CN108425101A - 一种贵金属制品镀膜处理工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种贵金属制品镀膜处理工艺，以金或银或者铂作为贵金属基材，首先对待镀的贵金属基材进行预清洗处理，第二步是进行活化处理；第三步是运用化学沉积法，将有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体在贵金属表面反应，最终在贵金属基材表面镀制成防氧化膜，最后取出贵金属镀膜制品即可；其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2‑(3,4‑环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3‑氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，稳定剂为氧化锆铈、N,N'‑乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌这4种物质；本发明制备出防氧化膜具有很强的基材附着力，能起到很好的抗氧化和抗硫化作用，即使经过在高温环境下一段时间后，依然具有很好的附着力。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜工艺，更具体的说是涉及一种贵金属制品镀膜处理工艺。
背景技术
随着经济的快速发展，人们收入的普遍提高，现在越来越多的人都喜欢购买、收藏金、银、铂等贵金属制品，这些贵金属大多数拥有美丽的色泽，具有较强的化学稳定性，但是在长期使用过程中，贵金属还是会与空气中的氧气和硫化物进行反应，特别是金属银，因为银的化学性质相对较活泼，长时间暴露在自然环境中，银容易与空气中的氧气或者硫化物反应，导致其表面会出现“黑锈”，大大影响了银制品的观赏性，因此人们会在银金属表面镀一层膜，以提高银金属表面的抗氧化和抗硫化能力，同时还提高了耐磨性
现有的镀膜工艺主要有两种，一种是在金属表面通过贴合的形式在表面覆盖一层透明的塑料薄膜，有效地隔绝外界灰尘和氧化气体对金属表面的反应，起到保护的效果；另一种在基材表面涂覆硅烷液体，在UV光源或者电子枪的作用下，在金属表面均匀的生产微米级的透明氧化硅保护膜，同样也能够达到贵金属表面防氧化的效果。但其中透明塑料薄膜的包裹不能很好的覆盖异形贵金属表面，异性贵金属表面还是很容易出现“黑锈”；而表面涂覆硅烷与水反应生成类氧化硅保护膜的工艺中，由于有机硅烷化学反应和固化反应等，副产物易造成污染，同时保护膜的质量不能够保证，保护膜的附着力不够强，无法长效保持贵金属的防氧化效果。
在现有技术申请号为CN201710495315.1的中国专利一种贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，采用该方法制备出的防氧化薄膜具有优良的基材附着力和耐摩擦性能。但是该氧化膜在高温环境下，其附着力会大幅度下降，容易脱落，无法长时间起到抗氧化和抗硫化效果。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种贵金属制品镀膜处理工艺，该工艺制备出的保护膜具有很强的基材附着力，能起到很好的抗氧化和抗硫化作用，即使经过在高温环境下一段时间后，依然具有很好的附着力。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅或者氮化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅或者氮化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为金、银和铂中的至少一种。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。
所述清洗剂为松节油、3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠和四丁基磷酸氢铵的混合物，质量比为1:2:1。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠、三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯、三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷和2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇的混合物，其质量比为2:2:1:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气、氦气和氮气中的任意一种。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
本发明的有益效果：一种贵金属制品镀膜处理工艺，以金或银或者铂作为贵金属基材，首先对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理，清洗的方式为超声清洗，首先用丙酮进行第一次清洗，清洗时间为5-10分钟，第二次是用自制的清洗剂进行清洗，清洗时间相对较长，为10-20分钟，第三次是用去离子水清洗，清洗时间为5-10min,最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min,经过4次清洗，能够将待镀贵金属基材表面的杂物完全除去，防止杂物影响防氧化膜与金属的结合力和抗腐蚀性能，因为如果存在杂物，贵金属基体在即使有防氧化膜保护下也能继续腐蚀，使防氧化膜剥落，从而使贵金属表面出现黑锈，不再有光亮的色泽；第二步是对待镀贵金属基材进行活化处理，先将贵金属基材放在20-25℃条件下用离子源放电处理系统放电10-20min进行初步活化，然后将自制的活化剂涂在初步活化后的贵金属基材表面，然后再放置在温度为25-30℃的环境下，放电10-30min，进行彻底活化；经过活化处理后的贵金属基材表面有利于与防氧化膜更好的粘合，提高附着力；第三步是运用化学沉积法，在真空度20-40Pa条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体在贵金属表面反应，最终在贵金属基材表面镀制成防氧化膜，最后取出贵金属镀膜制品即可；作为本发明的新创点之一，有机硅烷类物质选择了正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷这3种物质，其中以正硅酸乙酯为主要材料，在配合2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷这两种物质，使得能够在贵金属表面制成致密的氧化硅或者氮化硅保护膜，使得贵金属不易被氧化或者被硫化，而稳定剂选择了氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌这4种物质，在这4种物质共同作用下，使得防氧化膜具有很好的热稳定性，不易受到高温影响，同时也提高了防氧化膜的耐磨性；最终通过本发明制备出防氧化膜具有很强的基材附着力，能起到很好的抗氧化和抗硫化作用，即使经过在高温环境下一段时间后，依然具有很好的附着力，同时也有很好的耐磨性。
具体实施方式
实施例1：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氮化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氮化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为金。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。
所述清洗剂为松节油、3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠和四丁基磷酸氢铵的混合物，质量比为1:2:1。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠、三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯、三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷和2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇的混合物，其质量比为2:2:1:1。
步骤三中的辅助放电气体为氮气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
实施例2：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。
所述清洗剂为松节油、3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠和四丁基磷酸氢铵的混合物，质量比为1:2:1。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠、三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯、三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷和2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇的混合物，其质量比为2:2:1:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
实施例3：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠、三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯、三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷和2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇的混合物，其质量比为2:2:1:1。
步骤三中的辅助放电气体为氦气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
实施例4:一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠和三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷的混合物，其质量比为2:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
实施例5：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯和2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇的混合物，其质量比为2:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
对比例1：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠和三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷的混合物，其质量比为2:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
对比例2：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠和三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷的混合物，其质量比为2:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
对比例3：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈和N,N'-乙撑双硬脂酰胺组成的混合物，其质量比为3:2。所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠和三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷的混合物，其质量比为2:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
对比例4：一种贵金属制品镀膜处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成氧化硅防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌组成的混合物，其质量比为2:3。
所述贵金属为银。
所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。所述清洗剂为3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠。
步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠和三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷的混合物，其质量比为2:1。
步骤三中的辅助放电气体为氩气。
所述防氧化膜的厚度为200-500nm。
对比例5：申请号为CN201710495315.1的中国专利一种贵金属防氧化膜的真空镀膜方法。
将实施例1至5和对比例1至5制得的试样按照GB/T1771-2007的标准进行耐盐雾测试：
| 试样 | 时间/h |
| 实施例1 | 1050 |
| 实施例2 | 1020 |
| 实施例3 | 975 |
| 实施例4 | 945 |
| 实施例5 | 955 |
| 对比例1 | 850 |
| 对比例2 | 840 |
| 对比例3 | 880 |
| 对比例4 | 870 |
| 对比例5 | 940 |
从上述图表中可得实施例1至5具有很好的耐中性盐雾，即具有很强的耐腐蚀性，同时也保证了镀上防氧化膜后的贵金属具有很好的防氧化能力和防硫化能力，表面依然具有很好的光泽，没有看到一点“黑锈”。
按照实施例1至5和对比例1至5制得的试样按照GB/T1768-2006的标准进行试样耐磨性测试。
| 试样 | 耐磨性g(750g/500r) |
| 实施例1 | 0.02 |
| 实施例2 | 0.04 |
| 实施例3 | 0.06 |
| 实施例4 | 0.05 |
| 对比例1 | 0.18 |
| 对比例2 | 1.16 |
| 对比例3 | 0.14 |
| 对比例4 | 0.12 |
| 对比例5 | 0.06 |
按照实施例1至5和对比例1至5制得的试样按照GB/T9286-98的标准进行附着力检测，一共分为0-10级，0级最好，10级最差；(0-1级为优秀)。
| 试样 | 附着力 |
| 实施例1 | 0 |
| 实施例2 | 0 |
| 实施例3 | 0 |
| 实施例4 | 0 |
| 实施例5 | 0 |
| 对比例1 | 3 |
| 对比例2 | 3 |
| 对比例3 | 2 |
| 对比例4 | 2 |
| 对比例5 | 0 |
将实施例1至5和对比例1至5制得的试样放在50℃条件下一段时间后，再按照GB/T9286-98的标准进行附着力检测。
一种贵金属制品镀膜处理工艺，以金或者银或者铂作为贵金属基材，首先对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理，清洗的方式为超声清洗，首先用丙酮进行第一次清洗，清洗时间为5-10分钟，第二次是用自制的清洗剂进行清洗，清洗时间相对较长，为10-20分钟，第三次是用去离子水清洗，清洗时间为5-10min,最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min,经过4次清洗，能够将待镀贵金属基材表面的杂物完全除去，防止杂物影响防氧化膜与金属的结合力和抗腐蚀性能，因为如果存在杂物，贵金属基体在即使有防氧化膜保护下也能继续腐蚀，使防氧化膜剥落，从而使贵金属表面出现黑锈，不再有光亮的色泽；第二步是对待镀贵金属基材进行活化处理，先将贵金属基材放在20-25℃条件下用离子源放电处理系统放电10-20min进行初步活化，然后将自制的活化剂涂在初步活化后的贵金属基材表面，然后再放置在温度为25-30℃的环境下，放电10-30min，进行彻底活化；经过活化处理后的贵金属基材表面有利于与防氧化膜更好的粘合，提高附着力；第三步是运用化学沉积法，在真空度20-40Pa条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体在贵金属表面反应，最终在贵金属基材表面镀制成氧化硅或者氮化硅防氧化膜，最后取出贵金属镀膜制品即可；作为本发明的新创点之一，有机硅烷类物质选择了正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷这3种物质，其中以正硅酸乙酯为主要材料，在配合2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷这两种物质，使得能够在贵金属表面制成致密的氧化硅或者氮化硅保护膜，使得贵金属不易被氧化或者被硫化，而稳定剂选择了氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌这4种物质，在这4种物质共同作用下，使得防氧化膜具有很好的热稳定性，不易受到高温影响，同时也提高了防氧化膜的耐磨性；最终通过本发明制备出防氧化膜具有很强的基材附着力，能起到很好的抗氧化和抗硫化作用，即使经过在高温环境下一段时间后，依然具有很好的附着力，同时也有很好的耐磨性。
作为本发明的另一个创新点，清洗剂选择了松节油、3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠和四丁基磷酸氢铵这3种物质，这3种物质共同作用下，具有很强的除杂作用，去除贵金属基材表面的脏东西，防止因杂物而使贵金属氧化或者硫化的可能性；活化剂选择了三甲基硅烷醇酸钠、三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯和三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷、2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇这4种物质，在这四种物质的共同作用下，能对贵金属基材表面进行很好的活化，有利于贵金属基材表面与防氧化膜之间更好的粘合，提高附着力，使防氧化膜能够更长时间提供防氧化作用。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理；
步骤二：对贵金属基材进行活化处理，在真空度为10-20Pa的真空环境下，将预清洗处理后的待镀贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，处理方式为先在温度20-25℃条件下放电10-20min，然后在贵金属基材表面涂刷活化剂，反复涂刷3遍,然后再进行放电处理，处理方式为在温度25-30℃的条件下放电10-30min，进一步对贵金属基材进行活化；
步骤三：关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，然后通入有机硅烷类物质、稳定剂和辅助放电气体，其质量比为5:2:1；采用等离子体化学气相沉积的方法，在真空度为20-40Pa的条件下，用中频电源或者射频电源进行放电，使得有机硅烷类物质和稳定剂以及辅助放电气体之间进行反应，在待镀的贵金属基材的表面镀制成一定厚度的氧化硅或者氮化硅防氧化膜；
步骤四：关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。
其中有机硅烷类物质为正硅酸乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷的混合物，其质量比为3:1:1；
稳定剂为氧化锆铈、N,N'-乙撑双硬脂酰胺、双(乙酰丙酮基)异丁氧基异丙氧基钛酸酯和硬脂酸锌的混合物，其质量比为3:2:2:3。
2.根据权利要求1所述的一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：所述贵金属为金、银和铂中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：所述步骤一中预清洗方式为将待镀贵金属进行超声清洗，首先用丙酮进行清洗，清洗时间为5-10min，然后用清洗剂清洗，清洗时间为10-20min，接着用去离子水清洗，清洗时间为5-10min，最后再用无水乙醇清洗，清洗时间为3-5min。
4.根据权利要求3所述的一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：所述清洗剂为松节油、3-三甲基硅基-1-丙磺酸钠和四丁基磷酸氢铵的混合物，质量比为1:2:1。
5.根据权利要求4所述的一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：步骤二中的活化剂为三甲基硅烷醇酸钠、三甲基硅烷基2-(氟磺酰基)二氟乙酸酯、三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷和2-丙烯基-4,6-联苯甲酰间苯二酚醇的混合物，其质量比为2:2:1:1。
6.根据权利要求5所述的一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：步骤三中的辅助放电气体为氩气、氦气和氮气中的任意一种。
7.根据权利要求6所述的一种贵金属制品镀膜处理工艺，其特征在于：防氧化膜的厚度为200-500nm。
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