CN108264353A - 一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 - Google Patents
一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108264353A CN108264353A CN201810073219.2A CN201810073219A CN108264353A CN 108264353 A CN108264353 A CN 108264353A CN 201810073219 A CN201810073219 A CN 201810073219A CN 108264353 A CN108264353 A CN 108264353A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic
- powder
- preparation
- ceramic matric
- rapid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y50/00—Data acquisition or data processing for additive manufacturing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/571—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,本发明涉及一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决3D打印陶瓷成型试件后处理后孔隙率大,脆性大的问题。本发明方法为:SiC粉末和粘结剂粉末混合、制得陶瓷坯体,绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,设定3D打印机的参数,然后进行高温脱脂处理,再进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成。本发明达到了致密和增韧的效果,孔隙率仅为8.5%,提高了陶瓷基复合材料的强度和韧性。本发明应用于SiC陶瓷基复合材料的制备领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种SiC陶瓷基复合材料的制备工艺,特别是涉及一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。
背景技术
SiC陶瓷材料不仅具有高强度、高硬度、抗氧化、耐磨损、耐化学腐蚀等优良性能,而且具有高温热稳定、热膨胀系数小、热导率高等优点,被认为是二十一世纪新能源、航空航天等领域高温部件最有希望的候选材料之一。然而其高强度、高硬度的特点给加工带来很大困难。传统陶瓷加工技术如注浆成形、干压成型、等静压成形、凝胶注模成型、粉末冶金等技术,一般都存在模具制造复杂,成本较高,开发周期长等问题,加工的产品也存在诸如收缩裂纹、强度低等缺点,难以制造形状复杂或者具有复杂内部结构的零件,这些缺点严重制约其作为结构材料的发展和应用,对此,探索无磨具方法成型高性能、复杂结构SiC陶瓷基复合材料尤为重要。
3D打印技术是依据三维建模、通过材料的逐层叠加堆积直接获得实体部件的技术,也被称之为“增材制造技术”。目前,比较常见的3D打印陶瓷方法有如下几种:薄材叠层制造(LOM)、熔融沉积造型(FDM)、光固化成型(SLA)、选择性激光熔化(SLM)、三维打印(3DP)、选择性激光烧结(SLS)等方法,这些3D打印技术在金属和高分子材料领域已得到较好的发展与应用,而在陶瓷材料领域应用较少。其中,选择性激光烧结技术加工的材料陶瓷相对广泛,成为最有潜力的快速成型技术。成型后的零件机械性能等不能满足实际应用需求,需进行后处理,但是经后处理的试件尚存在制品孔隙率大,约为40-50%,脆性大等问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决3D打印陶瓷成型试件后处理后孔隙率大,脆性大的问题,提供一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。
本发明一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法按以下步骤进行:
一、将SiC粉末与粘结剂粉末在V型混料机中混合,得到混合均匀的复合粉末,然后在恒温干燥箱中烘干,得到干燥后的复合粉末;将干燥后的复合粉末加入至3D打印机料箱中,铺平;
二、绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,然后将其转换为STL格式文件;
三、将STL格式文件导入3D打印软件,设置分层厚度、填充速度、轮廓速度、填充间距、填充功率、轮廓功率、加热温度;然后启动设备,制备胚体,再将胚体降至室温,取出进行清粉处理;
四、将清粉后的胚体放入高温烧结炉进行高温脱脂处理,然后进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成。
本发明的有益效果:
1、本发明通过3D打印技术实现陶瓷胚体的快速成型,大大缩短了的成型时间,并且可以成型内部复杂结构。
2、本发明通过高温脱脂在SiC成型胚体闭孔孔洞中引入SiCW,形成SiCW/SiC复合材料,起到增韧作用。
3、本发明首次将3D打印陶瓷技术与高温脱脂和浸渍裂解工艺相结合,降低了孔隙率,仅为8.5%,制备出高强度、高韧性、高致密的SiCW/SiC/SiC复合材料。
附图说明
图1是实施例1制备的SiCW/SiC/SiC复合材料断口放大1000倍的SEM形貌图;
图2是实施例1制备的SiCW/SiC/SiC复合材料断口放大1000倍的SEM形貌图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举的具体实施方式,还包括各具体实施方式之间的任意组合。
具体实施方式一:本实施方式一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法按以下步骤进行:
一、将SiC粉末与粘结剂粉末在V型混料机中混合,得到混合均匀的复合粉末,然后在恒温干燥箱中烘干,得到干燥后的复合粉末;将干燥后的复合粉末加入至3D打印机料箱中,铺平;
二、绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,然后将其转换为STL格式文件;
三、将STL格式文件导入3D打印软件,设置分层厚度、填充速度、轮廓速度、填充间距、填充功率、轮廓功率、加热温度;然后启动设备,制备胚体,再将胚体降至室温,取出进行清粉处理;
四、将清粉后的胚体放入高温烧结炉进行高温脱脂处理,然后进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成。
本实施方式的有益效果:
1、本实施方式通过3D打印技术实现陶瓷胚体的快速成型,大大缩短了的成型时间,并且可以成型内部复杂结构。
2、本实施方式通过高温脱脂在SiC成型胚体闭孔孔洞中引入SiCW,形成SiCW/SiC复合材料,起到增韧作用。
3、本实施方式首次将3D打印陶瓷技术与高温脱脂和浸渍裂解工艺相结合,降低了孔隙率,仅为8.5%,制备出高强度、高韧性、高致密的SiCW/SiC/SiC复合材料。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是:步骤一中SiC粉末和粘结剂粉末的粒径为4-6μm,其他与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二不同的是:步骤一中复合粉末中粘结剂粉末的质量百分含量为3-5%,其他与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是:步骤一中粘结剂粉末为环氧树脂粉末、聚苯乙烯粉末或酚醛树脂粉末,其他与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是:步骤一中混合的时间为8-24h,其他与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是:步骤一中烘干的温度为40℃,其他与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是:步骤三中3D打印机为选择性激光烧结快速成型系统HK S500,其他与具体实施方式一至六之一相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是:步骤三所述的分层厚度为0.1mm、填充速度为1500-4000mm/s、轮廓速度为1500-4000mm/s、填充间距为0.1-0.2mm,填充功率为14-18W,轮廓功率为12-18W、加热温度为40-60℃,其他与具体实施方式一至七之一相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是:步骤四高温脱脂的温度为1200-1400℃,其他与具体实施方式一至八之一相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是:步骤四中浸渍裂解温度为1000-1300℃,保温时间为0.5-2h,浸渍液为聚碳硅烷溶液,其他与具体实施方式一至九之一相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果:
实施例一:一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法按以下步骤进行:
一、将SiC粉末与环氧树脂粉末在V型混料机中混合12h,得到混合均匀的复合粉末,复合粉末中环氧树脂粉末的质量百分含量为4%,然后在恒温干燥箱中烘干7h,得到干燥后的复合粉末;将干燥后的复合粉末加入至3D打印机料箱中,铺平;
二、绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,然后将其转换为STL格式文件;
三、将STL格式文件导入3D打印软件,设置分层厚度为0.1mm、填充速度为 1500-4000mm/s、轮廓速度为1500-4000mm/s、填充间距为0.1-0.2mm,填充功率为14-18W,轮廓功率为12-18W、加热温度为40-60℃;然后启动设备,制备胚体,再将胚体降至室温,取出进行清粉处理;
四、将清粉后的胚体放入高温烧结炉进行高温脱脂处理,高温脱脂的温度为1300℃然后进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成;其中浸渍裂解温度为1200℃,保温时间为1h,浸渍液为聚碳硅烷溶液。
步骤三中3D打印机为选择性激光烧结快速成型系统HK S500。
本实例制备的陶瓷基复合材料的试件经过三点弯曲测试后断口SEM图如图1和2所示,由图可知,孔洞中有SiCW生成,表明试件经过高温脱脂与反复浸渍裂解处理后,生成SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料,同时达到了致密和增韧的效果,孔隙率仅为8.5%,提高了材料的强度和韧性。
Claims (10)
1.一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:
一、将SiC粉末与粘结剂粉末在V型混料机中混合,得到混合均匀的复合粉末,然后在恒温干燥箱中烘干,得到干燥后的复合粉末;将干燥后的复合粉末加入至3D打印机料箱中,铺平;
二、绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,然后将其转换为STL格式文件;
三、将STL格式文件导入3D打印机,设置分层厚度、填充速度、轮廓速度、填充间距、填充功率、轮廓功率、加热温度;然后启动设备,制备胚体,再将胚体降至室温,取出进行清粉处理;
四、将清粉后的胚体放入高温烧结炉进行高温脱脂处理,然后进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成。
2.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤一中SiC粉末和粘结剂粉末的粒径为4-6μm。
3.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤一中复合粉末中粘结剂粉末的质量百分含量为3-5%。
4.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤一中粘结剂粉末为环氧树脂粉末、聚苯乙烯粉末或酚醛树脂粉末。
5.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤一中混合的时间为8-24h。
6.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤一中烘干的温度为40℃。
7.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤三中3D打印机为选择性激光烧结快速成型系统HK S500。
8.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤三所述的分层厚度为0.1mm、填充速度为1500-4000mm/s、轮廓速度为1500-4000mm/s、填充间距为0.1-0.2mm,填充功率为14-18W,轮廓功率为12-18W、加热温度为40-60℃。
9.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤四高温脱脂的温度为1200-1400℃。
10.根据权利要求1所述的一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤四中浸渍裂解温度为1000-1300℃,保温时间为0.5-2h,浸渍液为聚碳硅烷溶液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810073219.2A CN108264353A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810073219.2A CN108264353A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108264353A true CN108264353A (zh) | 2018-07-10 |
Family
ID=62776725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810073219.2A Pending CN108264353A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108264353A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109435006A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-08 | 南京中船绿洲机器有限公司 | 一种基于sla工艺的陶瓷3d打印成型装置及方法 |
CN109721376A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-07 | 西北工业大学 | 一种SiCw定向高强韧化厚壁陶瓷基复合材料的制备方法 |
CN109851362A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-06-07 | 哈尔滨理工大学 | 一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法 |
CN110330348A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-10-15 | 中南大学 | 一种直写成型的SiCw/SiC复合材料及其制备方法 |
CN112851354A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-05-28 | 汕头大学 | 一种多孔结构陶瓷及其制备方法 |
CN114671696A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-06-28 | 西北工业大学 | 基于粉末3d打印和rmi工艺制备航空发动机涡轮转子的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060151912A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Dieter Bauer | Carbon/ceramic matrix composites and method of making same |
CN104072141A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 北京市理化分析测试中心 | 一种碳化硅蜂窝陶瓷的制备方法 |
CN104658917A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-05-27 | 中南大学 | 一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法 |
CN106495699A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-03-15 | 哈尔滨理工大学 | 一种SLS技术与PIP技术相结合制备高强度耐高温SiC陶瓷导弹头外壳的方法 |
CN107253861A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-10-17 | 哈尔滨理工大学 | 一种SLS/CVI制备高强度耐高温SiC陶瓷轮机叶轮的方法 |
CN107602130A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-19 | 哈尔滨理工大学 | 基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法 |
-
2018
- 2018-01-25 CN CN201810073219.2A patent/CN108264353A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060151912A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Dieter Bauer | Carbon/ceramic matrix composites and method of making same |
CN104072141A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 北京市理化分析测试中心 | 一种碳化硅蜂窝陶瓷的制备方法 |
CN104658917A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-05-27 | 中南大学 | 一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法 |
CN106495699A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-03-15 | 哈尔滨理工大学 | 一种SLS技术与PIP技术相结合制备高强度耐高温SiC陶瓷导弹头外壳的方法 |
CN107253861A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-10-17 | 哈尔滨理工大学 | 一种SLS/CVI制备高强度耐高温SiC陶瓷轮机叶轮的方法 |
CN107602130A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-19 | 哈尔滨理工大学 | 基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109435006A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-08 | 南京中船绿洲机器有限公司 | 一种基于sla工艺的陶瓷3d打印成型装置及方法 |
CN109851362A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-06-07 | 哈尔滨理工大学 | 一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法 |
CN109851362B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-09-17 | 哈尔滨理工大学 | 一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法 |
CN109721376A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-07 | 西北工业大学 | 一种SiCw定向高强韧化厚壁陶瓷基复合材料的制备方法 |
CN110330348A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-10-15 | 中南大学 | 一种直写成型的SiCw/SiC复合材料及其制备方法 |
CN112851354A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-05-28 | 汕头大学 | 一种多孔结构陶瓷及其制备方法 |
CN114671696A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-06-28 | 西北工业大学 | 基于粉末3d打印和rmi工艺制备航空发动机涡轮转子的方法 |
CN114671696B (zh) * | 2022-03-07 | 2023-04-07 | 西北工业大学 | 基于粉末3d打印和rmi工艺制备航空发动机涡轮转子的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108264353A (zh) | 一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法 | |
CN104526838B (zh) | 陶瓷3d打印成型的方法 | |
CN104907492B (zh) | 一种面向双层壁空心涡轮叶片的制造方法 | |
CN107098714B (zh) | 一种基于3dp增材制造技术的碳化硅基陶瓷零件制造方法 | |
CN106495699A (zh) | 一种SLS技术与PIP技术相结合制备高强度耐高温SiC陶瓷导弹头外壳的方法 | |
CN101643360B (zh) | 一种注射成型制造齿状异形陶瓷部件的方法 | |
CN106187195B (zh) | 采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法 | |
CN106278335B (zh) | 一种纤维定向增韧陶瓷基复合材料涡轮叶片的制造方法 | |
CN107602130A (zh) | 基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法 | |
CN104628393B (zh) | 一种高性能陶瓷的制备方法 | |
CN107353008B (zh) | 一种层状金属-陶瓷复合材料零件的制备方法 | |
CN110655405B (zh) | 一种陶瓷基复合材料结构的制备方法 | |
CN105599106B (zh) | 一种陶瓷型芯坯体的微喷射粘结成形方法 | |
CN108069706A (zh) | 一种基于3d打印技术的纤维增强陶瓷薄壁件的成型方法 | |
CN108083812A (zh) | 一种复杂结构陶瓷基零件的增材制作方法 | |
CN106696252B (zh) | 一种高分子材料三维制品的制造方法 | |
CN111747775B (zh) | 一种基于光固化3d打印的梯度功能陶瓷材料及其增材制造方法 | |
CN104692803A (zh) | 耐磨复合材料预制体的制备方法 | |
CN110143819A (zh) | 一种复杂陶瓷结构件的间接自由成型方法 | |
CN107216153A (zh) | 一种陶瓷材料的3d打印方法 | |
KR20170079937A (ko) | 3d 프린팅 금형을 활용한 로스트왁스 주조방법 | |
CN104658917B (zh) | 一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法 | |
Li et al. | Fabrication of Al2O3‐SiO2 ceramics through combined selective laser sintering and SiO2‐sol infiltration | |
CN107117982A (zh) | 一种空间原位碳化材料增强陶瓷的材料模型及其制备方法 | |
CN104496479A (zh) | 一种碳化硅陶瓷制品及其无模成型方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180710 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |