CN108365114A - 量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108365114A
CN108365114A CN201810164163.1A CN201810164163A CN108365114A CN 108365114 A CN108365114 A CN 108365114A CN 201810164163 A CN201810164163 A CN 201810164163A CN 108365114 A CN108365114 A CN 108365114A
Authority
CN
China
Prior art keywords
functional layer
light emitting
formula
substitution
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810164163.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108365114B (zh
Inventor
王允军
王红琴
陈寰宇
方龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd filed Critical Suzhou Xingshuo Nanotech Co Ltd
Priority to CN201810164163.1A priority Critical patent/CN108365114B/zh
Publication of CN108365114A publication Critical patent/CN108365114A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108365114B publication Critical patent/CN108365114B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供一种量子点发光二极管,包括:量子点发光层;和叠置在所述量子点发光层上的载流子传输层组;所述载流子传输层组包括与所述量子点发光层接触的第一功能层;与所述第一功能层接触的第二功能层;与所述第二功能层接触的第三功能层;所述第一功能层为亲油性;所述第二功能层为两亲性;所述第三功能层为亲水性。本申请通过在亲油性的第一功能层和亲水性的第三功能层之间设置具有两亲性的第二功能层,可以有效增加相接触的膜层的成膜质量。

Description

量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本申请属于电致发光领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管具有理论发光效率高、色域广等优点。因此,量子点发光二极管具有良好的应用前景。
量子点发光二极管常见结构为包括层置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。在量子点发光二极管的制作过程中,相接触的膜层的成膜质量差,进而导致难以制备量子点发光二极管。
发明内容
针对上述技术问题,本申请提供一种量子点发光二极管,以解决相接触的膜层的成膜质量差的问题。
根据本申请的一个方面,提供一种量子点发光二极管,包括:
量子点发光层;和叠置在所述量子点发光层上的载流子传输层组;
所述载流子传输层组包括与所述量子点发光层接触的第一功能层;
与所述第一功能层接触的第二功能层;
与所述第二功能层接触的第三功能层;
所述第一功能层为亲油性;所述第二功能层为两亲性;所述第三功能层为亲水性。
在本申请中,两亲性是指同时对水相和油相都具有亲和性。在本申请的方案中,第一功能层具有亲油性,第三功能层具有亲水性,而第二功能层具有两亲性。意外发现,这样可以使第三功能层良好地成膜,进而就可以制备出品质良好的量子点发光二极管。此外,由于量子点发光二极管中各个功能层是层叠设置的,第三功能层的成膜品质良好,必然会使得其他层比如其上一层电极更加的均匀、平整,进而使量子点发光二极管的载流子在整面上注入和传输稳定而均匀,最终使量子点发光二极管的品质更加优异。
在一个实施例中,第二功能层的材料为两亲性聚合物。
在一个实施例中,第一功能层的材料为TFB、Poly-TPD、NPB、TAPC和PVK中的一种。
在一个实施例中,第三功能层的材料为PEDOT:PSS。
在一个实施例中,两亲性聚合物具有亲水部和亲油部,亲水部由亲水性重复结构单元构成。两亲性聚合物有如式1所示的结构式:
式1,
式1中,基团Y1和基团Y3中至少一个为亲油部;n个亲水性重复结构单元Y2构成亲水部;4≤n≤22。
在这种情况下,通过改变基团Y1、重复结构单元Y2、基团Y3,以及聚合度n,可以极其容易控制两亲性聚合物的亲水性和/或亲油性,从而使得第二功能层与第一功能层、第二功能层与第三功能层更加适配,进而进一步提高量子点发光二极管的品质。
在一个实施例中,两亲性聚合物具有如式1-1、式1-2、式1-3、式1-4或者式1-5中所示结构式:
式1-1,
式1-1中,R2为氢原子(-H)、羟基(-OH)、羟甲基(-CH2OH)、羧基(-COOH)和伯氨基(-NH2)中的一种;
R1和R3中,一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基中的一种,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22。
式1-2,
式1-2中,R5、R6各自独立的选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R4、R7中,一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22。
式1-3,
式1-3中,R9、R10各自独立的选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R8、R11中,一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22。
式1-4,
式1-4中,R13为氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R12、R14中,其中一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22。
式1-5,
式1-5中,R16为氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R15、R17中,其中一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22。
在式1-1、式1-2、式1-3、式1-4或者式1-5中,术语“取代(的)”指的是其中其氢原子的至少一个被选自如下的取代基代替的化合物、基团或部分:C1-C30烷基、C2-C30炔基、C6-C30芳基、C7-C30烷芳基、C1-C30烷氧基、C1-C30杂烷基、C3-C30杂烷芳基、C3-C30环烷基、C3-C15环烯基、C6-C30环炔基、C2-C30杂环烷基、卤素(-F、-Cl、-Br、或-I)、醛基(-C(=O)H)、氨基甲酰基(-C(O)NH2)、酯基团(-C(=O)OR,其中R为C1-C6烷基或者C6-C12芳基),以及其组合。
在式1-1、式1-2、式1-3、式1-4或者式1-5中,术语“取代(的)”还可以指其中其氢原子的至少一个被选自如下的取代基代替的化合物、基团或部分:羟基(-OH)、氨基(-NRR',其中R和R'独立地为氢或C1-C6烷基)、硫醇基团(-SH)、羧酸基团(-COOH)或其盐(-C(=O)OM,其中M为有机或无机阳离子)、磺酸基团(-SO3H)或其盐(-SO3M,其中M为有机或无机阳离子)、磷酸基团(-PO3H2)或其盐(-PO3MH或-PO3M2,其中M为有机或无机阳离子)、及其组合。
应理解的是,本领域的技术人员熟知这些取代基的取代方式、取代基的数量,以确保两亲性聚合物的两亲性。
当包含规定碳原子数的基团被前一段中所列出的任何取代基取代时,所得“取代的”基团中的碳原子数定义为原始“不取代的”基团中含有的碳原子和取代基中含有的碳原子之和。例如,当术语“取代的C4-C22的脂肪族烃基”指的是被C6-C20芳基取代的C4-C22的脂肪族烃基时,所得芳基取代的烷基中的碳原子总数为C10-C42。
选用如式1-1、式1-2、式1-3、式1-4或者式1-5中所示结构式化合物作为两亲性聚合物时。两亲性聚合物具备亲水能力强的亲水部和亲油能力强的亲油部。这样,使得第二功能层在第一功能层上具有良好地铺展性,第三功能层在第二功能层上具有良好地铺展性,进而使得量子点发光二极管中相接触的膜层的成膜质量显著提升。
在一个实施例中,两亲性聚合物为聚氧乙烯(20)十六烷基胺、聚氧乙烯(10)十八烷基醚、聚氧乙烯(7)辛基酚醚、聚氧乙烯(4)正辛基醚、聚乙二醇(4)十二烷基醚、聚乙二醇(10)辛基酚醚、聚乙烯亚胺(15)十四烷基脲、十二烷基聚乙烯吡咯烷酮(20)和十八烷基聚酰亚胺(10)中的一种。在本申请中,上述的两亲性聚合物中,“()”中的数值代表的是重复结构单元的聚合度,比如聚氧乙烯(10)十八烷基醚是指聚合度等于10。
在一个实施例中,第二功能层的厚度为0.5~5nm。发明人发现,当第二功能层的厚度小于0.5nm时,第二功能层不容易完整成膜,膜层上容易形成缺口,粗糙度显著增加,导致无法有效提升第三功能层的成膜均匀性。而当第二功能层的厚度大于5nm时,因两亲性聚合物的载流子传输能力一般较弱、第二功能层对载流子的传输性能具有不良作用。
根据本申请的另一方面,提供一种量子点发光二极管的制备方法,包括:
提供量子点发光层;
在量子点发光层上制备传输载流子的第一功能层,第一功能层为亲油性;
在第一功能层上形成含有两亲性聚合物的有机溶液层,由此制备第二功能层;
在所述第二功能层上形成含有载流子传输材料的水溶液层,由此制备传输载流子的第三功能层。
在一个实施例中,载流子传输材料为PEDOT:PSS。
在一个实施例中,第一功能层的构成材料为TFB、Poly-TPD、NPB、TAPC和PVK中的一种。
在一个实施例中,两亲性聚合物为聚氧乙烯(20)十六烷基胺、聚氧乙烯(10)十八烷基醚、聚氧乙烯(7)辛基酚醚、聚氧乙烯(4)正辛基醚、聚乙二醇(4)十二烷基醚、聚乙二醇(10)辛基酚醚、聚乙烯亚胺(15)十四烷基脲、十二烷基聚乙烯吡咯烷酮(20)和十八烷基聚酰亚胺(10)中的一种。
选用上述两亲性聚合物时,在制备第三功能层时,水溶液层更容易在第二功能层之上铺展,有效的增加了载流子传输材料在第二功能层之上的分散均匀性,从而使得能在第二功能层上形成品质良好的第三功能层。
在一个实施例中,有机溶液为二甲亚砜、乙二醇、甲醇、二甲基甲酰胺、苯胺、乙腈、乙醇、吡啶和丙酮中的一种。发明人发现,上述溶剂对两亲性聚合物具有良好的分散性,且使得有机溶液层在第一功能层上铺展均匀,有效的增加了两亲性聚合物在第一功能层之上的分散均匀性。
本申请具有如下有益效果:(1)在量子点发光二极管中,通过在亲油性的第一功能层、和亲水性的第三功能层之间设置具有两亲性的第二功能层,可以有效增加相接触的膜层的成膜质量。(2)在制备量子点发光二极管的方法中,通过在第一功能层上面制备含量两亲性的第二功能层,有效的增加了含有载流子传输材料的水溶液层在第二功能层之上的均匀性,进而有效提升了第三功能层的成膜质量。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式,对本申请实施例中的技术方案进行详细的描述。应注意的是,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部实施方式。
实施例1
实施例1中,量子点发光二极管的制备方法如下:
提供阴极,阴极为ITO;
在阴极上制备电子传输层,电子传输层为ZnO纳米颗粒;
在电子传输层上形成量子点发光层,量子点发光层中量子点为红光CdZnSeS;
在量子点发光层上制备用于传输空穴的第一功能层;
在第一功能层上形成含有两亲性聚合物的有机溶液层,干燥、得到第二功能层;
在第二功能层上形成含有载流子传输材料的水溶液层,干燥、得到用于传输空穴的第三功能层;
在第三功能层上制备阳极,阳极为Al。
由此,得到量子点发光二极管。
第一功能层的构成材料为TFB。第二功能层的厚度为2nm,两亲性聚合物为聚氧乙烯(20)十六烷基胺,有机溶液为乙醇。载流子传输材料为PEDOT:PSS。如表一所示。
实施例1中第三功能层的成膜均匀,对实施例1中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,本实施例中采用的测试设备为美国PHOTO RESEARCH公司生产的PR670光度计和美国keithley公司生产的2400A电流计。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例2
实施例2中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例2中第二功能层的成膜均匀,对实施例2中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例3
实施例3中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例3中第二功能层的成膜均匀,对实施例3中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例4
实施例4中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例4中第二功能层的成膜均匀,对实施例4中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例5
实施例5中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例5中第二功能层的成膜均匀,对实施例5中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例6
实施例6中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例6中第二功能层的成膜均匀,对实施例6中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例7
实施例7中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例7中第二功能层的成膜均匀,对实施例7中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例8
实施例8中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例8中第二功能层的成膜均匀,对实施例8中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
实施例9
实施例9中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
实施例9中第二功能层的成膜均匀,对实施例9中的量子点发光二极管的电流效率进行测试,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管均匀发光,最大电流效率如表一所示。
对比例1
对比例1中,量子点发光二极管的制备方法与实施例1中量子点发光二极管的制备方法大体相同,具体参数以及不同之处如表一所示。
对比例1中第二功能层的成膜不均匀,对对比例1中的量子点发光二极管的电流效率进行测试时,测试装置与实施例1相同。量子点发光二极管无法正常发光,如表一所示。
表一:
由表一可知:实施例1-9与对比例1(没有第二功能层)相比,含有载流子传输材料的水溶液更容易在两亲性的第二功能层上均匀铺展,从而能使第三功能层良好地成膜。
与对比例1相比,本申请中所制备的第三功能层成膜均匀,从而使得量子点发光二极管的发光均匀。在对比例1(没有第二功能层)的量子点发光二极管中,量子点发光二极管发光时无法正常发光,品质严重不良。
尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举,应当理解,对于本领域技术人员来说,对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的,都不能脱离本申请精神的实质,本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解,并不能构成对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管,包括:
量子点发光层;
和叠置在所述量子点发光层上的载流子传输层组;
所述载流子传输层组包括与所述量子点发光层接触的第一功能层;
与所述第一功能层接触的第二功能层;
与所述第二功能层接触的第三功能层;
所述第一功能层为亲油性;所述第二功能层为两亲性;所述第三功能层为亲水性。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,
所述第二功能层的材料为两亲性聚合物;
优选地,所述第一功能层的材料为TFB、Poly-TPD、NPB、TAPC和PVK中的一种;
优选地,所述第三功能层的材料为PEDOT:PSS。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述两亲性聚合物具有亲水部和亲油部,所述亲水部由亲水性重复结构单元构成;
所述两亲性聚合物具有如式1所示的结构式:
式1,
式1中,基团Y1和基团Y3中至少一个为亲油部;n个亲水性重复结构单元Y2构成亲水部;4≤n≤22。
4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述两亲性聚合物具有如式1-1、式1-2、式1-3、式1-4或者式1-5中所示结构式:
式1-1,
式1-1中,R2为氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R1和R3中,一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基中的一种,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22;
式1-2,
式1-2中,R5、R6各自独立的选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R4、R7中,一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22;
式1-3,
式1-3中,R9、R10各自独立的选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R8、R11中,一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22;
式1-4,
式1-4中,R13为氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R12、R14中,其中一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22;
式1-5,
式1-5中,R16为氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
R15、R17中,其中一个选自取代或者不取代的C4-C22的脂肪族烃基、取代或者不取代的C4-C22的脂环族烃基、取代或者不取代的C6-C22的芳香族烃基,另一个选自氢原子、羟基、羟甲基、羧基和伯氨基中的一种;
4≤n≤22。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述两亲性聚合物为聚氧乙烯(20)十六烷基胺、聚氧乙烯(10)十八烷基醚、聚氧乙烯(7)辛基酚醚、聚氧乙烯(4)正辛基醚、聚乙二醇(4)十二烷基醚、聚乙二醇(10)辛基酚醚、聚乙烯亚胺(15)十四烷基脲、十二烷基聚乙烯吡咯烷酮(20)和十八烷基聚酰亚胺(10)中的一种。
6.根据权利要求2或者3或者4中所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第二功能层的厚度为0.5~5nm。
7.一种量子点发光二极管的制备方法,包括:
提供量子点发光层;
在所述量子点发光层上制备传输载流子的第一功能层,所述第一功能层为亲油性;
在所述第一功能层上形成含有两亲性聚合物的有机溶液层,由此制备传输载流子的第二功能层;
在所述第二功能层上形成含有载流子传输材料的水溶液层,由此制备传输载流子的第三功能层。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述载流子传输材料为PEDOT:PSS;
优选地,所述第一功能层的构成材料为TFB、Poly-TPD、NPB、TAPC和PVK中的一种。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于,所述两亲性聚合物为聚氧乙烯(20)十六烷基胺、聚氧乙烯(10)十八烷基醚、聚氧乙烯(7)辛基酚醚、聚氧乙烯(4)正辛基醚、聚乙二醇(4)十二烷基醚、聚乙二醇(10)辛基酚醚、聚乙烯亚胺(15)十四烷基脲、十二烷基聚乙烯吡咯烷酮(20)和十八烷基聚酰亚胺(10)中的一种。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述有机溶液为二甲亚砜、乙二醇、甲醇、二甲基甲酰胺、苯胺、乙腈、乙醇、吡啶和丙酮中的一种。
CN201810164163.1A 2018-02-27 2018-02-27 量子点发光二极管及其制备方法 Active CN108365114B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810164163.1A CN108365114B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 量子点发光二极管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810164163.1A CN108365114B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 量子点发光二极管及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108365114A true CN108365114A (zh) 2018-08-03
CN108365114B CN108365114B (zh) 2019-12-17

Family

ID=63003010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810164163.1A Active CN108365114B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 量子点发光二极管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108365114B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109298599A (zh) * 2018-09-25 2019-02-01 苏州星烁纳米科技有限公司 光刻胶组合物、彩膜基板和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102347455A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 株式会社东芝 制造有机发光装置的方法和用于有机发光装置的溶液
CN102460765A (zh) * 2009-06-19 2012-05-16 大日本印刷株式会社 有机电子器件及其制造方法
WO2014194378A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-11 The University Of Melbourne Active layer morphology control in organic thin films
CN106783936A (zh) * 2017-01-23 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法及显示基板
CN107452884A (zh) * 2017-07-04 2017-12-08 华南师范大学 全溶液加工的磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管及其制备方法
CN107565063A (zh) * 2017-07-24 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法
US20180030296A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 Seiko Epson Corporation Ink composition, method for producing organic semiconductor element, organic semiconductor device, and method for producing optical element

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102460765A (zh) * 2009-06-19 2012-05-16 大日本印刷株式会社 有机电子器件及其制造方法
CN102347455A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 株式会社东芝 制造有机发光装置的方法和用于有机发光装置的溶液
WO2014194378A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-11 The University Of Melbourne Active layer morphology control in organic thin films
US20180030296A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 Seiko Epson Corporation Ink composition, method for producing organic semiconductor element, organic semiconductor device, and method for producing optical element
CN106783936A (zh) * 2017-01-23 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法及显示基板
CN107452884A (zh) * 2017-07-04 2017-12-08 华南师范大学 全溶液加工的磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管及其制备方法
CN107565063A (zh) * 2017-07-24 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109298599A (zh) * 2018-09-25 2019-02-01 苏州星烁纳米科技有限公司 光刻胶组合物、彩膜基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108365114B (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101314877B1 (ko) 정공 주입/수송 층 조성물 및 장치
Nannen et al. Light‐Emitting Electrochemical Cells Based on Color‐Tunable Inorganic Colloidal Quantum Dots
DE102006000770B4 (de) OLEDs mit Leuchtstoffen
KR101762964B1 (ko) 전하 주입 및 수송 층
DE112011102874T5 (de) Vernetzte Ladungstransportschicht, welche eine Zusatzverbindung enthält
CN110299458A (zh) 具有混合纳米颗粒电荷传输层的发光装置
KR20130009625A (ko) 유기 발광 소자를 위한 유기/무기 복합층
CN101569027B (zh) 具有由双极材料制成的阻挡层的有机发光二极管
CN113299844B (zh) 一种有机电致发光器件和显示装置
CN108365114A (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN110993809A (zh) 一种量子点发光二极管
CN108389943B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
KR102685147B1 (ko) 금속 산화물 나노입자, 전자 수송층, 이를 포함하는 양자점 발광 소자 및 관련 제조 방법들
CN112331788A (zh) 发光器件及其制作方法
CN112331787A (zh) 金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置
CN113122260B (zh) 一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
WO2024033997A1 (ja) 発光素子およびその製造方法
KR20220000303A (ko) 전자 수송층, 이를 포함하는 양자점 발광 소자, 이러한 전자 수송층 평가를 위한 단일 전하 소자 및 그 제조 방법
KR102687582B1 (ko) 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2023040852A1 (zh) 发光器件、发光器件的制备方法和显示面板
WO2022190192A1 (ja) 発光素子およびその製造方法
KR20220003406A (ko) 금속 산화물 나노입자, 전자 수송층, 이를 포함하는 양자점 발광 소자 및 관련 제조 방법들
CN115802779A (zh) 量子点组合物、量子点发光薄膜、发光二极管及显示装置
CN115715101A (zh) 发光装置
KR20230069737A (ko) 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant