CN108364875A - Qfn封装体底部防镀处理方法 - Google Patents

Qfn封装体底部防镀处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108364875A
CN108364875A CN201711473328.5A CN201711473328A CN108364875A CN 108364875 A CN108364875 A CN 108364875A CN 201711473328 A CN201711473328 A CN 201711473328A CN 108364875 A CN108364875 A CN 108364875A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier
adhesive
layer
qfn
packaging bodies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711473328.5A
Other languages
English (en)
Inventor
徐华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Tongfu Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Hefei Tongfu Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Tongfu Microelectronics Co Ltd filed Critical Hefei Tongfu Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201711473328.5A priority Critical patent/CN108364875A/zh
Publication of CN108364875A publication Critical patent/CN108364875A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本申请公开了一种QFN封装体底部防镀处理方法,包括以下步骤:提供第一载具,在第一载具表面形成粘胶层,粘胶层为双面粘胶层;在粘胶层上正装至少一个QFN封装体;在QFN封装体的表面形成金属薄膜;移除第一载具和设置在第一载具表面的粘胶层。本申请中采用粘胶层保护QFN封装体的底部方式,替代油墨喷涂的方式,有效提高产品的品质,避免油墨对人体健康造成的伤害,另外还缩短工序,减少设备投入,降低生产成本。

Description

QFN封装体底部防镀处理方法
技术领域
本公开一般涉及半导体技术,具体涉及半导体工艺,尤其涉及QFN封装体底部防镀处理方法。
背景技术
目前针对QFN(Quad Flat No-leadPackage,方形扁平无引脚封装)类塑封产品进行信号屏蔽防干扰处理的诸多方法中,有一种对其表面使用不锈钢和铜靶材溅镀的工艺,镀上金属薄膜以达到屏蔽信号的目的。在使用此工艺时为避免QFN封装体的底部被溅镀,在溅镀前需要对QFN封装体的底部进行保护。
目前对QFN封装体的底部采用油墨喷涂的方式以对QFN封装体的底部起到保护作用,在溅镀后使用溶剂移除油墨,采用油墨喷涂的制程至少涉及13道工序,依次包括:对PCB板喷涂油墨、对载具喷涂油墨、UV灯照射检查PCB板、UV灯照射检查载具、对PCB板油墨烘烤、对载具油墨烘烤、治具切割、去离子吹洗、将塑封产品贴装在在油墨喷涂后的载具上、溅镀、从载具上取下塑封产品、移除油墨、浸泡载具等。通过这样的工艺确保QFN封装体底部的焊盘能在后续焊接时正常使用。
其中,对QFN封装体的底部采用油墨喷涂的方式,容易造成产品外观的镀层脱落以及产生发黑发亮等不良影响,对产品的品质有一定的影响;再者,油墨本身就是化学材料且含有毒素(二甲苯),在作业中会对作业员的健康有一定伤害;另外,在生产过程中,油墨喷涂的制程较长,所涉及工序的机台、耗材和人力成本都很高。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种QFN封装体底部防镀处理方法。
本发明提供一种QFN封装体底部防镀处理方法,包括以下步骤:
提供第一载具,在所述第一载具表面形成粘胶层,所述粘胶层为双面粘胶层;
在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体;
在所述QFN封装体表面形成金属薄膜;
移除所述第一载具和设置在所述第一载具表面的粘胶层。
优选的,所述在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体包括:
所述第一载具上设置有至少一个第一通孔,所述粘胶层上设有与所述第一通孔相对应的第二通孔,在每个所述第二通孔处正装一个QFN封装体。
优选的,所述在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体还包括:
所述粘胶层包覆所述QFN封装体的底部边缘。
优选的,所述移除所述第一载具和设置在所述第一载具表面的粘胶层包括:
提供第二载具,所述第二载具上设置有至少一个容纳通槽;
翻转倒置所述第一载具,表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体倒置在所述第二载具上,所述容纳通槽与倒置的第一通孔一一对应;
通过顶针穿过所述第一载具和所述粘胶层,所述顶针将QFN封装体从所述粘胶层上顶出,表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体嵌入相应的容纳通槽内。
优选的,所述粘胶层为导热发泡胶层。
优选的,所述在所述QFN封装体表面形成金属薄膜包括:
对所述QFN封装体的表面进行溅镀,形成覆盖所述QFN封装体表面的金属薄膜。
根据本发明提供的技术方案,先在第一载具上形成粘胶层,然后贴装QFN封装体,通过粘胶层保护QFN封装体的底部,对QFN封装体的正面进行溅镀,可避免溅镀到QFN封装体的底部。在一些实施方式中,优选粘胶层为导热发泡胶层,优选使用顶针将QFN封装体从粘胶层上分离开。本申请中采用粘胶层保护QFN封装体的底部方式,替代现有技术中油墨喷涂的方式,能有效提高产品的品质,避免油墨对人体健康造成的伤害,另外还缩短工序,减少设备投入,降低生产成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明实施例提供的QFN封装体底部防镀处理方法的流程示意图;
图2为本发明实施例提供的第一载具的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的在第一载具上形成粘胶层的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的QFN封装体贴装在粘胶层上的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的对QFN封装体的表面溅镀金属薄膜的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的使用顶针移除第一载具和粘胶层的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的移除第一载具和粘胶层后的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1所示,本发明实施例提供的QFN封装体底部防镀处理方法,包括以下步骤:
S1:提供第一载具,在第一载具表面形成粘胶层,粘胶层为双面粘胶层;
S2:在粘胶层上正装至少一个QFN封装体;
S3:在所述QFN封装体表面形成金属薄膜;
S4:移除第一载具和设置在第一载具表面的粘胶层。
首先实施步骤S1,如图2和图3所示,提供第一载具1,在第一载具1表面形成粘胶层2,粘胶层2为双面粘胶层,方便后续黏贴QFN封装体。本实施例中,通过粘胶层2将QFN封装体贴附在第一载具1上。
作为一种优选的实施方式,本申请的实施例中粘胶层2优选为导热发泡胶层,厚度均匀。在粘胶层2上正面贴装QFN封装体时,使用导热发泡胶作为粘胶,导热发泡胶能够良好地包覆QFN封装体的底部边缘;并且导热发泡胶层厚度均匀,使得包覆在QFN封装体底部的胶层均匀,包覆效果好,有利于提高良品率。
接着实施步骤S2,如图3所示,在粘胶层2上正装至少一个QFN封装体3。本申请中,双面粘胶层2将QFN封装体3固定于第一载具1上,用来保护QFN封装体3的底部,在后续对QFN封装体3的表面施镀时,QFN封装体3的底部不会被镀上金属薄膜。
进一步地,如图2至图4所示,在粘胶层2上正装至少一个QFN封装体3包括:
第一载具1上设置有至少一个第一通孔4,粘胶层2上设有与第一通孔4相对应的第二通孔5,在每个第二通孔5处正装一个QFN封装体3。第一载具1上设置第一通孔4,粘胶层2上设置第二通孔5,方便后续QFN封装体的表面被施镀后,倒置QFN封装体时,使用顶针可将QFN封装体顶出粘胶层。示例性地,可通过激光工艺在第一载具1上形成第一通孔4,在粘胶层2的相应位置形成所需尺寸的第二通孔5。第一通孔4和第二通孔5的尺寸与QFN封装体3的尺寸相适配;或者,第一通孔4的尺寸较第二通孔5的尺寸小,第一通孔4的尺寸与后续使用的顶针尺寸相适配,第二通孔5的尺寸与QFN封装体3的尺寸相适配,利用导热发泡胶的良好的粘接性,包覆QFN封装体的底部边缘。
进一步地,在粘胶层2上正装至少一个QFN封装体3还包括:粘胶层2包覆QFN封装体3的底部边缘。每个第二通孔5处的导热发泡胶包覆设置在相应第二通孔处的QFN封装体的底部边缘。
本申请中,第一通孔4与第二通孔5相对应,在每个第二通孔5处正装一个QFN封装体3,QFN封装体3可完全嵌入在第二通孔5和第一通孔4的内部,导热发泡胶包覆QFN封装体的底部边缘;或者,QFN封装体的顶部凸出于粘胶层的表面,QFN封装体部分嵌入第二通孔内,导热发泡胶包覆QFN封装体的底部边缘。QFN封装体贴装在第二通孔处,QFN封装体的底部边缘被粘胶层包覆,只要能够在后续使用顶针顶出表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体之前,翻转倒置第一载具的过程中,QFN封装体不从粘胶层上脱落即可。
参照图4至图7,接着实施步骤S3,在QFN封装体表面形成金属薄膜,进而形成表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’。对QFN封装体的表面进行溅镀,形成覆盖QFN封装体表面的金属薄膜,QFN封装体的底部不被溅镀,不影响QFN封装体底部的焊盘在后续焊接时的正常使用。
如图4和图5所示,第一载具1、设置在第一载具1表面的粘胶层2和设置在粘胶层2上的QFN封装体3形成待镀基体,将待镀基体送入溅镀机,溅镀机对QFN封装体的正面进行溅镀,形成覆盖QFN封装体表面的金属薄膜(图中未示出)。
接着,实施步骤S4,移除第一载具1和设置在第一载具1表面的粘胶层2。
如图6和图7所示,提供第二载具6,第二载具上设置有至少一个容纳通槽(图中未示出);翻转倒置第一载具1,设置在第一载具1上的表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’倒置在第二载具6上,第二载具6上的容纳通槽与倒置的第一通孔一一对应;通过顶针7穿过第一载具1和粘胶层2,顶针7将表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’从粘胶层2上顶出,如图7所示,表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’嵌入相应的容纳通槽内。
示例性地,通过激光工艺在第二载具1上形成容纳通槽,容纳通槽的尺寸与QFN封装体的尺寸相匹配。由于翻转倒置第一载具1后,表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’倒置,通过顶针将第一载具1上的表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’从第一载具1上顶出并嵌入容纳通槽内,如图6所示,第一载具1和第二载具6靠近粘胶层2的一侧均为各自的正面,第一载具1上第一通孔4与第二载具6上容纳通槽关于粘胶层2对称分布(可忽略尺寸关系)。
本申请优选提供一顶针装置,如图6所示,顶针装置包括一基板8以及分布在基板8上与第二载具6上的容纳通槽相对应的顶针7,根据QFN封装体的高度、粘胶层的厚度以及第一载具的厚度,合理设置顶针的高度,能够将表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体3’从粘胶层2上顶出即可。
作为一种可选的实施方式,若第一载具1上的第一通孔4呈矩阵形式分布,粘胶层2上的第二通孔5的分布形式同第一通孔的分布形式,第二载具6上的容纳通槽的分布形式。例如图2中第一通孔呈3x4的矩阵形式分布,相应的图3中粘胶层2上的第二通孔5呈3x4的矩阵形式分布,图7中第二载具6上的容纳通槽也呈3x4的矩阵形式分布。
作为一种可选的实施方式,第一载具1的第一通孔4、第二载具6上的容纳通槽呈矩阵形式分布,若第一载具1上的第一通孔4的尺寸和第二载具上容纳通槽的尺寸相同,均与QFN封装体尺寸相适配,可优选第一载具1和第二载具6为相同的载具。
本申请提供的QFN封装体底部防镀处理方法中,优选使用第一载具以及在第一载具上设置导热发泡胶层,在导热发泡胶等上贴装QFN封装体以保护QFN封装体的底部,替代油墨喷涂的方式,有效提高产品的品质,良品率增幅达0.48%;并且避免油墨对人体健康造成的伤害;另外还缩短了工序,减少了设备投入,从而降低产品的成本。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (6)

1.一种QFN封装体底部防镀处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一载具,在所述第一载具表面形成粘胶层,所述粘胶层为双面粘胶层;
在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体;
在所述QFN封装体表面形成金属薄膜;
移除所述第一载具和设置在所述第一载具表面的粘胶层。
2.根据权利要求1所述的QFN封装体底部防镀处理方法,其特征在于,所述在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体包括:
所述第一载具上设置有至少一个第一通孔,所述粘胶层上设有与所述第一通孔相对应的第二通孔,在每个所述第二通孔处正装一个QFN封装体。
3.根据权利要求2所述的QFN封装体底部防镀处理方法,其特征在于,所述在所述粘胶层上正装至少一个QFN封装体还包括:
所述粘胶层包覆所述QFN封装体的底部边缘。
4.根据权利要求2所述的QFN封装体底部防镀处理方法,其特征在于,所述移除所述第一载具和设置在所述第一载具表面的粘胶层包括:
提供第二载具,所述第二载具上设置有至少一个容纳通槽;
翻转倒置所述第一载具,表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体倒置在所述第二载具上,所述容纳通槽与倒置的第一通孔一一对应;
通过顶针穿过所述第一载具和所述粘胶层,所述顶针将表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体从所述粘胶层上顶出,表面覆盖有金属薄膜的QFN封装体嵌入相应的容纳通槽内。
5.根据权利要求1-4任一项所述的QFN封装体底部防镀处理方法,其特征在于,所述粘胶层为导热发泡胶层。
6.根据权利要求1-4任一项所述的QFN封装体底部防镀处理方法,其特征在于,所述在所述QFN封装体表面形成金属薄膜包括:
对所述QFN封装体的表面进行溅镀,形成覆盖所述QFN封装体表面的金属薄膜。
CN201711473328.5A 2017-12-29 2017-12-29 Qfn封装体底部防镀处理方法 Pending CN108364875A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711473328.5A CN108364875A (zh) 2017-12-29 2017-12-29 Qfn封装体底部防镀处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711473328.5A CN108364875A (zh) 2017-12-29 2017-12-29 Qfn封装体底部防镀处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108364875A true CN108364875A (zh) 2018-08-03

Family

ID=63010280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711473328.5A Pending CN108364875A (zh) 2017-12-29 2017-12-29 Qfn封装体底部防镀处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108364875A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11315992B2 (en) 2019-02-15 2022-04-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and method for preparing the same, display panel and display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6420211B1 (en) * 1999-01-11 2002-07-16 Gemplus Method for protecting an integrated circuit chip
CN102479767A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 宇芯(毛里求斯)控股有限公司 具有电磁屏蔽的半导体器件封装
CN105154824A (zh) * 2015-10-21 2015-12-16 丰盛印刷(苏州)有限公司 芯片溅镀治具及溅镀方法
CN105826211A (zh) * 2016-05-11 2016-08-03 苏州日月新半导体有限公司 半导体产品、制造该半导体产品的治具及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6420211B1 (en) * 1999-01-11 2002-07-16 Gemplus Method for protecting an integrated circuit chip
CN102479767A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 宇芯(毛里求斯)控股有限公司 具有电磁屏蔽的半导体器件封装
CN105154824A (zh) * 2015-10-21 2015-12-16 丰盛印刷(苏州)有限公司 芯片溅镀治具及溅镀方法
CN105826211A (zh) * 2016-05-11 2016-08-03 苏州日月新半导体有限公司 半导体产品、制造该半导体产品的治具及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11315992B2 (en) 2019-02-15 2022-04-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and method for preparing the same, display panel and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200506104A (en) Apparatus and method for plating a substrate
US10586712B2 (en) Method of manufacturing an electronic component and processing system
CN108364875A (zh) Qfn封装体底部防镀处理方法
TW200637735A (en) Nozzle plate producing method, nozzle plate, liquid droplet ejecting head and liquid droplet ejecting apparatus
CN106169647B (zh) 一种镭雕镀金方法
CA2397474A1 (en) Coating apparatus and coating method of liquid for protection of recorded product, and protection process of recorded product
CN110683770A (zh) 玻璃盖板油墨喷涂方法
CN106571419A (zh) 一种闪光灯的制作方法
EP0104633A3 (en) Method and apparatus for cleaning work pieces, in particular circuit boards
CN104219894A (zh) 一种印制板的三防处理方法
US10269590B2 (en) Scrubbing apparatus for electronic module
DE60023120D1 (de) Sprühbeschichtungsverfahren
TW200505687A (en) Film forming method, film forming apparatus, and device production method, device production equipment
JPS57209668A (en) Cleaning method for paint-applying spray nozzle and apparatus therefor
JPH10173320A (ja) プリント基板に設けたプレス破断面の被覆方法
US20150136170A1 (en) Method for removing adhesive agent
JPH0883875A (ja) リードフレームの乾式めっき法
JP2977886B2 (ja) 転写方法
CN112517346B (zh) 整板芯片加工方法及芯片
CN106031907A (zh) 吸附式喷涂装置及利用该装置形成镀膜于透光板的工艺
CN216919038U (zh) 一种玻璃表面电膜退镀设备
CN113880448A (zh) 一种水性油墨的喷涂方法及其应用
CN109821705A (zh) 用于喷胶的二次定位载台
JPS6059997B2 (ja) メツキ装置
JPH03241742A (ja) 半導体基板の洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180803