CN108196387A - 衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置，属于显示器相关技术领域。所述衬底基板为单层结构，且沿厚度方向包括导电部分和非导电部分。通过使得衬底基板设计为沿厚度方向包含导电部分和非导电部分的单层结构，进而利用其中的导电部分可以分别作为ADS型彩膜基板中屏蔽ITO层或者作为TN型彩膜基板中公共电极层，也即无论是何种显示方式均可以使得在具有本申请衬底基板结构的基础上不需要额外制备ITO层结构，这样能够免除现有基板中的ITO层结构，进而不仅能够简化工序、提高良品率，而且能够降低成本、增强产品竞争力。

Description

衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及玻璃制造领域和显示技术领域，特别是指一种衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置。
背景技术
在现有衬底基板的制作工序中，如果需要在衬底基板上形成导电层，均需在衬底基板上制作ITO、BM、RGB、OC、PS这些工序。例如，在现有TN型彩膜基板的制作中，是在彩色滤光层表面涂覆一层氧化铟锡电极层(ITO)，通过氧化铟锡电极层作为液晶显示彩膜基板的公共电极与阵列基板的像素电极形成电场，通过电场的变化控制液晶分子的偏转，从而实现显示效果。而在ADS型彩膜基板的制作中，是在衬底基板背面涂覆一层氧化铟锡电极层，用以屏蔽液晶显示器外界电场，防止外界电场的存在影响ADS型液晶显示器的显示。而氧化铟锡电极层都是采用磁控溅射的工艺制作而成，因此在制作过程中非常容易形成ITO颗粒物(ITO particle)，从而降低液晶显示面板的良率。而且ITO工序的增加也增加了产线投入以及显示器的制作成本，降低了产品竞争力。所以想办法免去ITO工序的制作显得十分重要。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提出一种衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置，能够免除现有基板中的ITO层结构，进而不仅能够简化工序、提高良品率，而且能够降低成本、增强产品竞争力。
基于上述目的，在本申请的第一方面，提供了一种衬底基板，所述衬底基板为单层结构，沿厚度方向包括导电部分和非导电部分。
可选的，所述导电部分与所述非导电部分的厚度比值范围为1:1～1:4。
可选的，所述衬底基板的厚度范围为0.4mm～1.0mm。
可选的，所述非导电部分包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO和Fe2O3；
所述导电部分包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO、Fe2O3，以及氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。
可选的，所述非导电部分中各材料的质量百分比为：SiO2为60％～73％、Al2O3为5％～22％、B2O3为1％～6％、BaO为5％～15％、SrO为0％～20％、CaO为0％～13％、MgO为0％～11％、SnO2为0.005％～2％、Fe2O3为0.003％～0.1％；
所述导电部分中各材料的质量百分比为：SiO2为50％～65％、Al2O3为4％～18％、B2O3为1％～5％、BaO为4％～13％、SrO为0％～15％、CaO为0％～10％、MgO为0％～9％、SnO2为0.005％～1.5％、Fe2O3为0.003％～0.1％、氧化锌为0％～20％、纳米银为0％～20％、氧化铟为0％～20％、氧化锡为0％～20％；其中，所述氧化锌、纳米银、氧化铟以及氧化锡的总的质量百分比为15％～30％。
在本申请的第二方面，提供了一种用于制备上述衬底基板的制造装置，所述制造装置包括装置本体；所述装置本体包括第一侧壁、第二侧壁以及隔板；所述第一侧壁与所述隔板形成第一溢流槽；所述第二侧壁与所述隔板形成第二溢流槽；所述装置本体的底部设置有导流结构，所述导流结构用于将沿所述第一侧壁和第二侧壁溢流的熔液通过引导形成衬底基板。
可选的，所述第一侧壁与所述第二侧壁分别沿所述装置本体的外侧向下延伸并汇聚于所述装置本体的底部，形成导流结构；或者，
所述装置本体的底部设有开口，所述隔板伸出所述开口，形成导流结构。
在本申请的第三方面，提供了一种利用所述制造装置制备衬底基板的方法，包括：
将导电熔液输入到第一溢流槽中，非导电熔液输入到第二溢流槽中；
所述导电熔液和所述非导电熔液分别从所述第一溢流槽和所述第二溢流槽溢出，沿所述第一侧壁和所述第二侧壁流经所述导流结构，形成衬底基板带；
所述衬底基板带下落后，通过拉引制成包含导电部分和非导电部分的衬底基板。
可选的，所述导电熔液和所述非导电熔液分别从所述第一溢流槽和所述第二溢流槽溢出，沿所述第一侧壁和所述第二侧壁流经所述导流结构，形成衬底基板带的步骤还包括：
根据衬底基板的厚度以及导电部分和非导电部分厚度比例的设计需求，相应控制导电熔液和非导电熔液的溢流速度，用于使得导电熔液和非导电熔液通过导流结构的引导形成衬底基板带。
可选的，所述非导电熔液包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO和Fe2O3；
所述导电熔液包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO、Fe2O3，以及氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。
可选的，所述非导电熔液中各材料的质量百分比为：SiO2为60％～73％、Al2O3为5％～22％、B2O3为1％～6％、BaO为5％～15％、SrO为0％～20％、CaO为0％～13％、MgO为0％～11％、SnO2为0.005％～2％、Fe2O3为0.003％～0.1％；
所述导电熔液中各材料的质量百分比为：SiO2为50％～65％、Al2O3为4％～18％、B2O3为1％～5％、BaO为4％～13％、SrO为0％～15％、CaO为0％～10％、MgO为0％～9％、SnO2为0.005％～1.5％、Fe2O3为0.003％～0.1％、氧化锌为0％～20％、纳米银为0％～20％、氧化铟为0％～20％、氧化锡为0％～20％；其中，所述氧化锌、纳米银、氧化铟以及氧化锡的总的质量百分比为15％～30％。
在本申请的第四方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的衬底基板。
可选的，所述显示装置包括阵列基板，所述衬底基板与所述阵列基板相对设置，所述衬底基板中的导电部分设置于靠近阵列基板的一侧作为公共电极层，衬底基板中的非导电部分设置于远离阵列基板的一侧；或者，
所述衬底基板中的导电部分设置于远离阵列基板的一侧，衬底基板中的非导电部分设置于靠近阵列基板的一侧。
从上面所述可以看出，本发明提供的衬底基板及其制造装置、制备方法和显示装置，通过使得衬底基板设计为沿厚度方向包含导电部分和非导电部分的单层结构，进而利用其中的导电部分可以分别作为ADS型彩膜基板中屏蔽ITO层或者作为TN型彩膜基板中公共电极层，也即无论是何种显示方式均可以使得在具有本申请衬底基板结构的基础上不需要额外制备ITO层结构，这样能够免除现有基板中的ITO层结构，进而不仅能够简化工序、提高良品率，而且能够降低成本、增强竞争力。
附图说明
图1为本发明提供的衬底基板用于ADS型彩膜基板的结构示意图；
图2为本发明提供的衬底基板用于TN型彩膜基板的结构示意图；
图3为本发明提供的衬底基板制造装置一个实施例的结构示意图；
图4为本发明提供的衬底基板制造装置另一个实施例的结构示意图；
图5为本发明提供的衬底基板制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
针对现有基板中基于ITO层存在的缺陷，发明人发现现有技术至少存在以下问题：现有彩膜基板在制备ITO层时不仅容易形成颗粒从而降低显示面板的良品率，而且相应的还会增加制作成本。因此，本申请针对于ITO层的功能作用，提出一种能够克服现有技术中需要在后续工序中利用磁控溅射实现ITO层制备的方案。
实施例一
考虑到本申请针对于当前基板中ITO层存在的问题，因此，本申请的目的在于减少彩膜基板中ITO层的制作工序，从而降低显示器的生产成本，提高良品率。基于上述分析，本实施例考虑将ITO层所需功能层是否预制到衬底基板中，进而避免后续的在加工。由此提出了一种改进的衬底基板结构。具体的，本申请所述衬底基板为单层结构，沿厚度方向包括导电部分和非导电部分。其中，所述单层结构为一体成型且不可分割的。这样，既可以保证整个衬底基板结构的稳定性，而且不需要在后续过程增加工艺步骤，简化工艺。进一步，为了制备得到上述同时具有导电部分和非导电部分的衬底基板，可以通过溢流拉制或者其他可用工艺手段实现，具体制备工艺参见后续实施例。这样，使得在单层结构的衬底基板中，即能够沿厚度方向同时具有两个不同的结构部分，而且所述导电部分和非导电部分相互之间既没有明显界限，又相互独立隔离，最终使得导电部分和非导电部分在基板中实现不同的作用。这样，可以使得衬底基板中的导电部分替代现有结构中的ITO层起到同样的作用，而非导电部分能够实现现有衬底基板的支撑保护作用。
参照图1和图2所示，分别为本发明提供的衬底基板用于ADS型彩膜基板和用于TN型彩膜基板的结构示意图，由图1可知，当衬底基板用于ADS型彩膜基板中时，基于在ADS型显示模式中，需要在衬底基板背面制作一层ITO用以屏蔽外界电场；而基于本实施例中所述衬底基板具有导电部分1，因此可以直接使得所述衬底基板中的导电部分1设置于远离阵列基板8的一侧，衬底基板中的非导电部分2设置于靠近阵列基板8的一侧。这样，同样能够使得处于衬底基板底部的导电部分1同样起到屏蔽外界电场的作用，也即在该结构中，不需要额外增加ITO层。
由图2可知，当衬底基板用于TN型彩膜基板中时，基于在TN型彩膜基板中，需要在彩色滤光层表面涂覆一层氧化铟锡电极层(ITO)，然后通过氧化铟锡电极层作为液晶显示彩膜基板的公共电极与阵列基板8的像素电极形成电场，最终通过电场的变化控制液晶分子的偏转，从而实现显示效果。同理，基于本实施例中所述衬底基板具有导电部分1，而导电部分1同样可以作为公共电极而形成相应的控制电场，因此可以使得本实施例中所述衬底基板中的导电部分1设置于靠近阵列基板8的一侧作为公共电极层，衬底基板中的非导电部分2设置于远离阵列基板8的一侧；这样，能够直接利用衬底基板中的导电部分1作为公共电极层，也不需要在后续的工艺过程中增加ITO层的制备过程。
由上述实施例可知，本申请所述衬底基板通过使得衬底基板设计为沿厚度方向包含导电部分和非导电部分的单层结构，进而利用其中的导电部分可以分别作为ADS型彩膜基板中屏蔽ITO层或者作为TN型彩膜基板中公共电极层，也即无论是何种显示方式均可以使得在具有本申请衬底基板结构的基础上不需要额外制备ITO层结构，这样能够免除现有基板中的ITO层结构，进而不仅能够简化工序、提高良品率，而且能够降低成本、增强产品竞争力。
实施例二，
基于本申请所述衬底基板具有两部分不同性质的结构，因此本实施例提供了一种用于制备衬底基板的制造装置，参照图3所示，所述制造装置包括装置本体；所述装置本体包括第一侧壁17、第二侧壁18以及隔板12；所述第一侧壁17与所述隔板12形成第一溢流槽13；所述第二侧壁18与所述隔板12形成第二溢流槽14；所述装置本体的底部设置有导流结构19，所述导流结构19用于将沿所述第一侧壁17和第二侧壁18溢流的熔液通过引导形成衬底基板。，也即使得制备衬底基板中导电部分对应的导电熔液和制备非导电部分对应的非导电熔液分别对应放置到第一溢流槽13和第二溢流槽14中；使得所述第一溢流槽13和所述第二溢流槽14中溢流出的熔液能够分别沿第一侧壁17和第二侧壁18向下溢流。这样，能够准确有效的制备得到同时具有导电部分和非导电部分的一层衬底基板，进而将后续装置中的ITO功能层融合到衬底基板，既能简化后续的工序，而且提高产品良品率，降低成本。
在一些可选的实施例中，参照图3所示，所述第一侧壁17与所述第二侧壁18分别沿所述装置本体的外侧向下延伸并汇聚于所述装置本体的底部，形成导流结构19；或者，参照图4所示，所述装置本体的底部设有开口，所述隔板12伸出所述开口，形成导流结构19。
优选的，所述隔板12将装置本体内部均匀分割为两个对称的第一溢流槽13和第二溢流槽14。
进一步，通过上述制造装置能够得到本申请所述衬底基板的制备方法，参照图5所示，所述衬底基板的制备方法包括：
步骤S1，将导电熔液输入到第一溢流槽13中，将非导电熔液输入到第二溢流槽14中；其中，基于在一些情况中需要使得衬底基板为透明结构，因此，本实施例采用玻璃材质制备衬底基板，也即上述导电熔液为导电玻璃熔液，非导电熔液为非导电玻璃熔液，当然本申请并不限于采用玻璃材质。
步骤S2，所述导电熔液和所述非导电熔液分别从所述第一溢流槽和所述第二溢流槽溢出，沿所述第一侧壁和所述第二侧壁流经所述导流结构，形成衬底基板带；优选的，当导电熔液和非导电熔液分别从第一溢流槽和第二溢流槽溢出时，根据衬底基板的厚度以及导电部分和非导电部分厚度比例的设计需求，相应控制导电熔液和非导电熔液的溢流速度，使得导电熔液和非导电熔液沿隔板形成衬底基板带；也即，当熔液液面超过溢流槽左右槽边的高度时，导电熔液和非导电熔液会顺着溢流侧壁向下流，并在溢流槽的底部通过导流结构形成同时含有导电部分1和非导电部分2的衬底基板带。
步骤S3，所述衬底基板带下落后，通过拉引制成包含导电部分和非导电部分的衬底基板。优选的，上述过程通过机械下拉辊拉引制成。
由上述实施例可知，通过上述制备过程，使得能够稳定可靠的制备得到同时含有导电部分1和非导电部分2的衬底基板，而且基于该溢流制备过程可控，因此形成的导电部分1与非导电部分2不仅均为无色透明层，而且使得导电部分1和非导电部分2之间无明显分界线，这样不会引起额外的干扰。此外，通过上述熔融分隔溢流技术可以产出具有双原始玻璃表面的超薄玻璃基材，相较于浮式法的仅能产出的单原始玻璃表面或者流孔下拉法的无法产出原始玻璃表面的问题，本申请不仅可免除研磨或抛光等后加工制程，而且在平面显示器制造过程中，也不需注意因同时具有原始及与液态锡有接触的不同玻璃表面，或与研磨介质有所接触而造成玻璃表面性质间的差异问题。
实施例三
相对于所述衬底基板的结构，本申请还公开了制备所述衬底基板的材料组成以及相应的尺寸比例设计，使得能够对衬底基板实现进一步的优化。具体的，对于尺寸比例设计，本实施例公开了一种衬底基板的厚度范围，厚度范围可选为0.4mm～1.0mm，例如：0.4mm、0.5mm、0.7mm、0.9mm、1.0mm。这样的厚度范围即能够在工艺上容易实现或制备，而且在显示装置中在保证质量或者使用寿命的前提下能够起到响应的作用。进一步，还公开了所述导电部分与所述非导电部分的厚度比值范围，为1:1～1:4，例如比值范围为1:1、1:2、1:3、1:4。这样，能够使得衬底基板在实现ITO层功能的同时具有足够的支撑作用。
对于材料组分设计，基于通常采用玻璃材质使得衬底基板实现透明显示，因此本实施例公开了如下组成：所述非导电部分包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO和Fe2O3等主要玻璃成分；所述导电部分包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO、Fe2O3，以及氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。其中，氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡为具有导电功能的导电材料。需要说明的是，上述成分只是一种可选材料组成的示例，还可以相应的包含其他必备材料或者其他具有导电功能的导电材料，本申请对此不作限制。
更进一步，所述非导电部分中各材料的质量百分比为：SiO2为60％～73％、Al2O3为5％～22％、B2O3为1％～6％、BaO为5％～15％、SrO为0％～20％、CaO为0％～13％、MgO为0％～11％、SnO2为0.005％～2％、Fe2O3为0.003％～0.1％；
所述导电部分中各材料的质量百分比为：SiO2为50％～65％、Al2O3为4％～18％、B2O3为1％～5％、BaO为4％～13％、SrO为0％～15％、CaO为0％～10％、MgO为0％～9％、SnO2为0.005％～1.5％、Fe2O3为0.003％～0.1％、氧化锌为0％～20％、纳米银为0％～20％、氧化铟为0％～20％、氧化锡为0％～20％；其中，所述氧化锌、纳米银、氧化铟以及氧化锡的总的质量百分比为15％～30％。需要说明的是，上述各材料的质量百分比只是列举出优选的比例范围，实际材料可以相应的根据需要设计调整，例如SiO2可以选用60％～73％范围内的任意数值，例如60％、62％、64％、65％、67％、69％、71％、73％等等，其余材料同样适用。
实施例四
本申请还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的衬底基板。本申请目的在于减少彩膜基板中ITO层的制作工序，从而降低显示器的生产成本。
可选的，本申请所述显示装置包括具有导电部分和非导电部分的衬底基板，直接设置于衬底基板上的黑矩阵3，直接设置于所述黑矩阵3上的色阻层4及平坦保护层5，以及设置在平坦保护层5上的支撑隔垫物6。这样，依次通过涂布、曝光、显影、烘烤等工艺在衬底基板上形成BM(黑矩阵)、RGB(色阻层)、OC(平坦保护层)以及PS层(支撑隔垫物)，得到彩膜基板。通过在彩膜基板与阵列基板之间设置有液晶7，然后使得彩膜基板与阵列基板8对盒形成完整的显示装置。
进一步，基于所述衬底基板采用分隔溢流法制备而成，在制作工艺上不会增加制作工序，但与传统的衬底基板相比，本申请所述衬底基板由于同时包含了导电部分和非导电部分并且形成单层衬底基板。具体可选的，导电部分与非导电部分均含有SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO和Fe2O3等主要玻璃成分。而导电部分玻璃成分中还包括具有导电功能的导电材料氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。
例如，上述衬底基板依据导电部分的朝向不同，可以使得衬底基板同时适用于ADS型与TN型两种液晶显示器显示模式。当导电部分朝下时，导电部分可以起到屏蔽外界电场的作用，从而不会影响ADS型液晶显示器的液晶偏转。当导电部分朝上时，导电部分本身可以形成导电公共电极，导电公共电极可以和位于TN型液晶显示面板的阵列显示基板中的像素电极形成电场，进而控制液晶分子的偏转，实现显示效果。
也即，无论是应用于ADS型还是TN型液晶显示器，本发明所述的显示装置均不需要制作ITO层。本申请与现有显示装置的制作工序相比，减少了ITO工序的制作，不仅可以减少设备的投入、同时可以大大提升产线产能，降低显示器的生产成本，同时还可以减少因制作ITO层对产品良率的影响，提升产品良率。此外，当所述衬底基板应用于TN型液晶显示器的时候，衬底基板上的导电部分1还可以将黑矩阵及色阻层材料产生的静电直接导出液晶显示装置，防止因黑矩阵及色阻层静电的存在而造成的相关显示不良，改善产品质量。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
本发明的实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种衬底基板，其特征在于，所述衬底基板为单层结构，沿厚度方向包括导电部分和非导电部分。
2.根据权利要求1所述的衬底基板，其特征在于，所述导电部分与所述非导电部分的厚度比值范围为1:1～1:4。
3.根据权利要求1所述的衬底基板，其特征在于，所述衬底基板的厚度范围为0.4mm～1.0mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的衬底基板，其特征在于，所述非导电部分包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO和Fe2O3；
所述导电部分包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO、Fe2O3，以及氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的衬底基板，其特征在于，所述非导电部分中各材料的质量百分比为：SiO2为60％～73％、Al2O3为5％～22％、B2O3为1％～6％、BaO为5％～15％、SrO为0％～20％、CaO为0％～13％、MgO为0％～11％、SnO2为0.005％～2％、Fe2O3为0.003％～0.1％；
所述导电部分中各材料的质量百分比为：SiO2为50％～65％、Al2O3为4％～18％、B2O3为1％～5％、BaO为4％～13％、SrO为0％～15％、CaO为0％～10％、MgO为0％～9％、SnO2为0.005％～1.5％、Fe2O3为0.003％～0.1％、氧化锌为0％～20％、纳米银为0％～20％、氧化铟为0％～20％、氧化锡为0％～20％；其中，所述氧化锌、纳米银、氧化铟以及氧化锡的总的质量百分比为15％～30％。
6.一种如权利要求1-5任一项所述衬底基板的制造装置，其特征在于，所述制造装置包括装置本体；所述装置本体包括第一侧壁、第二侧壁以及隔板；所述第一侧壁与所述隔板形成第一溢流槽；所述第二侧壁与所述隔板形成第二溢流槽；所述装置本体的底部设置有导流结构，所述导流结构用于将沿所述第一侧壁和第二侧壁溢流的熔液通过引导形成衬底基板。
7.权利要求6所述的制造装置，其特征在于，所述第一侧壁与所述第二侧壁分别沿所述装置本体的外侧向下延伸并汇聚于所述装置本体的底部，形成导流结构；或者，
所述装置本体的底部设有开口，所述隔板伸出所述开口，形成导流结构。
8.一种利用权利要求6或7所述制造装置制备衬底基板的方法，其特征在于，包括：
将导电熔液输入到第一溢流槽中，非导电熔液输入到第二溢流槽中；
所述导电熔液和所述非导电熔液分别从所述第一溢流槽和所述第二溢流槽溢出，沿所述第一侧壁和所述第二侧壁流经所述导流结构，形成衬底基板带；
所述衬底基板带下落后，通过拉引制成包含导电部分和非导电部分的衬底基板。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导电熔液和所述非导电熔液分别从所述第一溢流槽和所述第二溢流槽溢出，沿所述第一侧壁和所述第二侧壁流经所述导流结构，形成衬底基板带的步骤还包括：
根据衬底基板的厚度以及导电部分和非导电部分厚度比例的设计需求，相应控制导电熔液和非导电熔液的溢流速度，用于使得导电熔液和非导电熔液通过导流结构的引导形成衬底基板带。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述非导电熔液包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO和Fe2O3；
所述导电熔液包括：SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、CaO、MgO、SnO2、SrO、Fe2O3，以及氧化锌、纳米银、氧化铟和氧化锡中的一种或多种。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述非导电熔液中各材料的质量百分比为：SiO2为60％～73％、Al2O3为5％～22％、B2O3为1％～6％、BaO为5％～15％、SrO为0％～20％、CaO为0％～13％、MgO为0％～11％、SnO2为0.005％～2％、Fe2O3为0.003％～0.1％；
所述导电熔液中各材料的质量百分比为：SiO2为50％～65％、Al2O3为4％～18％、B2O3为1％～5％、BaO为4％～13％、SrO为0％～15％、CaO为0％～10％、MgO为0％～9％、SnO2为0.005％～1.5％、Fe2O3为0.003％～0.1％、氧化锌为0％～20％、纳米银为0％～20％、氧化铟为0％～20％、氧化锡为0％～20％；其中，所述氧化锌、纳米银、氧化铟以及氧化锡的总的质量百分比为15％～30％。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-5任一项所述的衬底基板。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括阵列基板，所述衬底基板与所述阵列基板相对设置，
所述衬底基板中的导电部分设置于靠近阵列基板的一侧作为公共电极层，衬底基板中的非导电部分设置于远离阵列基板的一侧；或者，
所述衬底基板中的导电部分设置于远离阵列基板的一侧，衬底基板中的非导电部分设置于靠近阵列基板的一侧。
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