CN108281560B - 氧化镓保护层梯度体异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法 - Google Patents

氧化镓保护层梯度体异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述的钙钛矿电池是由透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和金属电极组成的。使用工艺简单、低温沉积的原子层沉底法制备高质量的氧化镓薄膜作为电子传输层与金属电极之间缓冲层，有效改善器件的光伏性能，并且其无机疏水的特性可作为保护层，有效隔绝外界环境对电池的侵蚀，提升器件的稳定性。本发明还使用非富勒烯材料IDIC溶解到绿色环保溶剂乙酸乙酯中，制备出梯度异质结钙钛矿薄膜，有效钝化钙钛矿的缺陷，提升器件性能，减轻薄膜制备的毒性环境。

Description

氧化镓保护层梯度体异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种基于氧化镓(Ga2O3)保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于光电子材料与器件领域。
背景技术
近年来，能源危机与环境污染问题愈发紧迫，发展清洁可持续的能源对人类社会的发展愈发重要，太阳能作为一种可持续的清洁能源，可以直接转化为电能，为人类提供源源不断的能源，具有很大的应用前景。
钙钛矿太阳能电池近年来发展迅速，转化效率已经可以和硅基的太阳能电池相当。有机无机杂化钙钛矿材料具有高吸光系数、高的载流子迁移率、较低的激子结合能、较长的载流子寿命，以及带隙可控、可溶液法制备等特点，在激光、发光二极管、光电探测器、单层及叠层太阳能电池领域都展现出巨大的发展潜力。目前有文献报道的钙钛矿太阳能电池最高效率是由Sang Il Seok课题组关于碘离子掺杂钙钛矿材料太阳能电池的研究，取得了22.1％的效率。(Iodide management informamidinium-lead-halide–basedperovskite layers for efficient solar cells.Yang et al.,Science 356,1376–1379，2017)。
然而，对于钙钛矿太阳能电池，其较差的稳定性(包括光稳定性，湿度稳定性，热稳定性以及长期稳定性等)成为其走向工业化实际应用的阻碍。在倒置结构的电池中，银电极特别容易渗透到钙钛矿层中并发生化学反应造成严重的漏电，使器件性能快速下降。由于缺少无机稳定性材料的保护，外界的水汽、氧气等很容易与钙钛矿直接反应，使钙钛矿材料分解。
此外，在制备钙钛矿薄膜的过程中，一步反溶剂的方法经常使用甲苯和氯苯等剧毒溶剂，造成了具有毒性的制备环境。该方法制备出的钙钛矿薄膜仍然存在很多的缺陷，影响薄膜的质量，进而影响到器件的性能和稳定性。
Ga2O3作为一种重要的n型宽带隙半导体材料，带隙宽度约为5eV，价带位置在-7.95eV，在染料敏化太阳能电池，晶体硅太阳能电池中多有应用(Subnanometer Ga2O3Tunnelling Layer by Atomic Layer Deposition to Achieve 1.1V Open-CircuitPotential in Dye-Sensitized Solar Cells.Michael Gratzel et al.,NanoLett.2012,12,3941-3947；Effect of the thin Ga2O3 layer in n+-ZnO/n-Ga2O3/p-Cu2Oheterojunction solar cells，Toshihiro Miyata et al，Thin Solid Films 549(2013)65–69；Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomiclayer deposited gallium oxide，APPLIED PHYSICS LETTERS 105,031601(2014))为解决倒置钙钛矿稳定性差的问题，本发明首次在倒置钙钛矿太阳能电池中引入无机宽带隙邃穿材料Ga2O3作为保护缓冲层，改善器件的稳定性，减少了Ag电极材料的扩散和漏电情况。同时，本发明使用绿色环保的乙酸乙酯作为反溶剂，溶解适量的IDIC制备梯度异质结钙钛矿薄膜，来钝化钙钛矿中的缺陷，改善薄膜的质量。
发明内容
本发明针对现有的钙钛矿太阳能电池稳定性不高，以及制备过程需要毒性溶剂，和钙钛矿薄膜存在缺陷的问题，提供了基于无机宽带隙隧穿材料Ga2O3作为保护缓冲层，使用绿色无毒的乙酸乙酯作为反溶剂，溶解适量的基于缩合二噻吩的环状电子受体IDIC(缩二氨基苯乙二烯-二氨基乙二烯-3-丁二烯-3-茚酮)的梯度异质结钙钛矿薄膜的有一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
本发明所提供的技术方案具体如下：
一种基于Ga2O3保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池，包括透明导电衬底以及自下而上依次层叠的空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层，电子传输保护层以及金属电极，所述钙钛矿吸光层含有IDIC受体材料和/或采用Ga2O3作为电子传输保护层材料。
优选地，所述空穴传输层材料为锂掺杂的氧化镍。
优选地，所述钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3和IDIC梯度体异质结混合结构。
优选地，所述电子传输层为PCBM和BCP复合薄膜。
优选地，所述Ga2O3电子传输保护层的厚度为2～4nm。
基于Ga2O3保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
(1)先将透明导电衬底采用半导体工艺清洗，用氮气吹干；
(2)在透明导电衬底上喷涂制备锂掺杂的氧化镍前驱液，得到空穴传输层；
(3)将CH3NH3PbI3/IDIC钙钛矿吸光层覆盖在空穴传输层上，其中IDIC采用乙酸乙酯作为反溶剂；
(4)采用旋涂法将电子传输层溶液旋涂于吸光层上形成电子传输层；
(5)将Ga2O3通过原子层沉积的方法沉积到电子传输层上，形成无机电子传输保护层；
(6)在电子传输保护层上蒸发制备金属电极。
优选地，步骤(2)中氧化镍前驱液采用如下方法制得：
在乙酰丙酮镍中依次加乙腈和无水乙醇，得到溶液浓度为0.06mol/L的乙酰丙酮镍的乙腈和乙醇溶液；将双三氟甲基磺酸亚酰胺锂(Li-TFSI)的乙腈溶液加入到上面乙酰丙酮镍的乙腈和乙醇溶液中，得到氧化镍的前驱体溶液。
优选地，步骤(3)包括如下步骤：
(a)将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中，得到钙钛矿前驱体溶液；将IDIC溶解到乙酸乙酯中搅拌溶解备用；
(b)用匀胶机将上述配制好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在空穴传输层上，旋涂过程中滴加IDIC的乙酸乙酯溶液，退火，得到钙钛矿吸光层。
优选地，所述IDIC的乙酸乙酯溶液浓度为0.015～0.06mg/ml。
优选地，步骤(4)包括如下步骤：
(a)将20mg/ml的PCBM(富勒烯衍生物3'-苯基-3'H-环丙[1,9][5,6]富勒烯-C60-Ih-3'-丁酸甲酯)溶解到氯苯中，搅拌备用，将0.5mg/ml的BCP(二溴邻甲酚磺呋酞)溶解到乙醇溶液中搅拌备用；(b)在钙钛矿光吸收层上均匀旋涂一层PCBM层，再在PCBM层上旋涂一层BCP层。
本发明可以通过步骤简单、低温、低成本的方法制备出一种基于Ga2O3保护层的高效率倒置梯度体异质结钙钛矿薄膜电池，器件具有很好光电转化效率和稳定性能，有利于技术的应用和推广。
本发明具有以下优点和有益效果：
1)用工艺简单、可在低温条件下制备，使用原子层沉积工艺沉积的薄膜平整致密。
2)氧化镓薄膜的插入并没有降低钙钛矿太阳能电池的光电转化效率，反而令其有所提升，主要体现在短路电流和填充因子的提高，有很大的应用发展潜力。
3)氧化镓作为一种宽带隙的n型半导体材料，其低的价带位置，有效的减少了电子-空穴对的复合(减少了漏电)，增加了器件的并联电阻。
4)氧化镓是一种很稳定的化合物，具有一定的疏水性，在提高器件的湿度稳定性上意义重大。
5)氧化镓的热稳定性能很好，蒸发制得的薄膜也很致密，能在光热条件下阻止金属电极扩散进入钙钛矿层引起钙钛矿的分解，有益于提高器件的光热稳定性能。
6)所用的乙酸乙酯是绿色环保的溶剂，减轻器件制备过程的毒性挥发。
7)使用IDIC有效钝化钙钛矿的缺陷，同时增强钙钛矿薄膜的稳定性。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步描述，该描述只是为了更好的说明本发明而不是对其进行限制。本发明并不限于这里所描述的特殊实例和实施方案。任何本领域中的技术人员很容易在不脱离本发明精神和范围的情况下进行进一步的改进和完善，都落入本发明的保护范围。
附图说明
图1是钙钛矿太阳能电池的器件结构图，其中，1—透明导电衬底，2—掺杂氧化物空穴传输层，3—钙钛矿梯度体异质结吸光层，4—电子传输层，5—氧化镓保护层薄膜，6—金属电极层；
图2是实施例1制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图3是实施例1中电池未蒸银时的接触角照片；
图4是实施例1中电池长期稳定性的相关参数变化图；
图5是实施例2制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图6是实施例3制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图7是实施例3中电池未蒸银时的接触角照片；
图8是实施例4制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图9是实施例5制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图10是实施例6制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图11是实施例7制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图12是实施例8制得钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图；
图13是实施例8中电池长期稳定性的相关参数变化图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步描述，该描述只是为了更好的说明本发明而不是对其进行限制。本发明并不限于这里所描述的特殊实例和实施方案。任何本领域中的技术人员很容易在不脱离本发明精神和范围的情况下进行进一步的改进和完善，都落入本发明的保护范围。
实施例1：
1)清洗。首先对FTO导电玻璃进行清洗、吹干。先将尺寸大小合适的FTO导电玻璃用清洁剂清洗干净，再用去离子水冲洗。然后将其放入超声波清洗器中依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗，最后用氮气吹干，即可得到实验所需的表面干净的FTO导电玻璃衬底。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备：在307.2mg乙酰丙酮镍中依次加入19mL的乙腈和1mL的无水乙醇，经摇匀后超声10分钟得到乙酰丙酮镍的乙腈和乙醇溶液(溶液浓度为0.06M)；将23mg的Li-TFSI溶解在2mL的乙腈中，搅拌得到锂盐溶液；取26微升的锂盐溶液加入到上面乙酰丙酮镍的乙腈和乙醇溶液中，摇匀并超声3分钟得到氧化镍的前驱体溶液。使用喷雾热解镀膜机将所配制的氧化物的前驱体溶液按四个周期均匀喷涂在温度为450摄氏度的透明导电衬底上，喷涂完后在450摄氏度退火60分钟，从而得到一层致密的氧化镍空穴传输层。
3)钙钛矿吸光层的制备：将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中，60摄氏度下搅拌数小时，得到钙钛矿前驱体溶液；其中DMF和DMSO的体积比为4:1。再将配置好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在经过退火的氧化物空穴传输层上。旋涂条件为：低速500rpm旋涂5s，再高速4000rpm旋涂30s，并在高速旋涂开始后滴加300μL乙酸乙酯反溶剂，先在60摄氏度退火2分钟，在于100摄氏度下退火10分钟，得到钙钛矿吸收层。
4)电子传输层的制备：将20mg的富勒烯衍生物3'-苯基-3'H-环丙[1,9][5,6]富勒烯-C60-Ih-3'-丁酸甲酯(PCBM)溶解到1ml氯苯中，搅拌溶解，将0.5mg的二溴邻甲酚磺呋酞(BCP)溶解到1ml乙醇溶液中搅拌溶解。在钙钛矿光吸收层上均匀旋涂一层PCBM层，在80摄氏度下退火10分钟。然后在PCBM层上旋涂一层BCP层，在80摄氏度下退火2分钟。在BCP薄膜的水接触角测试的大小为79.709°(如图3所示)。
5)金属电极层的制备：制备好的样品放在真空蒸发设备里通过热蒸发工艺蒸镀一层银薄膜电极。
6)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.11V，短路电流密度20.35mA/cm2，填充因子0.71，转换效率16.04％。将制备好的器件放置在湿度约为40％RH空气条件下保存,间隔一定的时间，测试四个光伏参数的衰减变化情况，如图4所示。
实施例2：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。同实施例1。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)使用原子层沉积技术于在BCP表面上上沉积20个循环周期的Ga2O3分子层，形成一层宽禁带隧穿保护层。
6)金属电极层的制备。同实施例1。
7)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.11V，短路电流密度20.64mA/cm2，填充因子0.756，转换效率17.34％。
实施例3：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。同实施例1。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)使用原子层沉积技术于在BCP表面上上沉积30个循环周期的Ga2O3分子层，形成一层宽禁带隧穿保护层。在Ga2O3薄膜的水接触角测试的大小为92.28°(如图6所示)。
6)金属电极层的制备。同实施例1。
7)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.08V，短路电流密度21.93mA/cm2，填充因子0.755，转换效率17.88％。
实施例4：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。同实施例1。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)使用原子层沉积技术于在BCP表面上上沉积40个循环周期的Ga2O3分子层，形成一层宽禁带隧穿保护层。
6)金属电极层的制备。同实施例1。
7)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.06V，短路电流密度21.46mA/cm2，填充因子0.718，转换效率16.34％。
实施例5：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中，60摄氏度下搅拌数小时，得到钙钛矿前驱体溶液；其中DMF和DMSO的体积比为4:1。将IDIC溶解到乙酸乙酯中搅拌溶解备用，溶液浓度为0.015mg/ml。将配置好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在经过退火的氧化物空穴传输层上。旋涂条件为：低速500rpm旋涂5s，再高速4000rpm旋涂30s，并在高速旋涂开始后滴加300μL已经溶解了IDIC的乙酸乙酯反溶剂，先在60摄氏度退火2分钟，在于100摄氏度下退火10分钟，得到钙钛矿吸收层。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)金属电极层的制备。同实施例1。
6)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.12V，短路电流密度20.66mA/cm2，填充因子0.74，转换效率17.13％。
实施例6：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中，60摄氏度下搅拌数小时，得到钙钛矿前驱体溶液；其中DMF和DMSO的体积比为4:1。将IDIC溶解到乙酸乙酯中搅拌溶解备用，溶液浓度为0.03mg/ml。将配置好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在经过退火的氧化物空穴传输层上。旋涂条件为：低速500rpm旋涂5s，再高速4000rpm旋涂30s，并在高速旋涂开始后滴加300μL已经溶解了IDIC的乙酸乙酯反溶剂，先在60摄氏度退火2分钟，在于100摄氏度下退火10分钟，得到钙钛矿吸收层。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)金属电极层的制备。同实施例1。
6)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.13V，短路电流密度20.71mA/cm2，填充因子0.775，转换效率18.15％。
实施例7：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中，60摄氏度下搅拌数小时，得到钙钛矿前驱体溶液；其中DMF和DMSO的体积比为4:1。将IDIC溶解到乙酸乙酯中搅拌溶解备用，溶液浓度为0.06mg/ml。将配置好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在经过退火的氧化物空穴传输层上。旋涂条件为：低速500rpm旋涂5s，再高速4000rpm旋涂30s，并在高速旋涂开始后滴加300μL已经溶解了IDIC的乙酸乙酯反溶剂，先在60摄氏度退火2分钟，在于100摄氏度下退火10分钟，得到钙钛矿吸收层。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)金属电极层的制备。同实施例1。
6)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.12V，短路电流密度21.65mA/cm2，填充因子0.736，转换效率17.85％。
实施例8：
1)清洗。同实施例1。
2)掺杂氧化物空穴传输层的制备。同实施例1。
3)钙钛矿吸光层的制备。将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中，60摄氏度下搅拌数小时，得到钙钛矿前驱体溶液；其中DMF和DMSO的体积比为4:1。将IDIC溶解到乙酸乙酯中搅拌溶解备用，溶液浓度为0.03mg/ml。将配置好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在经过退火的氧化物空穴传输层上。旋涂条件为：低速500rpm旋涂5s，再高速4000rpm旋涂30s，并在高速旋涂开始后滴加300μL已经溶解了IDIC的乙酸乙酯反溶剂，先在60摄氏度退火2分钟，在于100摄氏度下退火10分钟，得到钙钛矿吸收层。
4)电子传输层的制备。同实施例1。
5)使用原子层沉积技术于在BCP表面上上沉积30个循环周期的Ga2O3分子层，形成一层宽禁带隧穿保护层。
6)金属电极层的制备。同实施例1。
7)测试：在AM1.5，活性层有效面积为0.09cm2的条件下对电池进行测试，获得的光电转换效率参数为：开路电压1.11V，短路电流密度21.60mA/cm2，填充因子0.798，转换效率19.04％。将制备好的器件放置在湿度约为40％RH空气条件下保存,间隔一定的时间测试四个光伏参数的衰减变化情况，如图13所示。
本发明使用工艺简单、低温沉积的原子层沉积法制备高质量的氧化镓薄膜，应用在基于钙钛矿的太阳能电池中，取得了良好的效果。氧化镓是一种宽带隙的n型半导体材料，作为电子传输层与金属电极之间缓冲层，有效改善器件的光伏性能，并且其无机疏水的特性可作为保护层，有效隔绝外界环境对电池的侵蚀，提升器件的稳定性。本发明还使用非富勒烯材料IDIC溶解到绿色环保溶剂乙酸乙酯中，制备出梯度异质结钙钛矿薄膜，有效钝化钙钛矿的缺陷，提升器件性能，减轻薄膜制备的毒性环境。在氧化镓和IDIC的综合作用下，器件可获得出色的光伏效率和优异的环境稳定性能，具有很大的应用发展潜力。
上面结合实施例对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。

Claims (9)

1.一种基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池，包括透明导电衬底以及自下而上依次层叠的空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层，电子传输保护层以及金属电极，其特征在于，所述钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3和IDIC梯度体异质结混合结构，采用Ga2O3作为电子传输保护层材料。
2.根据权利要求1所述的基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层材料为锂掺杂的氧化镍。
3.根据权利要求1所述的基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层为PCBM和BCP复合薄膜。
4.根据权利要求1所述的基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述Ga2O3电子传输保护层的厚度为2～4nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)先将透明导电衬底采用半导体工艺清洗，用氮气吹干；
(2)在透明导电衬底上喷涂制备锂掺杂的氧化镍前驱液，得到空穴传输层；
(3)将CH3NH3PbI3/IDIC钙钛矿吸光层覆盖在空穴传输层上，其中IDIC采用乙酸乙酯作为反溶剂；
(4)采用旋涂法将电子传输层溶液旋涂于吸光层上形成电子传输层；
(5)将Ga2O3通过原子层沉积的方法沉积到电子传输层上，形成无机电子传输保护层；
(6)在电子传输保护层上蒸发制备金属电极。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中氧化镍前驱液采用如下方法制得：
在乙酰丙酮镍中依次加乙腈和无水乙醇，得到溶液浓度为0.06mol/L的乙酰丙酮镍的乙腈和乙醇溶液；将Li-TFSI的乙腈溶液加入到上面乙酰丙酮镍的乙腈和乙醇溶液中，得到氧化镍的前驱体溶液。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)包括如下步骤：
(a)将摩尔比为1:1的CH3NH3I和PbI2一同溶解在二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中，得到钙钛矿前驱体溶液；将IDIC溶解到乙酸乙酯中搅拌溶解备用；
(b)用匀胶机将上述配制好的钙钛矿前驱体溶液均匀地旋涂在空穴传输层上，旋涂过程中滴加IDIC的乙酸乙酯溶液，退火，得到钙钛矿吸光层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述IDIC的乙酸乙酯溶液浓度为0.015～0.06mg/ml。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)包括如下步骤：
(a)将20mg/ml的PCBM溶解到氯苯中，搅拌备用，将0.5mg/ml的BCP溶解到乙醇溶液中搅拌备用；
(b)在钙钛矿光吸收层上均匀旋涂一层PCBM层，再在PCBM层上旋涂一层BCP层。
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