CN1083959A - 薄膜磁头 - Google Patents

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比得·G·斯科夫
华庆童
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    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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    • G—PHYSICS
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Abstract

一种薄膜磁头由透磁合金的第一和第二磁层形 成以构成一带转换间隙的磁轭，并包括一沉积在第二 磁层之下的一基层。基层由Fe-N-Al或Fe-N制 成。基层可夹在由氧化硅或氧化铝构成的氧化层之 间。基层具有高磁性饱和和高磁导率的特性。薄膜 磁头可提供一高的写入场而不改变磁头尺寸；或者提 供一小的间隙长度而不减小写入场的有效性。通过 使用基层的薄膜磁头可增加线性记录密度和提高读 取信号的水平。

Description

本发明涉及一种带改善了的磁层的薄膜磁头。
薄膜磁头或转换器通常具有一陶瓷基底，其上支承由透磁合金制成的两层磁层，分称为P1和P2极以形成带转换间隙的磁轭。在薄膜磁头制造过程中，在分别沉积P1和P2层之前，通过例如射频喷射而沉积用作基层的由透磁合金构成的非常薄的膜。薄膜磁头上在P1和P2层之间设置一电绕组。非磁绝缘材料包围着绕组以与传导层P1和P2电气隔离从而防止短路。
磁盘驱动器设计的主要目标是提供改善的信号分辨能力，增加线性记录密度以及数据轨道密度。众所周知，增加矫磁顽力Hc可提高记录的线性数据密度。用于薄膜转换器的透磁合金材料成分限制了高矫磁顽力磁盘的使用。
本发明的一个目的是提供一种薄膜磁转换器，它能提高记录信号的分辨能力并在数据处理系统中改善信号的读取。
本发明的另一个目的是提供一种薄膜磁转换器，它可以高线性数据密度记录数据。
本发明的另一个目的是提供一种薄膜磁转换器，它可与高矫磁顽力磁盘一起使用从而达到高线性记录密度。
本发明的再一个目的是提供一薄膜磁转换器，它能减少间隙长度并允许在半脉冲宽度内记录。
下面结合唯一的附图对本发明进行描述，该图为薄膜磁转换器的截面图。
如图所示，薄膜转换器包括一非磁性陶瓷基体10，在沉积薄膜磁头结构之前将其制成，并进行抛光和清洁。在制造薄膜磁头的过程中，将一层氧化铝12沉积在基体10的抛光的光滑表面上。氧化层被研磨和抛光至需要的厚度以消除缺陷。一由透磁合金构成的薄膜基层14被沉积在绝缘氧化层12上。在整个薄片上沉积一厚度为约1000埃的由透磁合金构成的第一极层P1。用蒙片通过标准的照相平版印刷方法而形成第一极层P1和一中间连接层。P1极板被镀成一约3微米的厚度。
在沉积了P1极层后，通过在P1层的整个表面上沉积一薄层氧化铝而提供一转换间隙16。然后，通过烘烤和硬化用于限定绝缘层的几何形态的光致抗蚀剂层而沉积和形成绝缘层18。再在绝缘层18上设置一绕组组件20并由通常的蒙片和照相平版印刷所限定。然后在绕组组件20上覆盖另一绝缘层22，因此两绝缘层18和22包围绕组组件20，从而防止导磁的P1层和沉积在绝缘层22上的P2层之间的短路。上极片P2上制有一由透磁合金构成的中间连接部26，从而在P1层和非磁性转换间隙16之间形成连续的磁轭。众所周知，还可设置一个可以用于薄膜磁头结构的外层绝缘材料和一些粘接垫。
根据本发明，在沉积P2层之前，通过射频喷射沉积一由Fe-N-Al或Fe-N材料构成的基层24，该层例如大约0.5微米或更大的厚度。基层24具有高导磁率（例如4000）和高磁饱和Ms。基层24的高导磁率材料有效地提高了磁头读取信号的信号水平。高磁感应强度（4πMs）的范围在20-21千高斯之间。业已发现，基层24的成分使得合成的薄膜磁头可用于矫顽磁力Hc高于1400奥斯特的高矫顽磁力磁盘，从而可增加记录的线性密度。带有混合的基层材料的薄膜磁头可减少间隙的长度而不会对写入场产生任何不利的影响。从而可实现减小半脉冲宽度同时增加信号分辨率。通过使用本发明中公开的基层材料，可极大地提高线性记录密度。
在本发明的一个实际实施例中，带有一层Fe-N-Al合金薄膜基层的薄膜磁头的磁性能如下：
磁感应强度（4πMs）为约20-21千高斯
导磁率为约4000
单轴各向异性场Hk为约4-6奥斯特
矫顽磁力Hc为约0.3奥斯特
本发明的薄膜磁头结构可被修改成包括由氧化硅或氧化铝构成的夹在基层24之间的氧化层。氧化层例如可用射频喷射沉积而成。可在本发明的范围内对本发明设计和尺寸进行其它修正。

Claims (8)

1、一种薄膜磁头，包括：
一陶瓷基体；
一沉积在所述基体上的由磁性材料构成的第一基层；
一沉积在所述第一基层上的第一磁极层；
一沉积在所述第一磁极层上的电绕组；
一围绕所述绕组沉积的绝缘材料；
一由磁性成分形成的第二基层，该磁性成分与沉积在所述绝缘材料上的第一基层的所述磁性材料不同；
沉积在所述第二基层上的第二磁极层，所述第一和第二磁极层形成一具有非磁性转换间隙的磁轭。
2、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述磁性成分为Fe-N-Al或者Fe-N。
3、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第二基层夹在氧化硅或氧化铝层之间。
4、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第二基层的厚度为约0.5微米。
5、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第二基层的磁导率为4000。
6、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第二基层的磁感应强度在约20-21千高斯的范围内。
7、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第二基层的各向异性场Hk在约4-6奥斯忒的范围内。
8、如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第二基层的矫磁顽力Hc为约0.3奥斯物。
CN93109735A 1992-09-04 1993-09-02 薄膜磁头 Pending CN1083959A (zh)

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication