CN108369297A - 抗静电膜以及其层压 - Google Patents

Abstract

在此描述了包括透明支撑结构和包含至少一种抗静电组分的抗静电(AS)层的抗静电层压膜结构。这些抗静电层压膜结构可以包括三乙酸纤维素支撑结构、聚乙烯醇偏振元件和增强层或中性层。

Description

抗静电膜以及其层压

技术领域

本发明涉及一种用于制造抗静电膜结构的方法，所述抗静电膜结构包括透明支撑结构和包含至少一种抗静电组分的抗静电层。

背景技术

在主要由绝缘材料构成的结构化膜层压件的制造期间，局部静电荷可能在层压件层表面处累积。这些局部静电荷能够吸引小的轻质外来颗粒，如灰尘颗粒。由于在外来颗粒与层压件层表面之间的静电吸引，外来颗粒依附并累积在层压件层表面上。

当在组装期间连续层被添加到结构膜层压件中时，依附的外来颗粒被结合在层压件层之间。整合的外来颗粒使穿过层压件的光分散，从而增加雾度并降低光学透明度。因此令人希望的是，在结构化膜层压件的组装期间没有外来颗粒被吸引到层压件层表面。

为了防止或减少在制造期间外来颗粒的吸引，可以将抗静电(AS)层结合在结构化膜层压件内或涂覆到结构化膜层压件上。AS物质通过增加电荷迁移率(即电导)来防止或减少静电荷积聚。当导电AS物质被放置在另外的非导电结构化膜层压件的表面处时，在层压件表面处的局部电荷累积降低或完全消除。局部电荷积聚的减少导致不吸引外来颗粒的结构化膜层压件。AS物质还可以将AS特征赋予给最终的结构化膜层压件产品。

为了对生产透明结构化膜层压件是有用的，AS物质必须具有高光学透明度。已知的光学透明AS涂层包括金属氧化物、导电聚合物膜和基于碳纳米管(CNT)的复合膜。透明膜制造商已经使用这些透明组合物来赋予膜AS特性。美国专利号4,203,769披露了涂有包含至少80wt％的五氧化二钒的AS组合物的辐射敏感元件，如照相胶片。美国专利号4,997,697披露了用于电记录成像和静电印刷成像的透明软片，所述透明软片包括涂覆在顶部和底部表面上的AS纤维素聚合物层。美国专利号5,472,833披露了一种照相胶片，所述照相胶片包括夹在两个三乙酸纤维素(TAC)层之间的AS五氧化二钒层以及在TAC层之一的外表面上的第二AS五氧化二钒层。美国专利号5,895,724披露了一种可再循环的照相胶片，所述可再循环的照相胶片包括涂覆有AS层的乙酸纤维素支撑层以及基于聚合物丙烯酸酯的阻挡层。WO2006054888披露了用于涂覆显示屏和光学镜片的可辐射固化的AS层压件组合物。通过包含金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属磷化物、金属碳化物、金属硼化物或金属硒化物纳米颗粒使涂层组合物AS。美国专利公开号20070247710披露了具有在偏振元件与光透明基础材料之间设置的AS层的层压件。美国专利公开号20100253886披露了一种偏振膜，所述偏振膜包括树脂膜基础层、偏振片和AS涂层，所述AS涂层包含导电聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯聚合物、可固化树脂、羟基丙烯酸酯化合物、纤维素化合物和光聚合引发剂的固化混合物。美国专利公开号20110268935披露了一种AS层压件，所述层压件包括涂覆有AS层的支撑件，所述层具有不同局部浓度的导电聚合物。美国专利公开号20130040124披露了包括单层或多层石墨烯的导电颗粒的透明AS膜。美国专利公开号20140004333披露了一种AS涂层，所述涂层包含具有可电离基团(如以其质子化形式的硫酸根、羧酸根和磷酸根)的氟聚合物。美国专利号9,133,348披露了包含Si(X)n-聚氧化烯水解产物的AS溶胶/凝胶组合物。WO 2012093995披露了AS UV固化的硬涂层，所述涂层包含非水解的环氧烷基三烷氧基硅烷和至少一种选自下组的光引发剂的无水溶液，所述组由以下各项组成：三芳基硫鎓盐、二芳基碘鎓盐或其混合物。

随着眼科技术进展和产品品质成为产品品牌的组成部分，需要制造具有异常光学品质的高品质结构化膜层压件。目的是提供包括具有很少至没有对外来颗粒的吸引的表面的结构化膜层压件。令人希望的是，没有外来颗粒被吸引到在制造期间涉及的表面以及最终眼科产品上。

发明内容

在一些方面，提供了包括透明支撑层结构和AS层的AS层压膜结构。所述AS层压膜结构可以包含至少一种选自下组的AS组分，所述组由以下各项组成：石墨烯、单壁或多壁原生或衍生的碳纳米管、半导体材料、核-壳导电纳米颗粒、有机导电材料或其聚合物或共聚物、有机离子盐或无机离子盐或材料、导电胶体、丙烯酸盐材料、离子树脂、以及其混合物。

所述透明支撑结构可以包含选自下组的聚合物，所述组由以下各项组成：天然或衍生的纤维素或纤维素材料、聚酯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、其共聚物和混合物。所述衍生的纤维素可以选自下组，所述组由以下各项组成：纤维素烷基醚、纤维素羟烷基醚、纤维素酯、用阴离子或阳离子官能团官能化的纤维素、交联纤维素、以及其组合。在具体实施例中，所述纤维素酯是TAC。

在一些实施例中，所述AS膜结构进一步包括偏振元件。在具体实施例中，所述偏振元件包含聚乙烯醇膜。在一些实施例中，所述至少一种AS组分包括无机离子材料。所述无机离子盐或材料包括氧化钒、氧化锑、氧化钽、氧化铈、氧化锡、氧化钛、氧化铟、氧化锌、掺杂锡的氧化铟、掺杂锑的氧化锡、掺杂氟的氧化锡、掺杂磷的氧化锡、锑化锌、锑化铟、掺杂铟的氧化锌、锂盐、银、金、镍、铝、氮化硅、或氟化镁、或其组合。在进一步的实施例中，所述无机离子材料可以包括选自下组的金属氧化物，所述组由以下各项组成：氧化钒、氧化锑、氧化锡、氧化钛、氧化铟、氧化银、氧化金、氧化铝、氧化锌、氧化锂、以及其组合。所述金属氧化物可以是相应金属的任何已知氧化物。例如，所述氧化钒无机离子材料可选自氧化钒(II)(VO)、氧化钒(III)(V₂O₃)、氧化钒(IV)(VO₂)、以及氧化钒(V)(V₂O₅)。

在一些方面，所述AS膜结构可以包括增强AS性能的基材或涂层。在一些实施例中，增强层可以包含添加剂以增强AS性能。在一些方面，所述增强层添加剂可以包括二乙二醇、二乙二醇单醚、二乙二醇二醚、它们的低聚物或聚合物、或其任何组合。在一些方面，以范围从所述增强层的1wt％-10wt％、更优选地从2wt％-5wt％的量添加所述增强层添加剂。在一些方面，所述AS膜结构可以包括抑制或防止层压件层或基材的负面影响的中性层。

在一些实施例中，所述AS膜结构包括在可见光谱内优选地大于85％、更优选地大于90％的相对光透射因数Tv。在一些方面，所述AS膜结构的AS层包括范围从100nm至2μm、更优选地从50nm至1.5μm、甚至更优选地从5nm至1μm的厚度。在一些实施例中，所述AS膜结构包括小于1.0％、优选地小于0.5％的雾度值。

在一些实施例中，所述AS层是软或硬AS涂层。所述AS层可以包含胶体二氧化硅或多官能交联单体。可以调节胶体二氧化硅或多官能交联单体的量以改变所述AS层的硬度。在一些实施例中，所述AS涂层是可UV固化的涂层。

在一些方面，所述AS层压膜进一步包括硬或软AS涂层。所述AS涂层可以包含胶体二氧化硅或多官能交联单体。可以调节胶体二氧化硅或多官能交联单体的量以改变所述AS层的硬度。在一些实施例中，所述AS涂层是可UV固化的涂层。

在其他方面，提供了一种用于生产AS膜结构的方法。在一些方面，所述方法包括将透明支撑结构和包含至少一种选自下组的AS组分的AS层组合，所述组由以下各项组成：石墨烯、单壁或多壁原生或衍生的CNT、半导体材料、核-壳导电纳米颗粒、有机导电材料或其聚合物或共聚物、有机离子盐或无机离子盐或材料、导电胶体、离子树脂、以及其混合物。

在一些实施例中，所述方法包括通过以下方式将所述AS层施加到所述透明支撑结构上：将AS材料喷涂、浸涂、旋涂、流涂、喷墨、涂刷、印刷、溅射、等离子体沉积、电化学气相沉积、或真空沉积到所述透明支撑结构上。在一些实施例中，所述透明支撑结构包含选自下组的聚合物，所述组由以下各项组成：天然或衍生的纤维素、聚酯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、其共聚物和混合物。在具体实施例中，所述衍生的纤维素是TAC。

用于生产AS膜结构的方法可以进一步包括将偏振元件与所述AS膜结构组合。在具体实施例中，所述偏振元件优选地包含聚乙烯醇膜。在一些实施例中，所述AS膜结构进一步包括一个或多个耐磨损和/或耐刮擦层。与不具有耐磨损和/或耐刮擦层的相同膜结构相比，耐磨损和/或耐刮擦层被定义为改进成品膜结构的耐磨损性和/或耐刮擦性的涂层。在此可使用任何已知的光学耐磨损和/或耐刮擦涂层组合物。耐磨损和/或耐刮擦层的实例是基于(甲基)丙烯酸酯的涂层和含硅涂层。基于(甲基)丙烯酸酯的涂层典型地是可UV固化的。术语(甲基)丙烯酸酯意指甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯。基于(甲基)丙烯酸酯的可固化涂层组合物的主要组分可以选自单官能(甲基)丙烯酸酯和多官能(甲基)丙烯酸酯例如双官能(甲基)丙烯酸酯、三官能(甲基)丙烯酸酯、四官能(甲基)丙烯酸酯、五官能(甲基)丙烯酸酯、六官能(甲基)丙烯酸酯。其他成分可以包括胶体二氧化硅或表面改性的胶体二氧化硅、光引发剂和表面活性剂。可以用作基于(甲基)丙烯酸酯的涂层组合物的主要组分的单体的实例是：

1)单官能(甲基)丙烯酸酯：甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯、己内酯丙烯酸酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸月桂酯、以及聚丙二醇单甲基丙烯酸酯。

2)双官能(甲基)丙烯酸酯：1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化双酚A二丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯，诸如聚乙二醇二丙烯酸酯，四乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、以及二乙二醇二丙烯酸酯。

3)三官能(甲基)丙烯酸酯：三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、以及三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。

4)四官能(甲基)丙烯酸酯至六官能(甲基)丙烯酸酯：二季戊四醇五丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯、以及五丙烯酸酯。

含硅耐磨损和/或耐刮擦涂层优选地是溶胶-凝胶涂层，这些涂层可以通过固化含有硅烷或其水解产物的前体组合物来获得。可以使用的溶胶-凝胶硅基涂层组合物是以下各项的均匀混合物：溶剂、硅烷和/或有机硅烷、任选地表面活性剂、以及任选地催化剂，对这些混合物进行加工以形成适用于光学应用的涂层。如本文中所使用的术语“均匀的”指的是一种形式，该形式在各处都具有一致的或类似的结构并且被给予本领域技术人员已知的通常含义。在一些实施例中，这些耐磨损和/或耐刮擦涂层是基于环氧三烷氧基硅烷的硬涂层，或更具体地基于γ-缩水甘油氧基丙基-三甲氧基硅烷的硬涂层。

AS膜结构基材可以由无机玻璃或有机玻璃，优选有机玻璃制得。有机玻璃可以是热塑性材料，如聚碳酸酯和热塑性聚氨酯，或热固性(交联的)材料，如二乙二醇双(烯丙基碳酸酯)聚合物和共聚物(具体地来自PPG工业公司(PPG Industries)的CR-)、热固性聚氨酯、聚硫胺甲酸酯、聚环氧化物、聚环硫化物、聚(甲基)丙烯酸酯，以及基于共聚物的基材，如包含衍生自双酚A、聚硫代(甲基)丙烯酸酯、以及其共聚物和其共混物的(甲基)丙烯酸聚合物和共聚物的基材。用于镜片基材的具体材料是聚碳酸酯和二乙二醇双(烯丙基碳酸酯)共聚物，特别是由聚碳酸酯制成的基材。

包含在AS组合物中的CNT是指生长有单壁或多壁的管状结构，主要包含sp²杂化的碳原子。CNT优选地具有半纳米至小于10纳米的量级的直径。根据相对于管轴和管直径的碳原子六方晶格的取向，CNT可以起电导体(类似于金属)或半导体的作用。

纳米颗粒是具有小于1μm、优选地小于150nm并且更优选地小于100nm的直径(或最长尺寸)的颗粒。

任何所披露的组合物和/或方法的任何实施例可以由任何所描述的要素和/或特征和/或步骤组成或基本上由其组成-而不是包含/包括/含有/具有任何所描述的要素和/或特征和/或步骤。因此，在任何权利要求中，术语“由...组成”或“基本上由...组成”可以代替以上所述的任何开放式连系动词，以便从使用开放式连系动词否则将是的范围改变给定权利要求的范围。

具体实施方式

参考附图中所示并在下面的描述中详述的非限制性实施例，更全面地解释了各个特征和有利的细节。然而，应当理解，详细描述和具体实例，虽然指示实施例，但仅通过说明的方式而不是限制的方式给出。根据本披露，各种替代、修改、添加和/或重排对于本领域普通技术人员将是明显的。

在下面的描述中，提供了许多具体细节以提供对所披露的实施例的透彻理解。然而，相关领域的普通技术人员将认识到，可以在没有一个或多个具体细节的情况下或者用其他方法、组分、材料等实践本发明。在其他情况下，未示出或详细描述众所周知的结构、材料或操作以避免模糊本发明的多个方面。

A.通过湿法工艺在基材上沉积的AS层

在一些实施例中，通过任何适当的湿法工艺如浸涂、旋涂、喷涂或流涂工艺将AS层施加在基材。在一些实施例中，可以通过一系列连续层或薄涂层将所述AS层施加到基材上以实现期望的厚度。

所述AS层可以由AS或导电材料构成。在一些实施例中，所述AS层包括具有AS、导电或半导电的材料填料的基质。在一些实施例中，所述AS层包括AS、导电或半导电的材料以及粘合剂。

导电填料包括但不限于导电聚合物；CNT或石墨烯；或者包含例如铟锡氧化物(ITO)、掺杂锑的氧化锡(ATO)、SnO₂、V₂O₅或Sb₂O₃、Au、Ag、Zn、ZnO、以及掺杂的Al₂O₃的胶体或核壳结构(coreshell)。AS或半导电填料包括但不限于有机-无机离子盐像N-三氟甲烷磺酰胺锂和三芳基硫鎓盐。基质或粘合剂可以包括交联的硅烷、聚氨酯、环氧化物、或丙烯酸酯、或介孔结构。在一些实施例中，通过热固化或UV固化工艺来使基质或粘合剂凝固。在一些情况下，可以将添加剂如二乙二醇、二乙二醇单醚、二乙二醇二醚、它们的低聚物或聚合物、或其组合添加到AS层中。该添加剂可以以任何适当的量添加，包括但不限于范围从1wt％至10wt％、并且优选地从2wt％至5wt％的量。所述添加剂可以增强AS层的AS性能。

导电聚合物包括但不限于聚噻吩、噻吩-噻唑并噻唑共聚物、区域规则的聚(3-烷基噻吩)导电嵌段共聚物、聚(噻吩-3-链烷酸)、聚苯胺、聚苯撑、聚苯亚乙烯、聚吡咯和聚乙炔。在一些实施例中，离聚物可以用作导电聚合物。CNT包括单壁、多壁CNT，表面改性的CNT，或连接至导电或共轭聚合物(如含噻吩的聚合物)上的CNT。

在浸涂工艺中，将基材浸渍到液体组合物中并同时在每个表面上接收一层涂层。可以将所述基材使用超声活化化学过程来清洁、然后浸入到液体涂料浴中。可以改变所述基材从涂料浴中的拉出速度以控制最终涂层的厚度。厚度还可以是涂料浴粘度的函数。然后可以固化所述涂层。

在旋涂或离心工艺中，将基材附接到旋转支撑件上。基材以受控的速度旋转，并将测定量的涂层组合物施加到旋转的基材上。加快转速直到通过离心获得均匀的涂层组合物膜。在喷涂工艺中，将熔融(或加热)的材料或或材料的溶液或分散体喷涂到表面上。在流涂工艺中，使涂层在通过重力控制的基材上流动。将过量涂层收集，并且可以过滤，并与新鲜涂层和/或溶剂组合，并且然后可以重新使用。

B.在AS层与基材之间涂覆的AS增强层

AS增强层可以被用来增加所述AS层的AS活性。可以将AS增强层施加在AS层的顶部上或底下。所述AS增强层可以积极地影响结构化膜层压件中的AS层性能。所述AS增强层可以由硅氧烷、非导电金属氧化物、纳米颗粒(像SiO₂或Al₂O₃)、或聚(乙二醇)共聚物构成。可以将添加剂如二乙二醇、二乙二醇单醚、二乙二醇二醚、它们的低聚物或聚合物、或其组合添加到所述AS增强层中。

C.在AS层与基材之间涂覆的中性层

可以将中性层施加在AS层与基材之间。所述中性层可以切断所述基材对AS层性能的任何影响。烯丙基二甘醇碳酸酯是中性层的一个实例。

D.通过干法工艺沉积的在基材上的柔性金属氧化物、导电聚合物、或CNT涂层/膜层

可以将一些AS层组合物通过干法工艺施加到基材上。可通过干法工艺施加的AS层组合物的实例包括但不限于金属氧化物、导电聚合物、碳纳米管和石墨烯膜。干法工艺包括化学气相沉积技术及其变型、等离子体沉积和物理气相沉积技术，如溅射。

导电聚合物AS膜层(如聚乙炔、聚苯亚乙烯、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺或聚苯硫醚)可以通过氧化化学气相沉积(oCVD)来形成。在一些方面，AS膜层可以包含通过化学气相沉积而沉积的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)单体或低聚物。本领域已知的其他导电聚合物膜可以用作AS组合物。导电聚合物可以通过表面接枝作为AS层施加。末端官能化的导电聚合物可以被接枝到基材上。接枝工艺也可用于施加导电低聚物或单体。表面接枝后，在基材上形成薄聚合物、低聚物或单体刷层。

各种化学气相沉积(CVD)技术可用于施加CNT和石墨烯。在CVD工艺中，基材被放置在真空室内部，所述真空室规定了可被涂覆的物体的最大尺寸。然后，加热涂层材料，或者降低其周围的压力，直到材料蒸发，在真空室内部或者在其中可以将蒸气引入的相邻区域中。在那里，悬浮材料开始沉降到基材材料上并形成均匀涂层。在此可以采用许多修改的CVD技术以将各种AS组合物施加到基材上。

AS透明金属氧化物ZnO膜层可以通过双源气溶胶辅助的化学气相沉积通过使二乙基锌与甲醇反应来合成。掺杂氟的ZnO的AS膜层可以通过常压化学气相沉积来制成。

气溶胶辅助的CVD可用于将各种不同的金属氧化物AS组合物施加到基材上。例如，可以通过Ti(OEt)₄和Ta(OEt)₅的CVD反应来生产掺杂钽的TiO₂AS膜。

石墨烯AS膜层可以通过卷对卷CVD来制造，其中将一对卷对卷卷绕机和退绕机系统与CVD系统结合。环境压力化学气相沉积可用于将石墨烯和其他AS组合物施加到基材上。表面波等离子体化学气相沉积(相对低温(300℃-400℃)的大面积方法)使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量被转移到AS组合物的气态混合物中。这将气态混合物转化为反应性自由基、离子、中性原子和分子、以及其他高激发态物种。这些原子和分子片段与基材相互作用并沉积到基材上。

电化学气相沉积是CVD的修改形式，其利用电化学势梯度在基材上生长AS材料的薄气密层。

溅射可用于将各种AS组合物沉积到基材上。溅射是通用的物理气相沉积(PVD)方法，凭此由于用高能颗粒轰击靶，颗粒从固体靶材料中喷出。溅射的导电AS膜层(包括ITO、ZnO和ZnO-In₂O₃)展现出高光学透明度和最大的光透射率和电导率。溅射的AS膜层可以通过射频(RF)溅射或相反的直流(DC)平面磁控溅射系统来制成。通过旋转-顺序-溅射使包括TiO₂/ITO和SiO_x/ITO纳米多层膜和多层ITO膜的纳米结构化的透明导电膜生长。

基材表面可以通过采用等离子体工艺涂覆有AS层。用等离子体处理AS组合物和/或基材表面产生化学反应性物种。基材表面与AS物种之间的反应导致涂覆有AS层的基材。

E.以多个步骤沉积的在基材上的AS涂层

铟锡氧化物或其他导电纳米颗粒或CNT可首先沉积在基材上，然后被粘合剂层覆盖。然后可以在粘合层上施加稳定层。稳定层可以是可交联的热固性凝胶、热塑性凝胶、溶胶-凝胶、气凝胶或光致变色凝胶。

F.AS胶粘剂

AS胶粘剂可以通过将一种或多种AS组分与现有胶粘剂层混合来合成。在施加连续层之前，可以将所述胶粘剂浸涂、旋涂、喷涂或流涂在基材或层压件层上。所述胶粘剂可以包括涂层基质或粘合剂。涂层基质或粘合剂可以是交联的硅烷、聚氨酯、环氧化物、或丙烯酸酯，或通过热固化或UV固化工艺制成的介孔结构。可以将选自下组的AS组分添加到所述涂层基质或粘合剂中，所述组由以下各项组成：石墨烯、单壁或多壁原生或衍生的CNT、半导体材料、核-壳导电纳米颗粒、有机导电材料或其聚合物或共聚物、有机或无机离子盐或材料、导电胶体、离子树脂、以及其混合物。在一些情况下，二乙二醇、二亚乙基单醚、二亚乙基二醚、或聚乙烯以1wt％-10wt％、并且优选地从2wt％-5wt％可以用作添加剂。

G.可UV固化的AS涂层

在一些实施例中，所述AS层压膜进一步包括可UV固化的AS涂层。在一些方面，所述AS层是可UV固化的AS涂层。一种用于施加可UV固化的AS涂层的方法包括用基本上无水溶液涂覆有机或无机光学基材的步骤，所述基本上无水溶液含有相对于所述溶液的总干物质按重量计从5％至90％的至少一种非水解的环氧烷基三烷氧基硅烷和相对于所述溶液的总干物质按重量计至少约3.2％的至少一种选自由三芳基硫鎓盐、二芳基碘鎓盐以及其混合物组成的组的光引发剂。然后通过用UV辐射照射来固化所述涂层。非水解的环氧烷基三烷氧基硅烷在UV固化步骤之前不被水解。所述涂层可以包含胶体二氧化硅或多官能交联单体。可以通过改变胶体二氧化硅或多官能交联单体的量来调节涂层硬度。

权利要求不应被解释为包括装置-加-功能的或步骤-加-功能的限定，除非这样的限定在给定权利要求中分别使用短语“用于...的装置”或“用于...的步骤”明确地被叙述。

Claims (15)

1.一种抗静电层压膜结构，所述抗静电层压膜结构包括透明支撑结构和包含至少一种选自下组的抗静电组分的抗静电层，所述组由以下各项组成：石墨烯、单壁或多壁原生或衍生的碳纳米管、半导体材料、核-壳导电纳米颗粒、有机导电材料或其聚合物或共聚物、有机或无机离子盐或材料、导电胶体、离子树脂、丙烯酸盐材料、以及其混合物。

2.如权利要求1所述的抗静电膜结构，其中所述透明支撑结构包含选自下组的聚合物，所述组由以下各项组成：天然或衍生的纤维素或纤维素材料、聚酯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、其共聚物和混合物。

3.如权利要求2所述的抗静电膜结构，其中所述衍生的纤维素选自下组，所述组由以下各项组成：纤维素烷基醚、纤维素羟烷基醚、纤维素酯、用阴离子或阳离子官能团官能化的纤维素、交联纤维素、以及其组合。

4.如权利要求1所述的抗静电膜结构，其中所述抗静电膜结构进一步包括偏振元件，其中所述偏振元件优选地包含聚乙烯醇膜。

5.如权利要求3所述的抗静电膜结构，其中所述纤维素酯是三乙酸纤维素。

6.如权利要求1所述的抗静电膜结构，其中所述无机离子盐或材料包括氧化钒、氧化锑、氧化钽、氧化铈、氧化锡、氧化钛、氧化铟、氧化锌、掺杂锡的氧化铟、掺杂锑的氧化锡、掺杂氟的氧化锡、掺杂磷的氧化锡、锑化锌、锑化铟、掺杂铟的氧化锌、锂盐、银、金、镍、铝、氮化硅、氟化镁、或其组合。

7.如权利要求1所述的抗静电膜结构，进一步包括增强层或中性层。

8.如权利要求1所述的抗静电膜结构，所述抗静电膜结构包括在可见光谱内优选地大于85％、更优选地大于90％的相对光透射因数Tv。

9.如权利要求1所述的抗静电膜结构，其中所述抗静电层包括范围从50nm至2μm、更优选地从100nm至1.5μm、甚至更优选地从100nm至1μm的厚度。

10.如权利要求1所述的抗静电膜结构，所述抗静电膜结构包括小于1.0％、优选地小于0.5％的雾度值。

11.一种用于生产抗静电膜结构的方法，所述方法包括将透明支撑结构和包含至少一种选自下组的抗静电组分的抗静电层组合，所述组由以下各项组成：石墨烯、单壁或多壁原生或衍生的碳纳米管、半导体材料、核-壳导电纳米颗粒、有机导电材料或其聚合物或共聚物、有机离子盐或无机离子盐或材料、导电胶体、离子树脂、以及其混合物。

12.如权利要求11所述的方法，其中将所述透明支撑结构和所述抗静电层组合包括通过以下方式将所述抗静电层施加到所述透明支撑结构上：将抗静电材料喷涂、涂覆、浸涂、旋涂、流涂、喷墨、涂刷、印刷、溅射、等离子体沉积、电化学气相沉积、或真空沉积到所述透明支撑结构上。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述透明支撑结构包含选自下组的聚合物，所述组由以下各项组成：天然或衍生的纤维素、聚酯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚丁二烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、其共聚物和混合物。

14.如权利要求13所述的抗静电膜结构，其中所述衍生的纤维素是三乙酸纤维素。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述方法进一步包括将偏振元件与所述抗静电膜结构组合，其中所述偏振元件优选地包含聚乙烯醇膜。