CN108285125B - 微机械传感器设备的制造方法和相应的微机械传感器设备 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种微机械传感器设备和一种相应的制造方法。微机械传感器设备配备有衬底(1)，该衬底具有膜片区域(M)，其中，在膜片区域(M)上构造有多个传感器层区域(S1‑S3)，所述传感器层区域具有相应的结构化传感器层(200；300；400)；和各个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，传感器层区域(S1‑S3)能够通过所述电极装置电连接所述膜片区域(M)的外部，其中，所述传感器层区域(S1‑S3)这样结构化，使得所述传感器层区域具有1到10微米之间的数量级的长度和宽度尺寸。

Description

微机械传感器设备的制造方法和相应的微机械传感器设备

技术领域

本发明涉及一种用于微机械传感器设备的制造方法和一种相应的微机械传感器设备。

背景技术

虽然也可以应用任意的微机械构件，但本发明和本发明所基于的问题参照具有基于硅的、带有加热装置(加热板)的气体传感器的构件来阐述。

微加热板是用于微机械传感器的重要部件。所述微加热板在为了工作原理需要升高温度的传感器原理中使用。这里首先要提到的是具有化学传感器原理的气体传感器：所期望的化学反应在室温时并不发生，而是需要一定的活化能并且由此需要升高的运行温度。这种类型的常规传感器例如是金属氧化物-气体传感器，该金属氧化物-气体传感器典型地必须在250℃到400℃之间运行。

除了化学传感器之外，加热板也可以用于具有物理传感器原理的传感器，例如热导传感器、皮拉尼元件(真空传感器)或流量传感器。

根据现有技术，微加热板要么制造为封闭式膜片要么通过悬挂式膜片制造，例如在Micromachined metal oxide gas sensors:opportunities to improve sensorperformance，Isolde Simon等，Sensors and Actuators B 73(2001)，1–26页中描述的那样。

这种具有根据现有技术所述的微加热板的传感器元件具有典型地大于1mm x 1mm的横向尺寸。为了达到消费电子产品的、例如在智能手机中存在的要求，现在力求达到小于约1mm x 1mm的横向尺寸的小型化并且同时要求降低功率需求。除了在特定加热器设计方面的挑战之外，由此可供用于芯片粘接的面积越来越小，并且由此针对用于制造的构造和连接技术方面的挑战也增加。

例如借助于OMM技术制造的悬挂式膜片关于“芯片处理”和粘接方面具有优点，因为在此芯片可以整面地粘接在背面上并且由此可能的粘接面积比在以下膜片中大得多，该膜片通过湿化学露出(例如通过KOH)或者例如通过DRIE(深反应离子蚀刻)的干蚀刻从后面露出。然而，封闭式膜片(所述封闭式膜片典型地受拉应力)通过不同的涂覆方法具有关于稳固性和复杂性方面的优点，使得该封闭式膜片即使在高度小型化系统中粘接面积较小的情况下还能够保持存在。

近期在市场上提供组合的压力、湿度、温度和气体传感器。气体传感器为了良好的气体反应(催化转化)必须在升高的温度、例如大约200至400℃的情况下运行并且因此在膜片中在具有加热器的小型化加热板上实施。在膜片大小为300x 300μm²的情况下，加热板-硅衬底的典型尺寸是0.9x 0.5mm²。加热板的加热功率必要时应这样确定，使得共同集成在一个特别小的壳体(例如3x 3x 0.9mm³)中的其他传感器不受到过度影响。

在此，气体传感器的真正敏感的材料(该材料的阻抗被测量)通过目前已知的方法、即例如通过滴涂方法施加到膜片表面上，其中，由此可以处理湿化学制造的材料“传感器膏”。在这种方法中存在对于进一步小型化的限制，因为这里不仅预给定所施加微滴的最小尺寸，而且大多数也预给定所述微滴的形状，因为所述材料经常不期望地自流动。

气体传感器的其他制造方法为了气体敏感材料的沉积而使用喷墨方法或者具有用于沉积的阴影掩膜的薄层技术。在所有方法中，可达到的最小尺寸明显被限界。例如小于约100x 100μm²的尺寸对于以气体敏感的材料涂覆的面积大小来说是不能实现的。

附加地，在未来的传感器中期望的是施加更多敏感材料。在此，应使被加热区域和膜片的总尺寸进一步减小。无论如何必须使在其上涂覆有材料的面积明显减小。这通过点滴方法并且甚至通过喷墨滴涂方法是不可能的。

因此，期望借助于薄层，即通过物理或化学沉积方法施加的层，例如通过化学气相沉积、原子层沉积、喷镀沉积、离子束辅助沉积、真空蒸镀方法等(例如参见DE 3 322481A1)。

但在针对气体敏感层应用薄层方法时的问题是，所述层在许多情况下与半导体工业的常规结构化过程不兼容。气体敏感层经常是多孔的并且相对于杂质或者说污染敏感，通常也已经相对于光刻胶的组分敏感。

在标准结构化方法中，通常在整个晶片上面状地施加一层，然后借助于光刻技术施加掩膜并且在未被保护的区域中通过湿蚀刻或干蚀刻或喷镀方法实施所述层的背面结构化。掩膜主要由光刻胶组成，必要时也适用多层掩膜、所谓的“硬掩膜”。这些掩膜在该结构化步骤之后被移除。在这里又使用蚀刻方法，这对于在位于掩膜下面的气体敏感层意味着不期望的相互作用。

在半导体工业的该标准结构化方法中能够实现在几十纳米范围内的结构宽度。

气体敏感层暴露于所使用的化学物(例如用于刻胶掩膜的光刻胶、用于移除刻胶掩膜的溶剂、用于移除硬掩膜的蚀刻剂、氩或氢离子轰击或类似物)，这在大部分情况下明显改变所述层，特别是当必须多次实施该过程并且首先被沉积和结构化的层之后多次承受该过程时。在该情况下必须找到分别仅选择性地蚀刻所期望的层并且在此使对于其他气体敏感层的侵蚀最小的蚀刻剂或蚀刻方法。上面提到的金属氧化物部分地具有非常相似的蚀刻特性，这意味着大的挑战。此外，气体敏感层大部分是多孔的。这样剩余的掩膜材料和过程化学物可能在整个流程中几乎不受控制地保留在气体敏感的材料中并且影响之后的气体反应。

发明内容

本发明提出一种微机械传感器设备和一种相应的制造方法，其中，能够实现多个不同的气体敏感层的连续施加和结构化，其中，所有的气体敏感层在尽可能大的程度上并且尽可能全面地免受加工和过程化学物的影响。

根据本发明的制造方法的核心是使用多层的保护材料用于覆盖连续沉积和结构化的敏感层，其中，保护材料层在所有敏感层沉积和结构化之后作为剥离层使用。由此可以在生产过程结束时使所有的气体敏感层在仅一个步骤中并且通过以仅一个过程化学物的可控制的暴露而露出。通过这种制造类型能够使传感器层区域这样结构化，使得所述传感器层区域具有限定的1到10微米数量级的长度和宽度尺寸，这与已知的滴涂方法或喷墨方法相比能够实现显著的进一步小型化。在滴涂方法和喷墨方法中，要施加的材料是液态的并且经常自流动，由此在摊开时不仅向下限界要施加的层的尺寸，而且经常也预给定并且仅能够稍微影响气体敏感层沿横向和垂直方向的形状。与此相对地，根据本发明的制造方法允许所述层有均匀的层厚度并且能够任意地选择传感器层区域的形状。

下面还阐述本发明的优选扩展方案。

根据优选的扩展方案，电极装置与在衬底上在膜片区域外部布置的相应电连接盘连接。这样能够实现简单和牢固的电接触。

根据另一优选的扩展方案，在膜片区域中或在膜片区域上设置加热装置。这样能够设定用于期望的化学反应所需的升高的运行温度。

根据另一优选的扩展方案，传感器层区域是具有对应的结构化的、由金属氧化物制成的气体敏感传感器层的气体传感器区域。这种类型的示例性的传感器例如是金属氧化物-气体传感器，该金属氧化物-气体传感器典型地在250℃和400℃之间运行。

根据另一优选的扩展方案，各个电极装置具有相应的、在膜片区域上布置的电导体轨对(Leiterbahnpaare)，所述电导体轨对这样结构化，使得所述电导体轨对在横截面中具有扁平地向外伸出的边缘区域。这提高了传感器层的粘附性能。

根据另一优选的扩展方案，气体传感器区域具有分别不同的、由金属氧化物制成的传感器层。这样能够实现多气体传感器。

附图说明

下面参照实施方式基于附图阐述本发明的其他特征和优点。

附图示出：

图1-3用于阐述根据本发明的第一实施方式的微机械传感器设备的示意性示图，更确切地说，图1以俯视图、图2沿着图1中的线A-A‘并且图3沿着图1中的线B-B‘示出示意性示图；和

图4a)-h)用于阐述用于根据本发明的第一实施方式的微机械传感器设备的制造方法的示意性局部横截面示图。

具体实施方式

在附图中相同的附图标记表明相同或功能相同的元件。

图1-3是用于阐述根据本发明的第一实施方式的微机械传感器设备的示意性示图，更确切地说，图1以俯视图、图2沿着图1中的线A-A‘并且图3沿着图1中的线B-B‘示出示意性示图。

在图1-3中附图标记1表明具有正面VS和背面RS的衬底、例如硅半导体衬底，该衬底在正面VS上具有在空腔K上方的膜片区域M，该空腔从背面RS开始延伸。

在膜片区域上设有呈导体轨对形式的第一电极装置L1a、L1b、第二电极装置L2a、L2b和第三电极装置L3a、L3b，这些电极装置在衬底1的正面VS上延伸直至膜片区域M的外部并且在相应的电连接盘P1a、P1b或P2a、P2b或P3a、P3b中结束，这些电连接盘在衬底1的正面VS上设置在膜片区域M的外部。

在第一电极装置L1a、L1b上在膜片区域M上形成具有第一结构化传感器层200的第一结构化传感器层区域S1。

在第二电极装置L2a、L2b上在膜片区域M上形成具有第二结构化传感器层300的第二结构化传感器层区域S2。

在第三电极装置L3a、L3b上在膜片区域M上形成具有第三结构化传感器层400的第三结构化传感器层区域S3。

这些结构化传感器层区域S1、S2、S3是多孔的气体传感器区域，所述气体传感器区域例如由金属氧化物制成并且这样结构化，使得所述气体传感器区域在横截面中具有扁平地向外伸出的边缘区域(参见图2)。

在此，整体结构的典型尺寸明显小于1x 1mm²，例如为500x 800μm²，厚度小于500μm。膜片区域M例如可以为300x 400μm²大小。

在衬底1的上侧和膜片区域M上例如可以设置多层的覆盖层(未示出)，这些覆盖层例如由硅氧化物和硅氮化物以1至10μm的典型厚度组成。(未示出的)覆盖层既可以在膜片区域M上延伸，也可以在相邻的衬底1上延伸。加热装置HE集成到(未示出的)覆盖层中，该加热装置具有在膜片区域M的外部布置的电连接盘H1、H2。

电连接盘H1、H2、P1a、P1b、P2a、P2b、P3a、P3b例如可以构型为用于线键合。这些电连接盘H1、H2、P1a、P1b、P2a、P2b、P3a、P3b的材料例如是贵金属、例如金或铂，必要时具有粘附剂、例如钛或钽氧化物。

埋到覆盖层中的加热装置HE例如具有回曲形状的结构，以便覆盖膜片区域M的尽可能大的部分。加热装置HE用于加热传感器层区域S1、S2、S3。在替代构型中也可能的是，加热装置HE和电连接盘H1、H2、P1a、P1b、P2a、P2b、P3a、P3b位于同一个平面中。

第一、第二和第三电极装置L1a、L1b或L2a、L2b或L3a、L3b典型地具有几十至约200nm的厚度并且这样结构化，使得这些电极装置在横截面中具有扁平地向外伸出的边缘区域(参见图2)，由此第一、第二和第三传感器层200、300、400可以良好附着地沉积。有利地，所述扁平伸出的边缘区域的构造通过剥离工艺步骤发生。

膜片区域M的构造例如通过在背面工艺步骤中通过DRIE(Deep Reactive IonEtching，深反应离子蚀刻)工艺步骤移除硅来实现。在这种情况下不会对正面的传感器层200、300、400和电极装置L1a、L1b、L2a、L2b、L3a、L3b以及电连接盘P1a、P1b、P2a、P2b、P3a、P3b、H1、H2产生影响。这使得能够首先进行正面的加工然后进行背面的加工。

但是原则上也能够从正面开始构造膜片区域M，例如通过在膜片区域M中的(未示出的)辅助孔，通过该辅助孔将衬底材料、例如硅湿或干化学蚀刻掉。为此例如将提供根据图4g)的工艺状态(参见下文)。

在传感器层区域S1、S2、S3由不同材料制造的情况下，这样构造的微机械传感器设备是多气体传感器设备。

通过本发明制造方法在下面阐述的构型，可以使传感器层区域S1、S2、S3这样结构化，使得长度和宽度尺寸具有1到10μm之间的数量级，所述层具有均匀的层厚度并且可以任意选择传感器层区域的形状，这通过迄今已知的方法、例如滴涂或喷墨印刷是不可能的。

图4a)-h)是用于阐述根据本发明的第一实施方式的微机械传感器设备的制造方法的示意性局部横截面示图。

在图4a)-4h)中仅局部地示出膜片区域M与要构造的传感器层区域S1、S2、S3。

图4a)示出在构造第一电极装置L1a、L1b、第二电极装置L2a、L2b和第三电极装置L3a、L3b之后的状态。

根据图4b)，在使第一、第二和第三电极装置L1a、L1b或L2a、L2b或L3a、L3b以及电连接盘H1、H2、P1a、P1b、P2a、P2b、P3a、P3b结构化之后将第一传感器层200整面地沉积在衬底1和在该衬底上构造的电极装置L1a、L1b、L2a、L2b、L3a、L3b上。

第一传感器层200的材料典型地是半导体金属氧化物、例如Sn0₂，必要时具有材料掺杂物、例如掺杂以贵金属。第一传感器层200通常不在好的结构化、粘附或薄膜性能方面进行优化，而主要在好的气体敏感的反应能力方面进行优化。第一传感器层200例如以多孔或纳米多孔的形式沉积。与墨或膏的局部沉积不同，在这里的沉积方法在晶片的整个面上并且尤其在之后结构化的区域内部提供具有恒定厚度和均匀组分的层。即使在使用阴影掩膜(Schattenmaske)的情况下，沉积层在结构边缘上的厚度也不是恒定的，而是由于阴影效应而减小。

然后将坚实的、紧密的保护层201整面地沉积在第一传感器层200上，该保护层封闭了第一传感器层200的表面并且使该表面免受随后工艺步骤的影响。虽然第一传感器层200的侧面蚀刻作用(例如在通过下蚀刻进行的湿化学工艺或各向同性工艺中)原则上还是可能的，但可以通过相应的蚀刻参数来降低。必要时也可以这样应对所述侧面蚀刻作用，其方式是，设置第一传感器层200的相应提前量。

用于较深处的层的第一保护层201也可以较厚地实施。可以相应地考虑在随后用于其他传感器层的蚀刻过程中的去除量。

此外，参照图4c)，进行在第一电极装置L1a、L1b上的第一堆叠ST1的结构化，该第一堆叠具有带有第一传感器层200的第一传感器层区域S1和位于该第一传感器层上的第一保护层201。该结构化例如在光刻工艺步骤中借助相应(未示出的)光掩膜进行。通过该光掩膜可以针对之后结构化的层预给定任意形状(例如具有1到10μm尺寸的矩形)，这在通过墨、膏涂覆或借助于阴影掩膜的情况下是不可能的。在结构化时露出其余电极装置L2a、L2b、L3a、L3b以及衬底1的周围区域。(未示出的)光刻胶掩膜的移除例如在结构化之后在氧-等离子灰化过程中进行。

如在图4d)中示出，然后进行第二传感器层300在第一堆叠ST1和衬底1的周围区域上的整面沉积。如第一传感器层200那样，第二传感器层300由气体敏感的金属氧化物例如氧化铜、氧化铟、氧化钨、氧化锌或者由不同金属氧化物组成，并且可以掺杂以贵金属，参见上文。第二传感器层300在该实施方式中与第一传感器层200不同，以便由此实现多气体传感器。

然后在第二传感器层300上整面地沉积第二保护层301。该第二保护层301优选由与第一保护层201相同或者非常相似的材料制成并且类似地用于在随后的工艺步骤中保护第二传感器层300。

要注意的是，在这里为了说明而过高地示出垂直尺寸，并且所述层通常具有水平的和垂直的延伸尺度之间将近1000的比例。在第一堆叠ST1的区域周围的层质量和层均匀性是不重要的，因为这里的第二传感器层300和第二保护层30 1随后又被移除。

此外，参照图4e)，在同一个工艺步骤中同时进行在第一电极装置L1a、L1b上的第一堆叠ST1的再结构化以及在第二电极装置L2a、L2b上的第二堆叠ST2的结构化，该第一堆叠现在具有带有第一传感器层200的第一传感器层区域S1、位于该第一传感器层上的第一保护层201、第二传感器层300和第二保护层301，该第二堆叠具有带有第二传感器层300的第二传感器层区域S1和位于该第二传感器层上的第二保护层301。

两个堆叠ST1、ST2现在通过第二保护层301从上面受到保护。

此外，参照图4f)，进行第三传感器层400在第一堆叠ST1、第二堆叠ST2和衬底1的周围区域上的沉积。如第一传感器层200和第二传感器层300那样，第三传感器层400由气体敏感的金属氧化物例如氧化铜、氧化铟、氧化钨、氧化锌或者由不同金属氧化物组成，并且可以掺杂以贵金属(参见上文)。第三传感器层400在该实施方式中与第一传感器层200和第二传感器层300不同，以便由此实现多气体传感器。

随后，使第三保护层401沉积在第三传感器层400上，这导致根据图4f)的工艺状态。第三保护层401的材料优选与第一保护层201和第二保护层301的材料类似或相同(参见上文)。

如在图4g)中示出，然后同时进行在第一电极装置L1a、L1b上的第一堆叠ST1的再结构化以及在第二电极装置L2a、L2b上的第二堆叠ST2的再结构化以及在第三电极装置L3a、L3b上的第三堆叠ST3的结构化，该第一堆叠具有带有第一传感器层200的第一传感器层区域S1和位于该第一传感器层上的第一保护层201、第二传感器层300和位于该第二传感器层上的第二保护层301和第三传感器层400和位于该第三传感器层上的第三保护层401，该第二堆叠具有带有第二传感器层300的第二传感器层区域S2和位于该第二传感器层上的第二保护层301、第三传感器层400和位于该第三传感器层上的第三保护层401，该第三堆叠具有带有第三传感器层400的第三传感器层区域S3和位于该第三传感器层上的第三保护层401。

在随后的工艺步骤中(该工艺步骤的结果在图4h)中示出)，进行第一传感器层区域S1、第二传感器层区域S2和第三传感器层区域S3的露出。这可以有利地在湿步骤中实施，优选通过同样地侵蚀第一保护层201、第二保护层301和第三保护层401的溶剂或蚀刻剂进行。该工艺步骤涉及剥离工艺步骤，在该剥离工艺步骤中不期望的是，第一、第二或第三传感器层区域S1、S2、S3受侵蚀。

第一、第二和第三保护层201、301、401的材料例如可以是铝或氧化铝，所述材料可以较容易地结构化并且良好地填充和覆盖位于所述材料下面的层。第一、第二和第三保护层201、301、401例如可以借助于喷镀方法沉积。

在铝的情况下，用于移除第一、第二和第三保护层201、301、401的蚀刻剂是高纯的不含金属离子的显影剂，例如基于氢氧化四乙铵在水中的纯溶液，该氢氧化四乙铵由于它的碱性使铝溶解。该反应是放热的，这附加地加速显影剂溶液对露出的铝层的侵蚀并且导致用于剥离的良好的下蚀刻。根据过程条件产生附加的氢气泡，这可以改进对应的位于上面的传感器层300或400的期望的溶解。

替代地，也可以使用其他金属或氧化物或氮化物作为保护层。在使用铝作为保护层材料的情况下，应该为了光刻胶的结构化在上面提到的光刻步骤中已经使用铝兼容的显影剂，因为否则在刻胶掩膜外部的保护层可能已经在刻胶结构化时受侵蚀或被移除，这可能在各个保护层201、301、401和传感器层200、300、400的再结构化时导致对最上层的不均匀侵蚀。

那么在图4h)中示出的工艺状态相应于在图1-3中示出的状态的局部。

用于封装或电接合的其他可选的工艺步骤在现有技术中充分已知并且在这里出于简化原因不再进一步阐述。

虽然已经根据优选实施例描述了本发明，但本发明不局限于此。尤其所提到的材料和布局仅是示例性的并且不局限于所阐述的示例。

虽然在上面的实施方式中已经示出并且描述具有不同传感器层的三个气体传感器区域用于探测三种不同的气体，但本发明不局限于此，而是可以应用传感器层的不同组合。

虽然在本实施方式中使用三个传感器层区域，但显然任意数量的传感器层区域是可能的。

在确定的实施方式中也可以省去加热装置。

除了化学的气体传感器如金属氧化物-气体传感器之外，针对根据本发明的微机械传感器设备特别优选的其他应用例如是在微机械膜片上的热导传感器、皮拉尼元件、流量传感器如空气质量测量计、氧探测器(Lambda-Sonden)、红外传感器设备、应变片等。

Claims (14)

1.用于制造微机械传感器设备的方法，所述方法具有以下步骤：

提供衬底(1)，该衬底具有膜片区域(M)；

在所述膜片区域(M)上构造多个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，所述电极装置延伸直至所述膜片区域(M)的外部；

在所述膜片区域(M)上的分别对应的电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)上形成多个结构化的传感器层区域(S1-S3)，所述传感器层区域具有相应的结构化传感器层(200；300；400)；并且

其中，为了形成所述多个结构化的传感器层区域(S1-S3)实施以下步骤：

将第一传感器层(200)沉积在具有所述电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)的所述衬底(1)上；

将第一保护层(201)沉积在所述第一传感器层(200)上；

使在第一电极装置(L1a、L1b)上的第一堆叠(ST1)结构化，该第一堆叠具有带有所述第一传感器层(200)的第一传感器层区域(S1)和位于该第一传感器层上的所述第一保护层(201)；

将第二传感器层(300)沉积在所述第一堆叠(ST1)和所述衬底(1)上；

将第二保护层(301)沉积在所述第二传感器层(300)上；

同时使在所述第一电极装置(L1a、L1b)上的所述第一堆叠(ST1)再结构化并且使在第二电极装置(L2a、L2b)上的第二堆叠(ST2)结构化，该第一堆叠具有带有所述第一传感器层(200)的所述第一传感器层区域(S1)和位于该第一传感器层上的所述第一保护层(201)、所述第二传感器层(300)和所述第二保护层(301)，该第二堆叠具有带有所述第二传感器层(300)的第二传感器层区域(S2)和位于该第二传感器层上的所述第二保护层(301)；并且

使所述第一传感器层区域(S1)和所述第二传感器层区域(S2)露出。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在使所述第一传感器层区域(S1)和所述第二传感器层区域(S2)露出之前实施以下步骤：

将第三传感器层(400)沉积在所述第一堆叠(ST1)、所述第二堆叠(ST2)和所述衬底(1)上；

将第三保护层(401)沉积在所述第三传感器层(400)上；

同时使在所述第一电极装置(L1a、L1b)上的所述第一堆叠(ST1)再结构化、使在所述第二电极装置(L2a、L2b)上的第二堆叠(ST2)再结构化并且使在第三电极装置(L3a、L3b)上的第三堆叠(ST3)结构化，该第一堆叠具有带有所述第一传感器层(200)的所述第一传感器层区域(S1)和位于该第一传感器层上的所述第一保护层(201)、所述第二传感器层(300)和位于该第二传感器层上的所述第二保护层(301)和所述第三传感器层(400)和位于该第三传感器层上的所述第三保护层(401)，该第二堆叠具有带有所述第二传感器层(300)的所述第二传感器层区域(S2)和位于该第二传感器层上的所述第二保护层(301)和所述第三传感器层(400)和位于该第三传感器层上的所述第三保护层(401)，该第三堆叠具有带有所述第三传感器层(400)的第三传感器层区域(S3)和位于该第三传感器层上的所述第三保护层(401)；并且

之后与所述第一传感器层区域(S1)和所述第二传感器层区域(S2)的露出一起进行所述第三传感器层区域(S3)的露出。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述露出通过剥离工艺步骤实施，在该剥离工艺步骤中移除所述第一保护层(201)和所述第二保护层(301)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述露出通过剥离工艺步骤实施，在该剥离工艺步骤中移除所述第一保护层(201)、所述第二保护层(301)和所述第三保护层(401)。

5.根据前述权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，各个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)具有相应的、在所述膜片区域(M)上布置的电导体轨对(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，所述电导体轨对在剥离工艺步骤中这样结构化，使得所述电导体轨对在横截面中具有扁平地向外伸出的边缘区域。

6.根据前述权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述传感器层区域(S1-S3)是具有对应的结构化的、由金属氧化物制成的传感器层(200；300；400)的气体传感器区域，所述气体传感器区域这样结构化，使得所述气体传感器区域具有在1到10微米之间数量级的长度和宽度尺寸。

7.根据前述权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，形成在所述膜片区域(M)外部布置的用于各个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)的相应电连接盘(P1a、P2a；P2a、P2b；P3a、P3b)，通过所述电连接盘能够电连接所述传感器层区域(S1-S3)。

8.根据前述权利要求2或4所述的方法，其中，所述第一保护层(201)和/或所述第二保护层(301)和/或所述第三保护层(401)由铝或氧化铝组成。

9.微机械传感器设备，所述微机械传感器设备根据权利要求1至8之一所述的方法制造。

10.根据权利要求9所述的微机械传感器设备，具有：

衬底(1)，该衬底具有膜片区域(M)；

其中，在所述膜片区域(M)上构造多个传感器层区域(S1-S3)，所述传感器层区域具有相应的结构化传感器层(200；300；400)；和

各个电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)，所述传感器层区域(S1-S3)能够通过所述电极装置与所述膜片区域(M)的外部电连接；

其中，所述传感器层区域(S1-S3)这样结构化，使得所述传感器层区域具有在1到10微米之间的数量级的长度和宽度尺寸。

11.根据权利要求10所述的微机械传感器设备，其中，所述电极装置(L1a、L1b；L2a、L2b；L3a、L3b)与在所述衬底(1)上在所述膜片区域(M)外部布置的对应电连接盘(P1a、P2a；P2a、P2b；P3a、P3b)连接。

12.根据权利要求10或11所述的微机械传感器设备，其中，在所述膜片区域(M)中或在所述膜片区域上设置加热装置(HE)。

13.根据权利要求10或11所述的微机械传感器设备，其中，所述传感器层区域(S1-S3)是具有对应的结构化的、由金属氧化物制成的气体敏感传感器层(200；300；400)的气体传感器区域。

14.根据权利要求13所述的微机械传感器设备，其中，所述气体传感器区域具有分别不同的、由金属氧化物制成的传感器层(200；300；400)。