CN108376750A - 一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件 - Google Patents

一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件 Download PDF

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邱成峰
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Abstract

本发明涉及量子点合成领域，具体涉及一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件，所述制备方法包括以下步骤：S1：将锌前驱体溶解在油酸和油胺中，获得油酸锌前驱体混合液；S2：将量子点加入S1步骤中的油酸锌前驱体混合液；再加入NaHCO3并于180‑270℃下反应1h；S3：反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理，获得量子点/氧化锌核壳结构。应用本发明所述量子点/氧化锌核壳结构材料可以增强QLED器件的量子效率和抵御光漂白的能力，从而减少在单个粒子水平上的荧光发射闪烁，这种量子点电致发光器件能够实现：1)高效电荷注入、2)高发光亮度、3)低驱动电压、4)高器件效率等优异器件性能。

Description

一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件
技术领域
本发明涉及量子点合成领域，具体涉及一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件。
背景技术
随着量子点合成技术的不断完善与发展，具有高效发光效率的红光、绿光、蓝光量子点被广泛制备。基于量子点材料的量子点电致发光二极管器件(Quantum dot light-emitting diodes，QLED)借助于量子点纳米材料的特性和优化，已经在显示画质、器件性能、制造成本等方面展现出了巨大的潜力。但因寿命短，材料稳定性差等原因，使使用受到限制。
而本发明提出的一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件，是将半导体壳层生长在量子点纳米晶核的表面，改善了量子点纳米晶核结构的光学性质，减少在单个粒子水平上的荧光闪烁，克服现有技术的不足，发明的一种量子点(包括核壳量子点和合金量子点)/氧化锌核壳结构及其半导体器件，解决了QLED技术中的量子点稳定性差、电荷注入效率低、光/电致发光效率低等问题。
发明内容
为了有效解决上述问题，本发明提供一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件。
本发明的具体技术方案如下：一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
S1：在温度为110℃-130℃的环境下，将锌前驱体溶解在油酸和油胺中，获得油酸锌前驱体混合液；
S2：在温度为100℃-120℃的环境下，将量子点加入S1步骤中的油酸锌前驱体混合液；
再加入NaHCO3并于180-270℃下反应1h；
S3：将S2步骤中的产物，反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理，获得量子点/氧化锌核壳结构。
进一步地，步骤S1中所述锌前驱体包括：Zn的前驱体，所述Zn的前驱体为二甲基锌、二乙基锌、醋酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌、硫酸锌、油酸锌或硬脂酸锌。
进一步地，步骤S1中所述NaHCO3包括：(NH4)2CO3，NaH2PO4,KOH，NaOH。
进一步地，所述步骤S2中，所述量子点包括二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点和五元相量子点中的一种；
所述二元相量子点包括但不限于CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnS、InP、HgS、AgS；
三元相量子点包括但不限于ZnXCd1-XS/ZnS、CuInS、PbSeXS1-X/PbS、CdSe/CdS；
四元相量子点包括但不限于CuInSeS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/ZnS；
五元相量子点包括但不限于InP/ZnSeS、CuInSe/ZnS。
一种正置顶发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阳极；
所述反射阳极为铝电极或银电极，所述反射阳极的厚度为30-800nm；
S2：在所述反射阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积电子传输层；
所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；
S3：在所述电子传输层上沉积一透明阴极，制得正置顶发射QLED器件；
所述透明阴极为ITO或薄层金属电极；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
进一步地，所述反射阳极与空穴传输层之间还可设置空穴注入层；
所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
一种正置底发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成透明阳极；
所述透明阳极为图案化的ITO；
S2：在所述透明阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积电子传输层；
所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；
S3：在所述电子传输层上蒸镀一反射阴极，制得正置底发射QLED器件；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
进一步地，所述透明阳极与空穴传输层之间还可设置空穴注入层；
所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
一种反置顶发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阴极；
所述反射阴极为铝电极或银电极，所述反射阴极厚度为30-800nm；
S2：在所述反射阴极上依次沉积电子传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积空穴传输层；
所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；
S3：在所述空穴传输层上沉积一透明阳极，制得反置顶发射QLED器件；
所述透明阳极为图案化的ITO；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积；
在所述空穴传输层与透明阳极之间还可设置空穴注入层；
所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
一种反置底发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成透明阴极；
S2:在所述透明阴极上依次沉积电子传输层、量子点发光层,随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积空穴传输层；
S3：在所述空穴传输层上蒸镀一反射阳极，制得反置底发射QLED器件；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
本发明的有益之处：应用本发明所述量子点/氧化锌核壳结构材料可以增强QLED器件的量子效率和抵御光漂白的能力，从而减少在单个粒子水平上的荧光发射闪烁，这种量子点电致发光器件能够实现：1)高效电荷注入、2)高发光亮度、3)低驱动电压、4)高器件效率等优异器件性能；
同时，本发明所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，具有易于控制氧化锌层厚度和光学性能稳定的特点，能够充分满足并配合器件中其他功能层的能级结构，例如电子注入层纳米氧化锌ZnO或者纳米ZnMgO，以实现器件整体能级结构的匹配，增加载流子注入，从而有助于实现高效稳定的QLED器件。这一性质可实现具有高效电荷注入、高发光亮度、低驱动电源以及高器件效率等优异性能的高效QLED器件。
附图说明
图1为本发明第一实施例的整体结构示意图；
图2为本发明所述正置顶发射QLED器件的结构层次图；
图3为本发明所述正置底发射QLED器件的结构层次图；
图4为本发明所述反置顶发射QLED器件的结构层次图；
图5为本发明所述反置底发射QLED器件的结构层次图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细描述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
相反，本发明涵盖任何由权利要求定义的在本发明的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步，为了使公众对本发明有更好的了解，在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。
如图1所示，为本发明第一实施例的整体结构示意图，该实施例提供了一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，在本实施例中通过化学外延生长氧化锌于量子点表面形成量子点/氧化锌核壳结构，所述量子点/氧化锌核壳结构的制备方法包括以下步骤：
S1：在温度为120℃的环境下，将锌前驱体溶解在油酸(Oleicacid)和油胺(Oleylamine)中，获得油酸锌前驱体混合液；
所述锌前驱体与油酸、油胺的质量比为1：1.3-1.5；
所述油酸与油胺的质量比为2：3；
在混合后进行低速搅拌，并所述搅速度为60-80r/min，在保证锌前驱体不被破坏的前提下，实现所述锌前驱体均匀的混散在所述油酸及油胺中；
S2：在温度为110℃的环境下，将量子点加入到S1步骤中制备的油酸锌前驱体混合液中；
在温度为180℃-270℃的环境下，加入NaHCO3，反应时间为1h；
增加的所述量子点的质量为整个所述油酸锌前驱体混合液的质量的30-50％；
在180-270℃的环境下加入NaHCO3，同时提供紫外光灯作为反应媒介，所述紫外光灯所提供的波长为320；
所述紫外光灯环形布置在反应设备的周边，并在反应过程中，通过观察鉴定避免出现部分量子反应不彻底的情况；
在反应过程中，进行搅拌，所述搅拌速度为120-130r/min；
S3：将S2步骤中的产物，反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理。
将所述S2步骤中的产物依次溶解于甲苯中，进行沉淀离心处理，随后再溶解于无水乙醇中进行离心处理，本实施例中经过2-3次的反复步骤程序即可，获得最终的产物。
上述步骤S1中所述锌前驱体包括但不限于：Zn的前驱体，所述Zn的前驱体为二甲基锌(dimethyl Zinc)、二乙基锌(diethyl Zinc)、醋酸锌(Zinc acetate)、乙酰丙酮锌(Zinc acetylacetonate)、碘化锌(Zinc iodide)、溴化锌(Zinc bromide)、氯化锌(Zincchloride)、氟化锌(Zinc fluoride)、碳酸锌(Zinc carbonate)、氰化锌(Zinc cyanide)、硝酸锌(Zinc nitrate)、氧化锌(Zinc oxide)、过氧化锌(Zinc peroxide)、高氯酸锌(Zincperchlorate)、硫酸锌(Zinc sulfate)、油酸锌(Zinc oleate)或硬脂酸锌(Zincstearate)；
上述步骤S2中所述NaHCO3包括但不限于(NH4)2CO3，NaH2PO4,KOH，NaOH。
上述步骤S2中，量子点包括二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点和五元相量子点中的一种。
所述二元相量子点包括但不限于CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnS、InP、HgS、AgS等；
三元相量子点包括但不限于ZnXCd1-XS/ZnS、CuInS、PbSeXS1-X/PbS、CdSe/CdS等；
四元相量子点包括但不限于CuInSeS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/ZnS等；
五元相量子点包括但不限于InP/ZnSeS、CuInSe/ZnS等量子点。
本发明还提供一个第二实施例，所述第二实施例为一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，本实施例与上述实施例内容部分相同，唯不同之处在于，在步骤S2中，提供紫外光灯作为反应媒介的同时，增加纳米级二氧化钛作为媒介，并调整调整内部的发光效率，所述的发光效率可以理解在将本发明所制备的量子点/氧化锌核壳结构作为光致发光器的发光材料，所实现的发光效率的增强；
具体为：在上述步骤S2中加入NaHCO3，反应时间为1h后，增加纳米级二氧化钛，所述纳米级二氧化钛的增加量为整个反应液质量的0.1-0.3％，将反应温度降低至70-80℃，继续保持紫外光所提供的照射环境，进行搅拌，所述搅拌速度为30-40r/min，所述反应时长为2-2.5h；
在本发明的第三实施例中，提供一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件包括但不限于正置顶发射QLED器件、正置底发射QLED器件、反置顶发射QLED器件或反置底发射QLED器件；
如图2所示，所述QLED器件为正置顶发射QLED器件，所述正置顶发射QLED器件的制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阳极；
所述反射阳极12为铝电极或银电极，所述反射阳极12的厚度为30-800nm；
S2：在所述反射阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；
所述量子点发光层采用如上所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层14的厚度为10-100nm；
对量子点发光层进行氧化刻蚀，使用臭氧处理，或空气氛围加热50℃-270℃，或环氧树脂加热退火处理60℃-200℃，之后沉积电子传输层；
所述电子传输层15的材料为LiF、CsF、Cs2CO3、ZnO、Alq3中的至少一种。所述电子传输层15的厚度为10-150nm；
所述空穴传输层13的材料为TFB、poly-TPD、PVK、NiO、MoO3、NPB、CBP中的至少一种。所述空穴传输层13的厚度为10-150nm。
S3：在所述电子传输层上沉积一透明阴极，制得正置顶发射QLED器件；所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
所述透明阴极16为ITO或薄层金属电极，所述ITO的厚度为20-300nm，所述薄层金属电极的厚度为5-50nm
进一步地，所述反射阳极12与空穴传输层13之间还可设置空穴注入层，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。所述空穴注入层的厚度为10-150nm
如图3所示，所述QLED器件为正置底发射QLED器件，所述正置底发射QLED器件的制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成透明阳极；
所述透明阳极22为图案化的ITO。
S2：在所述透明阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀包括使用臭氧处理，或空气氛围加热50℃-270℃，或环氧树脂加热退火处理60℃-200℃，之后沉积及电子传输层；
所述量子点发光层24采用如上所述的量子点/氧化锌核壳结构材料。所述量子点发光层24的厚度为10-100nm。
所述电子传输层25的材料为LiF、CsF、Cs2CO3、ZnO、Alq3中的至少一种。所述电子传输层25的厚度为10-150nm。
S3：在所述电子传输层上蒸镀一反射阴极，制得正置底发射QLED器件。所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
所述反射阴极26为铝电极或银电极，所述反射阴极26厚度为30-800nm。
在所述透明阳极22与空穴传输层23之间还可设置空穴注入层，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。所述空穴注入层的厚度为10-150nm。所述空穴传输层23的材料为TFB、poly-TPD、PVK、NiO、MoO3、NPB、CBP中的至少一种。所述空穴传输层的厚度为10-150nm。
如图4所示，所述QLED器件为反置顶发射QLED器件，所述反置顶发射QLED器件的制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阴极；
所述反射阴极32为铝电极或银电极，所述反射阴极32厚度为30-800nm。
S2：在所述反射阴极依次沉积电子传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀包括使用臭氧处理，或空气氛围加热50℃-270℃，或环氧树脂加热退火处理60℃-200℃，之后沉积空穴传输层；
所述量子点发光层34采用如上所述的量子点/氧化锌核壳结构材料。所述量子点发光层34的厚度为10-100nm。
所述电子传输层33的材料为LiF、CsF、Cs2CO3、ZnO、Alq3中的至少一种。所述电子传输层33的厚度为10-150nm。
S3：在所述空穴传输层上沉积一透明阳极，制得反置顶发射QLED器件。所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
所述透明阳极36为图案化的ITO。
在所述空穴传输层35与透明阳极36之间还可设置空穴注入层，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。所述空穴注入层的厚度为10-150nm。所述空穴传输层35的材料为TFB、poly-TPD、PVK、NiO、MoO3、NPB、CBP中的至少一种。所述空穴传输层35的厚度为10-150nm。
如图5所示，所述QLED器件为反置底发射QLED器件，所述反置顶发射QLED器件的制备方法包括以下步骤：
A、提供一衬底，在所述衬底上形成透明阴极；
B、在所述透明阴极上依次沉积电子传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀包括使用臭氧处理，或空气氛围加热50℃-270℃，或环氧树脂加热退火处理60℃-200℃，之后沉积空穴传输层；
C、在所述空穴传输层上蒸镀一反射阳极，制得反置底发射QLED器件。所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
应用本发明所述量子点/氧化锌核壳结构材料可以增强QLED器件的量子效率和抵御光漂白的能力，从而减少在单个粒子水平上的荧光发射闪烁，这种量子点电致发光器件能够实现：1)高效电荷注入、2)高发光亮度、3)低驱动电压、4)高器件效率等优异器件性能。同时，本发明所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，具有易于控制氧化锌层厚度和光学性能稳定的特点，能够充分满足并配合器件中其他功能层的能级结构，例如电子注入层纳米氧化锌ZnO或者纳米ZnMgO，以实现器件整体能级结构的匹配，增加载流子注入，从而有助于实现高效稳定的QLED器件。这一性质可实现具有高效电荷注入、高发光亮度、低驱动电源以及高器件效率等优异性能的高效QLED器件。
在其他实施例中，本发明的量子点/氧化锌核壳结构材料可作为光致发光器件的发光材料，制备量子点光致发光器件，例如量子点增强薄膜，量子点芯片等。所述光致发光器件是指依赖外界光源进行照射，从而获得能量，产生激发光导致发光的器件，紫外辐射、可见光及红外辐射均可引起光致发光，例如磷光与荧光。
在其他实施例中，本发明的量子点/氧化锌核壳结构材料应用在所述显示器件中，所述显示器件是指背光模组或应用所述背光模组的显示面板，所述显示面板可以应用在各种产品当中，例如显示器、平板电脑、手机、笔记本电脑、平板电视、可穿戴式显示设备或其他包含不同尺寸显示面板的产品。
在其他实施例中，本发明的量子点/氧化锌核壳结构材料应用在光电探测器中，所述光电探测器是指能把光信号转换为电信号的器件，其原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变，具有如下优势：对垂直入射光敏感、光电导响应度高、比探测率高、探测波长连续可调及可低温制备。这种结构的光电探测器在运行过程中，量子点光敏层(即采用本发明的量子点/氧化锌核壳结构材料)吸收光子后产生的光生电子-空穴对能够在内建电场的作用下发生分离，这使得该结构光电探测器具有更低的驱动电压，能在低外加偏压甚至是0外加偏压下就能工作，且易于控制。
对于本领域的普通技术人员而言，根据本发明的教导，在不脱离本发明的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变形仍落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1：在温度为110℃-130℃的环境下，将锌前驱体溶解在油酸和油胺中，获得油酸锌前驱体混合液；
S2：在温度为100℃-120℃的环境下，将量子点加入S1步骤中的油酸锌前驱体混合液；
再加入NaHCO3并于180-270℃下反应1h；
S3：将S2步骤中的产物，反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理，获得量子点/氧化锌核壳结构。
2.根据权利要求1所述一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述锌前驱体包括：Zn的前驱体，所述Zn的前驱体为二甲基锌、二乙基锌、醋酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌、硫酸锌、油酸锌或硬脂酸锌。
3.根据权利要求1所述一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述NaHCO3包括：(NH4)2CO3，NaH2PO4,KOH，NaOH。
4.根据权利要求1所述一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述量子点包括二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点和五元相量子点中的一种；
所述二元相量子点包括但不限于CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnS、InP、HgS、AgS；
三元相量子点包括但不限于ZnXCd1-XS/ZnS、CuInS、PbSeXS1-X/PbS、CdSe/CdS；
四元相量子点包括但不限于CuInSeS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/ZnS；
五元相量子点包括但不限于InP/ZnSeS、CuInSe/ZnS。
5.一种正置顶发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用上述权利要求1-4任意之一所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阳极；
所述反射阳极为铝电极或银电极，所述反射阳极的厚度为30-800nm；
S2：在所述反射阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积电子传输层；
所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；
S3：在所述电子传输层上沉积一透明阴极，制得正置顶发射QLED器件；
所述透明阴极为ITO或薄层金属电极；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
6.根据权利要求5所述一种正置顶发射QLED器件的制备方法，其特征在于，所述反射阳极与空穴传输层之间还可设置空穴注入层；
所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
7.一种正置底发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用上述权利要求1-4任意之一所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成透明阳极；
所述透明阳极为图案化的ITO；
S2：在所述透明阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积电子传输层；
所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；
S3：在所述电子传输层上蒸镀一反射阴极，制得正置底发射QLED器件；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
8.根据权利要求7所述一种正置底发射QLED器件的制备方法，其特征在于，所述透明阳极与空穴传输层之间还可设置空穴注入层；
所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
9.一种反置顶发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用上述权利要求1-4任意之一所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阴极；
所述反射阴极为铝电极或银电极，所述反射阴极厚度为30-800nm；
S2：在所述反射阴极上依次沉积电子传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积空穴传输层；
所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；
S3：在所述空穴传输层上沉积一透明阳极，制得反置顶发射QLED器件；
所述透明阳极为图案化的ITO；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积；
在所述空穴传输层与透明阳极之间还可设置空穴注入层；
所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
10.一种反置底发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用上述权利要求1-4任意之一所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成透明阴极；
S2:在所述透明阴极上依次沉积电子传输层、量子点发光层,随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积空穴传输层；
S3：在所述空穴传输层上蒸镀一反射阳极，制得反置底发射QLED器件；
所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。
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