CN108257542A - 像素电路及显示装置 - Google Patents
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 101100426900 Caenorhabditis elegans trd-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150072399 LSC1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100367016 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) LSC2 gene Proteins 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0297—Special arrangements with multiplexing or demultiplexing of display data in the drivers for data electrodes, in a pre-processing circuitry delivering display data to said drivers or in the matrix panel, e.g. multiplexing plural data signals to one D/A converter or demultiplexing the D/A converter output to multiple columns
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
Abstract
一种像素电路包括:一或多个存储电容、一或多个第一开关、感光元件、第二开关、及第三开关。第一开关电性连接存储电容,用以根据栅极信号,提供数据电压至存储电容。感光元件根据感光过程产生感测电压。第二开关电性连接感光元件,用以根据感测电压,输出感测输出信号。第三开关电性连接感光元件,用以根据复位控制信号,提供复位电压至感光元件。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子电路。具体而言,本发明涉及一种像素电路。
背景技术
随着电子科技的快速进展,显示装置已被广泛地应用在人们的生活当中,诸如移动电话或电脑等。
在一些应用中,显示装置可具有感光功能,以进行诸如图像识别等操作。然而,在显示装置中像素阵列设置感光电路,将使显示装置的操作复杂化,并会降低显示装置的开口率,从而影响显示品质。
因此,如何设计具有感光功能的显示装置为本领域的重要研究方向。
发明内容
本发明一实施方式涉及一种像素电路。根据本发明一实施例,像素电路包括:一或多个存储电容、一或多个第一开关、感光元件、第二开关、及第三开关。第一开关电性连接存储电容,用以根据栅极信号,提供数据电压至存储电容。感光元件根据感光过程产生感测电压。第二开关电性连接感光元件,用以根据感测电压,输出感测输出信号。第三开关电性连接感光元件,用以根据复位控制信号,提供复位电压至感光元件。
本发明另一实施方式涉及一种像素电路。根据本发明一实施例,像素电路包括:一或多个存储电容、一或多条数据线、一或多个第一开关、感光元件、第二开关、及第三开关。一或多个第一开关的一或多个第一端电性连接一或多条数据线,一或多个第一开关的一或多个第二端电性连接一或多个存储电容,且一或多个第一开关的一或多个控制端用以接收栅极信号。第二开关的第一端电性连接感光元件的阳极端,第二开关的第二端接收复位电压,且第二开关的控制端用以接收复位控制信号。第三开关的第一端电性连接读取线,第三开关的控制端电性连接感光元件的阳极端,且第三开关用以根据感光元件的阳极端上的感测电压,经由读取线输出感测输出信号。
藉由应用上述一实施例,即可整合像素电路的显示操作与感光操作。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为根据本发明一实施例所示的显示装置的示意图;
图2为根据本发明一实施例所示的像素电路及相应多工器的示意图;
图3为根据本发明一操作例所示的像素电路及相应多工器的示意图;
图4为根据本发明一操作例所示的像素电路及相应多工器的示意图;
图5为根据本发明一操作例所示的像素电路及相应多工器的信号示意图;
图6为根据本发明另一实施例所示的像素电路及相应多工器的示意图;
图7为根据本发明另一操作例所示的像素电路及相应多工器的信号示意图。
其中,附图标记:
100:显示装置
102:像素阵列
106:像素电路
1061:像素电路
1062:像素电路
110:栅极驱动电路
120:源极驱动电路
130:读取电压提供电路
MUX:多工器
G(1)-G(N):栅极信号
D(1)-D(M):数据电压
SR_P(1)-SR_P(N):读取电压
S(1)-S(M):感测输出信号
TR、TG、TB、TS、TRD:开关
MR、MG、MB、MS:开关
CR、CG、CB:存储电容
LSC:感光元件
OD:光二极管
P(n)、P(n+1):节点
D_R、D_G、D_B:数据线
VRST:复位电压
SW_R、SW_G、SW_B:多工信号
SW_S:切换信号
D1-D3:期间
TR1、TG1、TB1、TS1、TRD1:开关
CR1、CG1、CB1:存储电容
LSC1:感光元件
TR2、TG2、TB2、TS2、TRD2:开关
CR2、CG2、CB2:存储电容
LSC2:感光元件
D11-D44:期间
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
以下将以图式及详细叙述清楚说明本揭示内容之精神,任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本揭示内容之实施例后,当可由本揭示内容所教示之技术,加以改变及修饰,其并不脱离本揭示内容之精神与范围。
关于本文中所使用之『第一』、『第二』、...等,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本发明,其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。
关于本文中所使用之『电性连接』,可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触,或是相互间接作实体或电性接触,而『电性连接』还可指二或多个元件相互操作或动作。
关于本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等,均为开放性的用语,即意指包含但不限于。
关于本文中所使用之『及/或』,系包括所述事物的任一或全部组合。
关于本文中所使用之用词(terms),除有特别注明外,通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露之内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本揭露之用词将于下或在此说明书的别处讨论,以提供本领域技术人员在有关本揭露之描述上额外的引导。
图1为根据本发明实施例所示的显示装置100的示意图。显示装置100可包括栅极驱动电路110、源极驱动电路120、读取电压提供电路130、多工器MUX、以及像素阵列102。多工器MUX可设置于像素阵列102与源极驱动电路120之间。像素阵列102可包括复数个以矩阵排列的像素电路106。栅极驱动电路110可依序产生并提供复数笔栅极信号G(1)、…、G(N)给像素阵列102中的像素电路106,以逐列开启像素电路106的数据开关(如图2中开关TS、TR、TG、TB),其中N为自然数。源极驱动电路120可产生复数笔数据电压D(1)、…、D(M),并通过多工器MUX提供此些数据电压D(1)、…、D(M)给像素电路106,以使像素电路106根据数据电压D(1)、…、D(M)进行显示操作,其中M为自然数。藉此,显示装置100即可显示图像。
另一方面,读取电压提供电路130可依序产生复数笔读取电压SR_P(1)、…、SR_P(N),并逐列提供读取电压SR_P(1)、…、SR_P(N)给像素电路106,以令像素电路106通过多工器MUX逐列输出感测输出信号S(1)、…、S(M)。此些感测输出信号S(1)、…、S(M)相应于像素电路106的感光过程。此部份细节将于以下段落进一步描述。在一实施例中,读取电压提供电路130与栅极驱动电路110可彼此整合或独立设置。另外,在不同实施例中,像素电路106可具有独立的读出线,而非通过多工器MUX输出感测输出信号S(1)、…、S(M)。
图2为根据本发明实施例所示的像素电路106与对应多工器MUX的示意图。在一实施例中,像素电路106与多工器MUX通过数据线D_R、D_G、D_B彼此电性连接。
在一实施例中,多工器MUX用以根据多工信号SW_R、SW_G、SW_B,通过数据线D_R、D_G、D_B分时提供数据电压D(m)(如前述数据电压D(1)、…、D(M)中的一者)至像素电路106。此外,多工器MUX亦用以相应于切换信号SW_S输出来自读取线的感测输出信号S(m)(如前述感测输出信号S(1)、…、S(M)中的一者)。
在本实施例中,读取线可为数据线D_B。在一实施例中,数据线D_B可交互地传输数据电压D(m)及感测输出信号S(m)。在一实施例中,多工器MUX可根据切换信号SW_S选择性令数据线D_B用以传输数据电压D(m)中或S(m)。
在一实施例中,像素电路106用以根据栅极信号G(n)(如前述栅极信号G(1)、…、G(N)中的一者)将来自多工器MUX的数据电压D(m)写入对应的存储电容。此外,在一实施例中,像素电路106亦用以根据读取电压SR_P(n)(如前述读取电压SR_P(1)、…、SR_P(N)中的一者),通过数据线D_R、D_G、D_B提供感测输出信号S(m)至多工器MUX。
在一实施例中,多工器MUX包括开关MR、MG、MB、MS。在一实施例中,像素电路106包括开关TR、TG、TB、TS、TRD、存储电容CR、CG、CB、及感光元件LSC。在一实施例中,感光元件LSC可包含富硅氧化物(silicon-rich oxide,SRO)。在一实施例中,感光元件LSC可用富硅氧化物形成的光二极管OD所实现。然而,在不同实施例中,感光元件LSC亦可用普通的光二极管与电容的组合实现。
在一实施例中,开关MR的第一端通过数据线D_R电性连接开关TR的第一端、开关MR的第二端用以接收数据电压D(m)、且开关MR的控制端用以接收多工信号SW_R。开关MR用以根据多工信号SW_R导通,以通过数据线D_R提供数据电压D(m)至开关TR的第一端。
在一实施例中,开关MG的第一端通过数据线D_G电性连接开关TG的第一端、开关MG的第二端用以接收数据电压D(m)、且开关MG的控制端用以接收多工信号SW_G。开关MG用以根据多工信号SW_G导通,以通过数据线D_G提供数据电压D(m)至开关TG的第一端。
在一实施例中,开关MB的第一端通过数据线D_B电性连接开关TB的第一端、开关MB的第二端用以接收数据电压D(m)、且开关MB的控制端用以接收多工信号SW_B。开关MB用以根据多工信号SW_B导通,以通过数据线D_B提供数据电压D(m)至开关TB的第一端。
在一实施例中,开关MS的第一端通过数据线D_B电性连接开关TRD的第二端、开关MS的第二端用以输出感测输出信号S(m)、且开关MS的控制端用以接收切换信号SW_S。开关MS用以根据切换信号SW_S导通,以令来自D_B的感测输出信号S(m)得以自开关MS的第二端输出。
在一实施例中,开关TR的第二端电性连接存储电容CR、且开关TR的控制端用以接收栅极信号G(n)。开关TR用以根据栅极信号G(n)导通,以提供数据电压D(m)至存储电容CR。
在一实施例中,开关TG的第二端电性连接存储电容CG、且开关TG的控制端用以接收栅极信号G(n)。开关TG用以根据栅极信号G(n)导通,以提供数据电压D(m)至存储电容CG。
在一实施例中,开关TB的第二端电性连接存储电容CB、且开关TB的控制端用以接收栅极信号G(n)。开关TB用以根据栅极信号G(n)导通,以提供数据电压D(m)至存储电容CB。
在一实施例中,感光元件LSC的阳极端(以下称为节点P(n))电性连接开关TS的第一端,且感光元件LSC的阴极端用以接收读取电压SR_P(n)。在一实施例中,感光元件LSC用以根据一感光过程产生感测电压于节点P(n)。
在一实施例中,开关TRD的第一端用以接收读取电压SR_P(n),开关TRD的第二端电性连接数据线D_B,且开关TS的控制端电性连接节点P(n)。开关TRD用以根据节点P(n)上的感测电压及读取电压SR_P(n),通过数据线D_B输出感测输出信号S(m)。在一实施例中,感测输出信号S(m)例如包括感测输出电压及/或感测输出电流。
在一实施例中,开关TS的第一端电性连接节点P(n),开关TS的第二端用以接收复位电压VRST,且开关TS的控制端用以接收栅极信号G(n)作为复位控制信号。开关TS用以根据栅极信号G(n)导通,以提供复位电压VRST至节点P(n)。应注意到,在不同实施例中,开关TS的控制端可接收不同于栅极信号G(n)的复位控制信号,故本案不以此处所述实施例为限。
以下将结合图3至图5说明在一操作例中的像素电路106及其相应多工器MUX的操作,然本案不以此为限。
同时参照图3、图5,在期间D1中,栅极信号G(n)具有第一电压电平(如高电压电平),切换信号SW_S具有第二电压电平(如低电压电平),且读取电压SR_P(n)具有第二电压电平(如低电压电平)。此时,开关TR、TG、TB根据栅极信号G(n)导通,以相应于多工信号SW_R、SW_G、SW_B依序于不同时间将数据电压D(m)写入存储电容CR、CG、CB中。
此时,开关TS根据栅极信号G(n)导通,以提供复位电压VRST至节点P(n)。此时,开关TRD根据节点P(n)上的复位电压VRST关断。此时,开关MS根据切换信号SW_S关断,以避免开关MS的第二端输出数据线D_B上的数据电压D(m)作为感测输出信号S(m)。
在期间D2中,栅极信号G(n)具有第二电压电平(如低电压电平),且读取电压SR_P(n)具有第二电压电平(如低电压电平)。此时,开关TR、TG、TB、TS根据栅极信号G(n)关断。此时,感光元件LSC进行感光过程,以对节点P(n)进行充电或放电,以产生感测电压。
例如,在期间D2的起始时间点,节点P(n)具有复位电压VRST(如-8V)。而后,在期间D2中,感光元件LSC因感光而漏电,而使具有第二电压电平(如0V)的读取电压SR_P(n)以漏电流对节点P(n)进行充电。在期间D2的结束时间点,节点P(n)上的电压即为期间D2中,感光元件LSC产生的感测电压。
在期间D2中,藉由复位电压VRST与第二电压电平的读取电压SR_P(n)的设计,可使节点P(n)上的电压皆小于开关TRD的临界电压,从而使开关TRD在期间D2中关断,以避免输出感测输出信号S(m)。
同时参照图4、图5,在期间D3中,栅极信号G(n)具有第二电压电平(如低电压电平),切换信号SW_S具有第一电压电平(如高电压电平),且读取电压SR_P(n)具有第一电压电平(如高电压电平)。此时,开关TR、TG、TB、TS根据栅极信号G(n)关断。
此时,由于感光元件LSC的耦合效应,节点P(n)上的感测电压相应于读取电压SR_P(n)的改变而进行改变,使得开关TRD根据读取电压SR_P(n)与改变后的感测电压,产生并提供感测输出信号S(m)至开关MS。
例如,在期间D2的结束时间点,节点P(n)上的感测电压为-2.5V。在读取电压SR_P(n)由第二电压电平(如0V)改变为第一电压电平(如8.5V)时,节点P(n)上的感测电压相应改变为6V(例如是-2.5V+8.5V),以令开关TRD据以提供感测输出信号S(m)。
此时,开关MS根据切换信号SW_S导通,以输出感测输出信号S(m)。
通过上述的设置,像素电路106可在期间D1中,同时进行数据电压D(m)的写入操作及节点P(n)的复位操作,以整合像素电路的显示操作与感光操作。
此外,通过上述的设置,感测输出信号S(m)可经由数据线D_B读出,而不需另行设置读出线,故可增加显示装置100的开口率。
应注意到,在不同实施例中,亦可设置供感测输出信号S(m)输出的独立读出线,故本案不以上述实施例为限。并且,在如此的实施例中,开关MS亦可省略。
另外,虽然在以上操作例中,是用像素电路106具有3个数据开关TR、TG、TB及3个存储电容CR、CG、CB为例进行说明,然在不同实施例中,像素电路106中的数据开关及存储电容的数量可依实际需求进行变化,且多工器MUX中的开关的数量亦会随之变化。在一些实施例中,像素电路106亦可能仅具有1个数据开关及1个存储电容。在如此的实施例中,多工器MUX中的开关MG、MG、MB皆可省略。
再者,虽然在以上操作例中,是用感测输出信号S(m)经由数据线D_B读出为例进行说明,然在不同实施例中,感测输出信号S(m)亦可经由数据线D_R或数据线D_G读出,故本案不以上述实施例为限。
再者,虽然在以上操作例中,是用开关TRD的第一端接收读出电压SR_P(n)为例进行说明,然在不同实施例中,开关TRD的第一端可接收不同于读出电压SR_P(n)的供应电压,并根据此一供应电压输出感测输出信号S(m),故本案不以上述实施例为限。
再者,在一些实施例中,开关TS的第二端例如可接收其它级栅极信号(如栅极信号G(n+1)、G(n+2)),以将其它级栅极信号的第二电压电平(低电压电平)作为复位电压VRST,从而减少信号线的使用。
图6为根据本发明一实施例所示的像素电路1061、1062与对应多工器MUX的示意图。在一些实施例中,像素电路1061、1062可以取代前述像素电路106。在本实施例中,像素电路1061、1062的结构大致相似于像素电路106的结构,故重复的部份不再赘述。
在本实施例中,像素电路1061的开关TR1、TG1、TB1以及开关TS1分别接收不同栅极信号。在一实施例中,像素电路1061的开关TR1、TG1、TB1的控制端用以接收栅极信号G(n),且开关TS1的控制端用以接收栅极信号G(n+1)作为复位控制信号。
另外,开关TS1的第二端用以接收栅极信号G(n)作为复位电压RST。
类似地,在本实施例中,像素电路1062的开关TR2、TG2、TB2以及开关TS2分别接收不同栅极信号。在一实施例中,像素电路1062的开关TR2、TG2、TB2的控制端用以接收栅极信号G(n+1),且开关TS1的控制端用以接收栅极信号G(n+2)作为复位控制信号。
另外,开关TS2的第二端用以接收栅极信号G(n+1)作为复位电压RST。
以下将结合图6至图7说明在一操作例中的像素电路1061、1062及其相应多工器MUX的操作,然本案不以此为限。
在期间D11中,栅极信号G(n)具有第一电压电平(如高电压电平),栅极信号G(n+1)、G(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平),切换信号SW_S具有第二电压电平(如低电压电平),读取电压SR_P(n)、SR_P(n+1)、SR_P(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平)。此时,开关TR1、TG1、TB1根据栅极信号G(n)导通,以相应于多工信号SW_R、SW_G、SW_B依序于不同时间将数据电压D(m)写入存储电容CR1、CG1、CB1中,以进行预充电(pre-charge)。
此时,开关TS1根据栅极信号G(n+1)关断。此时,开关MS根据切换信号SW_S关断,以避免开关MS的第二端输出数据线D_B上的数据电压D(m)作为感测输出信号S(m)。
在期间D22中,栅极信号G(n)具有第一电压电平(如高电压电平),栅极信号G(n+1)、G(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平),切换信号SW_S具有第一电压电平(如高电压电平),读取电压SR_P(n)具有第一电压电平(如高电压电平),且读取电压SR_P(n+1)、SR_P(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平)。
此时,开关TS1根据栅极信号G(n+1)关断。此时,由于感光元件LSC1的耦合效应,节点P(n)上的感测电压相应于读取电压SR_P(n)的改变而进行改变,使得开关TRD1根据改变后的感测电压,产生并提供感测输出信号S(m)至开关MS。此时,开关MS根据切换信号SW_S导通,以输出感测输出信号S(m)。关于此一操作的具体细节可参照先前段落,故在此不赘述。
在期间D33中,栅极信号G(n)、G(n+1)具有第一电压电平(如高电压电平),栅极信号G(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平),切换信号SW_S具有第二电压电平(如低电压电平),读取电压SR_P(n)、SR_P(n+1)、SR_P(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平)。
此时,开关TR1、TG1、TB1根据栅极信号G(n)导通,以相应于多工信号SW_R、SW_G、SW_B依序于不同时间将数据电压D(m)写入存储电容CR1、CG1、CB1中。此外,开关TR2、TG2、TB2根据栅极信号G(n+1)导通,以相应于多工信号SW_R、SW_G、SW_B依序于不同时间将数据电压D(m)写入存储电容CR2、CG2、CB2中,以进行预充电。
此时,开关TS1根据栅极信号G(n+1)导通,以提供具第一电压电平(如高电压电平)至节点P(n)。此时,开关TS2根据栅极信号G(n+2)关断。
此时,开关MS根据切换信号SW_S关断,以避免开关MS的第二端输出数据线D_B上的数据电压D(m)作为感测输出信号S(m)。
在期间D44中,栅极信号G(n+1)具有第一电压电平(如高电压电平),栅极信号G(n)、G(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平),切换信号SW_S具有第一电压电平(如高电压电平),读取电压SR_P(n+1)具有第一电压电平(如高电压电平),且读取电压SR_P(n)、SR_P(n+2)具有第二电压电平(如低电压电平)。
此时,开关TR1、TG1、TB1根据栅极信号G(n+1)关断,以避免数据电压D(m)写入存储电容CR1、CG1、CB1中。
此时,开关TS1根据栅极信号G(n+1)导通,以提供具第二电压电平(如低电压电平)至节点P(n),作为复位电压。
此时,由于感光元件LSC2的耦合效应,节点P(n+1)上的感测电压相应于读取电压SR_P(n+1)的改变而进行改变,使得开关TRD2根据改变后的感测电压,产生并提供感测输出信号S(m)至开关MS。此时,开关MS根据切换信号SW_S导通,以输出感测输出信号S(m)。关于此一操作的具体细节可参照先前段落,故在此不赘述。
此一操作例而后的操作可由上述操作类推,故在此不赘述。
通过上述的设置,更可进一步在期间D11中对存储电容CR1、CG1、CB1进行预充电,并在期间D33中对存储电容CR2、CG2、CB2进行预充电,以确保充份的电容充电时间。
另外,此一操作例的相关细节及变化方式皆可参照前述段落,在此不赘述。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (20)
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
一或多个存储电容;
一或多个第一开关,电性连接该一或多个存储电容,用以根据一栅极信号,提供一数据电压至该一或多个存储电容;
一感光元件,根据一感光过程产生一感测电压;
一第二开关,电性连接该感光元件,用以根据该感测电压,输出一感测输出信号;以及
一第三开关,电性连接该感光元件,用以根据一复位控制信号,提供一复位电压至该感光元件。
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中该一或多个第一开关电性连接一或多条数据线,且该一或多条数据线用以传输该数据电压或该感测输出信号。
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,其中该一或多条数据线中的一者交互地传输该数据电压及该感测输出信号。
4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,其中该一或多条数据线中的一者电性连接一多工器,且该多工器用以根据一切换信号,选择性使该一或多条数据线中的该者用以传输该数据电压或该感测输出信号。
5.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中该第二开关的一第一端电性连接该感光元件的一阴极端,该第二开关的一第二端电性连接该一或多个第一开关中的一者,且该第二开关的一控制端电性连接该感光元件的一阳极端。
6.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中该第二开关用以根据提供至该感光元件的一阴极端的一读出电压及该感测电压输出该感测输出信号。
7.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中在一第一阶段,该一或多个第一开关导通,以提供该数据电压至该一或多个存储电容,且该第三开关导通,以提供该复位电压至该感光元件的一阳极端,以使得该第二开关根据该复位电压关断。
8.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中在一第二阶段,该一或多个第一开关关断,该第二开关关断,该第三开关关断,且该感光元件用以根据该感光过程,对该感光元件的一阳极端进行充电或放电,以产生该感测电压。
9.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中在一第三阶段,该感光元件的一阴极端接收一读出电压,以令该感光元件的一阳极端的该感测电压改变,且该第二开关根据改变后的该感测电压,产生该感测输出信号。
10.如权利要求1-9中任一者所述的像素电路,其特征在于,其中该感光元件系包含富硅氧化物(silicon-richoxide,SRO),且其中该复位控制信号为该栅极信号。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:
一或多个存储电容;
一或多条数据线;
一或多个第一开关,其中该一或多个第一开关的一或多个第一端电性连接该一或多条数据线,该一或多个第一开关的一或多个第二端电性连接该一或多个存储电容,且该一或多个第一开关的一或多个控制端用以接收一栅极信号;
一感光元件;
一第二开关,其中该第二开关的一第一端电性连接该感光元件的一阳极端,该第二开关的一第二端接收一复位电压,且该第二开关的一控制端用以接收一复位控制信号;以及
一第三开关,其中该第三开关的一第一端电性连接一读取线,该第三开关的一控制端电性连接该感光元件的该阳极端,且该第三开关用以根据该感光元件的该阳极端上的一感测电压,经由该读取线输出一感测输出信号。
12.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于,其中该读取线为该一或多条数据线中的一者。
13.如权利要求12所述的显示装置,其特征在于,其中该读取线交互地用以传输一数据电压至该些第一开关中的一者及传输该感测输出信号。
14.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于,更包括:
一多工器,电性连接该读取线,用以根据一切换信号,选择性令该读取线用以传输该数据电压或该感测输出信号。
15.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于,其中该第三开关的一第二端电性连接该感光元件的一阴极端,且该第三开关用以根据提供至该感光元件的一阴极端的一读出电压及该感测电压输出该感测输出信号。
16.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于,其中该第三开关的一第一端用以接收一供应电压,且该第二开关用以根据该感测电压与该供应电压输出该感测输出信号。
17.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于,其中在一第一阶段,该一或多个第一开关导通,以提供一数据电压至该一或多个存储电容,且该第二开关导通,以提供该复位电压至该感光元件的该阳极端,使得该第三开关根据该复位电压关断。
18.如权利要求17所述的显示装置,其特征在于,其中在该第一阶段后的一第二阶段,该一或多个第一开关关断,该第二开关关断,该第三开关关断,且该感光元件用以根据一感光过程,对该感光元件的该阳极端进行充电或放电,以产生该感测电压。
19.如权利要求18所述的显示装置,其特征在于,其中在该第二阶段后的一第三阶段,该感光元件的一阴极端接收一读出电压,以令该感光元件的该阳极端的该感测电压改变,且该第三开关根据改变后的该感测电压,产生该感测输出信号。
20.如权利要求11-19中任一者所述的显示装置,其特征在于,其中该感光元件系包含富硅氧化物(silicon-rich oxide,SRO),且其中该复位控制信号为该栅极信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106143013A TWI635427B (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 像素電路及顯示裝置 |
TW106143013 | 2017-12-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108257542A true CN108257542A (zh) | 2018-07-06 |
CN108257542B CN108257542B (zh) | 2021-01-15 |
Family
ID=62744247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810114847.0A Active CN108257542B (zh) | 2017-12-07 | 2018-02-05 | 像素电路及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190180667A1 (zh) |
CN (1) | CN108257542B (zh) |
TW (1) | TWI635427B (zh) |
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- 2018-02-05 CN CN201810114847.0A patent/CN108257542B/zh active Active
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TWI635427B (zh) | 2018-09-11 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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