CN108352286B - 用于能量流优化分布的溅射装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及溅射装置、真空涂覆设备和执行HiPIMS涂覆方法的方法，其中，该溅射装置具有至少两种不同的布线连接可能性，其中，通过切换至第二种布线连接可能性，在两个子溅射装置中同时以高功率脉冲运行，获得生产能力提高。

Description

用于能量流优化分布的溅射装置和方法

本发明涉及一种借助阴极雾化(通常也称为溅射)来沉积PVD层系的方法。本发明包括将高功率密度脉冲用到磁控管放电，并包括将能量流优化分配至涂覆设备的多个磁控管部件。

背景技术

在溅射涂覆工艺中，一般用来自等离子体的离子轰击至少一个用作为阴极的靶，这导致从靶上去除材料。通常，离子借助电场被朝向靶面加速。此外，一般在作为阴极接设的靶之后设有附加磁场，借此迫使等离子体中的电子移向一螺旋轨迹且在待溅射靶面上环绕。此时，“每电子撞击数量”显著增加，从而在至少一个规定区域内获得在靶面上的较强电离，这导致该区域正下方的在靶(以下也称为溅射靶或溅射阴极)上的更高溅射除材。在此出现对于磁控管溅射来说典型的蚀槽，并且电子环绕的区域(即出现蚀槽的区域)被称为圈道。

高功率脉冲溅射HiPIMS是一种特殊形式的溅射或磁控管溅射。在此采用高的乃至极高的溅射功率密度(以下也称为功率密度)。高溅射功率密度的采用带来了高电流密度，这导致溅射材料的离子化。HiPIMS工艺是指从大于300W/cm²的溅射功率密度起或从大于0.5A/cm²的电流密度起。在传统的磁控管溅射中，功率密度值小于100W/cm²。该面积此时由专家所知的磁控管圈道来限定。

于是就此而言，100W/cm²或更高、尤其是300W/cm²或更高的功率密度(溅射功率密度)可理解为高功率密度。

在采用如此高功率密度的溅射过程中尤其是在HiPIMS中，为了避免溅射靶材(通常也称为溅射靶)过热，溅射功率密度必须以脉冲形式施加。在EP2272080B1中描述了溅射功率密度的脉冲式施加。为此，电容器被充电至高电压且通过开关给磁控管供电。由于高电压和存在溅射气体而激起磁控管放电，并且只要电容器可维持电压，则溅射电流上升。利用如EP227080B1所述的方法，人们可以产生持续期间为10μs至约200μs的溅射脉冲。

在WO/2012/143091中描述了一种方法，用于提供依次施加至多个溅射靶T_i的溅射功率密度。提出了将一个阴极分为相互隔离的多个子阴极，或者代替一个阴极地使用多个阴极，并且将规定的溅射功率依次先后施加至子阴极或阴极，从而它们能被馈给功率脉冲。与此相关，溅射功率是由所采用的功率供应装置提供的功率。在此情况下，将溅射功率发生器G应用到多个阴极或子阴极T_i(在此情况下是T₁、T₂、T₃、T₄、T₅和T₆)，其中，功率密度脉冲被依次施加至子阴极T_i而没有中断从溅射功率发生器G取用功率，在此，在一个相应的脉冲时间t_i里分别将一个功率密度脉冲施加至一个子阴极T_i，就像例如在图1中针对功率发生器G在两个周期期间(2Τ)连续的功率输出所画出的那样。溅射功率密度(或者如已述的那样也简称为功率密度)在此情况下，通过用相应溅射阴极T_i上的“圈道面积”除以“发生器功率P”来确定。一个溅射阴极的平均耗用功率(即平均溅射功率)Pav_i(例如以kW计)由溅射功率密度(例如以kW/cm²计)乘以对应溅射阴极上的圈道面积(例如以平方厘米计)乘以接通时间(例如以s计)乘以开关频率(如以s^-1计)得到。

与此相关，接通持续时间是指功率脉冲作用于溅射阴极的持续时间，即在相应溅射阴极T_i的脉冲时间ti，并且开关频率被定义为1/Τ。

如果采用数量N>2的溅射阴极T_i且每个溅射阴极T_i按照重复再现的顺序以等于一个周期期间T的序列持续时间，用功率发生器G的相同(最好恒定)溅射功率P(在此意义上也称为脉冲功率P)来驱动，其中，该脉冲功率尽量没有延时地被先后施加至每个溅射阴极T_i，并且每个脉冲时间t_i(期间将脉冲功率施加至相应溅射阴极)是一样长的，于是得到一个溅射阴极T_i所接受的溅射功率，即单位溅射阴极的平均溅射功率Pav_i：

Pav_i＝Pav＝P/N 公式1

其中，

Pav_i＝单位溅射阴极的平均溅射功率，

P＝发生器的功率，

N＝溅射阴极的数量。

对于单位溅射阴极的脉冲时间不相等(t₁≠t_2…)、但此外运行方式相同的情况(即，在此按照重复再现的顺序以等于一个周期期间T的频率持续时间给溅射阴极T_i馈电，没有中断最好恒定的发生器溅射功率且在一个周期期间T内的脉冲功率施加至相应溅射阴极之间没有延时)，适用以下条件：

t₁≠t₂… 公式2

Pav_iP*t_i/Τ 公式3

F＝1/Τ 公式5

其中，

Pav_i＝相应溅射电极的平均溅射功率，

t_i＝相应溅射电极的接通时间(脉冲时间)，

Τ＝相应重复再现序列的周期持续时间，

F＝重复再现序列的重复频率，

用i表示溅射装置的每个单独溅射阴极，即当溅射装置包含N个阴极时，则i分别是1、2、3…至N。

HiPIMS方法最好被用于从待溅射材料产生离子化材料蒸气并在施加负基材偏压(偏电压)情况下形成薄层。离子化材料蒸气的离子化程度取决于电流密度或在此情况下取决于磁控管放电的溅射功率密度。还知道：在溅射粒子高度离子化时出现离子回流至溅射靶(即至溅射阴极)，进而出现涂覆速度降低。

图2示出以μm/KW·h计的与所施加溅射功率密度相关的单位涂覆速率曲线。单位涂覆速率可被视为单位平均溅射功率的涂覆速度，因为它由单位平均溅射功率的单位时间(例如涂覆时间)的层厚来限定，其中，平均溅射功率又由“溅射功率密度”乘以“单位溅射阴极的圈道面积”来限定，如图6所示：

R_{spezif._i}＝R/Pav_i 公式6

其中，

R_{spezif._i}＝单位涂覆速率，以μm/kW·h计，

R＝涂覆速度，以μm/h计，

Pav_i＝相应溅射阴极的平均溅射功率。

图2的数据是在钛放电(即以钛为溅射阴极材料的溅射放电)下测定的。在此例子中，单位涂覆速率因溅射功率密度从500W/cm²提高至1800W/cm²而大致减小到一半(从约6.5μm/kW·h至约3.5μ/kW·h)。就是说，在溅射功率密度较高的涂覆过程中生产力不高。

如WO/2012/143091所述且如公式1所示，在使用被按照一个接一个的顺序依次且时间相同地施加至多个溅射阴极的功率脉冲时，单位溅射阴极的平均溅射功率通过在溅射发生器或功率供应装置上调节出的溅射功率(也称为脉冲功率)和所参与的溅射阴极的数量来确定。这又意味着，人们可以减小在功率发生器G上设定的功率P以有意识地获得溅射功率密度减小，以便提高单位涂覆速率，做法是：在此迫使单位溅射阴极的平均溅射功率Pav_i减小，倘若此时所有其它设定的装置参数保持相同(不变)。但在此出现自相矛盾的情况，即，尽管单位平均溅射功率的涂覆速度因采用较低的溅射功率密度在计算上应该提升，但是每个溅射阴极的平均溅射功率本身降低了，因此通过这种方式无法获得生产能力增加。这依据图3被明确说明。

图3示出根据如图1所示带有六个子阴极的装置的溅射功率密度的涂覆速度曲线，在此牵涉到根据溅射功率密度的钛的单位涂覆速率，此时只改变在功率发生器上调节出的脉冲功率P，以由此改变溅射功率密度(每个溅射阴极)。因为人们能明确确定：当在这样的HiPIMS装置中因脉冲功率P减小而导致溅射功率密度减小时，平均溅射功率明显减小，以致单位涂覆速率也减小，因为涂覆速度本身比平均溅射功率减小得更多。

此时也成问题的是，因为用于调节这样的HiPIMS装置的功率密度(同时还有离子化程度)的灵活性差，故对于沉积不同层性能的层而言，灵活性也差，因为许多层性能受到溅射功率密度和离子化程度(离子化程度也还取决于靶材)的影响。此外很难用这样的装置来优化涂覆速度(其与在功率发生器上调节出的溅射功率有关)，以赢得生产能力。

发明内容

现在，本发明的任务是提供一种溅射装置和一种方法，其用于借助脉冲溅射、尤其是借助具有高功率脉冲的溅射或HiPIMS来执行涂覆工艺，其允许改变溅射功率密度，而没有导致生产能力损失。

发明任务的完成

如此完成该任务，根据本发明提供具有若干互联的溅射功率发生器G_j的溅射装置，这些溅射功率发生器分别提供一个脉冲功率P_j。

本发明涉及一种溅射装置、一种真空涂覆设备和一种用于执行HiPIMS涂覆方法的方法，其中，该溅射装置具有至少两个不同的布线连接可能性，其中，通过切换至第二布线连接可能性，在两个子溅射装置中同时以高功率脉冲运行，获得生产能力提高。

结合如下的例子来具体说明本发明：

N个溅射阴极T_i应该与n个溅射发生器(以下也称为溅射功率发生器)G_j关联，以使得结果Pav_i＝P x t_i/Τ针对所有功率P值(它们确定溅射功率密度)体现为最佳值或最大值，在这里，功率P在此例子中被定义为由各功率发生器输出的功率P_j之和：

在图4a中示例性示出了本发明的溅射装置，其包含互联的若干溅射发生器G_j。针对此溅射装置，与之相关的溅射功率脉冲t_i的随时间分配在图4b中被示出，其中：

P_j＝溅射功率，其由各功率发生器G_j产生，在图4中n例如等于6，即系数j在此例子中在1至6之间变化，

Sb_j＝用于接通相应功率发生器G_j的功率输出P_j的桥式开关，

Sp_i＝用于依次馈给各溅射阴极T_i(用于依次施加溅射功率至各溅射阴极T_i)的脉冲开关，在图4中，N例如等于6，即系数j在此例子中在1至6之间变化，其中，每个溅射阴极T_i被馈给溅射功率P，其在此情况下对应于功率发生器的功率输出之和，即

在图4a所示的溅射装置中，六个溅射发生器的功率输出在逻辑上通过桥式开关如此布线连接，即，提供等于各功率发生器G_j的功率输出P_j之和的总溅射功率P(即

其中，n＝6，于是P＝P₁+P₂+P₃+P₄+P₅+P₆)。通过借助例如被控的IGBT开关Sp1-Sp6的脉冲序列产生，可以产生如图4b所示的功率脉冲序列。这些单独的功率脉冲均具有脉冲功率(振幅)P。所述多个功率发生器连续运行。

在脉冲时间相同即t_i＝t_i+1(在此例子中t₁＝t₂＝t₃＝t₄＝t₅＝t₆)并且单独功率发生器的功率输出相同即P₁＝P₂＝P₃＝P₄＝P₅＝P₆时，适用：

Pav_i＝6xP_j/6＝P_j

P＝6*Pg_j

在图5a和5b中示出了与图4所示的相同的本发明溅射装置，但按照根据本发明的另一桥式开关布线连接方式，此时这些溅射阴极分成两个单独的子溅射装置来运行。

如图5a所示，通过桥式开关Sb3的打开，功率发生器分成两组布线连接，即在此例子中，其中三个功率发生器(G₁、G₂和G₃)在第一子装置A中在逻辑上布线连接以提供第一脉冲功率P_A＝P₁+P₂+P₃，而另外三个功率发生器(G₄、G₅、G₆)在第二子装置B中在逻辑上布线连接以提供第二脉冲功率P_B＝P₄+P₅+P₆。相似地，按如下方式使其中三个溅射阴极可用于第一子装置，而另外三个溅射阴极可用于第二子装置，即，例如溅射阴极T₁、T₂和T₃根据脉冲依次被馈给第一脉冲功率P_A，而另外三个溅射阴极T₄、T₅和T₆根据脉冲依次被馈给第二脉冲功率P_B。

IGBT开关Sp1-Sp3和Sp4-Sp6的布线连接现在可以通过这种方式以完全分开的脉冲顺序或同步脉冲顺序进行，按照相同或不同的脉冲时间t_i并且还按照相同或不同的周期期间Τ_A和Τ_B。应当注意，脉冲功率P_A＝P₁+P₂+P₃和P_B＝P₄+P₅+P₆均小于总脉冲功率P＝P₁+P₂+P₃+P₄+P₅+P₆。为此，在如图5所示的分两个子装置的布线连接时，相比于如图4所示的溅射装置的布线连接，对这些溅射阴极T_i施加较小的单位溅射阴极的溅射功率密度。但在图5的子装置中的单位溅射阴极的平均溅射功率Pav_i等于图4中的溅射装置。

于是根据本发明，根据图2的了解，利用这两个子溅射装置的布线连接的总涂覆速度大于如图4所示的利用唯一溅射装置的布线连接。

在各个溅射阴极T_i上的各个功率脉冲P_j的脉冲时间t_i相同(即t₁＝t₂＝t₃＝t₄＝t₅＝t₆)且各个功率发生器G_i的输出功率相同(P₁＝P₂＝P₃＝P₄＝P₅＝P₆)时，适用：

Pav_iA＝Pav_iB＝n_A*P_j/n_A＝n_B*P_j/n_B＝3*P_i/3＝P_i

Pav＝P_j

在A和B子装置中的脉冲功率＝P_A＝P_B＝3*Pj

图6a和6b示出了本发明溅射装置的在逻辑上的第三布线连接，其根据本发明也可以如图4和图5中那样布线连接。在此设定中，全部的桥式开关被打开。每个溅射阴极T_i被配给一个单独的功率发生器。用于每个溅射阴极T_i的溅射功率P_C于是对应于P_j，为此溅射功率密度被进一步减小。但平均溅射功率等于例如已经如上在图4和图5中示出的布线连接。根据如图2所示的了解，在该第三布线连接时该涂覆速度大于根据图4和图5设定的涂覆速度。

在各个发生器(G_j)的功率P_j相同时，适用：

Pav＝P_j

脉冲功率＝P_C＝P_j

从结合六个溅射发生器和六个靶(溅射阴极)的本发明溅射装置的在先说明中，专家可以容易地推导出扩展到n个发生器，也可扩展到N个溅射阴极，其中，n≠6和/或N≠6。

涂覆速度的例子：

图7示出了在本发明溅射装置从图4的布线连接切换至图5的布线连接时的涂覆速度增加。溅射阴极中的不同溅射材料在根据图4和图5的例子中的设定情况下被布线且沉积相应的层。

在此，溅射功率密度在根据图4的布线连接情况下等于1800W/cm²并且在根据图5的布线连接情况下等于900W/cm²。平均溅射功率在两种情况下是相等的。对于所有溅射材料，可以如图7所示地确定涂覆速度提高。倘若通过减小脉冲功率P而在具有根据图4的布线连接的溅射装置中减小功率密度，则实际上也获得涂覆速度减小到一半，同时没有获得涂覆速度增加，因此也没有生产能力增加。

附图说明

图1示出在具有六个子阴极(也称为溅射阴极)T₁至T₆的溅射装置中的具有脉冲功率P的功率脉冲(也称为溅射脉冲)的随时间分配。该功率脉冲依次先后被施加至六个子阴极，而没有中断从溅射发生器G取用功率，其中，t₁是在一周期期间Τ内被施加至第一子阴极T₁的功率脉冲的脉冲时间，相似地，t₂是在同一周期期间Τ内被施加至第二子阴极T₂的功率脉冲的脉冲时间，依此类推；在此按照t₁＝t₂＝t₃＝t₄＝t₅＝t₆的方式选择脉冲时间t_i(在此例子中i＝1至6)。溅射功率从一个靶(本文中的溅射阴极)转移至另一个靶的时间顺序如已经描述地进行，此时没有中断由发生器提供的功率P。顺序t₁-t₆按周期时间Τ重复并且也从发生器角度来看是无中断地进行的。在图1的例子中，脉冲时间t₁-t₆以等长示出。但可以单独设定子阴极T_i的每个脉冲时间t_i。

图2示出与溅射功率密度相关的钛的单位涂覆速率曲线。

图3示出“与如图1所示的根据带有6个子阴极的溅射装置的溅射功率密度相关”的涂覆速度的曲线，牵涉到与溅射功率密度相关的钛的单位涂覆速率。

图4(包含图4a和4b)示出包含本发明的互联的溅射发生器的本发明溅射装置的实施方式(图4a)，其在逻辑上如此布线连接以允许对应的溅射功率脉冲的随时间分配，其中，脉冲功率分别是P＝P₁+P₂+P₃+P₄+P₅+P₆，且溅射功率脉冲在一个相应的脉冲时间t_i内被施加至相应的子阴极T_i，即在脉冲时间t₁内被施加至子阴极T₁，在脉冲时间t₂内被施加至子阴极T₂，如此等等(图4b)。

图5(包含图5a和5b)示出与图4的本发明溅射装置相同的实施方式，但按照另一个本发明的布线连接方式(图5a)，其允许溅射装置同时以两个不同的子溅射装置A和B运行。图5b示出了在子溅射装置中的相应的功率脉冲随时间的分配，在此，在子装置A中的功率为P_A＝P₁+P₂+P₃，在子装置B中的功率为P_B＝P₄+P₅+P₆。

图6(包含图6a和6b)示出与图4和图5中的相同的、本发明溅射装置的实施方式，但按照另一个本发明布线连接方式(图6a)，在此不再产生功率脉冲，而是相应溅射阴极被连续地、单独地供给相应溅射功率发生器G₁-G₆的功率，如图6b所示。

图7示出在本发明溅射装置从图4的布线连接切换至图5的布线连接时的涂覆速度增加。

本发明具体公开

-一种溅射装置，该溅射装置具有N个溅射阴极或子阴极T_i，其中，i＝1至N，还具有n个溅射功率发生器G_j，其中，j＝1至n，其中，N是整数且N≥2，n也是整数且n≥2，其中，该溅射装置包括用于接通相应溅射功率发生器G_j的功率输出P_j的桥式开关Sb_j和用于将相应功率输出P_j分配至相应溅射阴极T_i的脉冲开关Sp_i，其中，该溅射装置如此组装，即它至少能按照两种不同的布线连接可能方式来运行，

其中：

·在第一布线连接变型方式中，n个溅射功率发生器G_j的相应功率输出P_j能在逻辑上通过桥式电路被布线连接，从而提供对应于这些功率输出P_j之和的总溅射功率P，即

并且其中，借助相应脉冲开关通过脉冲序列产生来产生具有脉冲功率P和序列周期T的功率脉冲序列，其中，单独的功率脉冲按时间被分配至各溅射阴极T_i，每个溅射阴极在一个脉冲时间t_i中得以供给，且一个周期Τ对应于这些脉冲时间之和，即

·在第二布线连接变型方式中，溅射阴极至少按照两个独立的子溅射装置A和B运行，其中，为了子溅射装置运行，能在逻辑上通过桥式电路来分别布线连接nA个溅射发生器和nB个溅射发生器的功率输出，从而提供第一脉冲功率

和第二脉冲功率

其中，nA+nB＝n，并且其中，借助相应脉冲开关通过相应脉冲序列产生来分别产生具有脉冲功率P_A和序列周期Τ_A的第一功率脉冲序列和具有脉冲功率P_B和序列周期Τ_B的第二功率脉冲序列，其中，单独的功率脉冲按时间被分配至相应子溅射装置的溅射阴极，其中，NA对应于第一子溅射装置A的溅射阴极数量，而NB对应于第二子溅射装置B的溅射阴极数量，并且NA+NB＝N，并且其中，该序列周期Τ_A对应于用于第一子溅射装置A的溅射阴极的脉冲时间之和，而该序列周期Τ_B对应于用于第二子溅射装置B的溅射阴极的脉冲时间之和，即，

且

-一种真空涂覆设备，具有如上所述的本发明的溅射装置，其中，该溅射装置如此组装，即，在执行溅射方法期间可采用高功率脉冲，该高功率脉冲允许使用100W/cm²或更高的、尤其是300W/cm²或更高的高溅射功率密度。

-如上所述的真空涂覆设备，其中最好是N＝n。

-如上所述的真空涂覆设备，其中最好是P_A＝P_B。

-如上所述的真空涂覆设备，其中最好是P＝P_A+P_B。

-如上所述的真空涂覆设备，其中最好是NA＝NB和/或nA＝nB。

-一种借助HiPIMS来涂覆基材的方法，其中，该HiPIMS方法在真空涂覆设备例如如上述之一的本发明真空涂覆设备中进行。

-一种如上所述的方法，其中，至少为了借助HiPIMS方法沉积一个层，该溅射装置被切换至具有至少两个子溅射装置的布线连接变型方式，其中，相比于在第一布线连接变型方式中用该溅射装置进行的HiPIMS方法，涂覆速度得以增加。

Claims (13)

1.一种溅射装置，其中，该溅射装置具有N个溅射阴极T_i，其中，i＝1至N，还具有n个溅射功率发生器G_j，其中，j＝1至n，

其特征是，

N是整数且N≥2，n也是整数且n≥2，

其中，该溅射装置包括桥式开关Sb_j和脉冲开关Sp_i，所述桥式开关Sb_j用于接通相应溅射功率发生器G_j的功率输出P_j，所述脉冲开关Sp_i用于将相应功率输出P_j分配至相应溅射阴极T_i，

其中，该溅射装置如此组装，即它至少能按照两种不同的布线连接可能方式运行，其中：

·在第一布线连接变型方式中，n个溅射功率发生器G_j的相应功率输出P_j能在逻辑上通过桥式电路被如此布线连接，即，提供对应于所述功率输出P_j之和的总溅射功率P，即

并且其中，通过借助相应脉冲开关的脉冲序列产生来产生具有脉冲功率P和序列周期T的功率脉冲序列，其中，单独的功率脉冲按时间被分配至相应的溅射阴极T_i，其中，这些溅射阴极分别在一个脉冲时间t_i中得到供给，且一个周期T对应于这些脉冲时间之和，即

·在第二布线连接变型方式中，这些溅射阴极至少按照两个独立的子溅射装置A和B运行，其中，为了子溅射装置运行，在逻辑上通过桥式电路分别如此布线连接nA个溅射发生器和nB个溅射发生器的功率输出，即，提供第一脉冲功率

和第二脉冲功率

其中，nA+nB＝n，并且其中，通过借助相应脉冲开关的相应脉冲序列产生而分别产生具有脉冲功率P_A和序列周期T_A的第一功率脉冲序列和具有脉冲功率P_B和序列周期T_B的第二功率脉冲序列，其中，单独的功率脉冲按时间被分配至相应子溅射装置的溅射阴极，其中，NA对应于第一子溅射装置A的溅射阴极数量，NB对应于第二子溅射装置B的溅射阴极数量，并且NA+NB＝N，其中，该序列周期T_A对应于用于第一子溅射装置A的溅射阴极的脉冲时间之和，而该序列周期T_B对应于用于第二子溅射装置B的溅射阴极的脉冲时间之和，即，

且

和

该溅射装置如此组装，即，在执行溅射方法期间能采用高功率脉冲，该高功率脉冲允许使用100W/cm²或更高的高溅射功率密度。

2.一种具有根据权利要求1的溅射装置的真空涂覆设备，其特征是，该高功率脉冲允许使用300W/cm²或更高的高溅射功率密度。

3.根据权利要求2的真空涂覆设备，其特征是，N＝n。

4.根据权利要求2的真空涂覆设备，其特征是，P_A＝P_B。

5.根据权利要求2的真空涂覆设备，其特征是，P＝P_A+P_B。

6.根据权利要求2的真空涂覆设备，其特征是，NA＝NB和/或nA＝nB。

7.一种借助高功率脉冲磁控溅射来涂覆基材的方法，其中，该高功率脉冲磁控溅射方法是在具有溅射装置的真空涂覆设备内执行的，该溅射装置包括N个溅射阴极T_i，其中，i＝1至N，还具有n个溅射功率发生器G_j，其中，j＝1至n，其特征在于，N是整数且N≥2，n也是整数且n≥2；其中，该溅射装置包括用于接通相应溅射功率发生器G_j的功率输出P_j的桥式开关Sb_j和用于将相应功率输出P_j分配至相应溅射阴极T_i的脉冲开关Sp_i，其中，该溅射装置如此组装，即它至少能按照两种不同的布线连接可能方式来运行，

其中：

·在第一布线连接变型方式中，n个溅射功率发生器G_j的相应功率输出P_j能在逻辑上通过桥式电路被布线连接，从而提供对应于这些功率输出P_j之和的总溅射功率P，即

并且其中，借助相应脉冲开关通过脉冲序列产生来产生具有脉冲功率P和序列周期T的功率脉冲序列，其中，单独的功率脉冲按时间被分配至各溅射阴极T_i，每个溅射阴极在一个脉冲时间t_i中得以供给，且一个周期T对应于这些脉冲时间之和，即

·在第二布线连接变型方式中，溅射阴极至少按照两个独立的子溅射装置A和B运行，其中，为了子溅射装置运行，能在逻辑上通过桥式电路来分别布线连接nA个溅射发生器和nB个溅射发生器的功率输出，从而提供第一脉冲功率

和第二脉冲功率

其中，nA+nB＝n，并且其中，借助相应脉冲开关通过相应脉冲序列产生来分别产生具有脉冲功率P_A和序列周期T_A的第一功率脉冲序列和具有脉冲功率P_B和序列周期T_B的第二功率脉冲序列，其中，单独的功率脉冲按时间被分配至相应子溅射装置的溅射阴极，其中，NA对应于第一子溅射装置A的溅射阴极数量，而NB对应于第二子溅射装置B的溅射阴极数量，并且NA+NB＝N，并且其中，该序列周期T_A对应于用于第一子溅射装置A的溅射阴极的脉冲时间之和，而该序列周期T_B对应于用于第二子溅射装置B的溅射阴极的脉冲时间之和，即，

且

8.根据权利要求7的方法，其特征是，至少为了借助高功率脉冲磁控溅射方法沉积一个层，该溅射装置被切换至具有至少两个子溅射装置的布线连接变型方式，其中，相比于在第一布线连接变型方式中用该溅射装置执行的高功率脉冲磁控溅射方法，涂覆速度得以增加。

9.根据权利要求7或8的方法，其特征是，该溅射装置如此组装，即，在执行溅射方法期间采用高功率脉冲，该高功率脉冲允许使用100W/cm²或更高的高溅射功率密度。

10.根据权利要求7的方法，其特征是，N＝n。

11.根据权利要求7的方法，其特征是，P_A＝P_B。

12.根据权利要求7的方法，其特征是，P＝P_A+P_B。

13.根据权利要求7的方法，其特征是，NA＝NB和/或nA＝nB。

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