CN108225593A - 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备 - Google Patents

一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108225593A
CN108225593A CN201810209477.9A CN201810209477A CN108225593A CN 108225593 A CN108225593 A CN 108225593A CN 201810209477 A CN201810209477 A CN 201810209477A CN 108225593 A CN108225593 A CN 108225593A
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
vacuum chamber
workpiece
shaft
detection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810209477.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108225593B (zh
Inventor
刘忠林
毕凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiaxing Daiyuan Vacuum Technology Co Ltd
Original Assignee
Jiaxing Daiyuan Vacuum Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiaxing Daiyuan Vacuum Technology Co Ltd filed Critical Jiaxing Daiyuan Vacuum Technology Co Ltd
Priority to CN201810209477.9A priority Critical patent/CN108225593B/zh
Priority claimed from CN201810209477.9A external-priority patent/CN108225593B/zh
Publication of CN108225593A publication Critical patent/CN108225593A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108225593B publication Critical patent/CN108225593B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备，通过热电偶连接真空腔室中的工件及转轴上的电偶端子，电偶端子通过转轴与活动端子连接，活动端子与环形端子盘活动接触，环形端子盘与温度测量仪表连接，如此将真空腔室中的工件的实际温度传导至温度测量仪表上进行测量，可准确测量工件的实际温度，经过试验得知不同材料的最佳镀膜温度并在生产中根据不同材料的最佳镀膜温度准确地控制工件的实际温度，以达到最佳镀膜效果。

Description

一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备
技术领域
本发明涉及纳米材料制作领域，特别是一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备。
背景技术
溅射法制作纳米材料的方式有：磁控溅射、偏压溅射及反应溅射等。其中磁控溅射的原理为：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动。
磁控溅射制作纳米材料可用来对放置在基材上的工件进行镀膜。基材与工件放置于真空室中，镀膜时需要对真空室进行加热，使得工件处于适当的温度，从而得到最佳的镀膜效果，不同材料的工件镀膜的最佳温度不同。现有技术中无法检测工件的实际温度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种可检测工件的实际温度的工件温度检测装置及纳米材料制作设备，以解决上述问题。
一种工件温度检测装置，用于检测一真空腔室中的工件的实际温度，包括工件转盘、工件夹具、热电偶、电偶端子、转轴、若干活动端子、环形端子盘及温度测量仪表，所述工件转盘置于真空腔室中，所述工件夹具设置于工件转盘上并夹持工件，所述转轴至少部分地位于真空腔室中，所述工件转盘与转轴位于真空腔室中一端固定连接，所述电偶端子设置于转轴位于真空腔室内的一端，所述活动端子设置于转轴的另一端，所述热电偶的一端与工件连接，另一端与电偶端子连接；电偶端子与活动端子连接，活动端子与环形端子盘活动接触，环形端子盘与温度测量仪表连接。
进一步地，所述转轴包括可拆卸连接的主轴体及次轴体，主轴体的一端位于真空腔室内，另一端位于真空腔室外，次轴体位于真空腔室内且与主轴体位于真空腔室内的一端可拆卸地连接。
进一步地，所述主轴体位于真空腔室内的端面及次轴体朝向主轴体的端面上分别设有凹槽及凸块。
进一步地，所述次轴体朝向主轴体的端面上设有母端子，主轴体朝向次轴体的端面上设有子端子及固定端子，子端子与固定端子滑动连接，子端子与固定端子之间设有弹簧。
进一步地，所述环形端子盘的形状为圆形，其圆心处设有第一端子，环形端子盘绕其圆心设有若干环形的环形端子。
一种纳米材料制作设备，具有如上所述的工件温度检测装置、真空腔室及位于真空腔室内的工件。
与现有技术相比，本发明的工件温度检测装置及纳米材料制作设备通过热电偶连接真空腔室中的工件及转轴上的电偶端子，电偶端子通过转轴与活动端子连接，活动端子与环形端子盘活动接触，环形端子盘与与温度测量仪表连接，如此将真空腔室中的工件的实际温度传导至温度测量仪表上进行测量，可准确测量工件的实际温度，经过试验得知不同材料的最佳镀膜温度并在生产中根据不同材料的最佳镀膜温度准确地控制工件的实际温度，以达到最佳镀膜效果。
附图说明
以下结合附图描述本发明的实施例，其中：
图1为本发明提供的工件温度检测装置的剖视图。
图2为图1中的A部分的放大示意图。
图3为图1中的活动端子与环形端子的示意图。
具体实施方式
以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本发明实施例的说明并不用于限定本发明的保护范围。
请参考图1及图2，其为本发明提供的一种工件温度检测装置，包括工件转盘110、工件夹具112、热电偶120、电偶端子132、转轴140、若干活动端子150、环形端子盘160及温度测量仪表(图未示)。
工件转盘110位于真空腔室300中，工件夹具112设置于工件转盘110上并用于夹持工件200，转轴140的一部分位于真空腔室300中，另一部分位于真空腔室300外，工件转盘110与转轴140位于真空腔室300中一端固定连接，电偶端子132设置于转轴140位于真空腔室300内的一端，活动端子150设置于转轴140位于真空腔室300外的一端，热电偶120的一端与工件200连接，另一端与电偶端子132连接；在转轴140中，电偶端子132与活动端子150通过导体连接，活动端子150与环形端子盘160活动接触。环形端子盘160与温度测量仪表连接。
请参考图2，进一步地，转轴140包括可拆卸连接的主轴体141及次轴体142，主轴体141的一端位于真空腔室300内，另一端位于真空腔室300外，次轴体142位于真空腔室300内且与主轴体141位于真空腔室300内的一端可拆卸地连接。
具体地，主轴体141位于真空腔室300内的端面上设有凹槽143，次轴体142朝向主轴体141的端面上设有凸块134，次轴体142的凸块134与主轴体141的凹槽143配合，实现两者的限位连接。其他实施方式中，凸块134与凹槽143的位置也可互换，或者主轴体141位于真空腔室300内的端面上同时设有至少一个凹槽及凸块，次轴体142朝向主轴体141的端面上对应设有至少一个凸块及凹槽。如此工件转盘110与次轴体142可整体与主轴体141分离，便于安装及维修保养等。
本实施方式中，次轴体142朝向主轴体141的端面上设有母端子136，主轴体141朝向次轴体142的端面上设有子端子144及固定端子146，子端子144与固定端子146滑动连接，子端子144与固定端子146之间设有弹簧148，使得子端子144可相对固定端子146上下滑动一定距离。当工件转盘110与次轴体142安装到主轴体141上时，子端子144在母端子136的压力作用下将向下移动一定的距离，弹簧148给子端子144一个向上的弹性力，使得子端子144与母端子136可靠地连接。其他实施方式中，母端子136与子端子144的位置也可互换。
请参考图3，环形端子盘160的形状为圆形，其圆心处设有第一端子161，环形端子盘160绕其圆心设有若干环形的环形端子162。若干活动端子150与第一端子161及至少一个环形端子162活动接触，或者若干活动端子150分别与若干环形端子162活动接触。如此当转轴140相对环形端子盘160转动时，活动端子150可始终与对应的第一端子161或环形端子162连接。
其他实施方式中，活动端子150及环形端子盘160也可设置于主轴体141及次轴体142上，即环形端子盘160设置于主轴体141朝向次轴体142的端面上，活动端子150设置于次轴体142朝向主轴体141的端面上。此时主轴体141固定不动，次轴体142及工件转盘110可相对主轴体141转动。
本发明还提供一种具有上述工件温度检测装置的纳米材料制作设备。
与现有技术相比，本发明的工件温度检测装置及纳米材料制作设备通过热电偶120连接真空腔室300中的工件200及转轴140上的电偶端子132，电偶端子132通过转轴140与活动端子150连接，活动端子150与环形端子盘160活动接触，环形端子盘160与与温度测量仪表连接，如此将真空腔室300中的工件200的实际温度传导至温度测量仪表上进行测量，可准确测量工件200的实际温度，经过试验得知不同材料的最佳镀膜温度并在生产中根据不同材料的最佳镀膜温度准确地控制工件200的实际温度，以达到最佳镀膜效果。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用于局限本发明的保护范围，任何在本发明精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本发明的权利要求范围内。

Claims (6)

1.一种工件温度检测装置，用于检测一真空腔室中的工件的实际温度，其特征在于：所述工件温度检测装置包括工件转盘、工件夹具、热电偶、电偶端子、转轴、若干活动端子、环形端子盘及温度测量仪表，所述工件转盘置于真空腔室中，所述工件夹具设置于工件转盘上并夹持工件，所述转轴至少部分地位于真空腔室中，所述工件转盘与转轴位于真空腔室中一端固定连接，所述电偶端子设置于转轴位于真空腔室内的一端，所述活动端子设置于转轴的另一端，所述热电偶的一端与工件连接，另一端与电偶端子连接；电偶端子与活动端子连接，活动端子与环形端子盘活动接触，环形端子盘与温度测量仪表连接。
2.如权利要求1所述的工件温度检测装置，其特征在于：所述转轴包括可拆卸连接的主轴体及次轴体，主轴体的一端位于真空腔室内，另一端位于真空腔室外，次轴体位于真空腔室内且与主轴体位于真空腔室内的一端可拆卸地连接。
3.如权利要求2所述的工件温度检测装置，其特征在于：所述主轴体位于真空腔室内的端面及次轴体朝向主轴体的端面上分别设有凹槽及凸块。
4.如权利要求2所述的工件温度检测装置，其特征在于：所述次轴体朝向主轴体的端面上设有母端子，主轴体朝向次轴体的端面上设有子端子及固定端子，子端子与固定端子滑动连接，子端子与固定端子之间设有弹簧。
5.如权利要求1所述的工件温度检测装置，其特征在于：所述环形端子盘的形状为圆形，其圆心处设有第一端子，环形端子盘绕其圆心设有若干环形的环形端子。
6.一种纳米材料制作设备，其特征在于：具有如上述权利要求1-5任一项所述的工件温度检测装置、真空腔室及位于真空腔室内的工件。
CN201810209477.9A 2018-03-14 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备 Active CN108225593B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810209477.9A CN108225593B (zh) 2018-03-14 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810209477.9A CN108225593B (zh) 2018-03-14 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108225593A true CN108225593A (zh) 2018-06-29
CN108225593B CN108225593B (zh) 2024-05-24

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114764030A (zh) * 2022-04-13 2022-07-19 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 探温机构及具有该探温机构的镀膜设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096547A2 (en) * 1999-10-29 2001-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for plasma etching
CN2584614Y (zh) * 2002-12-13 2003-11-05 杭州等离子装备工程有限公司 一种程控电脉冲型多功能离子轰击炉
CN2874447Y (zh) * 2005-12-29 2007-02-28 沈阳理工大学 一种多弧离子镀工件温度检测装置
WO2009063788A1 (ja) * 2007-11-13 2009-05-22 Ebara-Udylite Co., Ltd. スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法
CN201762436U (zh) * 2010-07-07 2011-03-16 中国科学院金属研究所 移动式弧光放电离子镀膜设备
CN104096845A (zh) * 2014-07-18 2014-10-15 大连理工常州研究院有限公司 一种制备金属玻璃粒子的方法及其装置
US20150069042A1 (en) * 2009-11-18 2015-03-12 Daniel F. Serrago Vacuum Oven
CN106480420A (zh) * 2016-10-27 2017-03-08 合肥优亿科机电科技有限公司 一种高密度等离子体溅射镀膜设备
CN107245692A (zh) * 2017-05-25 2017-10-13 华南理工大学 一种pvd涂层的硬质合金基体表面预处理方法
CN107475682A (zh) * 2017-08-15 2017-12-15 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种等离子真空镀膜室的工件同电位测温装置
CN207976233U (zh) * 2018-03-14 2018-10-16 嘉兴岱源真空科技有限公司 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096547A2 (en) * 1999-10-29 2001-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for plasma etching
CN2584614Y (zh) * 2002-12-13 2003-11-05 杭州等离子装备工程有限公司 一种程控电脉冲型多功能离子轰击炉
CN2874447Y (zh) * 2005-12-29 2007-02-28 沈阳理工大学 一种多弧离子镀工件温度检测装置
WO2009063788A1 (ja) * 2007-11-13 2009-05-22 Ebara-Udylite Co., Ltd. スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法
US20150069042A1 (en) * 2009-11-18 2015-03-12 Daniel F. Serrago Vacuum Oven
CN201762436U (zh) * 2010-07-07 2011-03-16 中国科学院金属研究所 移动式弧光放电离子镀膜设备
CN104096845A (zh) * 2014-07-18 2014-10-15 大连理工常州研究院有限公司 一种制备金属玻璃粒子的方法及其装置
CN106480420A (zh) * 2016-10-27 2017-03-08 合肥优亿科机电科技有限公司 一种高密度等离子体溅射镀膜设备
CN107245692A (zh) * 2017-05-25 2017-10-13 华南理工大学 一种pvd涂层的硬质合金基体表面预处理方法
CN107475682A (zh) * 2017-08-15 2017-12-15 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种等离子真空镀膜室的工件同电位测温装置
CN207976233U (zh) * 2018-03-14 2018-10-16 嘉兴岱源真空科技有限公司 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114764030A (zh) * 2022-04-13 2022-07-19 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 探温机构及具有该探温机构的镀膜设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5125024B2 (ja) プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置
JP5233092B2 (ja) プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置
JP2001501257A (ja) 回転磁石スパッタソースを有するスパッタ方法及び装置
JP7036902B2 (ja) イオンミリング装置及びイオンミリング装置のイオン源調整方法
GB2477870A (en) Sputtering apparatus and sputtering method
US5022978A (en) Apparatus for coating three dimensional substrates by means of cathode sputtering
TW200527524A (en) Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure
JPH02290973A (ja) 薄膜形成装置
CN104409305A (zh) 一种用于离子束刻蚀机的法拉第挡板装置
JP3111417B2 (ja) 特定のターゲット浸食プロフィールのための、回転する幾何学的磁石配列を有するスパッタリング装置
CN207976233U (zh) 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备
CN108225593A (zh) 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备
CN108225593B (zh) 一种工件温度检测装置及纳米材料制作设备
US20220126454A1 (en) Substrate location detection and adjustment
JP2020193352A (ja) スパッタ成膜装置及びスパッタ成膜方法
CN203602705U (zh) 一种自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备
CN104746028A (zh) 可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备
TWI826766B (zh) 沉積系統和方法
CN104746035B (zh) 可实时监控晶片温度的升降针系统及磁控溅射设备
JP4960851B2 (ja) 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置
CN213447281U (zh) 一种新型磁控溅射靶材组件
Arnell Control of mechanical and structural properties of coatings deposited using unbalanced magnetrons
JP2012136780A (ja) 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置
EP1697556B1 (en) Rotating sputtering magnetron
US11894222B2 (en) Film forming apparatus and film forming method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant