CN108257894A - 晶圆干燥装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆干燥装置,晶圆干燥装置包括底座、储液池、晶圆驱动模组、晶圆干燥模组及调整模组。储液池设在底座上,储液池内适于装载去离子水。晶圆驱动模组设在底座上,晶圆驱动模组用于驱动晶圆升降。晶圆干燥模组用于朝向脱离液面的晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质,诱发沿弯面向下的Marangoni流动,促使晶圆表面吸附水膜的剥离,从而实现晶圆干燥。调整模组用于调整晶圆干燥模组朝向晶圆喷射低表面张力物质的喷射参数。根据本发明实施例的晶圆干燥装置,能够方便地调整晶圆干燥的相关参数,有利于分析各喷射工艺参数对干燥效果的影响机制,加深对晶圆干燥机理的认识。
Description
技术领域
本发明涉及半导体行业晶圆制造设备领域,尤其涉及一种用于晶圆干燥且便于干燥参数调试和过程观测的晶圆干燥装置。
背景技术
晶圆制造过程中,由于晶圆表面吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷,因而需要晶圆清洗工艺去除这些缺陷,且晶圆清洗技术已经成为使用频次最高的工艺。随着集成电路(IC)制造技术的发展,对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。晶圆干燥作为晶圆清洗的最后一道工艺,采用一定的方式将清洗后残留在表面上的去离子水剥离。而如果采用直接蒸发的方式,晶圆表面将产生水痕缺陷,即形成新的污染,所以恰当的晶圆干燥技术对保证晶圆表面清洁性具有关键作用。目前最先进的晶圆干燥技术是Marangoni干燥,该干燥技术在将晶圆从去离子水中提拉过程中,在气液界面弯月面处喷射低表面张力物质诱导产生Marangoni效应,实现晶圆表面卷吸水膜的完整剥离和干燥。由于晶圆表面物化特性复杂,例如晶圆表面通常存在微结构且为异质表面,故而晶圆的干燥工艺调试过程复杂,耗时且成本高昂。且晶圆干燥技术涉及表界面效应、气液传质等问题,通常较难直接观测干燥过程,目前对干燥机理认识非常有限。因而开发一种晶圆干燥参数可调的晶圆干燥装置,对于晶圆干燥及工艺优化具有重要工程意义。
对于晶圆干燥效果评估及工艺参数研究,目前用于晶圆干燥工艺参数调试和机理研究的方法有两种:一是进行计算机模拟,建立晶圆干燥理论模型,通过计算机仿真,获得晶圆干燥工艺参数并揭示晶圆干燥机理。虽然计算机模拟能够获得一定的晶圆干燥工艺参数,但是由于干燥模型被简化以及对晶圆表面特性被忽略,晶圆干燥工艺参数存在误差,对晶圆干燥过程的认识也存在偏差。二是晶圆干燥的整机实验,整机实验不便于工艺参数的调整,实验过程耗时且成本高昂,并且由于工业机台结构固定,不便于开展晶圆干燥机理的实验研究。由于目前对于晶圆干燥工艺参数调试和晶圆干燥过程研究不足,故而本发明涉及的晶圆干燥装置对于促进晶圆干燥技术应用具有重要的工程意义。
综上所述,晶圆干燥关键工艺参数的可调性较差,难以便捷地调试关键工艺参数,开展工艺实验研究较困难,耗时且成本高昂。现有公开的数据通常是针对特定的晶圆给出工艺参数取值范围,忽略了不同晶圆干燥工艺参数的差异性。所以设计一种晶圆干燥装置,能够便捷地调整干燥工艺参数并观察干燥过程,对于促进晶圆干燥技术的应用与优化具有重要的意义。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种晶圆干燥装置,所述晶圆干燥装置能够便捷地调整干燥工艺参数。
根据本发明实施例的晶圆干燥装置,包括:底座;储液池,所述储液池设在所述底座上,所述储液池内适于装载去离子水;晶圆驱动模组,所述晶圆驱动模组设在所述底座上,所述晶圆驱动模组用于驱动晶圆升降,以使所述晶圆在下降时可浸没在所述储液池内液面下方,使所述晶圆在上升时可脱离液面;晶圆干燥模组,所述晶圆干燥模组用于朝向脱离液面的所述晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质;调整模组,所述调整模组用于调整所述晶圆干燥模组朝向所述晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射所述低表面张力物质的喷射参数。
根据本发明实施例的晶圆干燥装置,由于设有调整晶圆干燥模组朝向晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质的喷射参数的调整模组,能够方便地调整晶圆干燥的相关参数,有利于分析各喷射工艺参数对干燥效果的影响机制,加深对晶圆干燥机理的认识。
在一些实施例中,所述晶圆驱动模组包括:固定柱,所述固定柱设在所述底座上;夹具底板,所述夹具底板沿竖直方向可升降地设在所述固定柱上;晶圆卡爪,所述晶圆卡爪设在所述夹具底板上以卡住所述晶圆。
具体地,所述晶圆卡爪包括:两个固定卡爪,所述两个固定卡爪设在所述夹具底板上;活动卡爪,所述活动卡爪沿竖直方向可移动地设在所述夹具底板上;其中;所述两个固定卡爪和所述活动卡爪呈120°均布,所述活动卡爪位于过所述两个固定卡爪的竖直线之间所限定的区域内。
在一些实施例中,所述晶圆干燥模组包括:喷管,所述喷管具有朝向所述晶圆喷射低表面张力物质的喷出口。
在一些实施例中,所述喷管的表面设有移动螺纹,所述调整模组包括:第一调整螺母,所述第一调整螺母设在所述储液池上,所述第一调整螺母外套在所述喷管上,所述第一调整螺母与所述移动螺纹相配合。
具体地,所述调整模组还包括:手轮,所述手轮设在所述喷管的端部以在转动时驱动所述喷管转动;限位块,所述限位块设在所述储液池上,所述限位块位于所述第一调整螺母和所述手轮之间以限定所述喷管的运动距离。
在一些实施例中,所述调整模组还包括:第二调整螺母,所述第二调整螺母设在所述底座上;调整螺杆,所述调整螺杆一端与所述第二调整螺母相配合,所述调整螺杆的另一端连接在所述储液池上;其中:所述调整螺杆相对所述第二调整螺母旋转时,所述储液池可相对所述底座水平移动。
在一些实施例中,所述储液池还包括:用于测量液面高度的刻度尺,所述刻度尺设在所述储液池的侧壁上。
在一些实施例中,所述储液器的底部设有进出液口。
在一些实施例中,所述的晶圆干燥装置,还包括,脚轮,所述脚轮设在所述底座的底部。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本发明实施例的晶圆干燥装置的整体结构示意图。
图2是本发明实施例的晶圆干燥装置的另一方向的整体结构示意图。
图3是本发明实施例的晶圆干燥影响因数示意图。
图4是本发明实施例的晶圆干燥装置的运行过程示意图。
附图标记:
晶圆干燥装置100、
底座10、
储液池20、刻度尺210
晶圆驱动模组30、
固定柱310、
夹具底板320、
晶圆卡爪330、固定卡爪331、活动卡爪332、
电机340、
减震块350、滑动块360、
晶圆干燥模组40、
喷管410、喷出口411
调整模组50、
第一调整螺母510、手轮520、限位块530、第二调整螺母540、调整螺杆550脚轮60、晶圆70。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面参考图1-图4描述根据本发明实施例的晶圆干燥装置100的具体结构。
如图1-图2所示,根据本发明实施例的晶圆干燥装置100包括底座10、储液池20、晶圆驱动模组30、晶圆干燥模组40及调整模组50,储液池20设在底座10上,储液池20内适于装载去离子水。晶圆驱动模组30设在底座10上,晶圆驱动模组30用于驱动晶圆70升降,以使晶圆70在下降时可浸没在储液池20内液面下方,使晶圆70在上升时可脱离液面。晶圆干燥模组40用于朝向脱离液面的晶圆70与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质。调整模组50用于调整晶圆干燥模组40朝向晶圆70与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质的喷射参数。
可以理解的是,在使用过程中,将晶圆70装载在晶圆驱动模组30上,在晶圆驱动模组30的驱动下晶圆70浸没在去离子水中,之后在晶圆驱动模组30驱动晶圆70上升,待晶圆70的一部分脱离液面时,晶圆干燥模组40朝向脱离去离子水的晶圆70部分与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质使其干燥,当晶圆70完全提拉出液面且干燥完成后,将晶圆70从晶圆驱动模组30中卸载下来。通过观测水痕等指标,评估晶圆70干燥效果,如果干燥效果不佳,则可利用调整模组50,调整喷射参数,直至干燥效果达标,实验结束。通过进一步实验,可以分析各喷射工艺参数对干燥效果的影响机制,加深对晶圆70干燥机理的认识。
根据本发明实施例的晶圆干燥装置100,由于设有调整晶圆干燥模组40朝向晶圆70与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质的喷射参数的调整模组50,能够方便地调整晶圆70干燥的相关参数,有利于分析各喷射工艺参数对干燥效果的影响机制,加深对晶圆70干燥机理的认识。
在一些实施例中,储液池20的各个壁面采用透光性好的有机玻璃材质制成,由此便于实验员观察晶圆70干燥过程。
在一些实施例中,如图1所示,晶圆驱动模组30包括固定柱310、夹具底板320和晶圆卡爪330。固定柱310设在底座10上,夹具底板320沿竖直方向可升降地设在固定柱310上,晶圆卡爪330设在夹具底板320上以卡住晶圆70。可以理解的是,晶圆卡爪330可以将晶圆70较为牢固地卡在夹具底板320上,保证了在夹具底板320升降的过程中晶圆70不会掉落。
可选地,如图1所示,固定柱310与夹具底板320之间还设有减震块350,保证了晶圆70能够平稳地上下运动。
可选地,如图2所示,晶圆卡爪330包括两个固定卡爪331及活动卡爪332。两个固定卡爪331设在夹具底板320上,活动卡爪332沿竖直方向可移动地设在夹具底板320上。两个固定卡爪331和活动卡爪332呈三角形排布,相邻的两个卡爪之间的夹角为120°。活动卡爪332位于过两个固定卡爪331的竖直线之间所限定的区域内。可以理解的是,三个卡爪成三角形排布有利于将晶圆70较为牢固地装卡在晶圆70底板上。晶圆卡爪330包括一个活动卡爪332可以方便装卡大小不同的晶圆70,提高了晶圆干燥装置100的适用范围。有利地,活动卡爪332位于固定卡爪331的上方。
可选地,活动卡爪332使用复位弹簧实现调节和复位。由此用户可以较为方便地调整活动卡爪332。
在一些实施例中,如图1所示,晶圆驱动模组30还包括驱动夹具底板320升降的电机340。需要说明的是,晶圆70的提拉速度是影响晶圆70干燥的重要参数之一。实验员可以通过调节电机340的转速来调节晶圆70的提拉速度,从而有利于分析晶圆70提拉速度对晶圆70干燥效果的影响。
在一些实施例中,如图1-图3所示,晶圆干燥模组40包括喷管410,喷管410具有朝向晶圆70喷射低表面张力物质的喷出口411。喷管410的表面设有移动螺纹,调整模组50包括第一调整螺母510,第一调整螺母510设在储液池20上,第一调整螺母510外套在喷管410上,第一调整螺母510与移动螺纹相配合。
可理解的是,如图2所示,喷管410的一部分伸入到储液池20中,喷出口411设在喷管410的周壁上,当用户转动喷管410时,可以调整喷出口411的喷射角度,并且由与储液池20上设有与喷管410配合的第一调整螺母510,因此,喷管410在旋转的过程中还会相对第一调整螺母510移动,也就是说,在喷管410转动过程中,既调整了喷出口411的喷射角度,又调整了喷管410伸入储液池20的距离。这样有利于实验员分析喷射角度对晶圆70干燥效果的影响。
具体地,如图2所示,调整模组50还包括手轮520和限位块530,手轮520设在喷管410的端部以在转动时驱动喷管410转动,限位块530设在储液池20上,限位块530位于第一调整螺母510和手轮520之间以限定喷管410的运动距离。可以理解的是,采用手轮520驱动喷管410转动,可以使得用户较为方便的进行喷射角度的调节。限位块530位于第一调整螺母510和手轮520之间以限定喷管410的运动距离,这样不仅可以防止用户过度转动手轮520使得喷管410撞击储液池20的内壁,还可以防止喷管410过度移动使得喷出口411与晶圆70错开,导致经喷出口411喷出的低表面张力物质不能喷射晶圆70上。
更具体地,手轮520上设有带刻度的转盘,由此可以精准的控制喷管410转动的角度,实现对喷射角度的精准控制。
在一些实施例中,如图1所示,调整模组50还包括第二调整螺母540和调整螺杆550,第二调整螺母540设在底座10上,调整螺杆550一端与第二调整螺母540相配合,调整螺杆550的另一端连接在储液池20上,调整螺杆550相对第二调整螺母540旋转时,储液池20可相对底座10水平移动。可以理解的是,如图1-图2所示,由于晶圆70在晶圆驱动模组30的驱动下只能沿上下方向移动,而转动喷管410只能调节喷出口411的喷射角度及保证喷出口411正对晶圆70设置。前文所述的机构均不能实现喷出口411与晶圆70之间的距离调整。而在底座10上设置第二调整螺母540及连接在储液池20上的调整螺杆550可以实现储液池20相对底座10的水平移动,由于喷管410设在储液池20上,当储液池20相对底座10移动时,喷管410也跟随储液池20移动,从而实现了调整喷管410与晶圆70之间距离的功能。综上所述,设置能够调整储液池20位置的第二调整螺母540和调整螺杆550有利于实验员分析喷射距离对晶圆70干燥效果的影响。
需要额外说明的是,如图1-图2所示,晶圆70的运动方向、喷管410相对储液池20的移动方向及储液池20相对底座10的移动方向两两垂直,这样保证了上述三个运动不会发生干涉,并且有利于实验员分析,晶圆70提拉速度,低表面张力物质的喷射角度及喷射距离对晶圆70干燥结果的影响。
在一些实施例中,如图1所示,储液池20还包括用于测量液面高度的刻度尺210,刻度尺210设在储液池20的侧壁上。需要说明的是,由于在晶圆驱动模组30驱动晶圆70上升,待晶圆70的一部分脱离液面时,晶圆干燥模组40即朝向脱离液面的晶圆70部分喷射低表面张力物质使其干燥。因此储液池20液面距离喷出口411的距离也会对晶圆70干燥结果有所影响,在储液池20中设置刻度尺210,实验员可以对储液池20的液面高度进行精准控制,实现了对储液池20液面距离喷出口411的距离的调整,从而方便了实验员分析储液池20液面距离喷出口411的距离对晶圆70干燥结果的影响。
在一些实施例中,储液器的底部设有进出液口。由此,可以通过进出液口输入或输出去离子水实现对储液池20液面高度的控制。
在一些实施例中,如图1-图2所示,晶圆干燥装置100还包括脚轮60,脚轮60设在底座10的底部。由此方便用户进行晶圆干燥装置100的移动。
在一些实施例中,晶圆干燥装置100还包括挡风罩(图未示出),挡风罩位于储液池20上方,且挡风罩为四面封闭结构,挡风罩和储液池20通过铰链连接。在晶圆70干燥过程中,将挡风罩旋转至储液池20上方,避免外界的污染物进入到干燥后晶圆70表面,造成二次污染。
下面参考图1-图4描述本发明一个具体实施例的晶圆干燥装置100。
如图1-图2所示,本实施例的晶圆干燥装置100包括底座10、储液池20、晶圆驱动模组30、晶圆干燥模组40及调整模组50,储液池20设在底座10上,储液池20内适于装载去离子水。晶圆驱动模组30设在底座10上,晶圆驱动模组30用于驱动晶圆70升降,以使晶圆70在下降时可浸没在储液池20内液面下方,使晶圆70在上升时可脱离液面。晶圆干燥模组40用于朝向脱离液面的晶圆70喷射低表面张力物质。调整模组50用于调整晶圆干燥模组40朝向晶圆70喷射低表面张力物质的喷射参数。
晶圆驱动模组30包括电机340、固定柱310、滑动块360、夹具底板320、晶圆卡爪330和减震块350。固定柱310设在底座10上,滑动块360在电机340的驱动下沿竖直方向可升降地设在固定柱310上,滑动块360上设有减震块350,夹具底板320连接在减震块350上,晶圆卡爪330设在夹具底板320上以卡住晶圆70。晶圆卡爪330包括两个固定卡爪331及活动卡爪332。两个固定卡爪331设在夹具底板320上;活动卡爪332,活动卡爪332沿竖直方向可移动地设在夹具底板320上。两个固定卡爪331和活动卡爪332呈三角形排布,活动卡爪332位于过两个固定卡爪331的竖直线之间所限定的区域内。
晶圆干燥模组40包括喷管410,喷管410具有朝向晶圆70喷射低表面张力物质的喷出口411。调整模组50包括第一调整螺母510、手轮520、限位块530、第二调整螺母540及调整螺杆550。喷管410的表面设有移动螺纹,第一调整螺母510设在储液池20上,第一调整螺母510外套在喷管410上,第一调整螺母510与移动螺纹相配合。手轮520设在喷管410的端部以在转动时驱动喷管410转动,限位块530设在储液池20上,限位块530位于第一调整螺母510和手轮520之间以限定喷管410的运动距离。
调整模组50还包括第二调整螺母540和调整螺杆550,第二调整螺母540设在底座10上,调整螺杆550一端与第二调整螺母540相配合,调整螺杆550的另一端连接在储液池20上,调整螺杆550相对第二调整螺母540旋转时,储液池20可相对底座10水平移动。
本实施例的晶圆干燥装置100采用的干燥方法为Marangoni干燥,即通过向三相接触线附近喷射低表面张力物质诱导产生Marangoni效应实现卷吸液膜的剥离。因而低表面张力物质喷射方向和位置对晶圆70干燥效果起到至关重要的作用。此外,晶圆70提拉速度也是干燥的重要关键参数。所以,本装置主要实现以上关键参数的动态定量调整。如图2所示,晶圆70从去离子水中以一定速度向上提拉,此时去离子水液面、晶圆70表面以及空气三相接触线在毛细作用下形成弯月面。也就是说在本实施例中,晶圆70的提拉速度v、喷管410到去离子水液面高度Hy,喷管410距离晶圆70表面Hx,喷出口411与水平方向的夹角为φ为影响晶圆70干燥的主要参数。而在本实施例中,晶圆70的提拉速度v可以由电机340的转动速度调整,喷管410到去离子水液面高度Hy可以通过调整储液池20里的去离子的液面高度实现调节。喷管410距离晶圆70表面Hx可以通过转动调整螺杆550带动储液池20左右移动距离实现调节,喷出口411与水平方向的夹角为φ可以通过转动手轮520实现调节。
综上所述,本实施例提供的晶圆干燥装置100能够实现喷射角度、喷射距离和晶圆70提拉速度等关键工艺参数的定量调节,为晶圆70干燥工艺实验研究和干燥机理分析提供了基础。
如图4所示,本实施例的晶圆70干燥过程为:
启动装置,如果装置存在故障,则报警,否则表示装置正常,装置复位。
随后,打开晶圆卡爪330的活动卡爪332,将晶圆70放在固定卡爪331上,并夹紧活动卡爪332,完成晶圆70的定位和夹紧。
随后,设置晶圆70提拉速度、喷管410至晶圆70表面水平方向距离Hx、喷管410至储液池20的液面距离Hy以及喷射角度φ。晶圆70提拉速度通过调节驱动电机340的转速实现。喷管410至晶圆70表面水平方向距离Hx通过旋转调整螺杆550驱动储液池20前后运动,间接调整水平方向距离。喷管410至储液池20的液面竖直方向距离Hy通过储液池20的液面高度实现。喷射角度通过旋转手轮520实现喷管410上喷出口411的喷射角度的调整。
完成参数设置后,则将开始提拉实验,与此同时,低表面张力物质(通常为IPA)通过喷杆喷射到三相接触线区域附近,实现Marangoni干燥。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种晶圆干燥装置,其特征在于,包括:
底座;
储液池,所述储液池设在所述底座上,所述储液池内适于装载去离子水;
晶圆驱动模组,所述晶圆驱动模组设在所述底座上,所述晶圆驱动模组用于驱动晶圆升降,以使所述晶圆在下降时可浸没在所述储液池内液面下方,使所述晶圆在上升时可脱离液面;
晶圆干燥模组,所述晶圆干燥模组用于朝向脱离液面的所述晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质;
调整模组,所述调整模组用于调整所述晶圆干燥模组朝向所述晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射所述低表面张力物质的喷射参数。
2.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述晶圆驱动模组包括:
固定柱,所述固定柱设在所述底座上;
夹具底板,所述夹具底板沿竖直方向可升降地设在所述固定柱上;
晶圆卡爪,所述晶圆卡爪设在所述夹具底板上以卡住所述晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述晶圆卡爪包括:
两个固定卡爪,所述两个固定卡爪设在所述夹具底板上;
活动卡爪,所述活动卡爪沿竖直方向可移动地设在所述夹具底板上;其中;
所述两个固定卡爪和所述活动卡爪呈120°均布,所述活动卡爪位于过所述两个固定卡爪的竖直线之间所限定的区域内。
4.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述晶圆干燥模组包括:喷管,所述喷管具有朝向所述晶圆与去离子水形成的弯月面处喷射低表面张力物质的喷出口。
5.根据权利要求4所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述喷管的表面设有移动螺纹,所述调整模组包括:第一调整螺母,所述第一调整螺母设在所述储液池上,所述第一调整螺母外套在所述喷管上,所述第一调整螺母与所述移动螺纹相配合。
6.根据权利要求5所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述调整模组还包括:
手轮,所述手轮设在所述喷管的端部以在转动时驱动所述喷管转动;
限位块,所述限位块设在所述储液池上,所述限位块位于所述第一调整螺母和所述手轮之间以限定所述喷管的运动距离。
7.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述调整模组还包括:
第二调整螺母,所述第二调整螺母设在所述底座上;
调整螺杆,所述调整螺杆一端与所述第二调整螺母相配合,所述调整螺杆的另一端连接在所述储液池上;其中:
所述调整螺杆相对所述第二调整螺母旋转时,所述储液池可相对所述底座水平移动。
8.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述储液池还包括:用于测量液面高度的刻度尺,所述刻度尺设在所述储液池的侧壁上。
9.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述储液器的底部设有进出液口。
10.根据权利要求1-9任一项所述的晶圆干燥装置,其特征在于,还包括,脚轮,所述脚轮设在所述底座的底部。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109887865A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台 |
CN110379734A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-10-25 | 清华大学 | 一种晶圆后处理系统和方法 |
CN111739829A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-02 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 晶圆干燥方法和系统 |
CN111983430A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-11-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法 |
CN113169098A (zh) * | 2018-12-03 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 用于马兰戈尼干燥的方法和设备 |
CN113945072A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-18 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种干燥系统及干燥方法 |
CN114001546A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-01 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 |
CN115083971A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-09-20 | 江苏中清光伏科技有限公司 | 一种光伏电池硅片清洗后干燥处理设备 |
CN116884879A (zh) * | 2023-07-18 | 2023-10-13 | 荣芯半导体(淮安)有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050223588A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Eric Hansen | Apparatus and method for drying substrates |
CN102484055A (zh) * | 2009-07-10 | 2012-05-30 | Apet株式会社 | 晶片干燥装置以及利用该装置的晶片干燥方法 |
CN102610489A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-07-25 | 冠礼控制科技(上海)有限公司 | 一种有机溶剂薄膜干燥装置 |
CN102768972A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-11-07 | 清华大学 | 晶圆干燥装置 |
-
2018
- 2018-01-12 CN CN201810030585.XA patent/CN108257894B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050223588A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Eric Hansen | Apparatus and method for drying substrates |
CN102484055A (zh) * | 2009-07-10 | 2012-05-30 | Apet株式会社 | 晶片干燥装置以及利用该装置的晶片干燥方法 |
CN102610489A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-07-25 | 冠礼控制科技(上海)有限公司 | 一种有机溶剂薄膜干燥装置 |
CN102768972A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-11-07 | 清华大学 | 晶圆干燥装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
张伟才 等: "晶片干燥技术综述", 《电子工业专用设备》 * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113169098A (zh) * | 2018-12-03 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 用于马兰戈尼干燥的方法和设备 |
CN109887865A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台 |
CN110379734B (zh) * | 2019-06-14 | 2024-07-02 | 清华大学 | 一种晶圆后处理系统和方法 |
CN110379734A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-10-25 | 清华大学 | 一种晶圆后处理系统和方法 |
CN111739829A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-02 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 晶圆干燥方法和系统 |
CN111739829B (zh) * | 2020-08-26 | 2020-11-17 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 晶圆干燥方法和系统 |
CN111983430A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-11-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法 |
CN113945072A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-18 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种干燥系统及干燥方法 |
CN113945072B (zh) * | 2021-10-18 | 2022-11-29 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种干燥系统及干燥方法 |
CN114001546A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-01 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 |
CN115083971A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-09-20 | 江苏中清光伏科技有限公司 | 一种光伏电池硅片清洗后干燥处理设备 |
CN115083971B (zh) * | 2022-08-22 | 2022-10-25 | 江苏中清光伏科技有限公司 | 一种光伏电池硅片清洗后干燥处理设备 |
CN116884879A (zh) * | 2023-07-18 | 2023-10-13 | 荣芯半导体(淮安)有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
CN116884879B (zh) * | 2023-07-18 | 2024-09-17 | 荣芯半导体(淮安)有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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