CN108461382A - 一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法 - Google Patents

一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，所述纳米材料为纳米线和纳米带。本发明采用气相沉积法，以硒化铋为原料在管式炉中进行高温蒸发，并经惰性载气传输，在Au/Cu薄膜作催化剂的条件下制备出Cu掺杂硒化铋纳米材料。本发明制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料具有很好的结晶性，纳米线和纳米带的长度在百微米级别，并通过X射线衍射分析(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)和X射线激发俄歇电子能谱(XAES)证明了Cu的引入，以及掺入Cu的价态。

Description

一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法
技术领域
本发明涉及硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，属于半导体材料与微电子器件领域。
背景技术
硒化铋是一种窄带隙半导体半导体材料，早先由于其良好热电性质和红外探测效应而受到广泛关注。近年来，理论计算和实验工作证明硒化铋是一类强三维拓扑绝缘体，即体内是有能隙的绝缘态，表面则是导电的金属态，而且电子在表面传输时是一种自旋有序运动，避免了能量损耗，在低能耗和自旋电子器件的应用上有着重要的科研价值。在对硒化铋纳米材料的研究中，研究人员发现将适量的Cu插入硒化铋晶格中，可以得到一种表面金属、内部超导的拓扑超导体(Phys.Rev.Lett.,2010,104(5):057001,Phys.Rev.Lett.,2011,106(21):216803)，Cu的引入给硒化铋带来了更加奇异的性质，引起了科研工作者的极大兴趣。在硒化铋实现Cu掺杂的制备方法中，具体有电化学法，热壁外延法，分子束外延法，但大都存在工艺复杂、产物结晶性差、纯度低的问题，对拓扑超导体的研究带来了不便，完善和优化Cu掺杂硒化铋纳米材料的制备方法有着重要意义。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述不足，提供一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，此方法简单可靠、重复性良好、制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料具有良好的结晶性。
本发明的技术解决方案是：
实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，包括以下步骤：
(1)使用磁控溅射仪在清洗后的SiO2/Si衬底(长度和宽度均为10mm)上镀上一层Cu膜，随后在Cu膜上再镀上一层Au膜(Cu膜和Au膜的厚度均为10nm)，作为Au/Cu催化剂，其中Cu膜作为掺杂Cu的引入源，Au膜作为保护层防止Cu被氧化；
(2)将清洗好的石英管(内径为50mm，长度为1.5m)水平放置在管式炉内，在加热中心处放入硒化铋粉末(质量为0.02～0.03g，重量比浓度为99.999％，Alfa Asear)，在载气下游方向距硒化铋粉末8～14cm处放置步骤(1)得到的SiO2/Si衬底，对石英管密封，密封方式为法兰密封，并用机械泵抽真空，石英管内压强≤130Pa；
(3)对步骤(2)中的管式炉进行加热，并通入载气(Ar)，流量50sccm，设定加热温度为550～700℃，优选为650℃，升温速率10℃/min，保温2h后，自然冷却至室温；
(4)打开步骤(3)石英管的密封装置，得到长有Cu掺杂硒化铋纳米材料的衬底。
本发明的优点和有益效果：
本发明采用气相沉积法，在使用Cu/Au薄膜做催化剂的条件下，制备得到Cu掺硒化铋纳米材料(纳米线和纳米带)。本发明制备Cu掺硒化铋纳米材料的方法，具有步骤简单、成本低、可控行好的优点，制备得到的Cu掺硒化铋纳米线长度在百微米级别，且具有很高的结晶性，有望在拓扑超导领域获得重要的应用。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料与纯硒化铋纳米材料的XRD对比图。
图2为本发明实施例1制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料与纯硒化铋纳米材料的XRD的(006)衍射峰的对比图。
图3为本发明实施例1制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料的扫描电子显微镜图像(SEM)，(a)图标尺10μm，(b)图标尺20μm。
图4为本发明实施例1制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料的EDS图谱与相对应的SEM图像,(a)图是纳米带，(b)图是纳米带和纳米线。
图5为本发明实施例1制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料的XAES拟合图。
图6为本发明实施例2制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料的SEM图像。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特点和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
实施例1
根据本发明提供的方法制备Cu掺杂硒化铋纳米材料，步骤如下：
(1)清洗好SiO2/Si衬底，并使用磁控溅射仪在SiO2/Si衬底上镀上一层Cu膜，随后在Cu膜上镀上一层Au膜，Cu膜和Au膜的厚度均为10nm，作为Au/Cu催化剂；
(2)将清洗好的石英管(内径为50mm，长度为1.5m)水平放置在管式炉内，在加热中心处放入质量为0.02～0.03g、重量比浓度为99.999％的硒化铋粉末(AlfaAsear)，在载气下游方向距硒化铋粉末8～14cm处放置步骤(1)得到的SiO2/Si衬底，对石英管密封，密封方式为法兰密封，并用机械泵抽真空，压强≤130Pa；
(3)对步骤(2)中的管式炉进行加热，并通入载气(Ar)，流量50sccm，设定加热温度为650℃，升温速率10℃/min，保温2h后，待其自然冷却至室温；
(4)打开步骤(3)石英管的密封装置，即可得到长有Cu掺杂硒化铋纳米材料的衬底。
本发明实施例1所得样品的XRD衍射峰(如图1所示)与硒化铋标准衍射峰相符合，说明制备产物为硒化铋相，X射线衍射峰形状锐利，表明产物具有很好的结晶性。另外在与纯硒化铋纳米材料的XRD比较中，发现Cu掺硒化铋的(006)衍射峰较纯硒化铋向高角度移动(如图2所示)，根据布拉格方程2dsinθ＝nλ，衍射角增大即晶格间距d减小，Cu的原子半径要小于Bi的原子半径初步表明Cu原子替代了Bi原子，导致晶格间距d减小。
本发明实施例1所得样品的SEM图像(如图3所示)，可以看出所得产物的形貌为纳米线，数量较多，长度可达百微米级别。
本发明实施例1所得样品的EDS图谱和相对应的取点区域的SEM图像(如图4所示)，其中，图4(a)的EDS测试取点的Cu掺硒化铋纳米带宽度较窄，且周围是衬底，在EDS测试结果中发现有Au的出现，表明测试受到衬底上Cu的影响。为了避免衬底上Cu的影响，选择在较大面积的纳米带上进行测试(如图4(b)所示)，测试结果显示没有Au的出现，说明测试没有受到衬底的影响，EDS测试结果中的Cu来源于纳米材料，表明本发明方法确实在硒化铋纳米材料中引入了Cu。
本发明实施例1所得样品的X射线激发俄歇电子能谱(如图5所示)，在测试之前将实例1所得样品进行超声震荡30min，静置取上层清液中的纳米线和纳米带进行测试，以避免衬底上Cu的影响，经拟合分析得到硒化铋纳米材料中掺入Cu的价态为0价和+1价。
实施例2
根据本发明提供的方法制备Cu掺杂硒化铋纳米材料，步骤如下：
(1)清洗好SiO2/Si衬底，并使用磁控溅射仪在SiO2/Si衬底上镀上一层Cu膜，随后在Cu膜上镀上一层Au膜，Cu膜和Au膜的厚度均为10nm，作为Au/Cu催化剂；
(2)将清洗好的石英管(内径为50mm，长度为1.5m)水平放置在管式炉内，在加热中心处放入质量为0.02～0.03g、重量比浓度为99.999％的硒化铋粉末(AlfaAsear)，在载气下游方向距硒化铋粉末8～14cm处放置步骤(1)得到的SiO2/Si衬底，对石英管密封，密封方式为法兰密封，并用机械泵抽真空，压强≤130Pa；
(3)对步骤(2)中的管式炉进行加热，并通入载气(Ar)，流量50sccm，设定加热温度为550℃，升温速率10℃/min，保温2h后，待其自然冷却至室温；
(4)打开步骤(3)石英管的密封装置，即可得到长有Cu掺杂硒化铋纳米材料的衬底。
本发明实施例2所得样品的SEM图像(如图6所示)，可以看出在550℃加热温度下，Cu掺杂硒化铋纳米线和纳米带在密度上较实施例1样品要低，纳米线长度30～50μm。
实施例3
本实施例与实施例1不同的是，步骤(3)中的加热温度设定为600℃，其他与实施例1相同。
实施例4
本实施例与实施例1不同的是，步骤(3)中的加热温度设定为700℃，其他与实施例1相同。

Claims (6)

1.一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，其特征在于，采用气相沉积法，通过加热硒化铋粉末，经惰性气体进行气相输运，在使用Au/Cu薄膜做催化剂的条件下，在SiO2/Si衬底上制备得到Cu掺杂硒化铋纳米材料；包括以下步骤：
(1)使用磁控溅射仪在SiO2/Si衬底上镀上一层Cu膜，随后在Cu膜上再镀上一层Au膜；
(2)将清洗后的石英管水平放置在管式炉内，在加热中心处放入硒化铋粉末，在载气下游方向距硒化铋粉末8～14cm距离处放置步骤(1)得到的SiO2/Si衬底，密封石英管，并用机械泵抽真空；
(3)对步骤(2)中的管式炉进行加热，并通入惰性载气，在设定温度下保温后，自然冷却；
(4)打开步骤(3)中的石英管密封装置，得到长有Cu掺杂硒化铋纳米材料的衬底。
2.根据权利要求1所述的实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的SiO2/Si衬底的长度和宽度为10mm，Cu膜和Au膜的厚度为10nm；步骤(2)中硒化铋粉末的质量为0.02～0.03g，石英管内径为50mm，长度为1.5m。
3.根据权利要求1所述的实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的石英管密封方式为法兰密封，石英管内压强≤130Pa。
4.根据权利要求1所述的实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的载气为Ar气，流量50sccm。
5.根据权利要求1所述的实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，其特征在于，步骤(3)中设定加热温度为550～700℃，升温速率10℃/min，保温时长2h，自然冷却至室温。
6.根据权利要求5所述的实现拓扑绝缘体Cu掺杂硒化铋纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中设定加热温度优选为650℃。
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CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20200619

Termination date: 20210206

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