CN108281454B - 一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 110
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 transition metal sulfide Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 9
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 9
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical group S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tungsten Chemical compound [Se]=[W]=[Se] ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229960001701 chloroform Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;silicon Chemical compound [Si].[Si]=O RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极；所述二维材料薄膜覆盖在所述绝缘层的上表面；所述源极和所述漏极水平间隔布置于所述二维材料薄膜的上表面；二维材料薄膜同时具有光电响应和场效应。入射光照射到器件表面，被二维材料薄膜和半导体衬底吸收。由于二维材料的特殊性质，其通过电容耦合可有效收集载流子，产生的光电流信号可以直接从单个像素输出，实现本地随机读取，无需采用像素间横向转移电荷方式，从根本上改变电荷耦合器件的信号读出方式，提高系统响应速度、线性动态范围和可靠性。
Description
技术领域
本发明属于图像传感器技术领域，涉及图像传感器器件结构，尤其涉及一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件。
背景技术
电荷耦合器件(CCD)图像传感器可直接将光学信号转换为模拟电流信号，电流信号经过放大和模数转换，实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。它能够根据照射在其面上的光线产生相应的电荷信号，在通过模数转换器芯片转换成“0”或“1”的数字信号，这种数字信号经过压缩和程序排列后，可由闪速存储器或硬盘卡保存即收光信号转换成计算机能识别的电子图像信号，可对被测物体进行准确的测量、分析。传统的CCD与CMOS图像传感器相比具有更好的成像品质，但由于CCD采用像素之间电荷横向传递的方式输出数据，系统的整体响应速度慢，并且只要其中有一个像素传送出现故障，就会导致一整排的数据无法正常传送，因此控制CCD的良品率较为困难。
二维材料薄膜，是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度(1-100nm)上自由运动(平面运动)的材料，如纳米薄膜、超晶格、量子阱。二维材料薄膜是伴随着2004年曼切斯特大学Geim小组成功分离出单原子层的石墨烯而提出的，除了具有准金属特性的石墨烯，目前已成功分离、制备的具有半导体特性的二维薄膜有几十种，包括黑磷、过渡金属硫化物等。石墨烯和二维半导体薄膜的发现给突破传统CCD的局限带来了机会。
发明内容
为了解决以上技术问题，本发明提供一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件。
本发明的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极；所述二维材料薄膜覆盖在所述绝缘层的上表面；所述源极、漏极水平间隔布置于所述二维材料薄膜的上表面，所述二维材料薄膜同时具有光电响应和场效应。
作为优选的技术方案，所述二维材料薄膜为石墨烯薄膜、黑磷薄膜或过渡金属硫化物薄膜中的一种或两种，过渡金属硫化物薄膜有二硫化钼、二硫化钨或二硒化钨等。
作为优选的技术方案，所述二维材料薄膜由石墨烯薄膜和过渡金属硫化物薄膜构成，所述石墨烯薄膜分两段分别设于所述源极、漏极下方，两段石墨烯薄膜中间通过过渡金属硫化物薄膜连接，形成两个肖特基结。
作为优选的技术方案，所述二维材料薄膜为石墨烯薄膜，该石墨烯薄膜分为两段，一段为n型掺杂石墨烯，一段为p型掺杂石墨烯，分别设于所述源极、漏极下方，连接于绝缘层上，形成PN结。
作为优选的技术方案，在所述半导体衬底和绝缘层之间设置有埋沟层，所述埋沟层为n型掺杂，所述半导体衬底为p型掺杂。
作为优选的技术方案，所述半导体衬底为窄禁带宽度半导体、宽禁带宽度半导体或SOI基片的顶层硅中的一种。
作为优选的技术方案，所述绝缘层为高介电常数介质或紫外光吸收系数低的材料中的一种。
作为优选的技术方案，所述阵列中的所有像素共用一个栅极，所述栅极和每个像素的源极之间分别设置一个栅压，每个像素的源极和漏极之间设置一个偏置电压。
作为优选的技术方案，所述阵列的中间设置一列或多列中间像素，所述中间像素上设置的栅压为恒定电压，所述中间像素左侧的像素上设置的栅压为左侧脉冲电压，右侧的像素设置的栅压为右侧脉冲电压，所述右侧脉冲电压大于左侧脉冲电压。
作为优选的技术方案，光线由下方射入所述电荷耦合器件。
本申请中二维材料薄膜的工作原理为：二维材料薄膜与绝缘层、半导体衬底形成MIS结构，随着栅电压逐渐增大，硅基底将从电子积累进入耗尽状态。若栅压足够大，半导体-绝缘层界面将形成空穴反型层。但是若栅压为脉冲信号，由于少数载流子的产生需要一定的寿命时间，则也不会立即出现反型层，而仍然保持为耗尽的状态(这时的耗尽厚度比最大耗尽层厚度还要大)；这种多数载流子完全被耗尽了的，应该出现、而又一时不出现反型层的半导体表面状态，称为深耗尽状态。进入深耗尽状态，耗尽区宽度增大。当入射光照射到器件区域，硅耗尽区吸收入射光并产生电子-空穴对，其量子效率接近100％；若半导体衬底为n型，在高速栅电场作用下电子流被二维材料薄膜收集，导致二维材料薄膜的费米能级上升。由于二维材料薄膜的特殊能带结构，二维材料薄膜的电导会相应成比例的变化。这样给二维材料薄膜施加固定的偏压后，通过二维材料薄膜的电流能够同步反映出势阱内存储的电荷量，且无需多次转移读取。
电荷耦合器件阵列有广泛的应用，如成像和监控等。本申请基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件可以使用标准半导体工艺制作光电探测器阵列。通过引线接合法，用金线或金属互连线把电荷耦合器件阵列中的每个元件的顶电极与传统的信号处理电路的电极连接起来，使用传统的信号处理电路可以获得光电探测器阵列的所有CCD像素的数据。
本发明的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件具有以下有益效果：
1.入射光照射到本申请电荷耦合器件表面，被二维材料薄膜和半导体衬底吸收。脉冲偏压加到器件背栅电极，半导体衬底进入深耗尽状态，在耗尽层产生的光生载流子(空穴电子对)在器件内部电场作用下分离，电子被二维材料薄膜收集，从而形成较大的光电流信号，具有较大的线性动态范围；
2.二维材料薄膜作为透明电极，增强入射光吸收，相比传统的多晶硅电极，极大的提高了传统电荷耦合器件在紫外和红外波段的量子效率，拓宽了图像传感器的响应光谱；
3.由于二维材料的特殊性质，其通过电容耦合可有效收集载流子，产生的光电流信号可以直接从单个像素输出，实现本地随机读取，无需采用像素间水平转移电荷方式，从根本上改变电荷耦合器件的信号读出方式，提高系统整体响应速度、线性动态范围和可靠性；
4.不同二维材料之间形成异质结，可以有效降低暗电流，相应的也可以降低器件功耗；
5.通过势阱之间转移时产生的雪崩增益，能够减小噪声，提高信噪比；
6.采用SOI基片顶层硅作为衬底，简化制备工艺，提高制备精度；
7.将电极布置在二维材料薄膜层上，简化制备工艺，提高制备精度。
附图说明
图1为实施例1-6、10中的电荷耦合器件的结构示意图；
图2为电荷耦合器件工作在0～-30V，占空比为20％的1kHz脉冲栅压下，532nm、光能量为0～120mW/cm2激光的光学响应曲线及其在光能量在0～4mW/cm2的曲线图；
图3为在一个栅电压脉冲周期内，用不同强度的1550nm激光照射器件的光响应曲线图；
图4为实施例7中的电荷耦合器件的结构示意图；
图5为实施例8中的电荷耦合器件的结构示意图；
图6为实施例9中的电荷耦合器件的结构示意图；
图7为实施例10中的电荷耦合器件的像素阵列结构示意图；
图8为实施例10中的电荷转移的器件和信号读出示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、绝缘层3、石墨烯薄膜6、源极4与漏极5；石墨烯薄膜6覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于石墨烯薄膜6的上表面，石墨烯薄膜6同时具有光电响应和场效应。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，石墨烯薄膜6的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图1所示。
制备上述电荷耦合器件像素的方法，包括以下步骤：
(1)在半导体衬底2的上表面氧化生长绝缘层3，所用半导体衬底2的电阻率为1～10Ω·cm；绝缘层3的厚度为100nm～200nm，生长温度为900～1200℃；
(2)在绝缘层3表面光刻出顶电极和的图形，然后采用电子束蒸发技术，首先生长厚度约为5nm的铬黏附层源极4，然后生长60nm的金电极漏极5；
(3)在顶电极(源极4和漏极5)的上表面和二氧化硅绝缘层3的上表面覆盖石墨烯薄膜6；其中，石墨烯薄膜6的转移方法为：用化学气相淀积或物理气相淀积方法生成单层黑磷，并将其转移到硅氧化片上，将硅片仿在在60℃热板上，用以PDMS为基底的PC薄膜将石墨烯薄膜6揭起，转移到目标器件上，用80℃使PC融化，用三氯甲烷溶液洗去PC胶，再用同样的方法转移一层氮化硼薄膜作为保护层；
(5)在半导体衬底2背面制备与半导体衬底2欧姆接触的金属栅极1。
本实施例的电荷耦合器件使用半导体衬底2，栅电压工作在0～-30V，占空比为20％的1kHz脉冲栅压下，532nm、光能量为0～120mW/cm2激光的光学响应曲线及其在光能量在0～4mW/cm2的曲线图如图2所示。从图2可以看出，所制备的器件在0～4mW/cm2具有良好的线性度；且光电流较大，证实器件能够被应用于图像传感器阵列。
基于以上结构，利用硅-氧化硅的界面态在红外波段产生较大响应，提高电荷耦合器件的响应度。
所用半导体衬底2为n型轻掺杂硅，绝缘层3为二氧化硅，硅与二氧化硅之间的界面态会吸收红外光并产生电子空穴对，并转移至石墨烯内使石墨烯的电导产生变化，最终导致石墨烯上的输出电流变化。虽然界面态吸收红外光的量子效率极低，但由于CCD的电荷积分作用以及石墨烯自身的增益效果，依然可以得到较大的响应。如图3所示，在一个栅电压脉冲周期内，用不同强度的1550nm激光照射器件，可见其响应明显，响应度约为50mA/W，是商业上的红外探头的50倍。实测其响应波长范围为200～2000nm。
实施例2
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、绝缘层3、黑磷薄膜6、源极4与漏极5；黑磷薄膜6覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于黑磷薄膜6的上表面，黑磷薄膜6同时具有光电响应和场效应。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，黑磷薄膜6的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图1所示。
通过减小像素尺寸，同时减薄绝缘层厚度，进而减小器件的氧化层电容，减小器件整体的RC常数从而提高器件的工作速度。因此本实施例的像素尺寸减小为3μm×3μm左右。
由光的干涉原理可知，在绝缘层薄膜内，当其厚度满足d＝λ/(4n)时，其中λ为入射波长，n为材料的折射率，可以使光线的反射率达到最小，由此对于硅-二氧化硅这一体系，可以将二氧化硅绝缘层3的厚度缩小至50～70nm，以提高其在紫外波段的透光率，提升电荷耦合器件在紫外波段的性能。
通过减薄硅片衬底厚度至光的透射深度，并让光线从硅片衬底背面入射，减少金属电极对光线的阻挡，电荷从硅片衬底正面的石墨烯中读出。对比商业上的CCD，电荷耦合器件的量子效率提升至90％～95％。
实施例3
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、窄禁带半导体衬底2、绝缘层3、二硫化钼薄膜6、源极4与漏极5；二硫化钼薄膜6覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于二硫化钼薄膜6的上表面，二硫化钼薄膜6同时具有光电响应和场效应。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，窄禁带宽度半导体2采用锗Ge、锑化铟InSb、铟镓砷InGaAs或Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，其厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，二硫化钼薄膜6的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图1所示。
本实施例的电荷耦合器件结构，更换窄禁带宽度半导体在红外波段产生较大响应，提高电荷耦合器件的响应度。
由于深耗尽这一状态在多种半导体中都可以实现。因此将半导体衬底2采用窄禁带宽度半导体如锗Ge、锑化铟InSb、铟镓砷InGaAs、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体等，这些半导体可以直接吸收红外光子，能够产生较大的响应度和量子效率。但需要注意的是，半导体-绝缘层界面应该具有良好的界面特性，以防止热产生速度过快而淹没光响应信号。红外波段可以扩展至5μm以上。
实施例4
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、宽禁带半导体衬底2、绝缘层3、石墨烯薄膜6、源极4与漏极5；石墨烯薄膜6覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于石墨烯薄膜6的上表面，石墨烯薄膜6同时具有光电响应和场效应。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，宽禁带宽度半导体2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，石墨烯薄膜6的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图1所示。
基于以上结构，更换宽禁带宽度半导体在紫外波段产生较大响应，提高电荷耦合器件的响应度，使电荷耦合器件仅吸收紫外波段的光。
由于深耗尽这一状态在多种半导体中都可以实现。因此将半导体衬底2采用宽禁带宽度半导体如氮化镓GaN、碳化硅SiC等，这些半导体可以直接吸收紫外光子，能够产生较大的响应度和量子效率。但需要注意的是，半导体-绝缘层界面应该具有良好的界面特性，以防止热产生速度过快而淹没光响应信号，减小可见光的干扰。
实施例5
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、紫外光吸收系数低的材料制成的绝缘层3、二硫化钨薄膜6、源极4与漏极5；二硫化钨薄膜6覆盖在紫外光吸收系数低的材料制成的绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于二硫化钨薄膜6的上表面，二硫化钨薄膜6同时具有光电响应和场效应。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，紫外光吸收系数低的材料制成的绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，二硫化钨薄膜6的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图1所示。
由于石墨烯的透光性较好，因此提高紫外响应可以从设计减少紫外光的反射率，减少绝缘层对紫外光的吸收的角度考虑，提高电荷耦合器件的在紫外波段的响应度。基于二氧化硅对紫外光的吸收较大，选用对紫外光吸收系数底的绝缘层材料，如使用氮化硅或高介电常数材料等对紫外波段光吸收较少的绝缘层材料。
实施例6
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、高介电常数材料制成的绝缘层3、二硒化钨薄膜6、源极4与漏极5；二硒化钨薄膜6覆盖在高介电常数材料制成的绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于二硒化钨薄膜6的上表面，二硒化钨薄膜6同时具有光电响应和场效应。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，高介电常数材料制成的绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，二硒化钨薄膜6的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图1所示。
高介电常数介质制成的绝缘层具有增强电容耦合效应、减小栅压，降低功耗的作用。
实施例7
由图4所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、绝缘层3、石墨烯薄膜6、源极4与漏极5；石墨烯薄膜覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于石墨烯薄膜的上表面，石墨烯薄膜同时具有光电响应和场效应；石墨烯薄膜分为两段，一段为n型掺杂石墨烯61，一段为p型掺杂石墨烯62，分别设于在源极4和漏极5下方(不限定n型掺杂石墨烯61和p型掺杂石墨烯62分别覆盖在源极4和漏极5，或者漏极5和源极4下方)，连接于绝缘层3上，形成PN结。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，石墨烯薄膜的尺寸为100μm×100μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图4所示。
由于石墨烯的掺杂可以被人为的调控，可以用纯石墨烯构成的PN结来代替，PN结的暗电流很小，而且也能够对光产生响应，降低暗电流的同时提高光响应，降低电荷耦合器件的功耗。
实施例8
由图5所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、绝缘层3、二维材料薄膜、源极4与漏极5；二维材料薄膜覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于二维材料薄膜的上表面，二维材料薄膜同时具有光电响应和场效应；二维材料薄膜包括由石墨烯薄膜6和二硫化钼薄膜7构成，石墨烯薄膜6分两段分别设于源极4、漏极5下方，两段石墨烯薄膜6中间通过二硫化钼薄膜7连接，形成两个肖特基结，减小暗电流。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，石墨烯薄膜6的尺寸为60μm×60μm，二硫化钼薄膜7的尺寸为40μm×40μm，两者的交叠区域尺寸为40μm×10μm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图5所示。
实施例9
由图6所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、p型掺杂的半导体衬底2、绝缘层3、黑磷薄膜6、源极4与漏极5；黑磷薄膜6覆盖在绝缘层3的上表面；源极4和漏极5水平间隔布置于黑磷薄膜6的上表面；在p型掺杂的半导体衬底2和绝缘层3之间设置有n型掺杂的埋沟层7。
其中，制作栅极1的材料为镓铟合金，p型掺杂的半导体衬底2的厚度为300～500μm，电阻率为1～10Ω·cm，绝缘层3的厚度为10～100nm，源极4和漏极5所用材料为铬/金合金，黑磷薄膜6的尺寸为100μm×100μm；n型掺杂的埋沟层7的厚度为2μm，电阻率为1～10Ω·cm。
对本实施例的电荷耦合器件加脉冲栅压，使其可以进入深耗尽工作状态，实现光子吸收。源极4和漏极5直接施加固定偏压，实现势阱内电荷在石墨烯上的无损读出。其中栅电压的负极连接在器件的栅极1上，栅电压的正极连接在电荷耦合器件的源极4上，在源极4和漏极5之间加1V偏压，如图6所示。
表面沟道CCD由于表面态的存在会影响电荷的转移速度，且暗场情况下的热产生更高，而埋沟CCD表面有一层与半导体衬底掺杂类型相反的掺杂层，该薄层是完全耗尽的，积累的光生电荷离开表面，减少了表面热产生带来的暗噪声，提高了转移效率，优化电荷耦合器件的工作速率。
实施例10
由图1所示，本实施例的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极1、半导体衬底2、绝缘层3、石墨烯薄膜6、源极4与漏极5；石墨烯薄膜6覆盖在绝缘层3的上表面；源极4、漏极5水平间隔布置于石墨烯薄膜6的上表面，石墨烯薄膜6同时具有光电响应和场效应。
如图7所示，像素7组成10×10阵列，每个像素的尺寸为5μm×5μm，像素之间的间距为0.5μm，像素阵列中的所有像素7共用一个栅极1，栅极1和每个像素7的源极4之间分别设置一个栅压，栅压为脉冲电压，每个像素7的源极4和漏极5之间设置一个偏置电压。阵列的中间具有一列或多列中间像素8，中间像素8上设置的栅压为恒定电压，中间像素8左侧的像素7上设置的栅压为左侧脉冲电压，右侧的像素7设置的栅压为右侧脉冲电压，右侧脉冲电压大于左侧脉冲电压。
将图7中相邻的三个像素7放大，得到图8所示的器件和电路结构。通过调节三路栅压时钟的相位差，可以控制信号电荷包在硅体内的转移，从而减少无效读出带来的功率损耗。通过调节三路栅压时钟的相位差，控制信号电荷包在硅体内的转移，从而减少无效读出带来的功率损耗。
用该电荷耦合器件的结构使CCD的信号产生增益。中间像素的栅压Vgs2设置为恒压，一般为+3到5V。给第一个像素施加Vgs1的栅压脉冲，势阱能够存储一定的光生电荷。然后减小Vgs1，势阱中的电荷可以被转移到第二个势阱中，然后给Vgs3施加一个较大的栅压，如+30V到40V。这样当电荷从第二个势阱转移到第三个势阱时，会经过一个很强的边缘电场，从而产生雪崩倍增。由于增益系数是恒定的，在多次电荷转移倍增之后，可以获得100～1000倍的增益信号响应。适合用于弱光探测或者单光子探测等应用场景。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本说明书所涉及的半导体衬底或其他功能层的n型掺杂、p型掺杂，只是为了方便说明，作为特例来陈述。互换掺杂类型(n型改为p型、p型改为n型)，仅使得器件载流子类型(电子或空穴)发生互换，而不会影响器件的工作原理，因此不超出本说明书的范围。
Claims (7)
1.一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，其特征在于，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极；所述二维材料薄膜覆盖在所述绝缘层的上表面；所述源极、漏极水平间隔布置于所述二维材料薄膜的上表面，所述二维材料薄膜同时具有光电响应和场效应；所述二维材料薄膜为石墨烯薄膜、黑磷薄膜或过渡金属硫化物薄膜中的一种或两种；所述二维材料薄膜由石墨烯薄膜和过渡金属硫化物薄膜构成，所述石墨烯薄膜分两段分别设于所述源极、漏极下方，两段石墨烯薄膜中间通过过渡金属硫化物薄膜连接，形成两个肖特基结；所述二维材料薄膜为石墨烯薄膜，该石墨烯薄膜分为两段，一段为n型掺杂石墨烯，一段为p型掺杂石墨烯，分别设于所述源极、漏极下方，连接于绝缘层上，形成PN结。
2.根据权利要求1所述的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，其特征在于，在所述半导体衬底和绝缘层之间设置有埋沟层，所述埋沟层为n型掺杂，所述半导体衬底为p型掺杂。
3.根据权利要求1所述的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，其特征在于，所述半导体衬底为窄禁带宽度半导体、宽禁带宽度半导体或SOI基片的顶层硅中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，其特征在于，所述绝缘层为高介电常数介质或紫外光吸收系数低的材料中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，其特征在于，所述阵列中的所有像素共用一个栅极，所述栅极和每个像素的源极之间分别设置一个栅压，每个像素的源极和漏极之间设置一个偏置电压。
6.根据权利要求5所述的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，其特征在于，所述阵列的中间设置一列或多列中间像素，所述中间像素上设置的栅压为恒定电压，所述中间像素左侧的像素上设置的栅压为左侧脉冲电压，右侧的像素设置的栅压为右侧脉冲电压，所述右侧脉冲电压大于左侧脉冲电压。
7.根据权利要求1所述的一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，其特征在于，光线由下方射入所述电荷耦合器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810082765.2A CN108281454B (zh) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | 一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810082765.2A CN108281454B (zh) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | 一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108281454A CN108281454A (zh) | 2018-07-13 |
| CN108281454B true CN108281454B (zh) | 2021-01-19 |
Family
ID=62805548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810082765.2A Expired - Fee Related CN108281454B (zh) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | 一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108281454B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109460819B (zh) * | 2018-10-25 | 2022-04-29 | 清华大学 | 一种用于模拟生物体光突触的方法及器件 |
| CN109888050A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-06-14 | 上海电力学院 | 一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法 |
| CN111599830B (zh) * | 2020-05-08 | 2023-09-29 | 浙江大学 | 一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件 |
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| CN105304703A (zh) * | 2015-11-19 | 2016-02-03 | 浙江大学 | 基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管及其制备方法 |
| CN105742394A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-06 | 北京邮电大学 | 一种基于黑磷/石墨烯异质结构的紫外探测器及其制备方法 |
| CN106601857A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-04-26 | 浙江大学 | 基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法 |
| CN107634089A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105590985B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-11-10 | 南京大学 | 基于二维层材料p‑i‑n异质结光电子器件 |
| CN107154438A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 苏州升奥新能源有限公司 | 一种以氟化氮掺杂石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器 |
| CN106206710B (zh) * | 2016-07-15 | 2019-11-08 | 广东工业大学 | 一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件 |
| CN107342345B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-05-21 | 重庆大学 | 一种基于铁电栅介质和薄层二硫化钼沟道的光电晶体管 |
-
2018
- 2018-01-29 CN CN201810082765.2A patent/CN108281454B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN103531664A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-22 | 苏州大学 | 柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法 |
| CN105304703A (zh) * | 2015-11-19 | 2016-02-03 | 浙江大学 | 基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管及其制备方法 |
| CN105742394A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-06 | 北京邮电大学 | 一种基于黑磷/石墨烯异质结构的紫外探测器及其制备方法 |
| CN106601857A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-04-26 | 浙江大学 | 基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法 |
| CN107634089A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108281454A (zh) | 2018-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210119 Termination date: 20220129 |
|
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