CN108461597A - 一种发光二极管电极装置 - Google Patents
一种发光二极管电极装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108461597A CN108461597A CN201810107474.4A CN201810107474A CN108461597A CN 108461597 A CN108461597 A CN 108461597A CN 201810107474 A CN201810107474 A CN 201810107474A CN 108461597 A CN108461597 A CN 108461597A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- type
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Ti and N Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种发光二极管电极装置,该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极;N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触;其中N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层,N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触;其中P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层,P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。本发明有利于提高器件的电光转换效率,方法简单,制造成本低。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种发光二极管电极装置。
背景技术
近年来,材料制备和器件制造技术的进步,使发光二极管(LED)的发光效率得到了极大提高。与传统的白炽灯和荧光灯相比,LED具有节能、环保以及寿命长等优点。因此,LED广泛应用于各种照明和显示。
为减少电极挡光,LED电极在芯片上面积占比通常设计得尽可能小。但这样使电极之间间隔较大,使电流无法在电极间均匀分布。为使电流扩展更为均匀。
目前,LED器件的横向扩展往往不好,原因在于电极之间的水平间隔为半导体薄膜厚度的数十倍,导致电流在在纵向上,已经到达器件的有源区时,横向仍远未达到均匀的程度。因此,改善电流扩展的措施旨在减少电流横向扩展的电阻,或增加电流纵向流动的电阻。现有技术通过在外延结构中增加n-GaN/u-GaN(不掺杂GaN,电阻大))的交叠结构,其原理都是在半导体材料内部实现电流扩展层的改善,外延结构厚度需要增加较大,生长成本增加较多。另外,增加的体电阻较大,器件的工作电压升高较多。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种发光二极管电极装置,该电极装置在金属电极和半导体的界面改善电流扩展,金属与半导体界面的电导性易于调控,仅需很薄的一层金属,就可以实现电流扩展的显著改善,且器件电压的升高幅度较小。
本发明通过以下技术方案实现:
一种发光二极管电极装置,该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极;所述N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触;
所述N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层,N电极电流扩展层与 N型半导体导电层直接接触;
所述P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层,P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。
其中,N电极电流扩展层和P电极电流扩展层厚度为0.01nm-100nm。
其中,N型半导体导电层为N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z或N型AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤z≤1;发光层为AlxGayIn1-x-yP或者AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1;P型半导体导电层为P 型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z或P型AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1。
其中,与N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为金属材料;与P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。
其中,与N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为化合物;与P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为化合物。
其中,与N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料为金属材料;与P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。
其中,与N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料为化合物;与P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料为化合物。
其中,N型半导体导电层采用N-GaN结构;发光层采用InGaN/GaN多量子阱结构;P型半导体导电层采用P-GaN结构。
其中,P电极电流扩展层的材料为Ni与O形成的化合物,所述P电极欧姆接触层为金属材料Ag。
其中,N电极电流扩展层的材料为Ag,所述N电极欧姆接触金属层材料为Al或Cr。
本发明的有益效果在于:
1.将半导体发光二极管的电流扩展,置于金属电极内完成。由于金属导电性能优越,本发明的电流扩展效果好,器件的工作电压升高较少,有利于提高器件的电光转换效率。
2.本发明改善电流扩展,仅需简单选择一薄层电流扩展金属,以及对金属作简单处理。方法简单,制造成本低。
附图说明
图1是本发明一种发光二极管电极装置的一种结构示意图;
图2是本发明一种发光二极管电极装置的另一种结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步说明。
本发明提供的一种发光二极管电极装置,用于改善电流扩展。具体地,该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极;上述N 电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触。
其中,N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层,N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触,P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层,P 电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。
本发明的发光二极管电极装置包括两部分:电流扩展层和欧姆接触层。其中电流扩展层与半导体材料直接接触。电流扩展层与半导体材料为非欧姆接触,厚度较薄,电流扩展层之上是欧姆接触层。
下面结合图1、2对本发明作进一步说明。本发明包括N电极101,N型半导体导电层201,发光层301,P型半导体导电层401和P电极501。
N电极101包括N电极电流扩展层1011和N电极欧姆接触金属层1012,N电极电流扩展层1011与N型半导体导电层201直接接触,P电极501包括P电极欧姆接触金属层 5012,P电极欧姆接触金属层5012与P型半导体导电层401直接接触(图1);或N电极 101包括N电极欧姆接触金属层1012,N电极欧姆接触金属层1012与N型半导体导电层 201直接接触,P电极501由P电极电流扩展层5011和P电极欧姆接触金属层5012构成, P电极电流扩展层5011与P型半导体导电层401直接接触(图2)。
N电极电流扩展层1011和P电极电流扩展层5011厚度为0.01nm-100nm。
N型半导体导电层201为N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z或N型AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤z≤1;发光层为AlxGayIn1-x-yP或者AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1;P型半导体导电层401 为P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z或P型AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1。其中,x、y、z为实数,表示组分的百分比。
与N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料1011为金属,包括:Ag、Au、 Be、C、Co、Cu、Fe、Ge、Ir、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se和Te中的一种或多种;与P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料5011为金属,包括:Ag、Al、As、B、Ba、Be、Bi、Ca、Cd、Ce、Cr、Cs、Cu、Fe、Gd、Ge、Hf、In、K、La、Li、 Lu、Mg、Mn、Mo、Na、Nb、Nd、Pb、Rb、Re、Rh、Ru、Sb、Sc、Sm、Sn、Sr、Ta、 Tb、Te、Th、Ti、Tl、U、V、W、Y、Zn、Zr中的一种或多种。
与N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料1011为化合物,包括,Ti与N, O,F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物,Al与N,O,F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物;与P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料5011 为化合物,包括:Au与N,O,F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物,Ni与 N,O,F,P,S以及F六种元素中的一种或多种形成的化合物,Pt与N,O,F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物。
与N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料1011包含:Ag、As、Au、B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cs、Cu、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Hg、In、Ir、 K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na、Nb、Nd、Ni、Os、Pb、Pd、Pt、Rb、Re、Rh、Ru、 Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Th、Tl、U、V、W、Y、Zn、Zr中的一种或多种;与P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料5011包含:Ag、Al、As、 B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cr、Cs、Cu、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Hg、 In、Ir、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na、Nb、Nd、Ni、Os、Pb、Pd、Pt、Rb、Re、 Rh、Ru、Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Th、Ti、Tl、U、V、W、Y、Zn、 Zr中的一种或多种。
与N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料1011还包括:Ti与N,O, F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物,Al与N,O,F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物;与P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料5011 还包括:Au与N,O,F,P,S以及F六种元素形成的一种或多种化合物。
上述元素及化合物只是示例性的,对于其他可以作为相应材料的元素及化合物,本领域技术人员也可以将其应用其中,并不局限于此。
本发明通过增大N电极101与N型半导体导电层201和/或P电极501与P型半导体导电层401之间的欧姆接触电阻,即增大二极管的纵向电阻,从而加大电流纵向扩展难度,更有利于电流的横向扩展。
N型半导体导电层201采用N-GaN,发光层301采用InGaN/GaN多量子阱结构,P型半导体导电层401采用P-GaN。P电极501由P电极电流扩展层5011和P电极欧姆接触金属层5012两部分构成,P电极电流扩展层5011的材料为Ni与O形成的化合物,P电极欧姆接触层5012金属材料用Ag;在N电极101中,N电极电流扩展层1012的材料为Ag, N电极欧姆接触金属层1012与N型半导体导电层201直接接触,N电极欧姆接触金属层 1012材料用Al或Cr。
本发明通过调节金属-半导体界面,在这个界面上,一侧为金属,一侧为高掺的半导体,电流流动的横向电阻较小,因此,只要稍增加纵向电阻,即可使得电流扩展得到显著改善。
以上所述仅表达了本发明的优选实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形、改进及替代,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种发光二极管电极装置,其特征在于:所述发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极;所述N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触;
所述N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层,N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触;
所述P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层,P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管电极装置,其特征在于:所述的N电极电流扩展层和P电极电流扩展层厚度为0.01nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管电极装置,其特征在于:
所述N型半导体导电层为N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z或N型AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1;
所述发光层为AlxGayIn1-x-yP或者AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1;
所述P型半导体导电层为P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z或P型AlxGayIn1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1。
4.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置,其特征在于:
与所述N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为金属材料;
与所述P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。
5.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置,其特征在于:
与所述N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为化合物;
与所述P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为化合物。
6.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置,其特征在于:
与所述N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料为金属材料;
与所述P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。
7.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置,其特征在于:
与所述N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料为化合物;
与所述P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料为化合物。
8.根据权利要求1-7任一项所述的发光二极管电极装置,其特征在于,所述N型半导体导电层采用N-GaN结构;所述发光层采用InGaN/GaN多量子阱结构;所述P型半导体导电层采用P-GaN结构。
9.根据权利要求1-7任一项所述的发光二极管电极装置,其特征在于,所述P电极电流扩展层的材料为Ni与O形成的化合物,所述P电极欧姆接触层为金属材料Ag。
10.根据权利要求1-7任一项所述的发光二极管电极装置,其特征在于,所述N电极电流扩展层的材料为Ag,所述N电极欧姆接触金属层材料为Al或Cr。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810107474.4A CN108461597A (zh) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 一种发光二极管电极装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810107474.4A CN108461597A (zh) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 一种发光二极管电极装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108461597A true CN108461597A (zh) | 2018-08-28 |
Family
ID=63238332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810107474.4A Withdrawn CN108461597A (zh) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 一种发光二极管电极装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108461597A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109860368A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-06-07 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101075651A (zh) * | 2006-09-05 | 2007-11-21 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 有电流扩展层和阻挡层的GaN基垂直LED功率芯片制备方法 |
CN101273468A (zh) * | 2005-09-27 | 2008-09-24 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有电流扩展层的光电子半导体器件 |
CN101540359A (zh) * | 2009-04-29 | 2009-09-23 | 山东华光光电子有限公司 | 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法 |
CN105070805A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-11-18 | 晶能光电(常州)有限公司 | 一种硅基氮化物紫外led外延结构及其实现方法 |
CN106684220A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-05-17 | 南昌大学 | 一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法 |
-
2018
- 2018-02-02 CN CN201810107474.4A patent/CN108461597A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101273468A (zh) * | 2005-09-27 | 2008-09-24 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 具有电流扩展层的光电子半导体器件 |
CN101075651A (zh) * | 2006-09-05 | 2007-11-21 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 有电流扩展层和阻挡层的GaN基垂直LED功率芯片制备方法 |
CN101540359A (zh) * | 2009-04-29 | 2009-09-23 | 山东华光光电子有限公司 | 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法 |
CN105070805A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-11-18 | 晶能光电(常州)有限公司 | 一种硅基氮化物紫外led外延结构及其实现方法 |
CN106684220A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-05-17 | 南昌大学 | 一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109860368A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-06-07 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI285440B (en) | High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer | |
TWI270222B (en) | Light emitting diode chip | |
EP2722897A1 (en) | Light emitting device | |
US9455380B2 (en) | High color rendering light emitting device including different phosphors | |
CN108365062A (zh) | 半导体元件 | |
US20070114515A1 (en) | Nitride semiconductor device having a silver-base alloy electrode | |
CN104051589B (zh) | 一种横向氧化锌纳米棒阵列发光二极管 | |
US20040079948A1 (en) | Structure and manufacturing method for GaN light emitting diodes | |
CN107810563A (zh) | 紫外光发光二极管、发光二极管封装及照明装置 | |
US20060076574A1 (en) | Gallium-nitride based light-emitting diodes structure with high reverse withstanding voltage and anti-ESD capability | |
CN104143595B (zh) | 发光器件 | |
CN107425100A (zh) | 发光元件 | |
TW201438218A (zh) | 覆晶式固態發光顯示器 | |
CN106531853B (zh) | 一种高性能led芯片及其制作方法 | |
CN102237455B (zh) | 发光二极管结构 | |
US20060017060A1 (en) | Vertical conducting nitride diode using an electrically conductive substrate with a metal connection | |
CN108461597A (zh) | 一种发光二极管电极装置 | |
EP2086026A2 (en) | Light emitting device with high light extraction efficiency | |
US20060102930A1 (en) | High-brightness gallium-nitride based light emitting diode structure | |
CN109817777A (zh) | 半导体元件 | |
CN108711586B (zh) | 一种出光效率高的半导体led芯片 | |
CN101656288A (zh) | 氮化物半导体led | |
CN106784176B (zh) | 一种发光效率高的led芯片及其制作方法 | |
CN103050595A (zh) | 氮化物发光二极管 | |
CN101752466B (zh) | 发光组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 330000 999, Xuefu Avenue, Nanchang, Jiangxi. Applicant after: Nanchang University Applicant after: Nanchang Silicon-based Semiconductor Technology Co., Ltd. Address before: 330027 999, Xuefu Avenue, Nanchang, Jiangxi. Applicant before: Nanchang University Applicant before: Nanchang Huanglv Lighting Co., Ltd. |
|
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20180828 |