CN108204859A - 光电检测电路和光电检测装置 - Google Patents

光电检测电路和光电检测装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种光电检测电路，包括光电检测单元、偏置电流源单元、电流镜单元、第一电平信号端、第二电平信号端、偏置电压信号端、检测信号输出端，光电检测单元的控制端与偏置电压信号端相连，光电检测单元的输入端与第一电平信号端相连，该光电检测单元的输出端与检测信号输出端电连接；偏置电流源单元的控制端与偏置电压信号端相连，偏置电流源单元的输出端与电流镜单元的输入端相连；电流镜单元的第二输入端与第二电平信号端电连接，电流镜单元的输出端与检测信号输出端相连，且与光电检测单元的输出端相连。本发明还提供一种光电检测装置。光电检测电路具有较高的检测精度和较低的成本。

Description

光电检测电路和光电检测装置
技术领域
本发明涉及光电检测领域，具体地，涉及一种光电检测电路和一种包括该光电检测电路的光电检测装置。
背景技术
薄膜晶体管具有对环境光敏感的特性，因此，多用薄膜晶体管检测环境光。
图1中所示的是一种将薄膜晶体管用作光电检测晶体管的光电检测单元的电路图。如图所示，该光电检测单元包括光电检测晶体管MN、开关晶体管T，如图所示，光电检测晶体管的栅极与偏置电压信号端Bais电连接，光电检测晶体管MN的第一极与高电平信号端VDD电连接，光电检测晶体管MN的第二极与开关晶体管T的第一极电连接，开关晶体管T的栅极与开关信号端SEL电连接。
进行光电检测时，通过偏置电压信号端Bais向光电检测晶体管的栅极提供偏压信号，使光电检测晶体管工作在饱和区。
根据光照强度的不同，图1中所示的光电检测电路输出的电流不同，可以根据光电检测电路输出的电流得到照射光电检测晶体管的光照强度。
在检测时，光电检测晶体管MN产生的电流包括三部分：偏置电流IB、光电流Ilight和暗电流Idark，其中，偏置电流是可以通过计算获得的，但是，暗电流Idark却无法通过计算获得，因此，影响最终检测结果。
为了消除暗电流Idark对检测结果的影响，出现了图2中所示的光电检测电路，该光电检测电路包括光电检测晶体管MN1和参照晶体管MN2，光电检测晶体管MN1的栅极与该光电检测晶体管MN1的第一极电连接，光电检测晶体管MN1的第二极与参照晶体管MN2的第一极电连接，参照晶体管MN2的第一极还与该参照晶体管MN2的栅极电连接，参照晶体管MN2的第二极与低电平信号端VSS电连接。开关晶体管T的第一极电连接。
参照晶体管MN2的结构与光电检测晶体管的结构相同，不同之处在于，参照晶体管MN2被遮挡件遮挡，因此在检测过程中不会产生光电流，参照晶体管MN2的暗电流与光电检测晶体管MN1的暗电流互相抵消，从而可以使得输出电流不受暗电流影响。
但是，利用上述光电检测电路检测光强度时，检测结果波动较大，因此也并不十分准确。
因此，如何提高光电检测电路的检测精度成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光电检测电路和一种包括该光电检测电路的光电检测装置。所述光电检测电路具有较高的检测精度。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种光电检测电路，所述光电检测电路包括光电检测单元、偏置电流源单元、电流镜单元、第一电平信号端、第二电平信号端、偏置电压信号端、检测信号输出端，
所述光电检测单元的控制端与所述偏置电压信号端相连，所述光电检测单元的输入端与所述第一电平信号端相连，所述光电检测单元的输入端与该光电检测单元的输出端能够在该光电检测单元的控制端接收到偏置信号时产生导通，且所述光电检测单元输出的电流随接收到的光照强度变化而变化，该光电检测单元的输出端与所述检测信号输出端电连接；
所述偏置电流源单元的控制端与所述偏置电压信号端相连，所述偏置电流源单元的输出端与所述电流镜单元的输入端相连，所述偏置电流源单元在该偏置电流源单元的控制端接收到偏置电压信号时产生的电流与所述光电检测单元在遮光状态下该光电检测单元的控制控制端接收到偏置电压信号时产生的电流相同；
所述电流镜单元的第二输入端与所述第二电平信号端电连接，所述电流镜单元的输出端与所述检测信号输出端相连，且与所述光电检测单元的输出端相连。
优选地，所述光电检测单元包括光电晶体管，所述光电晶体管的栅极与所述光电检测单元的控制端电连接，所述光电晶体管的第一极与所述光电检测单元的输入端电连接，所述光电晶体管的第二极能够在所述光电检测单元的控制端接收到通过所述偏置电压信号端提供的偏压信号时与所述光电检测单元的输出端导通。
优选地，所述偏置电流源单元包括参照晶体管，所述参照晶体管的栅极与所述偏置电流源单元的控制端电连接，所述参照晶体管的第一极与所述偏置电流源单元的输入端电连接，所述参照晶体管的第二极能够在所述偏置电流源单元的控制端接收到偏压信号时与所述偏置电流源单元的输出端导通。
优选地，所述光电晶体管的第二极与所述光电检测单元的输出端电连接，所述参照晶体管的第二极与所述偏置电流源单元的输出端电连接。
优选地，所述偏置电流源单元包括第一稳压晶体管，所述光电检测单元包括第二稳压晶体管，
所述偏置电压信号端包括第一偏置电压信号端和第二偏置电压信号端，所述偏压信号包括有所述第一偏置电压信号端提供的第一偏压信号和由所述第二偏置电压信号端提供的第二偏压信号；
所述参照晶体管和所述光电晶体管的栅极均与所述第一偏置电压信号端电连接，所述参照晶体管的栅极接收到第一偏压信号时工作在饱和区，所述光电晶体管的栅极接收到第一偏压信号时工作在饱和区；
所述第一稳压晶体管的第一极与所述参照晶体管的第二极电连接，所述第一稳压晶体管的第二极与所述偏置电流源单元的输出端电连接，所述第一稳压晶体管的栅极与所述第二偏置电压信号端电连接，所述第一稳压晶体管的栅极接收到第二偏压信号时工作在饱和区；
所述第二稳压晶体管的第一极与所述光电晶体管的第二极电连接，所述第二稳压晶体管的第二极与所述光电检测单元的输出端电连接，所述第二稳压晶体管的栅极与所述第二偏置电压信号端电连接，所述第二稳压晶体管的栅极接收到第二偏压信号时工作在饱和区。
优选地，所述电流镜单元包括第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管；
所述第一电流镜晶体管的第一极和所述第一电流镜晶体管的栅极与所述电流镜单元的第一输入端电连接，所述第一电流镜晶体管的第二极与所述电流镜单元的第二输入端电连接；
所述第二电流镜晶体管的第一极与所述电流镜单元的输出端电连接，所述第二电流镜晶体管的第二极与所述第二电平信号端电连接，所述第二电流镜晶体管的栅极与所述第一电流镜晶体管的栅极电连接。
优选地，所述第一电平信号端用于输入低电平信号，所述第二电平信号端用于输入高电平信号，所述第一电流镜晶体管和所述第二电流镜晶体管均为P型晶体管，所述偏置电流源单元中各个晶体管以及所述光电检测单元中各个晶体管均为N型晶体管。
优选地，所述第一电平信号端用于输入高电平信号，所述第二电平信号端用于输入低电平信号，所述第一电流镜晶体管和所述第二电流镜晶体管均为N型晶体管，所述偏置电流源单元中各个晶体管以及所述光电检测单元中各个晶体管均为P型晶体管。
优选地，所述参照晶体管包括晶体管本体和遮挡件，所述晶体管本体的结构与所述光电晶体管的结构相同，所述遮挡件在所述光电检测电路的入光侧遮挡所述晶体管本体。
作为本发明的第二个方面，提供一种光电检测装置，所述光电检测装置包括光电检测电路，其中，所述光电检测装置还包括电流放大器，所述光电检测电路为本发明所提供的上述光电检测电路，所述电流放大器的输入端与所述光电检测电路的输出端电连接。
在本发明所提供的光电检测电路中，由于偏置电流源单元与光电检测单元不再串联设置，光电检测单元的输出端电压与偏置电流源单元无关。因此，制造工艺不均匀导致二者性能有差异，也不会导致光电检测单元的输出端电压电压波动，同样地，偏置电流源单元的输出端电压也不会出现波动，因此，在所述光电检测电路中，偏置电流不会出现波动，从而可以使得最终的光电检测结果更加准确。
在本发明中，通过增加电流镜单元而非改进制造工艺的方法消除偏置电流的波动，也就是说，本发明所提供的光电检测电路的检测精度受工艺精度影响较小，因此，具有较低的制造成本。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是现有技术中的一种光电检测电路的电路图；
图2是现有技术中的另一种光电检测电路的电路图；
图3是本发明所提供的光电检测电路的模块示意图；
图4是本发明所提供的光电检测电路的一种实施方式的电路示意图；
图5是本发明所提供的光电检测电路的另一种实施方式的电路示意图。
附图标记说明
110：光电检测单元 120：偏置电流源单元
130：电流镜单元 140：电流放大器
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
经本申请的申请人研究发现，受工艺水平限制，无法将参照晶体管MN2的结构制造的与光电检测晶体管MN1的结构完全一致，这就导致了节点A处的电压不稳定，从而会影响到光电检测晶体管MN1的栅源电压Vgs。对于工作在饱和区的晶体管而言，偏置电流IB与光电检测晶体管的栅源电压与阈值电压之差的平方(Vgs-Vth)2成正比，栅源电压波动的话，偏置电流IB的波动会更大，从而影响检测结果的精度。
对于现有工艺而言，很难将参照晶体管MN2的结构制造的与光电检测晶体管MN1的结构完全一致，因此，无法进一步的提高光电检测精度。
有鉴于此，本发明的发明人提供一种光电检测电路，如图3所示，所述光电检测电路包括光电检测单元110、偏置电流源单元120、电流镜单元130、第一电平信号端V1、第二电平信号端V2、偏置电压信号端Bais和检测信号输出端。
光电检测单元110的控制端与偏置电压信号端Bais相连，光电检测单元110的输入端与第一电平信号端V1相连，所述光电检测单元的输入端与该光电检测单元的输出端能够在该光电检测单元110的控制端接收到偏置信号时产生导通，且所述光电检测单元110输出的电流随接收到的光照强度变化而变化，该光电检测单元110的输出端与所述检测信号输出端电连接。
偏置电流源单元120的控制端与偏置电压信号端Bais相连，偏置电流源单元120的输出端与电流镜单元130的第一输入端相连，偏置电流源单元120在该偏置电流源单元的控制端接收到偏置电压信号时产生的电流与光电检测单元110在遮光状态下该光电检测单元110的控制端接收到偏置电压信号时产生的电流相同。
电流镜单元130的第二输入端与第二电平信号端V2电连接，电流镜单元130的输出端与所述检测信号输出端相连，且所述电流镜单元130的输出端能够输出与该电流镜单元130的第一输入端输入的电流相同的电流。
在利用本发明所提供的光电检测电路进行检测时，通过第一电平信号端V1提供第一电平信号，通过第二电平信号端V2提供第二电平信号，通过偏置电压信号端Bais提供偏置电压。
需要解释的是，在没有光照的情况下，流过光电检测单元110的电流为IB+Idark，其中，IB为偏置电流，Idark为暗电流，因此，在所述光电检测电路中，流过偏置电流源单元120的电流为IB+Idark。在有光照的情况下，流过光电检测单元110的电流为IB+Idark+Ilight，其中，Ilight为光照引起的电流变化。
电流镜单元130可以复制偏置电流源单元120中流出的电流，因此，从电流镜单元130至光电检测电路的检测信号输出端之间的电流为IB+Idark。为了便于描述，将电流镜单元130的输出端与光电检测单元120的输出端之间的节点标记为节点D。对于节点D而言，流入的电流与流出的电流应当是相同的，因此，从节点D流向光电检测单元120的输出端的电流为Ilight，即，检测电流Ilight不再受暗电流影响。
与此同时，由于偏置电流源单元120与光电检测单元110不再串联设置，光电检测单元110的输出端电压与偏置电流源单元120无关。因此，制造工艺不均匀导致二者性能有差异，也不会导致光电检测单元110的输出端电压电压波动，同样地，偏置电流源单元120的输出端电压也不会出现波动，因此，在所述光电检测电路中，偏置电流IB不会出现波动，从而可以使得最终的光电检测结果更加准确。
在本发明中，通过增加电流镜单元而非改进制造工艺的方法消除偏置电流IB的波动，也就是说，本发明所提供的光电检测电路的检测精度受工艺精度影响较小，因此，具有较低的制造成本。
在本发明中，对光电检测单元110的具体结构并不做特殊的限制，只要流过光电检测单元110的电流随光照变化即可。
为了便于制造，优选地，如图3和图4中所示，光电检测单元110包括光电晶体管MN2，该光电晶体管MN2的栅极与光电检测单元110的控制端电连接，该光电晶体管MN2的第一极与光电检测单元110的输入端(即，第一电压信号端V1)电连接，光电晶体管MN2的第二极能够在光电检测单元110的控制端接收到偏压信号时与该光电检测单元110的输出端导通。
需要指出的是，当光电晶体管MN2的栅极接收到偏压信号时，光电晶体管MN2工作在饱和区。
相应地，偏置电流源单元120包括参照晶体管MN1，该参照晶体管MN1的栅极与偏置电流源单元120的控制端电连接，参照晶体管MN1的第一极与偏置电流源单元120的输入端(即，第一电压信号端V1)电连接，参照晶体管MN1的第二极能够在偏置电流源单元120的控制端接收到偏置电压信号时与偏置电流源单元120的输出端导通。同样地，当参照晶体管MN1的栅极接收到偏压信号时，该参照晶体管MN1也工作在饱和区。
为了实现“光电晶体管MN2的第二极能够在光电检测单元120的控制端接收到偏压信号时与该光电检测单元120的输出端导通”、“参照晶体管MN1的第二极能够在偏置电流源单元120的控制端接收到偏置电压信号时与偏置电流源单元120的输出端导通”，可以将光电晶体管MN2的第二极直接与光电检测单元110的输出端电连接、将参照晶体管MN1的第二极直接与偏置电流源单元120的输出端电连接，在图3中即示出的这种实施方式。
图4中示出了实现“光电晶体管MN2的第二极能够在光电检测单元120的控制端接收到偏压信号时与该光电检测单元120的输出端导通”、“参照晶体管MN1的第二极能够在偏置电流源单元120的控制端接收到偏置电压信号时与偏置电流源单元120的输出端导通”的第二种实施方式。
如图5所示，偏置电流源单元120包括第一稳压晶体管MN3，光电检测单元110包括第二稳压晶体管MN2。
相应地，偏置电压信号端包括第一偏置电压信号端Bias1和第二偏置电压信号端Bais2。所述偏压信号包括通过第一偏置电压信号端Bais1提供的第一偏压信号和通过第二偏置电压信号端Bais2提供第二偏压信号。其中，参照晶体管MN1和光电晶体管MN2的栅极均与第一偏置电压信号端Bais1电连接。参照晶体管MN1在栅极接收到第一偏压信号时工作在饱和区，光电晶体管MN2在栅极接收到第一偏压信号时工作在饱和区。
第一稳压晶体管MN3的第一极与参照晶体管MN1的第二极电连接，第一稳压晶体管MN3的第二极与所述偏置电流源单元的输出端电连接，第一稳压晶体管MN3的栅极与第二偏置电压信号端Bais2电连接。第一稳压晶体管MN3的栅极接收到第二偏置电压信号端Bais2提供的偏置信号时，该第一稳压晶体管MN3的第一极和第二极导通，且第一稳压晶体管MN3工作在饱和区。
第二稳压晶体管MN4的第一极与光电晶体管MN2的第二极电连接，第二稳压晶体管MN4的第二极与光电检测单元110的输出端电连接，第二稳压晶体管MN4的栅极与第二偏置电压信号端Bais2电连接。第二稳压晶体管MN4的栅极接收到第二偏置电压信号端Bais2提供的偏置信号时，该第二稳压晶体管MN4的第一极和第二极导通，且第二稳压晶体管MN4工作在饱和区。
由于在进行光电检测时，第一稳压晶体管MN3和第二稳压晶体管MN4均工作在饱和区，因此，可以降低电流镜单元130对电压的影响，从而可以稳定节点D的电压。
在本发明中，光电检测单元110和偏置电流源单元120为对称结构，光电检测单元110中各个节点的电压与偏置电流源单元120各个节点的电压一致，相应地，流过偏置电流源单元120的电流IB+IDark可以与流过光检测单元110的电流中的IB+IDark一致，使得通过光电检测电路的输出端流出的电流为光照引起的电流Ilight，从而可以提高光电检测电路的检测精度。
在本发明中，对电流镜单元130的具体结构并不做特殊的要求。在图3和图4中所示的具体实施方式中，电流镜单元130包括第一电流镜晶体管MP1和第二电流镜晶体管MP2。
第一电流镜晶体管MP1的第一极和第一电流镜晶体管MP1的栅极与电流镜单元130的第一输入端V1电连接，第一电流镜晶体管MP1的第二极与电流镜单元130的第二输入端电连接。
第二电流镜晶体管MP2的第一极与电流镜单元130的输出端电连接，第二电流镜晶体管MP2的第二极与第二电平信号V2端电连接，第二电流镜晶体管MP2的栅极与第一电流镜晶体管MP1的栅极电连接。
在本发明中，对各个晶体管的类型并不做特殊的要求，当利用第一电平信号端V1输入低电平信号、利用第二电平信号端V2输入高电平信号时，第一电流镜晶体管MP1和第二电流镜晶体管MP2均为P型晶体管，相应地，偏置电流源单元120中各个晶体管以及光电检测单元110中各个晶体管均为N型晶体管。
当然，本发明并不限于此。当利用第一电平信号端V1输入高电平信号、利用第二电平信号端V2输入低电平信号时，第一电流镜晶体管MP1和第二电流镜晶体管MP2均为N型晶体管，相应地，偏置电流源单元120中各个晶体管以及光电检测单元110中各个晶体管均为P型晶体管。
可以利用CMOS工艺制成所述光电检测电路，从而提高光电检测电路的性能。
为了实现偏置电流源单元120在该偏置电流源单元120的控制端接收到偏置电压信号时产生的电流与光电检测单元110在遮光状态下该光电检测单元120的控制控制端接收到偏置电压信号时产生的电流相同，参照晶体管MN1可以包括晶体管本体和遮挡件，所述晶体管本体的结构与所述光电晶体管的结构相同，所述遮挡件在所述光电检测电路的入光侧遮挡所述晶体管本体。在遮挡件的作用下，参照晶体管MN1中不会产生光电流Ilight。
作为一种光电检测装置，所述光电检测装置包括光电检测电路，其中，如图3至图5所示，所述光电检测装置还包括电流放大器140，该光电检测电路为本发明所提供的上述光电检测电路，电流放大器140的输入端与所述光电检测电路的输出端电连接。
设置电流放大器后可以对光电流Ilight进行放大，从而可以便于后续识别。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种光电检测电路，其特征在于，所述光电检测电路包括光电检测单元、偏置电流源单元、电流镜单元、第一电平信号端、第二电平信号端、偏置电压信号端、检测信号输出端，
所述光电检测单元的控制端与所述偏置电压信号端相连，所述光电检测单元的输入端与所述第一电平信号端相连，所述光电检测单元的输入端与该光电检测单元的输出端能够在该光电检测单元的控制端接收到偏置信号时产生导通，且所述光电检测单元输出的电流随接收到的光照强度变化而变化，该光电检测单元的输出端与所述检测信号输出端电连接；
所述偏置电流源单元的控制端与所述偏置电压信号端相连，所述偏置电流源单元的输出端与所述电流镜单元的输入端相连，所述偏置电流源单元在该偏置电流源单元的控制端接收到偏置电压信号时产生的电流与所述光电检测单元在遮光状态下该光电检测单元的控制控制端接收到偏置电压信号时产生的电流相同；
所述电流镜单元的第二输入端与所述第二电平信号端电连接，所述电流镜单元的输出端与所述检测信号输出端相连，且与所述光电检测单元的输出端相连。
2.根据权利1所述的光电检测电路，其特征在于，所述光电检测单元包括光电晶体管，所述光电晶体管的栅极与所述光电检测单元的控制端电连接，所述光电晶体管的第一极与所述光电检测单元的输入端电连接，所述光电晶体管的第二极能够在所述光电检测单元的控制端接收到通过所述偏置电压信号端提供的偏压信号时与所述光电检测单元的输出端导通。
3.根据权利要求2所述的光电检测电路，其特征在于，所述偏置电流源单元包括参照晶体管，所述参照晶体管的栅极与所述偏置电流源单元的控制端电连接，所述参照晶体管的第一极与所述偏置电流源单元的输入端电连接，所述参照晶体管的第二极能够在所述偏置电流源单元的控制端接收到偏压信号时与所述偏置电流源单元的输出端导通。
4.根据权利要求3所述的光电检测电路，其特征在于，所述光电晶体管的第二极与所述光电检测单元的输出端电连接，所述参照晶体管的第二极与所述偏置电流源单元的输出端电连接。
5.根据权利要求3所述的光电检测电路，其特征在于，所述偏置电流源单元包括第一稳压晶体管，所述光电检测单元包括第二稳压晶体管，
所述偏置电压信号端包括第一偏置电压信号端和第二偏置电压信号端，所述偏压信号包括有所述第一偏置电压信号端提供的第一偏压信号和由所述第二偏置电压信号端提供的第二偏压信号；
所述参照晶体管和所述光电晶体管的栅极均与所述第一偏置电压信号端电连接，所述参照晶体管的栅极接收到第一偏压信号时工作在饱和区，所述光电晶体管的栅极接收到第一偏压信号时工作在饱和区；
所述第一稳压晶体管的第一极与所述参照晶体管的第二极电连接，所述第一稳压晶体管的第二极与所述偏置电流源单元的输出端电连接，所述第一稳压晶体管的栅极与所述第二偏置电压信号端电连接，所述第一稳压晶体管的栅极接收到第二偏压信号时工作在饱和区；
所述第二稳压晶体管的第一极与所述光电晶体管的第二极电连接，所述第二稳压晶体管的第二极与所述光电检测单元的输出端电连接，所述第二稳压晶体管的栅极与所述第二偏置电压信号端电连接，所述第二稳压晶体管的栅极接收到第二偏压信号时工作在饱和区。
6.根据权利要求2至5中任意一项所述的光电检测电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管；
所述第一电流镜晶体管的第一极和所述第一电流镜晶体管的栅极与所述电流镜单元的第一输入端电连接，所述第一电流镜晶体管的第二极与所述电流镜单元的第二输入端电连接；
所述第二电流镜晶体管的第一极与所述电流镜单元的输出端电连接，所述第二电流镜晶体管的第二极与所述第二电平信号端电连接，所述第二电流镜晶体管的栅极与所述第一电流镜晶体管的栅极电连接。
7.根据权利要求6所述的光电检测电路，其特征在于，所述第一电平信号端用于输入低电平信号，所述第二电平信号端用于输入高电平信号，所述第一电流镜晶体管和所述第二电流镜晶体管均为P型晶体管，所述偏置电流源单元中各个晶体管以及所述光电检测单元中各个晶体管均为N型晶体管。
8.根据权利要求6所述的光电检测电路，其特征在于，所述第一电平信号端用于输入高电平信号，所述第二电平信号端用于输入低电平信号，所述第一电流镜晶体管和所述第二电流镜晶体管均为N型晶体管，所述偏置电流源单元中各个晶体管以及所述光电检测单元中各个晶体管均为P型晶体管。
9.根据权利要求至5中任意一项所述的光电检测电路，其特征在于，所述参照晶体管包括晶体管本体和遮挡件，所述晶体管本体的结构与所述光电晶体管的结构相同，所述遮挡件在所述光电检测电路的入光侧遮挡所述晶体管本体。
10.一种光电检测装置，所述光电检测装置包括光电检测电路，其特征在于，所述光电检测装置还包括电流放大器，所述光电检测电路为权利要求1至9中任意一项所述的光电检测电路，所述电流放大器的输入端与所述光电检测电路的输出端电连接。
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