CN108390656A - 参量放大器及控制方法、液晶天线及显示面板、终端 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种参量放大器及控制方法、液晶天线及显示面板、终端，属于显示技术领域。该参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层；参量放大器还包括：层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层，其中，信号传输层包括：至少一条信号传输线，第一电极层包括：多个条状电极；层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层；其中，第一电极层与第二电极层用于加载周期性变化的控制信号，使得第一液晶层中的液晶在控制信号的控制下偏转。该参量放大器简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程。

Description

参量放大器及控制方法、液晶天线及显示面板、终端
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种参量放大器及控制方法、液晶天线及显示面板、终端。
背景技术
参量放大器是利用时变电抗参量对信号进行放大的放大电路，当将该参量放大器应用在天线中时，其能够放大天线所传输的信号。其主要分为变容管参量放大器和量子放大器两种。
相关技术中，变容管参量放大器通常由变容二极管实现，例如，在变容二极管的两端加载周期性的交变电压时，该变容二极管的电容值可随该交变电压周期性地发生变化，当将该变容二极管接入天线的信号回路中时，若其电容值的变化与天线中所传输信号的电压变化满足预设关系，该变容二极管就能放大该天线所传输的信号。
随着液晶天线在具有显示面板的终端中的应用，其通常制造在终端的显示面板的玻璃基板上，而由变容二极管实现的参量放大器通常制造在电路板上，使得在制造具有显示面板的终端的过程中，需要分别制造参量放大器和液晶天线，再将制造好的参量放大器组装在终端的显示面板上，导致终端的制造过程复杂。
发明内容
本发明提供了一种参量放大器及控制方法、液晶天线及显示面板、终端，可以有效地简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种参量放大器，所述参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的第一液晶层；
所述参量放大器还包括：
设置在所述第一衬底基板靠近所述第一液晶层一侧的信号传输层，设置在所述信号传输层靠近所述第一液晶层一侧的第一绝缘层，以及，设置在所述第一绝缘层靠近所述第一液晶层一侧的第一电极层，其中，所述信号传输层包括：至少一条信号传输线，所述第一电极层包括：多个条状电极；
设置在所述第二衬底基板靠近所述第一液晶层一侧的接地面，设置在所述接地面靠近所述第一液晶层一侧的第二绝缘层，以及，设置在所述第二绝缘层靠近所述第一液晶层一侧的第二电极层；
其中，所述第一电极层与所述第二电极层用于加载周期性变化的控制信号，使得所述第一液晶层中的液晶在所述控制信号的控制下偏转。
可选地，所述第一电极层在所述第一衬底基板上的正投影与所述信号传输层在所述第一衬底基板上的正投影重合。
可选地，所述信号传输层包括：微带线层，所述微带线层包括：至少一条微带线。
可选地，所述信号传输层和所述接地面之间的距离大于80微米。
可选地，所述控制信号的频率为所述信号传输层所传输信号的频率的两倍。
第二方面，提供一种参量放大器的控制方法，所述方法应用于第一方面任一所述的参量放大器，所述参量放大器包括：位于液晶层两侧的第一电极层和第二电极层，所述方法包括：
在所述第一电极层和所述第二电极层上加载周期性变化的控制信号，使得液晶层中的液晶在所述控制信号的控制下偏转。
第三方面，提供一种液晶天线，所述液晶天线包括：天线单元和如第一方面任一所述的参量放大器。
可选地，所述液晶天线还包括：移相单元，所述移相单元包括：第二液晶层，以及分别位于所述第二液晶层两侧的两个电极层，所述两个电极层用于加载使所述第二液晶层中的液晶偏转的信号；
所述使所述第二液晶层中的液晶偏转的信号与在所述参量放大器的第一电极层和第二电极层上加载的控制信号不同；
或者，所述第二液晶层中的液晶与所述参量放大器的第一液晶层中的液晶类型不同。
第四方面，提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板具有显示区域和非显示区域，所述液晶显示面板包括：第三方面所述的液晶天线，所述液晶天线设置在所述非显示区域中。
第五方面，提供一种终端，所述终端包括：第四方面所述的液晶显示面板。
第六方面，提供了一种存储介质，所述存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第二方面所述的参量放大器的控制方法。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的参量放大器及控制方法、液晶天线及显示面板、终端，该参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层；层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层；以及层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层；其中，第一电极层与第二电极层用于加载使第一液晶层中的液晶偏转的控制信号，相对于相关技术，由于该参量放大器可直接制造在衬底基板上，使得其制造过程与终端中的显示面板的制造过程能够同步进行，进而有效地简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种参量放大器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种信号经参量放大器放大后的波形示意图；
图3是本发明实施例提供的一种参量放大器的制造方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的一种制造参量放大器中第一基板的方法流程图；
图5是本发明实施例提供的一种制造参量放大器中第二基板的方法流程图；
图6是本发明实施例提供的一种液晶天线的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种参量放大器10，如图1所示，该参量放大器10可以包括：相对设置的第一衬底基板101和第二衬底基板102，以及填充在第一衬底基板101和第二衬底基板102之间的第一液晶层103。
可选地，当该参量放大器应用在具有显示面板的终端中时，由于显示面板具有阵列基板和彩膜基板，此时，该第一衬底基板101可以为彩膜基板中的衬底基板(也即是第一衬底基板与彩膜基板中的衬底基板为一体结构)，该第二衬底基板102可以为阵列基板中的衬底基板(也即是第二衬底基板与阵列基板中的衬底基板为一体结构)，或者，该第一衬底基板101可以为阵列基板中的衬底基板(也即是第一衬底基板与阵列基板中的衬底基板为一体结构)，该第二衬底基板102可以为彩膜基板中的衬底基板(也即是第二衬底基板与彩膜基板中的衬底基板为一体结构)，以提高衬底基板的利用率和集成度。
并且，请继续参考图1，该参量放大器10还可以包括：设置在第一衬底基板101靠近第一液晶层103一侧的信号传输层104，设置在信号传输层104靠近第一液晶层103一侧的第一绝缘层105，以及，设置在第一绝缘层105靠近第一液晶层103一侧的第一电极层106，其中，信号传输层104可以包括：至少一条信号传输线，第一电极层106可以包括：多个条状电极。
以及，该参量放大器10还可以包括：设置在第二衬底基板102靠近第一液晶层103一侧的接地面107(也称接地层)，设置在接地面107靠近第一液晶层103一侧的第二绝缘层108，以及，设置在第二绝缘层108靠近第一液晶层103一侧的第二电极层109。其中，该接地面107、第二绝缘层108和第二电极层109可以均为整层结构。
其中，第一电极层106与第二电极层109用于加载周期性变化的控制信号，使得第一液晶层103中的液晶在控制信号的控制下偏转，以实现对信号传输层104所传输信号的放大功能。
液晶作为各向异性材料，其沿长轴方向的介电常数和沿短轴方向的介电常数不同，在第一电极层106和第二电极层109上加载周期性变化的控制信号后，液晶在该控制信号的控制下会发生偏转，使得液晶的介电常数随之发生变化，进而使信号传输层104与接地面107所构成的电容的电容值随之周期性地发生变化。当信号在发生偏转的液晶层中传播时，信号的幅值在电容值每次发生变化时均会被放大，即实现了对信号传输层104中所传输的信号的放大功能。示例地，原信号Vin(t)的波形、电容值C(t)的波形和放大后的信号Vout(t)的波形请参考图2，从图2可以看出，在电容值每次由C1变化为C2以及由C2变化为C1时，原信号Vin(t)的幅值均会被放大。
综上所述，本发明实施例提供的参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层，层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层，以及层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层，其中，第一电极层与第二电极层用于加载使第一液晶层中的液晶偏转的控制信号，相对于相关技术，由于该参量放大器可直接制造在衬底基板上，使得其制造过程与终端中显示面板的制造过程能够同步进行，进而有效地简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程。
需要说明的是，上述信号传输层104可以包括：微带线层，相应地，该微带线层可以包括：至少一条微带线，该至少一条微带线用于传输微波信号。示例地，将该参量放大器10应用在微波系统中(例如应用在液晶天线中)时，该参量放大器10可对微波系统中的微波信号进行低噪声放大，并通过微带线将放大后的微波信号传输至微波系统的电缆，以实现微波信号的传输。
可选地，加载在第一电极层106与第二电极层109上的控制信号可以为交流信号，且该控制信号的频率可以为信号传输层104所传输信号的频率的两倍，以保证放大后信号的信号质量。示例地，当信号传输层104所传输信号的信号频率为500千赫兹时，该控制信号的频率可以为1000千赫兹。
进一步地，第一电极层106在第一衬底基板101上的正投影可以与信号传输层104在第一衬底基板101上的正投影重合。这样，该第一电极层106不会对耦合至信号传输层104上的信号造成影响，避免了因第一电极层106对耦合至信号传输层104的信号产生影响导致的信号衰减，保证了信号传输层104对信号的有效传输。
并且，由于两者之间距离小于80微米时，在该信号传输层104和该接地面107之间传输的信号的信号衰减会很大，因此，该信号传输层104和该接地面107之间的距离应大于80微米，以保证所传输信号的信号质量。需要说明的是，此处80微米的距离阈值仅为一种示意性的示例，实际应用中其可以根据实际应用场景进行设置。
为了保证液晶在控制信号的控制下能够有效偏转，该第一液晶层103中填充的液晶可以为蓝相液晶或者铁电液晶。并且，当该第一液晶层103中填充的液晶为蓝相液晶时，其能够在控制信号的控制下快速反应，且无需分别在第一电极层106靠近第一液晶层103的一侧和第二电极层109靠近第一液晶层103的一侧设置配向层，能够简化参量放大器10的制造工艺。
可选地，该参量放大器10还可以包括：设置在第一电极层106靠近第一液晶层103一侧的第一配向层(图1未示出)和第二电极层109靠近第一液晶层103一侧的第二配向层(图1未示出)。
综上所述，本发明实施例提供的参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层，层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层，以及层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层，其中，第一电极层与第二电极层用于加载使第一液晶层中的液晶偏转的控制信号，相对于相关技术，由于该参量放大器可直接制造在衬底基板上，使得其制造过程与终端中显示面板的制造过程能够同步进行，进而有效地简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程。
本发明实施例还提供了一种参量放大器的控制方法，该方法可应用于图1所示的参量放大器10，该参量放大器10可以包括：相对设置的第一衬底基板101和第二衬底基板102，填充在第一衬底基板101和第二衬底基板102之间的第一液晶层103，以及，位于液晶层两侧的第一电极层106和第二电极层109，该方法可以包括：在第一电极层和第二电极层上加载周期性变化的控制信号，使得液晶层中的液晶在控制信号的控制下偏转，以实现对信号传输层所传输信号的放大功能。
可选地，该控制信号可以为交流信号，且该控制信号的频率可以为信号传输层所传输信号的频率的两倍，以保证放大后信号的信号质量。
综上所述，本发明实施例提供的参量放大器的控制方法，通过在第一电极层和第二电极层上加载使第一液晶层中的液晶偏转的控制信号，能够实现对信号的放大，且参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层，层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层，以及层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层，相对于相关技术，由于该参量放大器可直接制造在衬底基板上，使得其制造过程与终端中显示面板的制造过程能够同步进行，进而有效地简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程。
本发明实施例还提供了一种参量放大器的制造方法，请参考图3，该方法可以包括：
步骤201、制造第一基板。
请参考图4，该步骤201的实现过程可以包括：
步骤2011、提供第一衬底基板。
该第一衬底基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且非金属材料制成的基板。可选地，该第一衬底基板可以为彩膜基板中的衬底基板，或者，该第一衬底基板可以为阵列基板中的衬底基板，以提高衬底基板的利用率和集成度。
步骤2012、在第一衬底基板上形成信号传输层。
可选地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition。简称：PECVD)等方法在第一衬底基板上沉积一层具有一定厚度的金属材料，得到金属材质层，然后通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到信号传输层，该信号传输层包括：至少一条信号传输线。并且，该信号传输层可以为微带线层，该微带线层可以包括：至少一条微带线。其中，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，该金属材料可以为金属铜(英文：Cu)或金属铝(英文：Al)等材料。
需要说明的是，当第一衬底基板为阵列基板中的衬底基板时，该信号传输层与阵列基板上的源漏极图形可在同一构图工艺中制造，以简化参量放大器的制造工艺，进而简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。
步骤2013、在形成有信号传输层的第一衬底基板上形成第一绝缘层。
在形成有信号传输层的第一衬底基板上沉积一层具有一定厚度的绝缘材料，得到第一绝缘材质层，并对该第一绝缘材质层进行烘烤处理形成第一绝缘层。可选地，该绝缘材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的混合材料等。
实际应用中，当第一绝缘层包括图案时，还可以通过一次构图工艺对第一绝缘材质层进行处理得到第一绝缘层，本发明实施例在此不再赘述。
需要说明的是，当第一衬底基板为阵列基板中的衬底基板时，该第一绝缘层与阵列基板上的绝缘层可在同一构图工艺中制造；当第一衬底基板为彩膜基板中的衬底基板时，该第一绝缘层与彩膜基板上的绝缘层可在同一构图工艺中制造，以简化参量放大器的制造工艺，进而简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。
步骤2014、在形成有第一绝缘层的第一衬底基板上形成第一电极层。
可选地，第一电极层可以采用氧化铟锡(英文：Indium tin oxide。简称：ITO)材料或者氧化铟锌(英文：Indium zinc oxide。简称：IZO)等材料制造而成。示例地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一绝缘层的第一衬底基板上沉积一层具有一定厚度的ITO材料，得到ITO材质层，然后通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到第一电极层，该第一电极层可以包括：多个条状电极。并且，为了保证信号传输层对信号的有效传输，该第一电极层在第一衬底基板上的正投影应与信号传输层在第一衬底基板上的正投影重合。
需要说明的是，当第一衬底基板为阵列基板中的衬底基板时，该第一电极层与阵列基板上的公共电极可在同一构图工艺中制造；当第一衬底基板为彩膜基板中的衬底基板时，该第一电极层与彩膜基板上的像素电极可在同一构图工艺中制造，以简化参量放大器的制造工艺，进而简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。
步骤202、制造第二基板。
请参考图5，该步骤202的实现过程可以包括：
步骤2021、提供第二衬底基板。
该第二衬底基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且非金属材料制成的基板。可选地，该第二衬底基板可以为彩膜基板中的衬底基板，或者，该第二衬底基板可以为阵列基板中的衬底基板，以提高衬底基板的利用率和集成度。
步骤2022、在第二衬底基板上形成接地面。
可选地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在第二衬底基板上沉积一层具有一定厚度的金属材料，得到金属材料层，然后通过一次构图工艺对该金属材料层进行处理，以得到接地面，其中，该金属材料可以为Cu或Al等材料。
需要说明的是，当第二衬底基板为阵列基板中的衬底基板时，该接地面与阵列基板上的源漏极图形可在同一构图工艺中制造，以简化参量放大器的制造工艺，进而简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。
步骤2023、在形成有接地面的第二衬底基板上形成第二绝缘层。
在形成有接地面的第二衬底基板上沉积一层具有一定厚度的绝缘材料，得到第二绝缘材质层，并对该第二绝缘材质层进行烘烤处理形成第二绝缘层。可选地，该绝缘材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅与氮化硅的混合材料等。
需要说明的是，当第二衬底基板为阵列基板中的衬底基板时，该第二绝缘层与阵列基板上的绝缘层可在同一构图工艺中制造；当第二衬底基板为彩膜基板中的衬底基板时，该第二绝缘层与彩膜基板上的绝缘层可在同一构图工艺中制造，以简化参量放大器的制造工艺，进而简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。
步骤2024、在形成有第二绝缘层的第二衬底基板上形成第二电极层。
可选地，第二电极层可以采用ITO或者IZO等材料制造而成，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第二绝缘层的第二衬底基板上沉积一层具有一定厚度的ITO材料，并通过一次构图工艺对其进行处理，以得到第二电极层。
需要说明的是，当第二衬底基板为阵列基板中的衬底基板时，该第二电极层与阵列基板上的公共电极可在同一构图工艺中制造；当第二衬底基板为彩膜基板中的衬底基板时，该第二电极层与彩膜基板上的像素电极可在同一构图工艺中制造，以简化参量放大器的制造工艺，进而简化具有液晶显示面板的终端的制造过程。
步骤203、在第一基板和第二基板之间注入液晶，以得到第一液晶层。
在完成步骤201和步骤202之后，可将第一基板形成有膜层的一侧与第二基板形成有膜层的一侧进行对盒，并在对盒后的第一基板和第二基板之间滴注液晶，以得到第一液晶层。
需要说明的是，在对第一基板和第二基板对盒进行对盒之前，还可以在第一电极层远离第一衬底基板的一侧上形成第一配向层，和/或，在第二电极层远离第二衬底基板的一侧上形成第二配向层，然后再将第一基板和第二基板对盒，以便于填充在第一基板和第二基板之间的液晶能够在配向层的作用下有序的排列。
综上所述，本发明实施例提供的参量放大器的制造方法，该制造的参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层，层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层，以及层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层，相对于相关技术，由于该参量放大器可直接制造在衬底基板上，使得其制造过程与终端中显示面板的制造过程能够同步进行，进而有效地简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程。
本发明实施例还提供了一种液晶天线，请参考图6，该液晶天线1可以包括：天线单元20和本发明实施例提供的参量放大器10(图6中虚线A左侧的部分)。其中，该天线单元20可以包括：天线贴片。
进一步地，请继续参考图6，该液晶天线1还可以包括：移相单元(图6中虚线A右侧的部分)，该移相单元可以包括：第二液晶层301，以及分别位于该第二液晶层301两侧的两个电极层(图6未示出)，该两个电极层用于加载使第二液晶层301中的液晶偏转的信号，在第二液晶层301中的液晶发生偏转时，经过第二液晶层301的微波信号的相位可被调整，即实现移相单元的移相功能，且该微波信号可为信号传输层中所传输的信号。
可选地，为了保证参量放大器10的放大功能和移相单元的移相功能均能够实现，该使第二液晶层301中的液晶偏转的信号与在参量放大器10的第一电极层和第二电极层上加载的控制信号不同，例如：该两个信号的电压幅值可以不同，当两者电压幅值不同时，第一液晶层中液晶在控制信号的控制作用下的偏转程度，与第二液晶层301中液晶在信号的控制作用下的偏转程度不同，这样，就能够通过第一液晶层中液晶的偏转实现参量放大器10的放大功能，通过第二液晶层301中液晶的偏转实现移相单元的移相功能。
或者，该第二液晶层301中的液晶的液晶类型与参量放大器10的第一液晶层中的液晶的液晶类型可以不同，例如：第二液晶层301中的液晶可以为蓝相液晶或者铁电液晶，第一液晶层中的液晶可以为其他常见的阵列型液晶。由于液晶类型不同，第一液晶层中液晶在控制信号的控制作用下的偏转程度，与第二液晶层301中液晶在信号的控制作用下的偏转程度会不同，这样，就能够保证参量放大器10的放大功能和移相单元的移相功能的分别实现。
可选地，移相单元和参量放大器10之间还可以设置有封框胶，该封框胶可以隔绝参量放大器10中的第一液晶层和移相单元中的第二液晶层301，以保证该第二液晶层301中的液晶与参量放大器10的第一液晶层中的液晶不会互相干扰。并且，该封框胶还可以隔绝参量放大器10中的电极层与移相单元中的电极层的接触，使得在参量放大器10中的电极层与移相单元中的电极层上加载的信号不同时，可以保证在参量放大器10中的电极层上加载的信号与移相单元中的电极层上加载的信号相互独立。
综上所述，本发明实施例提供的液晶天线，该液晶天线中的参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在第一衬底基板和第二衬底基板之间的第一液晶层，层叠设置在第一衬底基板靠近第一液晶层一侧的信号传输层、第一绝缘层和第一电极层，以及层叠设置在第二衬底基板靠近第一液晶层一侧的接地面、第二绝缘层和第二电极层，其中，第一电极层与第二电极层用于加载使第一液晶层中的液晶偏转的控制信号，相对于相关技术，由于该参量放大器可直接制造在衬底基板上，使得其制造过程与终端中显示面板的制造过程能够同步进行，进而有效地简化了具有液晶显示面板的终端的制造过程，并且，该提高了天线单元和参量放大器的集成度。
本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，该液晶显示面板具有显示区域和非显示区域，该液晶显示面板可以包括：本发明实施例提供的液晶天线，且该液晶天线可以设置在该液晶显示面板的非显示区域中。
该液晶显示面板可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件的显示面板。
本发明实施例还提供了一种终端，该终端可以包括：本发明实施例提供的液晶显示面板。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种参量放大器，其特征在于，所述参量放大器包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以及填充在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的第一液晶层；
所述参量放大器还包括：
设置在所述第一衬底基板靠近所述第一液晶层一侧的信号传输层，设置在所述信号传输层靠近所述第一液晶层一侧的第一绝缘层，以及，设置在所述第一绝缘层靠近所述第一液晶层一侧的第一电极层，其中，所述信号传输层包括：至少一条信号传输线，所述第一电极层包括：多个条状电极；
设置在所述第二衬底基板靠近所述第一液晶层一侧的接地面，设置在所述接地面靠近所述第一液晶层一侧的第二绝缘层，以及，设置在所述第二绝缘层靠近所述第一液晶层一侧的第二电极层；
其中，所述第一电极层与所述第二电极层用于加载周期性变化的控制信号，使得所述第一液晶层中的液晶在所述控制信号的控制下偏转。
2.根据权利要求1所述的参量放大器，其特征在于，所述第一电极层在所述第一衬底基板上的正投影与所述信号传输层在所述第一衬底基板上的正投影重合。
3.根据权利要求1或2所述的参量放大器，其特征在于，所述信号传输层包括：微带线层，所述微带线层包括：至少一条微带线。
4.根据权利要求1或2所述的参量放大器，其特征在于，所述信号传输层和所述接地面之间的距离大于80微米。
5.根据权利要求1或2所述的参量放大器，其特征在于，所述控制信号的频率为所述信号传输层所传输信号的频率的两倍。
6.一种参量放大器的控制方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1至5任一所述的参量放大器，所述参量放大器包括：位于液晶层两侧的第一电极层和第二电极层，所述方法包括：
在所述第一电极层和所述第二电极层上加载周期性变化的控制信号，使得液晶层中的液晶在所述控制信号的控制下偏转。
7.一种液晶天线，其特征在于，所述液晶天线包括：天线单元和如权利要求1至5任一所述的参量放大器。
8.根据权利要求7所述的液晶天线，其特征在于，所述液晶天线还包括：移相单元，所述移相单元包括：第二液晶层，以及分别位于所述第二液晶层两侧的两个电极层，所述两个电极层用于加载使所述第二液晶层中的液晶偏转的信号；
所述使所述第二液晶层中的液晶偏转的信号与在所述参量放大器的第一电极层和第二电极层上加载的控制信号不同；
或者，所述第二液晶层中的液晶与所述参量放大器的第一液晶层中的液晶类型不同。
9.一种液晶显示面板，所述液晶显示面板具有显示区域和非显示区域，其特征在于，所述液晶显示面板包括：权利要求7或8所述的液晶天线，所述液晶天线设置在所述非显示区域中。
10.一种终端，其特征在于，所述终端包括：权利要求9所述的液晶显示面板。
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