CN108389812A - 平版印刷用模板的制造方法、记录介质及衬底处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及平版印刷用模板的制造方法、记录介质及衬底处理装置。本发明的目的在于，提供可提高模板的品质的技术。本发明的解决手段为下述技术，其具有将衬底搬入处理室的工序，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有非接触区域；衬底载置台具有支承非接触区域的背面的凸部、和与凸部共同构成空间的底部，使衬底载置台中的凸部支承非接触区域的背面的工序；在向处理室供给第二热气体的状态下，向空间供给第一热气体从而加热衬底的工序；和在加热的工序之后，在向空间供给上述第一热气体的状态下，向处理室供给处理气体从而处理衬底的工序。

Description

平版印刷用模板的制造方法、记录介质及衬底处理装置
技术领域
本发明涉及平版印刷用模板(template for lithography)的制造方法、记录介质及衬底处理装置。
背景技术
作为处理衬底的衬底处理装置，有例如在处理室内具有支承衬底的衬底支承部的装置(例如专利文献1)。
对于衬底处理装置而言，构成为能够处理许多种类的衬底。作为多种衬底中的一种，包括用作纳米压印用平版印刷模板的玻璃衬底。有将上述模板转印至被转印衬底上的树脂、形成图案的方法(例如专利文献2)。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本特开2016-63033号公报
专利文献2：日本特开2013-235885号公报
发明内容
发明要解决的课题
在纳米压印处理中，将平版印刷用模板的结构转印至被转印衬底，因此对于模板结构需要高准确性。为了制造准确性高的模板，需要例如在模板结构中形成硬掩膜等衬底处理。形成硬掩膜时，进行例如加热衬底等的处理。
然而，在纳米压印技术领域中，用于模板的衬底的特性对在衬底上形成的图案(膜)特性产生影响。结果，若使用模板进行转印，则存在形成于被转印衬底的半导体器件的特性降低的课题。
因此，本发明提供能够提高模板的品质的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明，提供一种技术，具有下述工序：将衬底搬入处理室的工序，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有非接触区域；衬底载置台具有支承非接触区域的背面的凸部、和与凸部共同构成空间的底部，使所述衬底载置台中的凸部支承非接触区域的背面的工序；在向处理室供给第二热气体(hot gas)的状态下，向空间供给第一热气体从而加热衬底的工序；和，在加热的工序之后，在向空间供给上述第一热气体的状态下，向处理室供给处理气体从而处理衬底的工序。
发明效果
通过本发明涉及的技术，能够提供可提高模板的品质的技术。
附图说明
图1：为对通过实施方式处理的衬底进行说明的图。
图2：为对实施方式涉及的衬底处理装置进行说明的图。
图3：为对实施方式涉及的衬底载置台进行说明的图。
图4：为对实施方式涉及的衬底载置台的温度分布进行说明的图。
图5：为对实施方式涉及的气体供给部进行说明的图。
图6：为对实施方式涉及的控制器进行说明的图。
图7：为对实施方式涉及的衬底处理流程进行说明的图。
图8：为对实施方式涉及的处理气体的供给顺序例进行说明的图。
图9：为对实施方式涉及的热气体的供给顺序例进行说明的图。
图10：为对比较例涉及的衬底载置台及温度分布进行说明的图。
附图标记说明
100…衬底处理装置，200…衬底，212…衬底载置台，225…气体加热部，280…控制器
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
[第一实施方式]
对第一实施方式进行说明。
以下，参照附图，对第一实施方式进行说明。
(衬底处理装置)
使用图1对处理对象的衬底200进行说明。在图1中，(a)为从上方观察衬底200时的图，(b)为(a)的α-α’的剖面图。衬底200用作纳米压印用平版印刷模板(以下称为L模板)。当形成L模板时，使用被称作标准模板(master template)的、预先形成的模具。L模板是作为用于向被转印衬底进行转印的模具而使用的模板。通过将L模板向被转印衬底压靠，从而在被转印板上形成图案。
衬底200构成为L模板。衬底200主要具有作为基底的基底衬底200a、和在其上部形成的图案形成区域200b。图案形成区域200b是形成有从标准模板转印的图案的区域。将图案形成区域200b构成为凸状，以使得当与被转印衬底接触时、不与被转印区域以外的部分接触。在图案形成区域200b，形成后文描述的硬掩膜等。这里，基底衬底200a和图案形成区域200b由玻璃、石英等透明性材料构成。
200c表示在基底衬底200a的上表面之中、没有形成图案形成区域200b的表面。由于200c是不与被转印衬底接触的区域，因此，在本实施方式中，称为非接触区域200c。200d是指在衬底背面之中、图案形成区域200b的背面。200e是指非接触区域200c的背面。在本实施方式中，将200d称为衬底中央背面，将200e称为衬底外周背面。
接下来，使用图2，说明对图1记载的衬底200进行处理的装置。图2为本实施方式涉及的衬底处理装置100的横剖面概略图。
(容器)
如图例所示，衬底处理装置100具有容器202。在容器202内，形成有处理衬底200的处理室201、当将衬底200向处理室201搬送时供衬底200通过的搬送室203。容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔部204。
在下部容器202b的侧面设置有与闸阀1490相邻的衬底搬入搬出口1480，晶片200经由衬底搬入搬出口1480在容器与搬送模块(未图示)之间移动。而且，下部容器202b接地。
在处理室201配置有支承衬底200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有：缓冲结构211、在表面具有缓冲结构211的衬底载置台212、设置在衬底载置台212内的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212设置有供升降销207贯通的销贯通孔214。升降销207构成为悬挂于销贯通孔214。构成为，当升降销207悬挂时，缓冲结构211中的气体不会通过销贯通孔214流入搬送室203。在加热器213上连接有温度控制部215。温度控制部215根据控制器280的指示来控制加热器213的温度。缓冲结构211由凸部211a和底部211e构成。需要说明的是，将由凸部211a围成的空间称为空间211b。空间211b也称为缓冲空间。衬底载置台212的详情在后文描述。需要说明的是，也可以在衬底支承部210内设置电极256。在电极256连接有偏压控制部257，构成为能够根据控制器280的指示来调节衬底200的电位。需要说明的是，电极256的面积构成为覆盖图案区域200b。通过以上述方式构成，能够向图案形成区域200b均匀地供给活性种。
衬底载置台212由轴217支承。轴217贯通容器202的底部，此外，在容器202的外部连接于升降机构218。在轴217的内侧设置有后文描述的热气体供给管220。在本实施方式中，将衬底载置台212概括地称为衬底载置部。衬底载置部的详情在后文描述。
在处理室201的上部(上游侧)，设置有作为气体分散机构的簇射头。簇射头至少由盖231、整流部235、分散板234构成。需要说明的是，在盖231设置有气体导入孔231a。气体导入孔231a与后文描述的公共气体供给管150连通。
分散板234以使气体在簇射头分散的机构的形式设置。该分散板234的上游侧为簇射头的缓冲空间232，下游侧为处理室201。在分散板234设置有多个贯通孔234a。
在分散板234的上游侧、并且是分散板234与气体导入孔231a之间，设置有整流部235。整流部235构成为将从气体导入孔231a导入的气体引导至分散板234的外周。
盖231隔着支承块233固定于分散板234的上部。
需要说明的是，分散板234也可以被供给高频电力、作为活化部的电极来使用。当向分散板234供给高频电力时，供给至处理室201的气体被活化(等离子体化)。
(活化部(等离子体生成部))
在作为活化部的电极上，经由开关254而连接有匹配器251和高频电源部252，并且构成为可供给电磁波(高频电力、微波)。由此，能够使供给至处理室201内的气体活化。开关254、匹配器251、高频电源部252构成为能够通过后文描述的控制器280和信号线来控制。通过进行使用了等离子体的处理，能够在比使构成图案形成区域200b的衬底软化的温度更低的温度区域进行处理。
(衬底载置部)
接下来，使用图3，对衬底载置部的详情进行说明。图3为对衬底载置台212放大而得到的说明图。如前所述，缓冲结构211具有凸部211a。凸部211a为对衬底外周背面200e进行支承的部位，并构成为例如周状。凸部211a支承衬底外周背面200e，由此，在衬底200与构成缓冲结构211的底面的底部211e之间构成空间211b。
通过由凸部211a支承、并且设置空间211b，由此能够减小衬底200背面与衬底载置台212的接触面积。由此，能够抑制由接触引起的颗粒的产生。
凸部211a以在图案形成区域200b的背面200d侧构成空间、进一步支承非接触区域200c的背面200e的方式，调节空间211b的大小。即，构成为在图案形成区域200b的背面200d不存在支承衬底200的结构。
在凸部211a的一部分，设置有朝向侧面方向而设置的孔211d。孔211d以贯通凸部211a的方式构成，并且以规定的间隔配置多个。空间211b的气氛经由孔211d而与比凸部211a更靠外侧的空间、即处理室201连通。
另外，在凸部211a的上端内周侧，设置有支承衬底200的端部的阶梯部211f。阶梯部211f以衬底200的厚度左右的高度构成。通过设置阶梯部211f，能够抑制在衬底200的端部附近发生处理气体的紊流，能够提高处理的均匀性。另外，能够提高空间211b的气密性，能够抑制后文描述的热气体从凸部211a与衬底200之间流入处理室201。当热气体从凸部211a与衬底200之间流入处理室201时，可能对后文描述的成膜工序S301中的处理带来不良影响。
在底部211e设置有热气体供给孔227。热气体供给孔227构成热气体供给管220的一端。在热气体供给管220的另一端，设置有热气体源222。从热气体源222供给的气体为非活性气体。非活性气体由后文描述的气体加热部225加热。在本实施方式中，将经加热的非活性气体称为热气体。
在热气体供给管220之中，在热气体源222与热气体供给孔227之间，自上游起设置有阀223、质量流量控制器(MFC)224、气体加热部225。阀223、MFC224调节从热气体源222供给的非活性气体的流量。气体加热部225是对从非活性气体源222a输出的非活性气体加热的部件。气体加热部225至少具有例如迷宫结构225a、设置于迷宫结构225a外周的电阻加热加热器225b。将要通过气体加热部225的非活性气体在迷宫结构225a处滞留，在此期间，由电阻加热加热器225b加热，从而被加热至所期望的温度。
非活性气体经由阀223、MFC224、气体加热部225而被供给至空间211b。供给至空间211b的第一热气体通过对流从而加热衬底200背面(背面200d，背面200e)，此后，从孔211d排气。在本实施方式中，将气体加热部225、MFC224、阀233概括地称为第一热气体供给部。需要说明的是，可在第一热气体供给部附加气体源222。
这里，使用比较例来说明在存在空间211b的状态下加热背面200e的理由。图10为比较例，为不存在热气体供给管220、仅具有凸部311的结构。T0表示衬底200的面内温度分布。当由凸部311支承时，如图10所记载的那样，衬底200的端部(此处，为背面200e)因来自凸部311与衬底200的接触部分的热传导而被移动后的加热器213的热来加热。衬底中央(衬底中央背面200d)由于远离凸部311，因此与外周相比，衬底中央(衬底中央背面200d)的借助热传导的加热效率低。此外，当处理衬底200时，由于将处理室201设为真空状态，因此，空间312也同样地成为真空状态。因此，在空间312中，不会发生对流。由于是以上这样的加热状况，因此，如温度分布T0那样，与外周相比，衬底200的中央温度变低。这种相关性在图案形成区域200b中也是同样的，在图案形成区域200b中，与中央相比，外周温度变低。即，在衬底200的面内，产生温度的不均。虽然这种温度不均有时可通过延长衬底200的加热时间而一定程度上消除，但会产生制造生产量降低的课题。
另一方面，在本实施方式中，如图4所记载的那样，从热气体供给管220向空间211b供给第一热气体。由于空间211b被第一热气体气氛填充，因此，衬底中央背面200d利用从加热器213产生的热的对流、和第一热气体携带的热能而被加热。在衬底外周背面200e，由于在气体接触到的部分处利用热传导而将使温度变得均匀，因此能够维持温度。由于能够形成这种状态，因此，能够使衬底200的面内温度分布如温度分布T1那样成为大致平坦。因而，在图案形成区域200b中，也能够使温度分布变得平坦。通过使温度分布变得平坦，能够使在图案形成区域200b上形成的膜的膜厚变得均匀。
此外，通过在衬底外周背面200e下方构成空间211b，第一热气体能够加热衬底外周。即，能够加热非接触面200c。除了背面200d以外，通过加热背面200e，也能够适当地加热图案形成区域200b的外周侧。当假如仅加热衬底中央背面200d时，与图案形成区域200b的中央相比，图案形成区域200b与非接触区域200c的边界线处的温度变低。因此，如本实施方式那样，不是仅加热衬底中央的背面200d，还加热外周的背面200e。
(处理气体供给部)
以与设置于盖231的气体导入孔231a连通的方式，在盖231连接有公共气体供给管150。如图5所示，在公共气体供给管150连接有第一气体供给管113a、第二气体供给管123a、第三气体供给管133a。需要说明的是，在本实施方式中，将从第一气体供给管113a、第二气体供给管123a、第三气体供给管133a供给的气体称为处理气体。
(第一气体供给部)
从上游方向起，在第一气体供给管113a上依次设置有第一气体源113、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)115、及作为开关阀的阀116。
第一气体源113是含有第一元素的第一气体(也称为“含第一元素气体”。)源。这里，第一元素是例如钛(Ti)。即，含第一元素气体为例如含钛气体。作为含钛气体，可使用例如TiCl4气体。需要说明的是，含第一元素气体在常温常压下可以是固体、液体、及气体中的任一种。当含第一元素气体在常温常压下为液体时，在第一气体源113与MFC115之间设置气化器180即可。这里，以气体进行说明。
主要由第一气体供给管113a、MFC115、阀116构成第一气体供给部(也称为含钛气体供给部)。
(第二气体供给部)
从上游方向起，在第二气体供给管123a上依次设置有第二气体源123、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)125，及作为开关阀的阀126、远程等离子体单元(RPU)124。
含有第二元素的气体(以下，“含第二元素气体”)从第二气体供给管123a经由MFC125、阀126、RPU124被供给至簇射头内。含第二元素气体利用RPU124而形成等离子体状态，并被供给至衬底200上。
作为等离子体生成部的RPU124是以例如ICP(电感耦合等离子体，InductiveCoupling Plasma)方式生成等离子体的部件，并且由线圈、匹配箱、电源等构成。如将在后文详细描述的那样，当含第二元素气体通过时，以生成离子少而自由基多的等离子体的方式，考虑气体种类、压力范围并事先调节电源、匹配箱等。
含第二元素气体为处理气体之一。需要说明的是，含第二元素气体可考虑作为反应气体或改质气体。因而，也将第二气体供给部称为反应气体供给部。以下，对于第二气体供给源等、在名称中包含第二气体的构成而言，也可以将第二气体替换为反应气体来称呼。
这里，含第二元素气体含有不同于第一元素的第二元素。作为第二元素，为例如氧(O)、氮(N)、碳(C)中的任一种。在本实施方式中，含第二元素气体设为例如含氮气体。具体而言，作为含氮气体，使用氨(NH3)气体。
主要由第二气体供给管123a、MFC125、阀126构成第二气体供给部(也称为含氮气体供给部)。
(第三气体供给部)
从上游方向起，在第三气体供给管133a上依次设置有第三气体源133、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)135，及作为开关阀的阀136。
第三气体源133为非活性气体的气体源。非活性气体用作上述第一气体、第二气体的稀释气体。另外，用作吹扫处理室201内的气氛的气体。第三气体为例如氮(N2)气体。
主要由第三气体供给管133a、MFC135、阀136构成第三气体供给部。
另外，在第三气体供给部与公共气体供给管150之间，设置有加热第三气体从而生成第二热气体的第二热气体供给部226。需要说明的是，第二热气体供给部226的结构与气体加热部225相同。
将以上说明的第一气体供给部、第二气体供给部中任一者、或两者归纳而得到的部件称为处理气体供给部。需要说明的是，可在处理气体供给部包含第三气体供给部。
(排气系统)
对容器202的气氛排气的排气系统具有连接于容器202的多根排气管。具有连接于处理室201的排气管(第一排气管)262、和连接于搬送室203的排气管(第二排气管)261。
在排气管262上设置有泵264(Turbo Morecular Pump(涡轮分子泵，TMP))。
排气管262设置于处理室201的侧方。在排气管262上，设置有将处理室201内控制为规定压力的、作为压力控制器的APC(AutoPressure Controller)266。APC266具有可调节开度的阀体(未图示)，根据来自控制器280的指示调节排气管262的流导。将排气管262和APC266概括地称为处理室排气系统。
排气管261设置于搬送室203的侧方。在排气管261上，设置有将搬送室203内控制为规定压力的、作为压力控制器的APC(AutoPressure Controller)228。APC228具有可调节开度的阀体(未图示)，根据来自控制器280的指示调节排气管261的流导。将排气管261和APC228概括地称为搬送室排气系统。
(控制器)
接下来，使用图6说明控制器280的详情。衬底处理装置100具有控制衬底处理装置100的各部的动作的控制器280。
将控制器280的概略示于图6。作为控制部(控制手段)的控制器280以包括CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random Access Memory)280b、作为存储部的存储装置280c、I/O端口280d的计算机的形式构成。RAM280b、存储装置280c、I/O端口280d以能够经由内部总线280e与CPU280a进行数据交换的方式构成。衬底处理装置100内的数据的发送接收根据也作为CPU280a的一个功能的发送接收指示部280f的指示进行。
控制器280以能够与例如输入输出装置281(以触摸面板等形式构成)、外部存储装置282连接的方式构成。此外，设置有接收部283，其经由网络与上位装置270连接。
存储装置280c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置280c内，以可读取的方式存储有：控制衬底处理装置的动作的控制程序；记载有后文描述的衬底处理的步骤、条件等的工艺制程；后文描述的表格等。需要说明的是，工艺制程是以使控制器280执行后文描述的衬底处理工序的各步骤、并能获得规定结果的方式组合得到的，其作为程序发挥功能。以下，也将该工艺制程、控制程序等统一简称为程序。需要说明的是，本说明书中在使用程序这样的用语的情况下，有时仅单独包含工艺制程，有时仅单独包含控制程序，或者有时包含上述两者。另外，RAM280b以存储区域(工作区)的形式构成，该存储区域暂时保持通过CPU280a读取的程序、数据等。
I/O端口280d与闸阀1490、升降机构218、温度控制部215、气体加热部225等衬底处理装置100的各构成连接。
CPU280a被构成为：读取并执行来自存储装置280c的控制程序，并且根据来自输入输出装置281的操作命令的输入等从存储装置280c读取工艺制程。而且，CPU280a被构成为：能够按照所读取的工艺制程的内容，控制闸阀1490的开闭动作、升降机构218的升降动作、各泵的开闭控制、质量流量控制器的流量调节动作、阀等。作为工艺制程，记录有与各衬底对应的制程。例如，存储有下述制程：在衬底200上形成TiO膜的第一制程，在衬底200上形成TiN膜的第二制程。上述这些制程构成为若从上位装置等接收到处理各个衬底的指示，则被读取。
需要说明的是，对于控制器280而言，使用存储有上述程序的外部存储装置(例如，硬盘等磁盘；DVD等光盘；MO等光磁盘；USB存储器、存储卡等半导体存储器)282，将程序安装在通用的计算机上等，从而可以构成本实施方式涉及的控制器280。需要说明的是，用于向计算机输入程序的手段不限于经由外部存储装置282输入的情况。例如，也可以不经由外部存储装置282、而是使用互联网、专用线路等通信手段来输入程序。需要说明的是，存储装置280c、外部存储装置282以计算机可读取的记录介质的形式构成。以下，也将它们统一简称为记录介质。需要说明的是，本说明书中使用记录介质这一词语时，有时仅单独包含存储装置280c，有时仅单独包含外部存储装置282，或有时包含上述两者。
(2)衬底处理工序
接下来，参照图7，对使用衬底处理装置100，在衬底200上形成薄膜的工序进行说明。图7为本发明的实施方式涉及的成膜工序的流程图。
这里，对下述例子进行说明：使用TiCl4气体作为含第一元素气体、使用氨(NH3)气体作为含第二元素气体，在图案形成区域200b上形成薄膜形式的氮化钛膜。氮化钛膜用作硬掩膜。
(衬底搬入工序S201)
当衬底处理时，首先，将衬底200搬入处理室201。具体而言，通过升降机构218使衬底支承部210下降，形成升降销207从销贯通孔214向衬底支承部210的上表面侧突出的状态。另外，在将处理室201内、搬送室203调压至规定的压力后，打开闸阀1490，将衬底200从闸阀1490移动并载置于升降销207上。在将衬底200载置于升降销207上后，关闭闸阀1490，通过升降机构218使衬底支承部210上升至规定的位置，由此，衬底200从升降销207载置于衬底支承部210。此时，凸部211a支承背面200e。
(第一调压调温工序S202)
接下来，以处理室201内成为规定的压力(真空度)的方式，经由排气管262将处理室201内排气。此时，基于压力传感器(未图示)测量到的压力值，反馈控制APC266的阀体的开度。另外，基于温度传感器(未图示)检测到的温度值，以处理室201内成为规定的温度的方式，反馈控制向加热器213的通电量。具体而言，预先利用加热器213加热衬底支承部210。排气后，从第三气体供给部经由第二热气体供给部226向处理室201内供给第二热气体，同时，从第一热气体供给部向缓冲结构211供给第一热气体。此时，为了抑制衬底200的偏移(移动)，使处理室201的压力高于空间211b内的压力、搬送室203的压力。另外，为了防止升降销207的上浮，使缓冲空间211b内的压力高于搬送室203的压力。供给第一热气体和第二热气体，放置规定时间直至衬底200的温度达到规定温度。衬底200达到规定的温度、另外经过规定时间后，停止来自第二热气体供给部的第二热气体的供给。
需要说明的是，为了提高借助气体的热传导效果，此时的处理室201内的压力、空间211b内的压力调节至成为粘性流动的压力。
另外，此时的加热器213的温度设定为成为100～600℃、优选为100～500℃、更优选为250～450℃的范围内的一定的温度。另外，第一热气体和第二热气体的温度设定为成为100～800℃的范围内的温度。通过设定为如上所述的温度，可将衬底200的温度调节为例如室温以上500℃以下、优选为室温以上且400℃以下。
需要说明的是，对于加热器213的温度而言，当连续处理多张衬底200时，优选维持温度。
从第二热气体供给部的第二热气体的供给停止后，将处理室201内的压力设为例如50～5000Pa。
需要说明的是，继续从第一热气体供给部向空间211b供给第一热气体的供给。
另外，在成膜工序S301期间，空间211b内的压力调节为低于处理室201内的压力。
(成膜工序S301)
接下来，进行成膜工序S301。在成膜工序S301中，根据工艺制程，控制第一气体供给部、第二气体供给部从而将各气体供给至处理室201，并且控制排气系统从而将处理室排气，在衬底200上、特别是在图案形成区域上形成硬掩膜膜。需要说明的是，这里可以使第一气体和第二气体同时存在于处理室从而进行CVD处理、也可以交替供给第一气体和第二气体从而进行循环处理。以下，使用图7、图8、图9对交替供给第一气体和第二气体从而进行循环处理的工序进行说明。
在成膜工序S301中，进行S203～S207的工序。
(第一气体供给工序S203)
在第一气体供给工序S203中，从第一气体供给部向处理室201内供给作为第一气体(处理气体)的TiCl4气体。具体而言，在利用MFC115对从第一气体供给源113供给的TiCl4气体进行流量调节后，供给至衬底处理装置100。经流量调节的TiCl4气体经过缓冲室232，从分散板234的贯通孔234a被供给至减压状态的处理室201内。另外，继续进行利用排气系统进行的处理室201内的排气，将处理室201内的压力控制为成为规定的压力(第一压力)。此时，对衬底200供给TiCl4气体。TiCl4气体以规定的压力(第一压力：例如10Pa以上1000Pa以下)被供给至处理室201内。经上述操作，向衬底200供给TiCl4气体。通过TiCl4气体的供给，在衬底200上形成含钛层。
(第一吹扫工序S204)
当在衬底200上形成含钛层后，关闭第一气体供给管113a的气体阀116，停止TiCl4气体的供给。通过停止第一气体，存在于处理室201中的第一气体、存在于缓冲室232之中的处理气体从排气系统排气，由此进行第一吹扫工序S204。
另外，在第一吹扫工序S204中，也可以构成为除了仅将气体排气(抽真空)从而排出气体以外，从第三气体供给源133供给非活性气体，将残留气体挤出的排出处理。这种情况下，打开阀136，通过MFC135进行非活性气体的流量调节。另外，也可以将抽真空与非活性气体的供给组合进行。另外，也可以构成为交替进行抽真空和非活性气体的供给。
除此以外，还可以将第二热气体供给部226设为接通(ON)，从而产生第二热气体。通过使用第二热气体作为吹扫气体，能够提高对存在于衬底200上的副生成物的除去效率。另外，当由于第一处理气体的供给而衬底200表面的温度降低时，可使衬底200的表面温度上升至规定的温度。
经过规定的时间后，关闭阀136，停止非活性气体的供给。需要说明的是，在将非活性气体用作稀释气体时，也可以在打开阀136的状态下继续非活性气体的供给。
(第二气体供给工序S205)
在第一吹扫工序S204之后，从第二气体供给部，向处理室201内供给作为第二气体(处理气体)的NH3气体。具体而言，打开阀126，经由气体导入孔231a、缓冲室232、贯通孔234a，向处理室201内供给NH3气体。需要说明的是，第二气体也称为处理衬底200的处理气体、与第一气体、含钛层、衬底200反应的反应气体。另外，也可以将RPU124设为ON，供给经活化的NH3气体。通过使NH3气体活化，能够提高TiN膜的特性。这里，TiN膜的特性为例如膜的硬度、耐磨损性、覆盖性等。
此时，以NH3气体的流量称为规定的流量的方式调节MFC125。需要说明的是，NH3气体的供给流量为例如1sccm以上且10000sccm以下。
若NH3气体被供给至形成于衬底200上的含钛层，则含钛层被改质，形成规定厚度的TiN层。TiN层根据例如处理室201内的压力、NH3气体的流量、衬底200的温度等，以规定的厚度、规定的分布形成。
规定的时间经过后，关闭阀126，停止NH3气体的供给。
此时的加热器213的温度设定为使得成为与向衬底200供给第一气体时同样的温度。
(第二吹扫工序S206)
通过与第一吹扫工序S204同样的动作，进行第二吹扫工序S206。需要说明的是，与第一吹扫工序S204同样地，也可以将第二热气体供给部226设为接通，产生第二热气体。通过使用第二热气体作为吹扫气体，能够提高存在于衬底200上的副生成物的除去效率。另外，当由于第一处理气体的供给而衬底200表面的温度降低时，可使衬底200的表面温度上升至规定的温度。需要说明的是，由于在第二气体供给工序S205之后残留的副生成物的量多于在第一气体供给工序S203之后残留的副生成物的量，因此优选的是，使在第二吹扫工序S206中供给的第二热气体的温度·流量·压力中的至少任一者高于第一吹扫工序S204。通过使第二吹扫工序S206中供给的第二热气体的温度·流量·压力中的至少任一者变高，能够提高副生成物的除去效率。
(判定工序S207)
第二吹扫工序S206结束后，控制器280对上述S203～S206是否执行了规定的循环数n进行判定。即，对是否在衬底200上形成所期望的厚度的TiN膜进行判定。将上述步骤S203～S206作为1循环，将该循环进行至少1次以上，从而能够在衬底200上形成规定膜厚的TiN膜。需要说明的是，上述循环优选重复多次。由此，在衬底200上形成规定膜厚的TiN膜。
当在判定工序S207中，上述S203～S206没有实施规定次数(No判定时)时，重复上述S203～S206的循环，当实施了规定次数(Yes判定时)时，结束成膜工序S301，执行第二调压调温工序S208和衬底搬出工序S209。
(第二调压调温工序S208)
接下来，以使得处理室201内成为规定的压力的方式，经由排气管262将处理室201内排气。另外，也可以冷却至能够搬送衬底200的温度。需要说明的是，当冷却衬底200时，也可以在将第二热气体供给部设为OFF的状态下，打开阀136，向衬底200供给未被加热的非活性气体。通过供给未被加热的非活性气体，能够提高衬底200的冷却效率。除此以外，也可以构成为使衬底支承部210下降，在载置于升降销207上的状态下供给非活性气体。通过以使得衬底200与衬底支承部210离开的方式在升降销207上支承衬底200，能够抑制从衬底支承部210向衬底200的热传导，能够提高冷却效率。需要说明的是，这里，为后续的衬底200的处理做准备，为了保持衬底支承部210的温度，优选的是，不从第一热气体供给部向缓冲结构211供给。这是由于，当衬底支承部210的温度发生了变化时，后续的衬底200的第一调压调温工序中的时间变长，成为使制造生产量降低的主要因素。
(衬底搬出工序S209)
在衬底搬出工序S209，利用与衬底搬入工序S201相反的步骤，将衬底200从处理室201向搬送模块(未图示)搬送。
进行上述操作，从而进行衬底处理工序。
[其他实施方式]
以上，具体说明了本发明的实施方式，但不限于此，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
另外，例如，在上述实施方式中，举出在衬底处理装置进行的成膜处理中，使用TiCl4气体作为含第一元素气体、使用NH3气体作为含第二元素气体，在衬底200上形成作为硬掩膜的TiN膜的例子，但本发明不限于此。作为硬掩膜，只要是能够得到与衬底200a的蚀刻选择比的膜即可，也可以是例如铬、钼等金属、它们的氧化物或氮化物。
另外，在本实施方式中，对形成硬掩膜的例子进行了说明，但不限于此。只要是形成L模板的过程中的加热工序即可，也可以是用于修复例如L模板的结构的缺损等的成膜工序。

Claims (19)

1.平版印刷用模板的制造方法，具有下述工序：
将衬底搬入处理室的工序，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有非接触区域；
衬底载置台具有支承所述非接触区域的背面的凸部、和与所述凸部共同构成空间的底部，使所述衬底载置台中的所述凸部支承所述非接触区域的背面的工序；
在向所述处理室供给第二热气体的状态下，向所述空间供给第一热气体从而加热所述衬底的工序；和
在所述加热的工序之后，在向所述空间供给所述第一热气体的状态下，向所述处理室供给处理气体从而处理所述衬底的工序。
2.根据权利要求1所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在加热所述衬底的工序中，
使所述处理室的压力高于所述空间的压力。
3.根据权利要求1所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在处理所述衬底的工序中，
在继续向所述空间供给所述第一热气体并且停止向所述处理室供给所述第二热气体后，供给所述处理气体。
4.根据权利要求2所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在处理所述衬底的工序中，
在继续向所述空间供给所述第一热气体并且停止向所述处理室供给所述第二热气体后，供给所述处理气体。
5.根据权利要求1所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在所述处理的工序之后，
具有在停止向所述空间供给所述第一热气体的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
6.根据权利要求2所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在所述处理的工序之后，
具有在停止向所述空间供给所述第一热气体的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
7.根据权利要求3所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在所述处理的工序之后，
具有在停止向所述空间供给所述第一热气体的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
8.根据权利要求4所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，在所述处理的工序之后，
具有在停止向所述空间供给所述第一热气体的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
9.根据权利要求5所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，
在向所述处理室供给非活性气体的工序中，
具有在所述衬底载置于升降销的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
10.根据权利要求6所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，
在向所述处理室供给非活性气体的工序中，
具有在所述衬底载置于升降销的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
11.根据权利要求7所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，
在向所述处理室供给非活性气体的工序中，
具有在所述衬底载置于升降销的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
12.根据权利要求8所述的平版印刷用模板的制造方法，其中，
在向所述处理室供给非活性气体的工序中，
具有在所述衬底载置于升降销的状态下，向所述处理室供给非活性气体的工序。
13.记录有程序的记录介质，所述程序通过计算机使衬底处理装置执行下述步骤，所述步骤为：
将衬底搬入处理室的步骤，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有非接触区域；
衬底载置台具有支承所述非接触区域的背面的凸部、和与所述凸部共同构成空间的底部，使所述衬底载置台中的所述凸部支承所述非接触区域的背面的步骤；
在向所述处理室供给第二热气体的状态下，向所述空间供给第一热气体从而加热所述衬底的步骤；和
在所述加热的步骤之后，在向所述空间供给第一热气体的状态下，向所述处理室供给处理气体从而处理所述衬底的步骤。
14.根据权利要求13所述的记录有程序的记录介质，其中，在加热所述衬底的步骤中，
使所述处理室的压力高于所述空间的压力。
15.根据权利要求13所述的记录有程序的记录介质，其中，在处理所述衬底的步骤中，
在继续向所述空间供给所述第一热气体并且停止向所述处理室供给所述第二热气体后，供给所述处理气体。
16.根据权利要求14所述的记录有程序的记录介质，其中，在处理所述衬底的步骤中，
在继续向所述空间供给所述第一热气体并且停止向所述处理室供给所述第二热气体后，供给所述处理气体。
17.衬底处理装置，具有：
衬底载置台，其具有凸部和与所述凸部共同构成空间的底部，所述凸部支承衬底的非接触区域的背面，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有所述非接触区域；
处理室，其具有所述衬底载置台；
处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；
第一热气体供给部，其向所述空间供给第一热气体；
第二热气体供给部，其向所述处理室供给第二热气体；
控制部，其以进行下述步骤的方式控制所述处理气体供给部、所述第一热气体供给部和所述第二热气体供给部，所述步骤为：在向所述处理室供给所述第二热气体的状态下，向所述空间供给第一热气体从而加热所述衬底的步骤；和，在所述加热的步骤之后，在向所述空间供给所述第一热气体的状态下，向所述处理室供给处理气体从而处理所述衬底的步骤。
18.根据权利要求17所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部以当加热所述衬底时，使所述处理室的压力高于所述空间的压力的方式控制所述处理气体供给部、所述第一热气体供给部和所述第二热气体供给部。
19.根据权利要求17所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部以当处理所述衬底时，在继续向所述空间供给所述第一热气体并且停止向所述处理室供给所述第二热气体后，供给所述处理气体的方式控制所述处理气体供给部、所述第一热气体供给部和所述第二热气体供给部。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023023351A (ja) * 2021-08-05 2023-02-16 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6354832B1 (en) * 1999-07-28 2002-03-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20020117471A1 (en) * 2000-12-22 2002-08-29 Hwang Jeng H. Method of plasma heating and etching a substrate
US20060213439A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Tadahiro Ishizaka Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination
US20110146568A1 (en) * 2007-12-21 2011-06-23 Asm International N.V. Modification of nanoimprint lithography templates by atomic layer deposition
WO2014064218A1 (de) * 2012-10-26 2014-05-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines gehäuses
CN105714275A (zh) * 2014-12-18 2016-06-29 株式会社日立国际电气 衬底处理装置及半导体器件的制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232139A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Toshiba Corp 半導体製造装置
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
JP2000034568A (ja) * 1998-07-15 2000-02-02 Shibaura Mechatronics Corp 回転基板ホルダー
US6180926B1 (en) * 1998-10-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heat exchanger apparatus for a semiconductor wafer support and method of fabricating same
KR101504445B1 (ko) * 2004-03-25 2015-03-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4150356B2 (ja) * 2004-05-13 2008-09-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
KR101634893B1 (ko) * 2006-08-31 2016-06-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7955516B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-07 Applied Materials, Inc. Etching of nano-imprint templates using an etch reactor
EP2580368B1 (en) * 2010-06-11 2015-11-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for chemical vapor deposition control
JP2012134332A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法および基板処理装置
JP6002528B2 (ja) * 2011-09-28 2016-10-05 Hoya株式会社 マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法
JP2013071883A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Mitsubishi Electric Corp 基板表面処理方法および基板表面処理装置
JP6028384B2 (ja) * 2012-05-07 2016-11-16 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
JP2016063033A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP2018095916A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置、リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6354832B1 (en) * 1999-07-28 2002-03-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20020117471A1 (en) * 2000-12-22 2002-08-29 Hwang Jeng H. Method of plasma heating and etching a substrate
US20060213439A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Tadahiro Ishizaka Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination
US20110146568A1 (en) * 2007-12-21 2011-06-23 Asm International N.V. Modification of nanoimprint lithography templates by atomic layer deposition
WO2014064218A1 (de) * 2012-10-26 2014-05-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines gehäuses
CN105714275A (zh) * 2014-12-18 2016-06-29 株式会社日立国际电气 衬底处理装置及半导体器件的制造方法

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