CN108447995B - 前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备及太阳能电池 - Google Patents
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- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 178
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims abstract description 17
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 claims description 5
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 229910009053 Sn—O—Sn Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009112 xH2O Inorganic materials 0.000 description 2
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L lead(ii) iodide Chemical compound I[Pb]I RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- -1 preferably Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明实施例提供一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，包括：将锡的氯化物添加至有机溶剂中，形成混合溶液；对所述混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流，使混合溶液形成二氧化锡溶胶；以及在具有所述二氧化锡溶胶的所述混合溶液中加入碱性添加剂，使所述二氧化锡溶胶的粒径增大，从而得到所述前驱体溶液。还提供一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液，包括有机溶剂、二氧化锡溶胶以及碱性添加剂，所述二氧化锡溶胶及所述碱性添加剂分散于所述有机溶剂中。还提供一种太阳能电池电子传输层的制备方法以及包括该电子传输层的太阳能电池。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备及太阳能电池。
背景技术
二氧化锡(Tin dioxide，SnO2)是一种宽禁带半导体(3.8eV)，在紫外条件下不易被激发，且具有较高的电导率，易制备，化学性质稳定，被广泛应用于太阳能电池、透明导电、气敏等领域。
由于在低温下即可得到光电性能优异的薄膜，SnO2近年在太阳能电池领域，尤其是钙钛矿太阳能电池中受到了广泛的关注。
目前性能最高的则是具有介孔结构的TiO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池，这种结构由于介孔TiO2层可以与光吸收层形成更好的接触，从而更有利于电子从光吸收层传输至电子传输层，并且这种结合可以增强两层之间的结合力，大大增加电池的机械稳定性。但是这种介孔TiO2结构需要450℃以上高温烧结，这不仅增加了电池制作成本，同时也不利于未来柔性电池的发展。
所以，可以低温制备的SnO2是更为理想的电子传输层材料，但是如何确定SnO2电子传输层低成本的优势，同时保证更高的效率和更稳定的构型成为必须要解决的问题。而在低温下制备和太阳能电池中的吸收层如钙钛矿层更好的结合力与结合强度成为研究重点。
发明内容
基于此，有必要提供一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备方法，可以在低温条件下制备出高效、稳定的电子传输层及包括该电子传输层的太阳能电池。
一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，包括：
将锡的氯化物添加至有机溶剂中，形成混合溶液；
对所述混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流，使混合溶液形成二氧化锡溶胶；以及
在具有所述二氧化锡溶胶的所述混合溶液中加入碱性添加剂，使所述二氧化锡溶胶的粒径增大，从而得到所述前驱体溶液。
在其中一个实施例中，所述锡的氯化物包括氯化亚锡、氯化亚锡的水合物、氯化锡及氯化锡的水合物中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述有机溶剂包括乙醇、异丙醇、甲醇、正丙醇及丁醇中的一种或多种。
在其中一个实施例中，在所述混合溶液中所述锡的氯化物的摩尔浓度为0.01mol/L至10mol/L。
在其中一个实施例中，所述对所述混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流的步骤中，加热温度为40℃至120℃下，加热回流时间为1h至10h。
在其中一个实施例中，所述碱性添加剂包括氨水、氢氧化钠及氢氧化钾中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述前驱体溶液中所述碱性添加剂的摩尔浓度为0.001mol/L至0.01mol/L。
一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液，包括有机溶剂、二氧化锡溶胶以及碱性添加剂，所述二氧化锡溶胶及所述碱性添加剂分散于所述有机溶剂中。
在其中一个实施例中，所述二氧化锡溶胶的粒径为5至500nm。
一种太阳能电池电子传输层的制备方法，包括：
提供基板；
提供前面任一项所述的前驱体溶液；
将所述前驱体溶液在所述基板上形成二氧化锡液膜层；以及
去除所述二氧化锡液膜层中的所述有机溶剂，得到具有微纳结构的二氧化锡薄膜。
在其中一个实施例中，所述去除所述二氧化锡薄层中的所述有机溶剂的步骤为在温度为50℃-150℃的条件下使所述有机溶剂蒸发。
在其中一个实施例中，所述去除所述二氧化锡薄层中的所述有机溶剂的步骤还包括对加热后的所述二氧化锡薄层进行1-60min的紫外臭氧处理。
一种太阳能电池，包括层叠设置的电极板、电子传输层、光吸收层、空穴传输层以及金属电极层，所述电子传输层通过如前面所述的太阳能电池电子传输层的制备方法制备得到。
本发明实施例提供的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，采用回流与碱性添加剂控制相结合，首先通过回流的方式使混合溶液形成溶胶，之后再添加碱性添加剂，增大胶粒尺寸，得到需要的前驱体溶液。锡的氯化物在回流制备溶胶的过程中会形成盐酸，盐酸的存在会抑制溶胶胶粒的增大，在此步骤可以使形成尺寸较小的溶胶，且通过回流过程充分分散，避免溶胶迅速长大造成团聚和粒径不均匀。在下一个步骤中，在溶胶已均匀分散的混合溶液中添加碱性添加剂，可以促进溶胶中含有的Sn-O-H基团之间的交联聚合，使其转变为Sn-O-Sn基团，促进溶胶中胶粒的增大，长大的溶胶依然能够均匀分散而不团聚，且胶粒增大程度更加可控，尺寸更加均匀，从而使通过前驱体溶液形成的二氧化锡薄膜具有更高均匀性。由于在液相中已实现溶胶的长大，溶胶成分中Sn-O-Sn相对Sn-O-H占主要成分，在后续的二氧化锡薄膜制备过程中，加热温度可以较低，制备前驱体溶液以及使用该前驱体溶液制备二氧化锡薄膜电子传输层的过程均可以在较低温度下实现。并且，制备的二氧化锡薄膜电子传输层由于具有尺寸均匀的微纳结构，应用于太阳能电池器件中，可以增加电子的注入效率，减少电荷反向复合，进而提高器件性能，同时增强与太阳能电池中其他结构的结合作用，如吸光层的结合，提高了太阳能电池的机械稳定性。且本发明实施例提供的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法简单，容易操作，便于应用。
附图说明
图1为本发明一实施例制备前驱体溶液的制备方法流程示意图；
图2为本发明一实施例太阳能电池的结构示意图；
图3为本发明实施例与对比例中的太阳能电池的电流密度与电压(J-V)特性曲线图。
其中，
太阳能电池-100；
电极板-110；
电子传输层-120；
光吸收层-130；
空穴传输层-140；
金属电极层-150。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及技术效果更加清楚明白，以下结合附图对本发明的具体实施例进行描述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明实施例提供一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，包括：
S100，将锡的氯化物添加至有机溶剂中，形成混合溶液；
S200，对混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流，使混合溶液形成二氧化锡溶胶；以及
S300，在具有所述二氧化锡溶胶的所述混合溶液中加入碱性添加剂，使所述二氧化锡溶胶的粒径增大，从而得到前驱体溶液。
本发明实施例提供的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，采用回流与碱性添加剂控制相结合，首先通过回流的方式使混合溶液形成溶胶，之后再添加碱性添加剂，增大胶粒尺寸，得到需要的前驱体溶液。锡的氯化物在回流制备溶胶的过程中会形成盐酸，盐酸的存在会抑制溶胶胶粒的增大，在此步骤可以使形成尺寸较小的溶胶，且通过回流过程充分分散，避免溶胶迅速长大造成团聚和粒径不均匀。在下一个步骤中，在溶胶已均匀分散的混合溶液中添加碱性添加剂，可以促进溶胶中含有的Sn-O-H基团之间的交联聚合，使其转变为Sn-O-Sn基团，促进溶胶中胶粒的增大，长大的溶胶依然能够均匀分散而不团聚，且胶粒增大程度更加可控，尺寸更加均匀，从而使通过前驱体溶液形成的二氧化锡薄膜具有更高均匀性。由于在液相中已实现溶胶的长大，溶胶成分中Sn-O-Sn相对Sn-O-H占主要成分，在后续的二氧化锡薄膜制备过程中，加热温度可以较低，制备前驱体溶液以及使用该前驱体溶液制备二氧化锡薄膜电子传输层的过程均可以在较低温度下实现。并且，制备的二氧化锡薄膜电子传输层由于具有尺寸均匀的微纳结构，应用于太阳能电池器件中，可以增加电子的注入效率，减少电荷反向复合，进而提高器件性能，同时增强与太阳能电池中其他结构的结合作用，如吸光层的结合，提高了太阳能电池的机械稳定性。且本发明实施例提供的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法简单，容易操作，便于应用。
在步骤S100中，锡的氯化物可以为氯化亚锡(SnCl2)、氯化亚锡的水合物(SnCl2·xH2O)、氯化锡(SnCl4)及氯化锡的水合物(SnCl4·xH2O)中的一种或多种。有机溶剂可以为乙醇、异丙醇、甲醇、正丙醇及丁醇中的一种或多种。优选的，有机溶剂为异丙醇。优选的，混合溶液中锡的氯化物的摩尔浓度为0.01mol/L至10mol/L。通过调节混合溶液中锡的氯化物的摩尔浓度可以调整二氧化锡的含量，从而可以在一定程度上控制二氧化锡的成膜厚度，有利于提高二氧化锡薄膜的电子传输层在太阳能电池中的使用性能。
在步骤S200中，加热温度可以为40℃至120℃，加热时间可以为1h至10h。通过对加热时间以及温度的控制，可以控制溶胶的性质，例如溶胶的粒径大小、溶胶的粘度等。冷凝回流结束之后还可以进一步包括对形成的溶胶的静置处理，从而使形成的溶胶更加稳定。静置处理的温度可以为30℃-50℃。静置处理的时间可以为2h-4h。优选的，静置处理的温度为40℃，时间为3h。
在步骤S300中，碱性添加剂优选为碱性添加剂。碱性添加剂可以包括氨水(NH3·H2O)、氢氧化钠(NaOH)及氢氧化钾(KOH)中的一种或多种。碱性添加剂在用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液中的摩尔浓度可以为0.001mol/L至0.01mol/L。要合理控制碱性添加剂在前驱体溶液中的含量，一方面防止碱性添加剂的含量过大产生沉淀，从而使后期制备的二氧化锡薄膜不均匀，影响二氧化锡薄膜的使用性能，另一方面防止碱性添加剂的含量不够而不能使胶粒长大的目的。通过控制碱性添加剂的含量以及种类可以控制溶胶中二氧化锡胶粒之间的交联程度，从而控制二氧化锡胶粒的大小，最终达到控制制备的二氧化锡薄膜形貌的目的。通过控制二氧化锡胶粒的大小，可以制备出具有微纳结构的二氧化锡薄膜，微纳结构的二氧化锡薄膜具有较大的表面积及粗糙度，可以极大的提高二氧化锡薄膜电子传输层与吸光层的接触面积，提高两者之间的结合力以及结合强度。二氧化锡单个粒子的直径在十几纳米，在冷凝回流形成的溶胶基础上通过调控碱性添加剂的添加量，促使二氧化锡粒子之间交联增大，增大后的二氧化锡胶粒的直径可以从几十纳米到几微米。
本发明实施例还提供一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液，包括有机溶剂、二氧化锡溶胶以及碱性添加剂。二氧化锡溶胶以及碱性添加剂分散于有机溶剂中。碱性添加剂用于使二氧化锡溶胶胶粒增大。可选的，二氧化锡溶胶的粒径可以为5nm至500nm。优选的，二氧化锡溶胶的粒径可以为200nm至300nm。本实施例提供的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液可以采用前面所述的任意一种制备方法制备得到。
本发明实施例还提供一种太阳能电池电子传输层的制备方法，包括：
S400，提供基板；
S500，提供前面任一种用于制备二氧化锡薄膜的前驱体溶液；
S600，将前驱体溶液在基板上形成二氧化锡液膜层；
S700，去除二氧化锡液膜层中的有机溶剂，得到具有微纳结构的二氧化锡薄膜。
在步骤S400中，还可以进一步包括对基板的清洗。通过对基板的清洗，可以保证基板上没有颗粒物质或者无机残留。可以采用先去离子水清洗，再有机溶剂清洗相结合的方式对基板进行清洗。有机溶剂可以包括乙醇、丙酮及异丙醇中的一种或多种。可选的，清洗的过程中还可以采用超声辅助，从而加大对基板的清洗力度，保障清洗之后基板的清洁度。清洗完毕之后可以烘干或者使用惰性气体进行吹干处理。基板可以作为后期制备的太阳能电池中的电极板。
在步骤S600中，可以通过旋涂、喷涂以及提拉中的一种或多种，使前驱体溶液在基板上形成二氧化锡薄层。
在步骤S700中，可以采用加热的方式来去除二氧化锡薄层中的有机溶剂，得到具有微纳结构的二氧化锡薄膜。加热温度可以为50℃-150℃。优选的，加热之后还可以进一步包括对加热后的二氧化锡薄层的紫外臭氧处理，以完全除去二氧化锡薄层中的有机成分，同时增加得到的具有微纳结构的二氧化锡薄膜的浸润性。紫外臭氧处理的时间可以为1-60min。
本发明实施例提供的前驱体溶液及其制备方法、以及太阳能电池电子传输层的制备方法，均可以实现低温制备，尤其适用于高效柔性电池的制备。
本发明实施例还提供一种太阳能电池100，包括层叠设置的电极板110、电子传输层120、光吸收层130、空穴传输层140以及金属电极层150。相邻层之间可以形成电接触。电子传输层120可以为前面所述的具有微纳结构的二氧化锡薄膜。其中光吸收层130用于吸收光能产生载流子。空穴传输层140用于提取光吸收层产生的空穴。金属电极层150用于将空穴传递至外电路。
电极板110可以使光通过。可选的，电极板110可以为透光电极板。该透光电极板还可以包括透光绝缘基板及设置在该透光绝缘基板表面的透明导电层或透明导电网络。透光绝缘基板优选为玻璃基板。透明导电层可以为氧化铟锡(ITO)、掺杂氟的二氧化锡(FTO)或掺杂铝的氧化锌(AZO)透明导电玻璃中的一种。
光吸收层130可以包括光吸收材料。光吸收材料可以包括钙钛矿型、铜锌锡硫(CZTS)及铜铟镓硒(CIGS)材料中的一种。
空穴传输层140可以包括2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)、聚-3-己基噻吩(P3HT)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、碘化亚铜(CuI)及硫氰酸亚铜(CuSCN)中的一种或多种。可选的，空穴传输层140的厚度可以为30nm-1000nm。
金属电极层150可以包括金、银及铜中的一种或多种。金属电极层150的厚度可以为30nm-300nm。
本发明实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
S10，提供电极板；
S20，提供前面所述的任一种前驱体溶液；
S30，使用前驱体溶液在电极板上形成具有微纳结构的二氧化锡薄膜，具有微纳结构的二氧化锡薄膜为电子传输层120；
S40，在二氧化锡微薄膜上形成光吸收层130；
S50，在光吸收层上形成空穴传输层140；以及
S60，在空穴传输层上形成金属电极层150。
实施例1刚性微纳结构SnO2基钙钛矿太阳能电池的制备
电极板110的准备：将透明导电FTO玻璃用Zn粉和HCl进行部分刻蚀，部分保护，刻蚀完成后依次运用去离子水、乙醇、丙酮、异丙醇清洗，之后烘干待用。
制备前驱体溶液：将SnCl2·H2O溶于无水乙醇中形成混合溶液，混合溶液中SnCl2摩尔浓度为0.1mol L-1；在80℃的条件下进行冷凝回流，回流时间为3h，然后40℃条件下静止3h，形成具有SnO2溶胶的溶液；添加碱性添加剂NH3·H2O，均匀搅拌，得到前驱体溶液，前驱体溶液中碱性添加剂NH3·H2O的摩尔含量为0.01mol L-1。
制备电子传输层120：将前驱体溶液滴在FTO导电玻璃基底上，在转速为2000rpm条件下旋转涂覆30秒，然后在100℃加热60分钟，得到微纳结构的二氧化锡薄膜，后可以将制备的二氧化锡薄膜在紫外臭氧清洗机中处理20min。
制备光吸收层130：将PbI2、CH(NH2)2I、PbBr2、NH3CH2Br按照摩尔比1.1：1：0.2:0.2溶于DMF与DMSO的混合溶液中，其中DMF与DMSO的体积比为4:1，得到光吸收层前驱体溶液，之后将其涂覆在微纳结构的二氧化锡薄膜上，可以采用两步旋涂法，第一步转速1000rpm，时间5s，第二步转速6000rpm，时间50s，且在第二步旋涂距结束还有15s时，滴加350μl氯苯，之后置于100℃的热板上，加热40min。
制备空穴传输层140：将72.3mg Spiro-OMeTAD溶于1mL氯苯中，同时加入17.5μL的双三氟甲烷磺酰亚胺锂(LiTFSI)的乙腈溶液及29μL的叔丁基吡啶溶液，其中LiTFSI在乙腈溶液中的质量浓度为520mg/mL，搅拌均匀得到空穴传输层前驱体溶液。将空穴传输层前驱体溶液涂覆在光吸收层130上，可以在3000rpm转速下，旋涂30s得到空穴传输层140。
制备金属电极层150：运用真空蒸镀设备将60nm的金(Au)蒸镀至空穴传输层140上，得到金属电极层150。
将该电池在AM1.5，100mW/cm2光照下用Keithley 2400万用表测试电池的J-V性能曲线。请参阅图3中实施例1曲线，得到电池的短路电流密度为22.38mA/cm2，开路电压为1.15V，填充因子为0.73，光电转换效率为18.61％。
实施例2柔性微纳结构SnO2基钙钛矿太阳能电池的制备
制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：电极板100选择柔性ITO/PEN导电基底。
将该电池在AM1.5，100mW/cm2光照下用Keithley 2400万用表测试电池的J-V性能曲线。请参阅图3中实施例2曲线，得到电池的短路电流密度为21.19mA/cm2，开路电压为1.14V，填充因子为0.68，光电转换效率为16.42％。
对比例1
制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：前驱体溶液的制备步骤中仅是SnCl2·H2O 0.1mol L-1的乙醇溶液，在80℃的条件下进行冷凝回流，回流时间为3h，然后40℃条件下静止3h，形成SnO2溶胶，而不加入碱性添加剂。
将该电池在AM1.5，100mW/cm2光照下用Keithley 2400万用表测试电池的J-V性能曲线。请参阅图3中对比例1曲线，得到电池的短路电流密度为22.02mA/cm2，开路电压为1.13V，填充因子为0.70，光电转换效率为17.34％。
对比例2
制备方法与对比例1基本相同，不同之处在于：电极板110选择柔性ITO/PEN导电基底。
将该电池在AM1.5，100mW/cm2光照下用Keithley 2400万用表测试电池的J-V性能曲线。请参阅图3中对比例2曲线，得到电池的短路电流密度为21.06mA/cm2，开路电压为1.13V，填充因子为0.65，光电转换效率为15.47％。
综合比较分析，可以看出本发明实施例提供的太阳能电池相较于对比例具有较高的电流密度、开路电压、填充因子。且从实施例1和对比例1也可以看出，本发明实施例提供的太阳能电池具有较高的光电转换效率。这是由于实施例中微纳结构的二氧化锡电子传输层具有更大的表面积，增加该层与钙钛矿层的接触面积，从而更有利于电子的传输以及分离，最终提高了电池的光电性能。另外，增加的接触面积也会增强两层之间的结合力，从而提高电池的机械稳定性。得力于微纳结构二氧化锡电子传输层的可低温制备工艺，实施例2中柔性电池的性能超过16％，同时由于微纳结构二氧化锡的上述优势，其光电效率高于对比例2中的柔性电池，进一步体现了本发明的技术优势。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，包括：
将锡的氯化物添加至有机溶剂中，形成混合溶液；
对所述混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流，使混合溶液形成二氧化锡溶胶；以及
在具有所述二氧化锡溶胶的所述混合溶液中加入碱性添加剂，使所述二氧化锡溶胶的粒径增大，从而得到所述前驱体溶液，所述前驱体溶液中所述碱性添加剂的摩尔浓度为0.001mol/L至0.01mol/L。
2.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，其特征在于，所述锡的氯化物包括氯化亚锡、氯化亚锡的水合物、氯化锡及氯化锡的水合物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括乙醇、异丙醇、甲醇、正丙醇及丁醇中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，其特征在于，在所述混合溶液中所述锡的氯化物的摩尔浓度为0.01mol/L至10mol/L。
5.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，其特征在于，所述对所述混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流的步骤中，加热温度为40℃至120℃，加热回流时间为1h至10h。
6.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，其特征在于，所述碱性添加剂包括氨水、氢氧化钠及氢氧化钾中的一种或多种。
7.一种根据权利要求1～6任一项所述的制备方法得到的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液，其特征在于，包括有机溶剂、二氧化锡溶胶以及碱性添加剂，所述二氧化锡溶胶及所述碱性添加剂分散于所述有机溶剂中。
8.根据权利要求7所述的用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液，其特征在于，所述二氧化锡溶胶的粒径为5至500nm。
9.一种太阳能电池电子传输层的制备方法，包括：
提供基板；
提供如权利要求7或8所述前驱体溶液；
将所述前驱体溶液在所述基板上形成二氧化锡液膜层；以及
去除所述二氧化锡液膜层中的所述有机溶剂，得到具有微纳结构的二氧化锡薄膜。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池电子传输层的制备方法，其特征在于，所述去除所述二氧化锡薄层中的所述有机溶剂的步骤为在温度为50℃-150℃的条件下使所述有机溶剂蒸发。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池电子传输层的制备方法，其特征在于，所述去除所述二氧化锡薄层中的所述有机溶剂的步骤还包括对加热后的所述二氧化锡薄层进行1-60min的紫外臭氧处理。
12.一种太阳能电池，其特征在于，包括层叠设置的电极板、电子传输层、光吸收层、空穴传输层以及金属电极层，所述电子传输层通过如权利要求9-11任一项所述的太阳能电池电子传输层的制备方法制备得到。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201810194963.8A CN108447995B (zh) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备及太阳能电池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108447995A CN108447995A (zh) | 2018-08-24 |
| CN108447995B true CN108447995B (zh) | 2020-07-14 |
Family
ID=63194335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810194963.8A Active CN108447995B (zh) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备及太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108447995B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109904328B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-06-08 | 华南师范大学 | 一种平面型钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
| CN110085746A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-08-02 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 电子传输层及其制备方法和应用 |
| CN110277498B (zh) * | 2019-06-10 | 2022-08-02 | 储天新能源科技（长春）有限公司 | 一种钙钛矿电池的制备方法 |
| CN110444668B (zh) * | 2019-06-25 | 2021-06-08 | 华南师范大学 | 一种平面型钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
| CN113421970B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-05-27 | 河南大学 | 一种HCl改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104091887A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-10-08 | 上海北京大学微电子研究院 | 基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
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| CN106784329A (zh) * | 2017-01-12 | 2017-05-31 | 武汉大学 | 一种SnO2量子点电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
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|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |