CN108417585B - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。该显示基板包括衬底基板、金属结构、导电结构和保护层,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边。本发明所提供的显示基板及其制造方法、显示装置的技术方案,有效保证了显示装置的触控体验效果,保证了显示装置的良率和品质,以及降低了显示装置的制造及维修成本。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前,在触摸屏的制程中,要实现触摸功能,需要制备金属走线(metal trace),以实现信号的输出,同时需制备异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,简称:ACF)接触区,以实现ACF与金手指(Bonding Pad)相接,从而实现最终的触控功能。但在触摸屏的制程中,金属走线通常会与空气或者水汽相接触,而且在触摸屏的传感器(sensor)的制备过程中,金属走线容易接触到各种反应显影溶剂、刻蚀溶剂等。
目前触摸屏技术中的金属走线,其材料主要为铝、铜以及其合金或者金属与合金的复合叠层等。而在传感器制程中金属走线与空气、水汽以及制程的反应介质相接触,容易发生化学腐蚀反应,使得金属走线表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,造成金属走线附着力变差以及电阻升高,影响了信号传递,从而影响了触控体验效果;且金属走线长时间的与反应介质接触,会进一步缩短产品的使用寿命,最终影响了产品的良率和品质,增加了产品的制造及维修成本。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的问题之一,提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,用于实现有效保证显示装置的触控体验效果,保证显示装置的良率和品质,以及降低显示装置的制造及维修成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,该显示基板包括衬底基板、金属结构、导电结构和保护层,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边。
可选地,所述显示基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域位于所述显示区域的周围;
所述金属结构、所述导电结构和所述保护层位于所述显示基板的非显示区域。
可选地,所述金属结构为金属走线。
可选地,所述导电结构的材料为ITO。
可选地,所述金属结构为单层金属结构,所述金属结构的材料为铜、铝或者金属合金;或者
所述金属结构为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。
可选地,所述显示基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域位于所述显示区域的周围,所述金属结构位于所述显示基板的显示区域,所述金属结构包括第一触控结构,所述显示基板还包括第二触控结构及位于所述第一触控结构和所述第二触控结构之间的第一绝缘层。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示基板。
可选地,所述显示装置为触控显示装置。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板的制造方法,该显示基板的制造方法包括:
在衬底基板上形成金属结构和导电结构,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧;
在所述衬底基板上形成保护层,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边。
可选地,所述在衬底基板上形成金属结构和导电结构包括:
在所述衬底基板上连续沉积金属材料层和导电材料层;
对所述金属材料层和导电材料层进行构图工艺,形成所述金属结构和导电结构。
本发明具有如下有益效果:
本发明所提供的显示基板及其制造方法、显示装置的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边,从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图;
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的结构示意图;
图3为图2中的显示基板的显示区域的结构示意图;
图4为本发明实施例三提供的一种显示基板的结构示意图;
图5为图4中的显示基板的显示区域的结构示意图;
图6为本发明实施例四提供的一种显示基板的结构示意图;
图7为图6中的显示基板的显示区域的结构示意图;
图8为本发明实施例五提供的一种显示基板的结构示意图;
图9为本发明实施例七提供的一种显示基板的制造方法的流程图;
图10为本发明实施例八提供的一种显示基板的制造方法的流程图;
图11为本发明实施例九提供的一种显示基板的制造方法的流程图;
图12为本发明实施例十一提供的一种显示基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制造方法、显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图,如图1所示,该显示基板包括衬底基板1、金属结构2、导电结构3和保护层4,金属结构2位于衬底基板1上方,导电结构3位于金属结构2的远离衬底基板1的一侧,保护层4覆盖金属结构2的侧边。
本实施例中,导电结构3的材料为导电材料,优选地,导电结构3的材料为ITO。
本实施例中,金属结构2为单层金属结构,金属结构2的材料为铜、铝或者金属合金;或者,金属结构2为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。例如,金属结构2包括第一金属结构层、第二金属结构层和第三金属结构层,第二金属结构层位于第一金属结构层和第三金属结构层之间,第二金属结构层的材料为铜、铝或者金属合金,第一金属结构层和第三金属结构层的材料均为金属合金。
本实施例中,保护层4覆盖金属结构2的侧边和导电结构3的侧边,且覆盖导电结构2的至少部分上表面。图1仅示出了保护层4覆盖金属结构2的侧边和导电结构3的侧边且覆盖导电结构2的部分上表面的情况。在实际应用中,保护层4还可以为覆盖导电结构3的全部上表面,此种情况并未具体画出。
本实施例所提供的显示基板的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边,从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的结构示意图,如图2所示,该显示基板包括衬底基板1、金属结构、导电结构3和保护层4,金属结构位于衬底基板1上方,导电结构3位于金属结构的远离衬底基板1的一侧,保护层4覆盖金属结构的侧边。
本实施例中,显示基板包括显示区域和非显示区域,非显示区域位于显示区域的周围。优选地,如图2所示,金属结构、导电结构3和保护层4位于非显示区域。在此种情况下,金属结构包括金属走线20。
如图2所示,在非显示区域,显示基板还包括第一绝缘层5和遮光层6,遮光层6位于衬底基板1上,第一绝缘层5位于遮光层6的远离衬底基板1的一侧。具体地,金属走线20位于第一绝缘层5的远离遮光层6的一侧。在非显示区域,显示基板还包括连接结构8,连接结构8位于第一绝缘层5的远离遮光层6的一侧,且连接结构8与金属走线20连接,连接结构8还与ACF连接。其中,金属走线20位于连接结构8之上,部分连接结构8位于金属走线20和第一绝缘层5之间。本实施例中,连接结构8的材料为导电材料,优选地,连接结构8的材料为透明导电材料,例如,ITO。本实施例中,导电结构3的材料为导电材料,优选地,导电结构3的材料为透明导电材料,例如,ITO。
图3为图2中的显示基板的显示区域的结构示意图,如图3所示,本实施例中,金属结构、导电结构3和保护层4还位于显示区域,在显示区域,金属结构包括第一触控结构21,显示基板还包括第二触控结构7及位于第一触控结构21和第二触控结构7之间的第一绝缘层5。
具体地,在显示区域,第二触控结构7位于衬底基板1的上方,第一绝缘层5位于第二触控结构7的远离衬底基板1的一侧,第一触控结构21位于第一绝缘层5的远离第二触控结构7的一侧,且第一触控结构21与第二触控结构7连接,导电结构3还位于第一触控结构21的远离第一绝缘层5的一侧,保护层4还位于导电结构3的远离第一触控结构21的一侧且覆盖第一触控结构21的侧边及导电结构3的侧边。本实施例中,第一触控结构21和第二触控结构7构成金属网格(Metal Mesh)结构。
本实施例中,第二触控结构7的材料为透明导电材料,例如,ITO。
本实施例中,金属走线20为单层金属结构,金属走线20的材料为铜、铝或者金属合金;或者,金属走线20为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。例如,金属走线20包括第一金属走线层、第二金属走线层和第三金属走线层,第二金属走线层位于第一金属走线层和第三金属走线层之间,第二金属走线层的材料为铜、铝或者金属合金,第一金属走线层和第三金属走线层的材料均为金属合金。本实施例中,第一触控结构21与金属走线20的材料相同,第一触控结构21也可以为单层金属结构或多层金属结构,具体可参照对金属走线20的结构的描述,此处不再赘述。本实施例中,金属走线20和第一触控结构21同层设置。
本实施例中,优选地,保护层4和第一绝缘层5的材料均为透明光阻材料。
本实施例中,优选地,遮光层6的材料为光阻剂。优选地,遮光层6可以为黑矩阵图形。
本实施例所提供的显示基板的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边,从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图4为本发明实施例三提供的一种显示基板的结构示意图,图5为图4中的显示基板的显示区域的结构示意图,如图4和5所示,本实施例与上述实施例二的区别在于:本实施例中,金属结构、导电结构3和保护层4均未设置于显示区域,在非显示区域,金属结构包括金属走线20。在显示区域,显示基板包括第一触控结构21、第二触控结构7及位于第一触控结构21和第二触控结构7之间的第一绝缘层5,第一触控结构21的材料为透明导电材料,例如,ITO。其中,金属结构未包括第一触控结构21。
本实施例中,如图4和图5所示,优选地,连接结构8与第一触控结构21同层设置。
关于本实施例的显示基板的其他具体描述可参见上述实施例二,此处不再赘述。
本实施例所提供的显示基板的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图6为本发明实施例四提供的一种显示基板的结构示意图,图7为图6中的显示基板的显示区域的结构示意图,如图6和7所示,本实施例与上述实施例三的区别在于:该显示基板还包括第二绝缘层9。在非显示区域,第二绝缘层9位于衬底基板1和第一绝缘层5之间;在显示区域,第二绝缘层9位于衬底基板1和第二触控结构7之间。
由于衬底基板1上设置有第二绝缘层9,使得显示基板的强度加强。
本实施例中,第二绝缘层9的材料为透明光阻材料。
关于本实施例的显示基板的其他具体描述可参见上述实施例三,此处不再赘述。
本实施例所提供的显示基板的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图8为本发明实施例五提供的一种显示基板的结构示意图,如图8所示,该显示基板包括衬底基板1、金属结构、导电结构3和保护层4,金属结构位于衬底基板1上方,导电结构3位于金属结构2的远离衬底基板1的一侧,保护层4覆盖金属结构的侧边。
本实施例中,如图8所示,金属结构包括第一金属结构22和第二金属结构23,导电结构3包括第一导电结构31和第二导电结构32,保护层4包括第一保护层41和第二保护层42。其中,第一金属结构22位于衬底基板1的上方,第一导电结构31位于第一金属结构22的远离衬底基板1的一侧,第一保护层41覆盖第一金属结构22的侧边和第一导电结构31的侧边且覆盖第一导电结构31的上表面,第二金属结构23位于第一保护层41的远离衬底基板1的一侧,第二导电结构32位于第二金属结构23的远离衬底基板1的一侧,第二保护层42覆盖第二金属结构23的侧边和第二导电结构32的侧边且覆盖第二导电结构32的上表面。
本实施例中,显示基板包括显示区域和非显示区域,非显示区域位于显示区域的周围。具体地,如图8所示,第一金属结构22包括第一金属走线221和第一触控结构222,第二金属结构23包括第二金属走线231和第二触控结构232,第一金属走线221和第二金属走线231位于非显示区域,第一触控结构222和第二触控结构232位于显示区域。
具体地,在非显示区域,第一导电结构31位于第一金属走线221的远离衬底基板1的一侧,第一保护层41覆盖第一金属走线221的侧边、第一导电结构31的侧边且覆盖第一导电结构31的上表面。本实施例中,第一金属走线221与邦定(bonding)区中的金手指连接,而邦定区中,金手指通过ACF与IC连接,也就是说,第一金属走线221通过金手指及ACF与IC连接。
在非显示区域,第二金属走线231位于第一保护层41的远离衬底基板1的一侧,第二导电结构32位于第二金属走线231的远离衬底基板1的一侧,第二保护层42覆盖第二金属走线231的侧边和第二导电结构32的侧边且覆盖第二导电结构32的上表面。
在显示区域,第一导电结构31位于第一触控结构222的远离衬底基板1的一侧,第一保护层41覆盖第一触控结构222的侧边和第一导电结构31的侧边且覆盖第一导电结构31的上表面。在显示区域,第二触控结构232位于第一保护层41的远离衬底基板的一侧,第二导电结构32位于第二触控结构232的远离第一保护层41的一侧,第二保护层42覆盖第二触控结构232的侧边和第二导电结构32的侧边且覆盖第二导电结构32的上表面。本实施例中,可选地,第一触控结构222的远离衬底基板1的一侧也可以不设置第一导电结构31,第二触控结构232的远离衬底基板1的一侧也可以不设置第二导电结构32,即,在显示区域,显示基板未设置第一导电结构31和第二导电结构32。本实施例中,第一触控结构222和第二触控结构232构成金属网格(Metal Mesh)结构。本实施例中,第一触控结构222为触摸感应电极,第一金属走线221为触摸感应信号线,第一金属走线221用于传输感应(Rx)信号;第二触控结构232为触摸驱动电极,第二金属走线231为触摸驱动信号线,第二金属走线231用于传输驱动(Tx)信号。需要说明的是,本实施例中,第一触控结构222为触摸驱动电极,第一金属走线221为触摸驱动信号线,第二触控结构232为触摸感应电极,第二金属走线231为触摸感应信号线亦可,本实施例对此不作任何限定。
本实施例中,在非显示区域,显示基板还包括遮光层6,遮光层6位于衬底基板1上,第一金属走线221位于遮光层6上。
本实施例中,第一金属走线221为单层金属结构,第一金属走线221的材料为铜、铝或者金属合金;或者,第一金属走线221为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。例如,第一金属走线221包括第一金属走线层、第二金属走线层和第三金属走线层,第二金属走线层位于第一金属走线层和第三金属走线层之间,第二金属走线层的材料为铜、铝或者金属合金,第一金属走线层和第三金属走线层的材料均为金属合金。本实施例中,第一触控结构222与第一金属走线221的材料相同,第一触控结构222也可以为单层金属结构或多层金属结构,具体可参照对第一金属走线221的结构的描述,此处不再赘述。本实施例中,第一触控结构222与第一金属走线221同层设置。
本实施例中,第二金属走线231为单层金属结构,第二金属走线231的材料为铜、铝或者金属合金;或者,第二金属走线231为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。例如,第二金属走线231包括第一金属走线层、第二金属走线层和第三金属走线层,第二金属走线层位于第一金属走线层和第三金属走线层之间,第二金属走线层的材料为铜、铝或者金属合金,第一金属走线层和第三金属走线层的材料均为金属合金。本实施例中,第二触控结构232与第二金属走线231的材料相同,第二触控结构232也可以为单层金属结构或多层金属结构,具体可参照对第二金属走线231的结构的描述,此处不再赘述。本实施例中,第二触控结构232与第二金属走线231同层设置。
本实施例中,第一导电结构31和第二导电结构32的材料均为导电材料,优选地,第一导电结构31和第二导电结构32的材料均为ITO。
本实施例中,优选地,第一保护层41和第二保护层42的材料均为透明光阻材料。
本实施例中,优选地,遮光层6的材料为光阻剂。优选地,遮光层6可以为黑矩阵图形。
本实施例所提供的显示基板的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
本发明实施例六提供一种显示装置,该显示装置包括上述实施例一至五任一所述的显示基板,具体描述可参见上述实施例一至实施例五中任一实施例,此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示装置的技术方案中,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图9为本发明实施例七提供的一种显示基板的制造方法的流程图,如图9所示,该显示基板的制造方法包括:
步骤701、在衬底基板上形成金属结构和导电结构,金属结构位于衬底基板上方,导电结构位于金属结构的远离衬底基板的一侧。
具体地,步骤701包括:
步骤701a、在衬底基板上连续沉积金属材料层和导电材料层。
本实施例中,金属材料层的材料包括铜、铝或者金属合金,导电材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤701b、对金属材料层和导电材料层进行构图工艺,形成金属结构和导电结构。
如图1所示,对金属材料层(图中未示出)和导电材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成金属结构2和导电结构3。对金属材料层和导电材料层进行的构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤702、在完成步骤701的衬底基板上形成保护层,保护层覆盖金属结构的侧边。
具体地,步骤702包括:
步骤702a、在衬底基板上沉积保护材料层。
本实施例中,保护材料层的材料为光阻材料,例如透明光阻材料。
步骤702b、对保护材料层进行构图工艺,形成保护层,保护层覆盖金属结构的侧边。
如图1所示,对保护材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成保护层4,保护层覆盖金属结构的侧边、导电结构的侧边以及导电结构的至少部分上表面。
本实施例中,对保护材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
本实施例所提供的显示基板的制造方法,用于实现制造上述实施例一提供的显示基板,具体描述可参照上述实施例一,此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示基板的制造方法的技术方案中,导电结构形成于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图10为本发明实施例八提供的一种显示基板的制造方法的流程图,如图10所示,该显示基板的制造方法包括:
步骤801、在衬底基板上形成遮光层。
具体地,步骤801包括:
步骤801a、在衬底基板上沉积遮光材料层。
其中,遮光材料层的材料包括光阻剂。
步骤801b、对遮光材料层进行构图工艺,形成遮光层。
如图2所示,对遮光材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成遮光层6,遮光层6位于非显示区域。其中,对遮光材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
步骤802、在完成步骤801的衬底基板上形成第二触控结构。
具体地,步骤802包括:
步骤802a、在完成步骤801的衬底基板上沉积第二触控结构材料层。
其中,第二触控结构材料的材料包括导电材料,优选地,第二触控结构材料的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤802b、对第二触控结构材料层进行构图工艺,形成第二触控结构。
如图3所示,对第二触控结构材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成第二触控结构7,第二触控结构7位于显示区域。其中,对第二触控结构材料层进行的构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤803、在遮光层和第二触控结构上形成第一绝缘层。
具体地,步骤803包括:
步骤803a、在遮光层和第二触控结构上沉积第一绝缘材料层。
其中,第一绝缘材料层的材料包括透明光阻材料。
步骤803b、对第一绝缘材料层进行构图工艺,形成第一绝缘层。
如图2和3所示,在非显示区域,第一绝缘层5形成于遮光层6的远离衬底基板1的一侧,在显示区域,第一绝缘层5形成于第二触控结构7的远离衬底基板1的一侧且部分覆盖第二触控结构7的上表面。其中,对第一绝缘材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
步骤804、在第一绝缘层上形成连接结构。
具体地,步骤804包括:
步骤804a、在第一绝缘层上沉积连接结构材料层。
其中,连接结构材料层的材料包括导电材料,优选地,连接结构材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤804b、对连接结构材料层进行构图工艺,形成连接结构。
如图2所示,对连接结构材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成连接结构8,连接结构8形成于非显示区域,且连接结构8位于第一绝缘层5上。其中,对连接结构材料层进行的构图工艺包括涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤805、在连接结构上形成金属结构和导电结构。
具体地,步骤805包括:
步骤805a、在连接结构上连续沉积金属材料层和导电材料层。
本实施例中,金属材料层的材料包括铜、铝或者金属合金,导电材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤805b、对金属材料层和导电材料层进行构图工艺,形成金属结构和导电结构。
如图2和3所示,对金属材料层(图中未示出)和导电材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成金属结构和导电结构3。具体地,在非显示区域,金属结构包括金属走线20,金属走线20与连接结构8连接;在显示区域,金属结构包括第一触控结构21,第一触控结构21位于第一绝缘层5上且第一触控结构21与第二触控结构7连接。其中,对金属材料层和导电材料层进行的构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
本实施例中,如图2和3所示,金属结构位于第一绝缘层5的远离衬底基板1的一侧,导电结构3位于金属结构的远离衬底基板的一侧。
步骤806、在金属结构和导电结构上形成保护层。
具体地,步骤806包括:
步骤806a、在金属结构和导电结构上沉积保护材料层。
其中,保护材料层的材料为光阻材料,例如,透明光阻材料。
步骤806b、对保护材料层进行构图工艺,形成保护层。
如图2和3所示,对保护材料层进行构图工艺,形成保护层4。具体地,保护层4位于导电结构3的远离金属结构的一侧,且保护层4覆盖金属结构的侧边和导电结构3的侧边,在非显示区域,保护层4覆盖连接结构8的部分上表面。其中,对保护材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
本实施例所提供的显示基板的制造方法,用于实现制造上述实施例二提供的显示基板,具体描述可参照上述实施例二,此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示基板的制造方法的技术方案中,导电结构形成于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图11为本发明实施例九提供的一种显示基板的制造方法的流程图,如图11所示,该显示基板的制造方法包括:
步骤901、在衬底基板上形成遮光层。
具体地,步骤901包括:
步骤901a、在衬底基板上沉积遮光材料层。
其中,遮光材料层的材料包括光阻剂。
步骤901b、对遮光材料层进行构图工艺,形成遮光层。
如图4所示,对遮光材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成遮光层6,遮光层6位于非显示区域。其中,对遮光材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
步骤902、在完成步骤901的衬底基板上形成第二触控结构。
具体地,步骤902包括:
步骤902a、在完成步骤901的衬底基板上沉积第二触控结构材料层。
其中,第二触控结构材料层的材料透明导电材料,例如,ITO。
步骤902b、对第二触控结构材料层进行构图工艺,形成第二触控结构。
如图5所示,对第二触控结构材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成第二触控结构7,第二触控结构7位于显示区域。其中,对第二触控结构材料层进行的构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤903、在遮光层和第二触控结构上形成第一绝缘层。
具体地,步骤903包括:
步骤903a、在遮光层和第二触控结构上沉积第一绝缘材料层。
其中,第一绝缘材料层的材料包括透明光阻材料。
步骤903b、对第一绝缘材料层进行构图工艺,形成第一绝缘层。
如图4和5所示,在非显示区域,第一绝缘层5位于遮光层6的远离衬底基板1的一侧;在显示区域,第一绝缘层5位于第二触控结构7的远离衬底基板1的一侧且部分覆盖第二触控结构7的上表面。其中,对第一绝缘材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
步骤904、在第一绝缘层上形成连接结构和第一触控结构。
具体地,步骤904包括:
步骤904a、在第一绝缘层上沉积连接结构材料层。
其中,连接结构材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤904b、对连接结构材料层进行构图工艺,形成连接结构和第一触控结构。
如图4和图5所示,对连接结构材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成连接结构8和第一触控结构21。其中,连接结构8形成于非显示区域,且连接结构8位于第一绝缘层5上;第一触控结构21位于显示区域,具体地,在显示区域,第一触控结构21位于第一绝缘层5的远离第二触控结构7的一侧,且第一触控结构21与第二触控结构7连接。其中,对连接结构材料层进行的构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤905、在连接结构上形成金属结构和导电结构。
具体地,步骤905包括:
步骤905a、在连接结构上连续沉积金属材料层和导电材料层。
本实施例中,金属材料层的材料包括铜、铝或者金属合金,导电材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤905b、对金属材料层和导电材料层进行构图工艺,形成金属结构和导电结构。
如图4所示,对金属材料层(图中未示出)和导电材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成金属结构和导电结构3。具体地,金属结构和导电结构3位于非显示区域,金属结构与连接结构8连接,金属结构可以为金属走线20,在非显示区域,金属结构位于第一绝缘层5的远离衬底基板1的一侧,导电结构3位于金属结构的远离衬底基板1的一侧。其中,对金属材料层和导电材料层进行的构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤906、在金属结构和导电结构上形成保护层。
具体地,步骤906包括:
步骤906a、在金属结构和导电结构上沉积保护材料层。
其中,保护材料层的材料为光阻材料,例如透明光阻材料。
步骤906b、对保护材料层进行构图工艺,形成保护层。
如图4所示,对保护材料层进行构图工艺,形成保护层4。本实施例中,保护层4位于非显示区域,具体地,在非显示区域,保护层4位于导电结构3的远离金属结构的一侧,且保护层4覆盖金属结构的侧边和导电结构3的侧边。其中,对保护材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
本实施例所提供的显示基板的制造方法,用于实现制造上述实施例三提供的显示基板,具体描述可参照上述实施例三,此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示基板的制造方法的技术方案中,导电结构形成于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
本发明实施例十提供一种显示基板的制造方法,本实施例所提供的显示基板的制造方法与上述实施例九所提供的显示基板的制造方法的区别仅在于:
本实施例所提供的显示基板的制造方法在上述实施例九中的步骤902之前还包括:在遮光层上形成第二绝缘层。
如图6和7所示,在非显示区域,第二绝缘层9位于遮光层6与第一绝缘层5之间,在显示区域,第二绝缘层9位于衬底基板1与第二触控结构7之间。
关于本实施例所提供的显示基板的制造方法的其他具体描述可参见上述实施例九,此处不再赘述。
本实施例提供的显示基板的制造方法,用于实现制造上述实施例四提供的显示基板,具体描述还可参照上述实施例四,此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示基板的制造方法的技术方案中,导电结构形成于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
图12为本发明实施例十一提供的一种显示基板的制造方法的流程图,如图12所示,该显示基板的制造方法包括:
步骤1101、在衬底基板上形成遮光层。
具体地,步骤1101包括:
步骤1101a、在衬底基板上沉积遮光材料层。
其中,遮光材料层的材料包括光阻剂。
步骤1101b、对遮光材料层进行构图工艺,形成遮光层。
如图8所示,对遮光材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成遮光层6,遮光层6位于非显示区域。其中,对遮光材料层进行的构图工艺包括曝光和显影等工艺。
步骤1102、在完成步骤1101的衬底基板上形成第一金属结构和第一导电结构。
具体地,步骤1102包括:
步骤1102a、在完成步骤1101的衬底基板上连续沉积第一金属材料层和第一导电材料层。
本实施例中,第一金属材料层的材料包括铜、铝或者金属合金,第一导电材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤1102b、对第一金属材料层和第一导电材料层进行构图工艺,形成第一金属结构和第一导电结构。
如图8所示,对第一金属材料层(图中未示出)和第一导电材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成第一金属结构22和第一导电结构31。其中,第一金属结构22包括第一金属走线221和第一触控结构222,第一金属走线221位于非显示区域,第一触控结构222位于显示区域。其中,对第一金属材料层和第一导电材料层进行的构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤1103、在第一金属结构和第一导电结构上形成第一保护层。
其中,第一保护层的材料为光阻材料,例如透明光阻材料。
如图8所示,第一保护层41位于第一导电结构31的远离第一金属结构22的一侧,且第一保护层41覆盖第一金属结构22的侧边和第一导电结构31的侧边以及第一导电结构31的上表面。
步骤1104、在第一保护层上形成第二金属结构和第二导电结构。
具体地,步骤1104包括:
步骤1104a、在第一保护层上连续沉积第二金属材料层和第二导电材料层。
本实施例中,第二金属材料层的材料包括铜、铝或者金属合金,第二导电材料层的材料包括透明导电材料,例如,ITO。
步骤1102b、对第二金属材料层和第二导电材料层进行构图工艺,形成第二金属结构和第二导电结构。
如图8所示,对第二金属材料层(图中未示出)和第二导电材料层(图中未示出)进行构图工艺,形成第二金属结构23和二导电结构32。其中,第二金属结构23包括第二金属走线231和第二触控结构232,第二金属走线231位于非显示区域,第二触控结构232位于显示区域。其中,对第二金属材料层和第二导电材料层进行的构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤1105、在第二金属结构和第二导电结构上形成第二保护层。
其中,第二保护层的材料为光阻材料,例如透明光阻材料。
如图8所示,第二保护层42位于第二导电结构32的远离第二金属结构23的一侧,且第二保护层42覆盖第二金属结构23的侧边和第二导电结构32的侧边。
本实施例所提供的显示基板的制造方法,用于实现制造上述实施例五提供的显示基板,具体描述可参照上述实施例五,此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示基板的制造方法的技术方案中,导电结构形成于金属结构的远离衬底基板的一侧,保护层覆盖金属结构的侧边。从而可以避免在显示基板的制程中,金属结构的表面及其侧边与空气、水汽以及制程的反应介质相接触而发生氧化和化学腐蚀反应,避免了金属结构的表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,提高了金属结构的膜层附着力,保证了用户的触控体验效果,且保证了产品的电学性能、使用寿命、良率及品质,降低了产品的制造及维修成本。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板、金属结构、导电结构和保护层,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边;
所述显示基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域位于所述显示区域的周围;所述金属结构、所述导电结构和所述保护层位于所述显示基板的显示区域和非显示区域;
在所述非显示区域中,所述金属结构为金属走线;
在所述显示区域中,所述金属结构包括第一触控结构,所述显示基板还包括第二触控结构及位于所述第一触控结构和所述第二触控结构之间的第一绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述导电结构的材料为ITO。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述金属结构为单层金属结构,所述金属结构的材料为铜、铝或者金属合金;或者
所述金属结构为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。
4.一种显示装置,其特征在于,包括上述权利要求1至3任一所述的显示基板。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为触控显示装置。
6.一种显示基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成金属结构和导电结构,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧;
在所述衬底基板上形成保护层,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边;
所述显示基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域位于所述显示区域的周围;所述金属结构、所述导电结构和所述保护层位于所述显示基板的显示区域和非显示区域;
在所述非显示区域中,所述金属结构为金属走线;在所述显示区域中,所述金属结构包括第一触控结构,所述显示基板还包括第二触控结构及位于所述第一触控结构和所述第二触控结构之间的第一绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制造方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成金属结构和导电结构包括:
在所述衬底基板上连续沉积金属材料层和导电材料层;
对所述金属材料层和导电材料层进行构图工艺,形成所述金属结构和导电结构。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201107767Y (zh) * 2007-11-27 2008-08-27 胜华科技股份有限公司 电容式触控面板接合区域的结构
CN102156561A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 新应材股份有限公司 触控面板结构及其制造方法
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201107767Y (zh) * 2007-11-27 2008-08-27 胜华科技股份有限公司 电容式触控面板接合区域的结构
CN102156561A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 新应材股份有限公司 触控面板结构及其制造方法
CN105955542A (zh) * 2016-05-31 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 触摸屏及其制作方法、显示装置

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