透明树脂14而使用源自离子液体的透明树脂,且红色荧光体12堆积在发光元件11以及基板15上,由此,
■因热量而引起的绿色荧光体13的劣化
■因与离子液体的化学反应而引起的发光元件11以及基板15的金属部件的劣化
一同得到抑制。
特别是,与实施例D1的发光装置10相比较,实施例D2的发光装置10A的光束半衰时间翻倍。这是因为,因发光装置10A所具备的玻璃板17使向透明树脂14的外部气体的接触被抑制,因此,因透明树脂14所包含的绿色荧光体13的与外部气体的接触而引起的劣化也被抑制。
另外,比较例D2的发光装置中的光束的初始值以及光束半衰时间,不仅与实施例D1以及D2相比较,与比较例D1相比较也特别差。这是因为,比较例D2的发光装置中作为透明树脂使用硅酮树脂,因此,透明树脂14与绿色荧光体13的界面成为化学性不稳定的状态,绿色荧光体13在发光装置的制造制程以及驱动中急速劣化。
(发光装置10的效果)
如上所述,本实施方式的发光装置10中,在透明树脂14的内部分散有绿色荧光体13。透明树脂14包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位。因此,透明树脂14相对于热量较稳定,另外与作为量子点荧光体的绿色荧光体13的亲和性较高。因此,绿色荧光体13与透明树脂14的界面化学性稳定,绿色荧光体13的劣化被抑制。
另外,在本实施方式的发光装置10中,红色荧光体12与发光元件11以及基板15接触。因此,发光元件11以及基板15的金属部件与透明树脂14的接触部分的面积变小,该金属部件与透明树脂14的化学反应被抑制。而且,红色荧光体12所发出的热量从发光元件11以及基板15放热,因此,该热量难以向绿色荧光体13传递。因此,因热量引起的绿色荧光体13的劣化被抑制。
〔实施方式二〕
基于图9~图11对本公开的其它的实施方式进行说明,如以下所述。在本实施方式中,对具备实施方式一所涉及的发光装置的图像显示装置进行说明。此外,为了便于说明,对具有与所述实施方式中所说明的部件相同的功能的部件标注相同的符号,并省略其说明。
图9的(a)为本实施方式所涉及的图像显示装置21的分解立体图。图9的(b)为图9的(a)所示的图像显示装置21所具备的液晶显示装置24的分解立体图。图10为表示图像显示装置21所具备的滤光器246的透射光谱的图表。
如图9的(a)所示,图像显示装置21具备:发光装置10、导光板22以及液晶显示部23。导光板22为透明或半透明的导光板。液晶显示部23为显示图像的显示部且具备多个液晶显示装置24。
图像显示装置21中,在导光板22的侧面配置有多个发光装置10。另外,与导光板22相邻地设置有液晶显示部23。来自发光装置10的出射光25构成为:在导光板22内散射,并作为散射光26而照射于液晶显示部23的全面。
如实施方式一中所说明那样,发光装置10为发光效率的下降被抑制的发光装置。因此,具备发光装置10的图像显示装置21,为发光效率的下降被抑制的图像显示装置。另外,图像显示装置21也可以取代发光装置10而具备发光装置10A。
(液晶显示装置24)
如图9的(b)所示,构成液晶显示部23的液晶显示装置24依序层积有偏光板241、透明导电膜243a(具有薄膜晶体管242)、配向膜244a、液晶层245、配向膜244b、上部薄膜电极243b、用于显示颜色像素的滤光器246以及上部偏光板247。
滤光器246被分割为与透明导电膜243a的各像素对应的大小。另外,滤光器246具备使红色光透射过的红色滤光器246r、使绿色光透射过的绿色滤光器246g以及使蓝色光透射过的蓝色滤光器246b。
优选为本实施方式所涉及的图像显示装置21如图9的(b)所示的滤光器246那样,分别具备使红色光、绿色光或蓝色光透射过的过滤器。在该情况下,作为各色滤光器,例如能够适当地使用图10所示的表示各个透射光谱的滤光器。后述的实施例中,也能够使用图10所示的表示各个透射光谱的滤光器。
(图像显示装置21的实施例)
(实施例DIS1)
实施例DIS1为图9的(a)所示的构成的图像显示装置21的具体例。图11的(a)为表示实施例DIS1的图像显示装置21的白色点的色温、CIE1931色度座标上的白色点、红色点、绿色点、蓝色点的色度座标以及AdobeRGB覆盖率的表。图11的(b)为对实施例DIS1的图像显示装置21的色域与AdobeRGB的色域进行比较的图表。
图11的(a)所示的表中,红色点、绿色点以及蓝色点,为显示面板上分别显示仅透射过红色滤光器、绿色滤光器、蓝色滤光器的光的情况下的显示面板上的色度点。白色点,为将透射过各个滤光器的光全部同时显示的情况下的显示面板上的色度点。AdobeRGB覆盖率是指,由所述红色点、绿色点以及蓝色点包围而成的色域相对于AdobeRGB的色域的面积所覆盖的面积的比例。
如图11的(a)以及(b)所示那样,实施例DIS1中制成的图像显示装置21的AdobeRGB覆盖率为97.7%且极高。
〔实施方式三〕
对实施方式三进行说明。实施方式三,为实施方式一所说明的发光装置的其它的实施方式。本实施方式所涉及的发光装置除了发光元件11以外的构成与发光装置10相同,因此,省略说明。
本实施方式所涉及的发光装置中,从发光元件发出的一次光的峰值波长,为420nm以上且440nm以下。根据发出这样的峰值波长的一次光的发光元件,还能够提供能够实现色域的较广的图像显示装置的发光装置。
但是,在实施方式一的发光装置10中,发光元件11所发出的一次光的峰值波长、与图3所示的红色荧光体12的激发光谱以及图10所示的蓝色滤光器246b的透射光谱的波长整合性较好。因此,与本实施方式的发光装置的发光效率相比,实施方式一的发光装置10的发光效率更高。
〔实施方式四〕
对实施方式四进行说明。实施方式四,为实施方式一中所说明的发光装置的其它的实施方式。本实施方式所涉及的发光装置除了绿色荧光体13以外的构成与发光装置10相同,因此省略说明。
本实施方式所涉及的发光装置中,作为绿色荧光体,不使用CdSe/ZnS半导体纳米粒子,而使用发光光谱的峰值波长为525nm,半值宽度为65nm的市售的InP系量子点。
与CdSe/ZnS半导体纳米粒子相比较,InP系量子点的发光光谱的半值宽度较宽。因此,与使用了发光装置10的图像显示装置相比,使用了本实施方式的发光装置的图像显示装置的色再现性变低。
但是,InP系量子点不包含Cd。因此,与发光装置10相比,本实施方式的发光装置具有环境负荷变小这样的优点。
〔总结〕
本公开的方式一所涉及的发光装置具备:发光元件,发出蓝色光;基板,设置有所述发光元件;量子点荧光体,通过所述蓝色光激发而发出绿色光;Mn4+活化氟络合物荧光体,通过所述蓝色光激发而发出红色光;以及透明树脂,在内部包含所述发光元件,且在内部分散有所述量子点荧光体以及所述Mn4+活化氟络合物荧光体,所述Mn4+活化氟络合物荧光体与所述发光元件以及所述基板接触,所述透明树脂包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位。
根据所述的构成,量子点荧光体分散在包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位的透明树脂的内部。这样的透明树脂相对于热量较稳定且与量子点荧光体的亲和性较高。因此,量子点荧光体与透明树脂的界面化学性稳定。
另外,Mn4+活化氟络合物荧光体与发光元件以及基板接触,因此Mn4+活化氟络合物荧光体所产生的热量的一部分经由发光元件以及基板进行放热,因此该热量难以向量子点荧光体传递。
因此,能够抑制因化学反应或热量而产生的量子点荧光体的劣化。
本公开的方式二所涉及的发光装置优选为,在所述方式一的基础上,所述聚合性官能团为(甲基)丙烯酸酯。
根据所述的构成,能够对具有该聚合性官能团的离子液体进行加热、或添加催化剂使其聚合。因此,因为量子点荧光体成为在离子液体中稳定地分散的状态,所以能够保持维持该状态使离子液体聚合,并固体化。
本公开的方式三所涉及的发光装置优选为,在所述方式二的基础上,具有所述(甲基)丙烯酸酯的离子液体,为2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺、或1-(3-丙烯酰氧基)-3-甲基咪唑鎓盐双(三氟甲磺酰)亚胺。
根据所述的构成,离子液体的热量的稳定性以及大气中的稳定性优异。因此,发光装置的制造变容易。
本公开的方式四所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至三中的任一方式的基础上,在所述量子点荧光体的表面结合有离子性表面改性分子。
根据所述的构成,能够在透明树脂中以静电稳定化的状态可靠地保护量子点荧光体。因此,能够抑制因热量引起的离子性表面改性分子剥离的现象,结果为能够抑制量子点荧光体的劣化。
本公开的方式五所涉及的发光装置优选为,在所述方式四的基础上,所述离子性表面改性分子,为从由2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐、十六烷基三甲基铵溴化物、十四烷基三甲基铵以及溴化乙酰硫代胆碱构成的组中选出的任意一者。
根据所述的构成,离子性表面改性分子能够稳定地与量子点荧光体结合。
本公开的方式六所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至五中的任一方式的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径,为10μm以上且100μm以下。
根据所述的构成,Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径为10μm以上,因此,在透明树脂的制造过程中,Mn4+活化氟络合物荧光体易于沉淀于离子液体中。而且,Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径为100μm以下,因此能够防止Mn4+活化氟络合物荧光体的产率的下降。
本公开的方式七所涉及的发光装置优选为,在所述方式六的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径,为30μm以上且100μm以下。
根据所述的构成,Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径为30μm以上,因此在透明树脂的制造过程中,Mn4+活化氟络合物荧光体易于进一步沉淀在离子液体中。
本公开的方式八所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至七中的任一方式的基础上,所述量子点荧光体的发光光谱的峰值波长,为520nm以上且540nm以下。
根据所述的构成,能够提供能够实现色域的较广的图像显示装置的发光装置。
本公开的方式九所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至八中的任一方式的基础上,所述量子点荧光体的发光光谱的半值宽度,为25nm以上。
根据所述的构成,对于量子点荧光体,容许的尺寸的偏差的范围变大。因此,量子点荧光体的产率得以提高。
本公开的方式十所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至九中的任一方式的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱的半值宽度,为10nm以下。
根据所述的构成,具备本公开的一个方式所涉及的发光装置的图像显示装置的色再现性得以提高。
本公开的方式十一所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至十中的任一方式的基础上,所述量子点荧光体以,CdSe,CdS,CdTe,InP,InN,AlInN,InGaN,AlGaInN,或CuInGaSe为主成分。
根据所述的构成,能够使用高效且能够发出可视光的材料来构成量子点荧光体。
本公开的方式十二所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至十一中的任一方式的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体用通式MI2(MII1-hMnh)F6来表示,所述通式中,MI包含Li,Na,K,Rb以及Cs中的至少一种碱金属元素,MII包含Ge,Si,Sn,Ti以及Zr中的至少一种4价的金属元素,h,为0.001以上且0.1以下。
根据所述的构成,通过h来限定的Mn4+离子的浓度,为恰如其分的适当的浓度。因此,Mn4+活化氟络合物荧光体的发光强度变高。
本公开的方式十三所涉及的发光装置优选为,在所述方式十二的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体为K2(Si1-hMnh)F6。
根据所述的构成,Mn4+活化氟络合物荧光体,为(i)发光强度变高、(ii)荧光体结晶的稳定性变高、且(iii)耐水性变高。
本公开的方式十四所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至十一中的任一方式的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体用通式MIII(MII1-hMnh)F6来表示,所述通式中,MIII包含Mg,Ca,Sr以及Ba中的至少一种碱土类金属元素,MII包含Ge,Si,Sn,Ti以及Zr中的至少一种4价的金属元素,h,为0.001以上且0.1以下。
根据所述的构成,与方式十二相同地,通过h来限定的Mn4+离子的浓度,为恰如其分的适当的浓度。因此,Mn4+活化氟络合物荧光体的发光强度变高。
本公开的方式十五所涉及的发光装置优选为,在所述方式十四的基础上,所述Mn4+活化氟络合物荧光体,为Ba(Si1-hMnh)F6。
根据所述的构成,Mn4+活化氟络合物荧光体,为(i)发光效率变高、(ii)难以因热量以及外力而引起劣化、且(iii)耐水性变高。
本公开的方式十六所涉及的发光装置优选为,在所述方式一至十五中的任一方式的基础上,所述蓝色光的峰值波长,为420nm以上且480nm以下。
根据所述的构成,发光元件的发光效率较高,因此,能够提高发光装置的发光效率。
本公开的方式十七所涉及的发光装置优选为,在所述方式十六的基础上,所述蓝色光的峰值波长,为440nm以上且460nm以下。
根据所述的构成,发光元件的发光效率特别高且发光元件所发出的光与红色荧光体的激发光谱以及蓝色滤光器的透射光谱的波长整合性较好,因此能够进一步提高发光装置的发光效率。
本公开的方式十八所涉及的图像显示装置具备所述方式一至十七中的任一方式的发光装置。
根据所述的构成,能够提高色再现性的较高的图像显示装置。
〔附加事项〕
本公开的一个方式并不限定于上述的各实施方式,而能够在权利要求所示的范围内实施各种的变更,适当组合不同的实施方式分别公开的技术方法而获得的实施方式也包含在本公开的一个方式的技术范围内。而且,通过对各实施方式分别公开的技术方法进行组合,而能够形成新的技术特征。
〔本公开的一个方式的其它的表现〕
此外,本公开的一个方式也能够通过以下的方式来表现。
即,本公开的一个方式所涉及的发光装置具备:发光元件,其发出蓝色光;基板,其具备具有金属电极的所述发光元件;Mn4+活化氟络合物荧光体,其通过所述蓝色光激发而发出红色光;量子点荧光体,其通过所述蓝色光激发而发出绿色光;以及透明树脂,其包含构成源自离子性液体的构成单位,所述离子性液体具有聚合性官能团,所述发光元件以及Mn4+活化氟络合物荧光体以及量子点荧光体包含在所述树脂中,量子点荧光体分散在透明树脂中,Mn4+活化氟络合物荧光体(一体性地)覆盖所述发光元件以及基板。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述聚合性官能团,为(甲基)丙烯酸酯。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,具有所述(甲基)丙烯酸酯的离子性液体,为2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺或1-(3-丙烯酰氧基)-3-甲基咪唑鎓盐双(三氟甲磺酰)亚胺。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述量子点荧光体的发光光谱的峰值波长,为520nm以上且540nm以下。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述量子点荧光体的发光光谱的半值宽度,为25nm以上。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述量子点荧光体在其表面结合有离子性表面改性分子。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述离子性表面改性分子,为从由2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐、十六烷基三甲基铵溴化物、十四烷基三甲基铵以及溴化乙酰硫代胆碱构成的组中选出的任意一者。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱的半值宽度,为10nm以下。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述量子点荧光体以,CdSe,CdS,CdTe,InP,InN,AlInN,InGaN,AlGaInN,或CuInGaSe中的任一者为主成分。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述Mn4+活化氟络合物荧光体用下述通式MI2(MII1-hMnh)F6来表示,所述通式中,MI包含Li,Na,K,Rb以及Cs中的至少一种碱金属元素,MII包含Ge,Si,Sn,Ti以及Zr中的至少一种4价的金属元素,h为0.001以上且0.1以下。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述Mn4+活化氟络合物荧光体,为K2(Si1-hMnh)F6。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述Mn4+活化氟络合物荧光体用下述通式MIII(MII1-hMnh)F6来表示,所述通式中,MIII包含Mg,Ca,Sr以及Ba中的至少一种碱土类金属元素,MII包含Ge,Si,Sn,Ti以及Zr中的至少一种4价的金属元素,h为0.001以上且0.1以下。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述Mn4+活化氟络合物荧光体,为Ba(Si1-hMnh)F6。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述蓝色光的峰值波长,为420nm以上且480nm以下。
另外,本公开的一个方式所涉及的发光装置中,所述蓝色光的峰值波长,为440nm以上且460nm以下。
另外,本公开的一个方式所涉及的图像显示装置具备所述的任一方式的发光装置。
(关联申请的相互参照)
本申请相对于2017年2月21日提出申请的日本专利申请:日本特愿2017-030232要求优先权的利益,通过对其进行参照而将其全部内容包含在本说明书中。
附图标记的说明
10、10A 发光装置
11 发光元件
12 红色荧光体(Mn4+活化氟络合物荧光体)
13 绿色荧光体(量子点荧光体)
13a 离子性表面改性分子
14 透明树脂
14A 离子液体
15 基板
21 图像显示装置
Claims (17)
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
发光元件,出发蓝色光;
基板,设置有所述发光元件;
量子点荧光体,通过所述蓝色光激发而发出绿色光;
Mn4+活化氟络合物荧光体,通过所述蓝色光激发而发出红色光;以及
透明树脂,在内部包含所述发光元件,且在内部分散有所述量子点荧光体和所述Mn4+活化氟络合物荧光体,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体与所述发光元件和所述基板接触,
所述透明树脂包含源自具有聚合性官能团的离子液体的构成单位,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径,为10μm以上且100μm以下。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述聚合性官能团为(甲基)丙烯酸酯。
3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,
具有所述(甲基)丙烯酸酯的离子液体,为2-(甲基丙烯酰氧)-乙基三甲按双(三氟甲磺酰)亚胺、或1-(3-丙烯酰氧基)-3-甲基咪唑鎓盐双(三氟甲磺酰)亚胺。
4.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述量子点荧光体的表面结合有离子性表面改性分子。
5.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,
所述离子性表面改性分子,为从由2-(二乙基氨基)乙硫醇盐酸盐、十六烷基三甲基铵溴化物、十四烷基三甲基铵以及溴化乙酰硫代胆碱构成的组中选出的任意一者。
6.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体的粒径,为30μm以上且100μm以下。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述量子点荧光体的发光光谱的峰值波长,为520nm以上且540nm以下。
8.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述量子点荧光体的发光光谱的半值宽度,为25nm以上。
9.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体的发光光谱的半值宽度,为10nm以下。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述量子点荧光体以CdSe,CdS,CdTe,InP,InN,AlInN,InGaN,AlGaInN,以及CuInGaSe中的任意一者为主成分。
11.如权利要求1至10中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体用通式MI2(MII1-hMnh)F6来表示,
所述通式中,MI包含Li,Na,K,Rb以及Cs中的至少一种碱金属元素,
MII包含Ge,Si,Sn,Ti以及Zr中的至少一种4价的金属元素,
h,为0.001以上且0.1以下。
12.如权利要求11所述的发光装置,其特征在于,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体,为K2(Si1-hMnh)F6。
13.如权利要求1至10中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体用通式MIII(MII1-hMnh)F6来表示,
所述通式中,MIII包含Mg,Ca,Sr以及Ba中的至少一种碱土类金属元素,
MII包含Ge,Si,Sn,Ti以及Zr中的至少一种4价的金属元素,
h,为0.001以上且0.1以下。
14.如权利要求13所述的发光装置,其特征在于,
所述Mn4+活化氟络合物荧光体为Ba(Si1-hMnh)F6。
15.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述蓝色光的峰值波长为420nm以上且480nm以下。
16.如权利要求15所述的发光装置,其特征在于,
所述蓝色光的峰值波长为440nm以上且460nm以下。
17.一种图像显示装置,其特征在于,具备权利要求1至16中任一项所述的发光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017030232A JP2018137321A (ja) | 2017-02-21 | 2017-02-21 | 発光装置および画像表示装置 |
JP2017-030232 | 2017-02-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108461607A CN108461607A (zh) | 2018-08-28 |
CN108461607B true CN108461607B (zh) | 2020-08-04 |
Family
ID=63167436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810112795.3A Expired - Fee Related CN108461607B (zh) | 2017-02-21 | 2018-02-05 | 发光装置及图像显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10263162B2 (zh) |
JP (1) | JP2018137321A (zh) |
KR (1) | KR20180096502A (zh) |
CN (1) | CN108461607B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102578085B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-09-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 |
CN106505157B (zh) * | 2016-11-28 | 2018-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的封装结构、封装方法及显示装置 |
CN109638144A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-04-16 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 发光器件及具有其的灯具 |
CN109659421A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-04-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 发光器件及具有其的灯具 |
CN112965287B (zh) * | 2020-05-08 | 2022-11-29 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种彩膜基板的制备方法、显示装置与显示背板 |
JP7381906B2 (ja) * | 2021-06-21 | 2023-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール、画像表示装置 |
JP7335520B2 (ja) | 2021-06-21 | 2023-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104871325A (zh) * | 2012-12-28 | 2015-08-26 | 信越化学工业株式会社 | 调整部件和发光装置 |
TW201540812A (zh) * | 2014-01-30 | 2015-11-01 | Shinetsu Chemical Co | 複氟化物螢光體及其製造方法 |
CN105374922A (zh) * | 2014-08-18 | 2016-03-02 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件及其制造方法 |
CN205900540U (zh) * | 2016-04-29 | 2017-01-18 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led发光器件和应用该led发光器件的背光模组 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6501091B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
JP4451178B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-04-14 | スタンレー電気株式会社 | 発光デバイス |
JP2009019163A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置 |
CN101960624B (zh) | 2008-03-03 | 2012-09-26 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
JP5239043B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2010093132A (ja) | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置 |
JP5737011B2 (ja) | 2011-01-18 | 2015-06-17 | 日本電気硝子株式会社 | 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法 |
WO2012131792A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101702000B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2017-02-03 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자 |
TWI597349B (zh) * | 2012-09-21 | 2017-09-01 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 複合波長變換粉體、含有複合波長變換粉體的樹脂組成物及發光裝置 |
WO2014104143A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
US9142732B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-09-22 | Osram Sylvania Inc. | LED lamp with quantum dots layer |
US10230022B2 (en) * | 2014-03-13 | 2019-03-12 | General Electric Company | Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots |
JP6347154B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-06-27 | 大日本印刷株式会社 | 液晶表示装置およびカラーフィルタ |
US9466771B2 (en) * | 2014-07-23 | 2016-10-11 | Osram Sylvania Inc. | Wavelength converters and methods for making the same |
JP6489404B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2019-03-27 | 一般財団法人電力中央研究所 | イオン性素子および電子機器 |
JP6428089B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6441636B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2018-12-19 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置 |
JP6354626B2 (ja) * | 2015-03-09 | 2018-07-11 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP5952938B1 (ja) * | 2015-04-21 | 2016-07-13 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
JP6100831B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2017-03-22 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
US10174886B2 (en) | 2015-07-31 | 2019-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion member and light emitting device |
JP5988335B1 (ja) * | 2015-07-31 | 2016-09-07 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
JP5988334B1 (ja) * | 2015-07-31 | 2016-09-07 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP6158905B2 (ja) | 2015-12-15 | 2017-07-05 | シャープ株式会社 | 発光装置または発光装置用蛍光体含有シート |
US20170166807A1 (en) | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor containing particle, and light emitting device and phosphor containing sheet using the same |
-
2017
- 2017-02-21 JP JP2017030232A patent/JP2018137321A/ja active Pending
-
2018
- 2018-01-16 KR KR1020180005582A patent/KR20180096502A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-01-18 US US15/874,019 patent/US10263162B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-02-05 CN CN201810112795.3A patent/CN108461607B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104871325A (zh) * | 2012-12-28 | 2015-08-26 | 信越化学工业株式会社 | 调整部件和发光装置 |
TW201540812A (zh) * | 2014-01-30 | 2015-11-01 | Shinetsu Chemical Co | 複氟化物螢光體及其製造方法 |
CN105374922A (zh) * | 2014-08-18 | 2016-03-02 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件及其制造方法 |
CN205900540U (zh) * | 2016-04-29 | 2017-01-18 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led发光器件和应用该led发光器件的背光模组 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Brightly Luminescent and Color-Tunable Colloidal CH3NH3PbX3(X=Br,I,Cl)Quantum Dots:Potential Alternatives for Display Technology;Zhang Feng等;《ACS Nano.》;20150330;第9卷(第4期);第4533-4542页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018137321A (ja) | 2018-08-30 |
KR20180096502A (ko) | 2018-08-29 |
US20180240944A1 (en) | 2018-08-23 |
US10263162B2 (en) | 2019-04-16 |
CN108461607A (zh) | 2018-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108461607B (zh) | 发光装置及图像显示装置 | |
US9812617B2 (en) | Light-emitting device and image display apparatus | |
JP6625582B2 (ja) | 発光ダイオード用途に使用するための赤色線放出蛍光体 | |
JP6201665B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法並びに発光装置及びカラーフィルターの選択方法 | |
US7857994B2 (en) | Green emitting phosphors and blends thereof | |
JP5988334B1 (ja) | 発光装置 | |
US9577160B2 (en) | Light-emitting device and image display | |
JP5988335B1 (ja) | 波長変換部材および発光装置 | |
CN109390453B (zh) | 发光装置及图像显示装置 | |
JPWO2007037339A1 (ja) | 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置 | |
US9822300B2 (en) | Fluoride fluorescent material and method for producing the same as well as light emitting device using the same | |
TWI780122B (zh) | 色彩穩定之發紅光磷光體 | |
KR20170070344A (ko) | 백색 발광장치 및 디스플레이 장치 | |
JP5235266B2 (ja) | 白色ledの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法 | |
Song et al. | Synthesis of Ba2Si3O8: Eu2+ Phosphor for fabrication of white light-emitting diodes assisted by ZnCdSe/ZnSe quantum dot | |
JP4979020B2 (ja) | 画像表示装置 | |
JP6512013B2 (ja) | 画像表示装置 | |
EP2774967A1 (en) | Uv-excited red-light emitting material, and light emitting diode | |
KR101360073B1 (ko) | 발광다이오드용 양자점 및 이를 이용한 백색 발광 소자 | |
TWI464235B (zh) | 螢光體組成物及應用其之發光二極體元件 | |
JP2017034259A (ja) | 発光装置 | |
Ferrara et al. | Nanosized phosphors for white light-emitting diodes | |
WO2023215457A1 (en) | Red-emitting phosphors having small particle size, processes for preparing and devices thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200804 Termination date: 20220205 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |