CN108169945B - 一种On-Cell触控显示面板、制作方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种On‑Cell触控显示面板、制作方法及显示装置,包括:阵列基板;与所述阵列基板对盒的彩膜基板;在所述彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层,其中所述第一ITO层为结晶化状态;以及在所述第一ITO层上形成的第二ITO层。在彩膜制作工艺和对盒工艺前在靠近彩膜基板的衬底玻璃上形成一层ITO层,从而避免了衬底玻璃在后续彩膜制作工艺和对盒工艺中被划伤、污染,从而使在对盒工艺后形成的ITO层与衬底玻璃之间的粘附力降低,导致产品不良率提高;并且,在先形成的ITO层能够在对盒工艺完成后形成为结晶化状态,使得其耐化学性增强,电阻降低;同时,在先形成的ITO层能够与在后形成的ITO层形成互补和支撑。
Description
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域。更具体地,涉及一种On-Cell触控显示面板、制作方法及显示装置。
背景技术
目前外嵌式触控(On Cell Touch)显示面板主要分为单层触控(Single LayerOn-Cell,简称SLOC)显示面板和多层触控(Multi Layer On-Cell,简称MLOC)显示面板,但无论是SLOC还是MLOC产品,由于触控层(ITO层)一般形成在彩膜工艺和对盒工艺之后,因此,当彩膜工艺和对盒工艺完成后,容易造成衬底玻璃被刮伤、污染,导致与衬底玻璃接触的ITO层粘附力较差,使得产品不良率高。
发明内容
为了解决上述技术问题中的至少一个,本发明的一个方面提供了一种on-cell触控显示面板,包括:阵列基板;与所述阵列基板对盒的彩膜基板;在所述彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层,其中所述第一ITO层为结晶化状态;以及在所述第一ITO层上形成的第二ITO层。
在一个优选实施例中,所述第二ITO层中形成有接收走线和传输走线,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
在另一个优选实施例中,所述第二ITO层中形成有接收走线和传输走线中的一个;所述显示面板还包括:在所述第二ITO层上形成的第三ITO层,所述第三ITO层中形成由接收走线和传输走线中的另一个,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
在又一个优选实施例中,所述显示面板还包括:在所述第二ITO层上形成的偏光层,或者在所述第三ITO层上形成的偏光层。
本发明另一方面提供一种on-cell触控显示面板的制作方法,包括:在彩膜基板的第一表面上形成第一ITO层;将彩膜基板与阵列基板对盒,其中彩膜基板的与第一表面相对的第二表面朝向所述阵列基板,并且在所述对盒过程中,所述第一ITO层结晶化;在第一ITO层上形成第二ITO层。
在一个优选实施例中,所述方法还包括:在第二ITO层中形成接收走线和传输走线,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
在另一个优选实施例中,所述方法还包括:在第二ITO层中形成接收走线和传输走线中的一个;在第二ITO层形成第三ITO层;在第三ITO层中形成接收走线和传输走线中的另一个,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
在又一个优选实施例中,所述方法还包括:在所述第二ITO层上形成偏光层。
在又一个优选实施例中,所述方法还包括:在所述第三ITO层上形成偏光层。
本发明另一方面提供显示装置,包括如上一个方面所述的显示面板。
本发明的有益效果如下:
本发明提供一种On-Cell触控显示面板、制作方法及显示装置,在彩膜制作工艺和对盒工艺前在靠近彩膜基板的衬底玻璃上形成一层ITO层,从而避免了衬底玻璃在后续彩膜制作工艺和对盒工艺中被划伤、污染,从而使在对盒工艺后形成的ITO层与衬底玻璃之间的粘附力降低,导致产品不良率提高;并且,在先形成的ITO层能够在对盒工艺完成后形成为结晶化状态,使得其耐化学性增强,电阻降低;同时,在先形成的ITO层能够与在后形成的ITO层形成互补和支撑。
在优选的方案中,本发明不仅适用于SLOC,也能够适用于MLOC,产品适用性广。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出现有技术中SLOC的On-cell触控显示面板结构示意图。
图2示出现有技术中MLOC的On-cell触控显示面板结构示意图。
图3示出本发明第一方面中的On-cell触控显示面板的制作方法流程图。
图4-图8示出图3中各步骤对应的On-cell触控显示面板截面图。
图9示出本发明第二方面中的On-cell触控显示面板的制作方法流程图。
图10-图15示出图9中各步骤对应的On-cell触控显示面板截面图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
在附图中示出了根据本发明公开实施例的各种截面图。这些图并非是按比例绘制的,其中为了清楚表达的目的,放大了某些细节,并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及他们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的,实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差,并且本领域人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
现有技术中,On-Cell Touch显示面板可分为如图1所示的SLOC显示面板和如图2所示的MLOC显示面板,包括阵列基板,彩膜基板及触控层,触控层的材料一般为ITO,其中,在SLOC中仅包括一层ITO层133;在MLOC中,以两层ITO结构的MLOC为例,包括两层ITO层133和135。现有的工艺流程是对盒工艺后在彩膜玻璃背面进行触控工艺,或者称为ITO成膜工艺。因彩膜玻璃背面在进行彩膜制作工艺和对盒工艺时容易受到污染、划伤,导致ITO粘附力差,产品良品率低。
有鉴于此,本发明提供一种On-Cell触控显示面板,包括:阵列基板;与阵列基板对盒的彩膜基板;在彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层,其中第一ITO层为结晶化状态;以及在第一ITO层上形成的第二ITO层。
本发明提供的On-Cell触控显示面板,在彩膜制作工艺和对盒工艺前在靠近彩膜基板的衬底玻璃上形成一层ITO层,从而避免了衬底玻璃在后续彩膜制作工艺和对盒工艺中被划伤、污染,从而使在对盒工艺后形成的ITO层与衬底玻璃之间的粘附力降低,导致产品不良率提高;并且,在先形成的ITO层能够在对盒工艺完成后形成为结晶化状态,使得其耐化学性增强,电阻降低;同时,在先形成的ITO层能够与在后形成的ITO层形成互补和支撑。
具体的,请结合附图8所示,在本发明的第一方面中,提供一种SLOC的On-Cell触控显示面板,包括阵列基板;与阵列基板对盒的彩膜基板;在彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层131,其中第一ITO层131为结晶化状态;以及在第一ITO层131上形成的第二ITO层133。第二ITO层133中形成有接收走线和传输走线,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
当然,On-cell触控显示面板中,还包括在第二ITO层133上形成的偏光层111。
基于上述触控显示面板的结构,在本方面中,还提供一种On-Cell触控显示面板的制作方法,结合图3以及图4-8所示,包括如下步骤:
S101:在彩膜基板的第一表面上形成第一ITO层131,如图4所示。
具体的,可以是采用物理气相沉积法或激光脉冲沉积法。
在本方面的实施方式中,第一表面为图示中背离彩膜基板的表面。
本领域技术人员明了,彩膜基板包括:第二衬底109;在第二衬底109上形成的彩膜层107,彩膜层中设置RGB像素区和BM黑矩阵区;在彩膜层107上形成的绝缘覆盖层,绝缘覆盖层上形成有多个隔垫物1051。
可选的,隔垫物1051可以为柱形隔垫物或者球形隔垫物。
S102:将彩膜基板与阵列基板对盒,其中彩膜基板的与第一表面相对的第二表面朝向阵列基板,并且在对盒过程中,第一ITO层131由于高温结晶化,如图5所示。
本领域技术人员明了,阵列基板包括第一衬底101,以及在第一衬底上形成的薄膜晶体管层103。
彩膜基板与阵列基板的对盒工艺中,将液晶封装在彩膜基板与阵列基板对盒的密封空间内形成液晶层105。
在对盒过程中,产品处于烘焙加热的环境下,导致第一ITO层131结晶化,使得其耐化学性增强,电阻降低。
S103:在第一ITO层131上形成第二ITO层133,如图6和图7所示。
具体的,可以是采用物理气相沉积法或激光脉冲沉积法,然后进行曝光、显影、刻蚀及剥离制程图案化。
实质上,第一ITO层131不具有触控功能,即第一ITO层131并不需要图案化,但在曝光工艺中,如果仅仅将第二ITO层133图案化,需要额外对曝光工艺进行精确控制,因此,将第一ITO层131与第二ITO层133在同一曝光工艺中图案化,可以避免不必要的调试工作。
S104:在第二ITO层133中形成接收走线和传输走线。
其中,接收走线和传输走线彼此电绝缘。
本领域技术人员明了,在SLOC中,接收走线和传输走线设置于同一层ITO中,因此仅需要一次图案化工艺,节约了成本。
S105:在第二ITO层133上形成偏光层111,如图8所示。
具体的,偏光层111可以采用涂布或者贴敷的方式覆盖在第二ITO层133上,本领域公知的,液晶显示器的成像必须依靠偏振光,偏光片能够将光线折射为偏振光。
在本方面提供的方法中,由于第二ITO层133中形成由接收走线和传输走线,因此相对于MLOC,减少了一次曝光刻蚀的工艺,降低了成本,并且使产品更薄,但是本领域公知的,SLOC相较于MLOC的触控灵敏度较低。
因此,本发明的第二方面中,还提供另一种基于MLOC的On-Cell触控显示面板,结合图15所示,包括:阵列基板;与阵列基板对盒的彩膜基板;在彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层131,其中第一ITO层131为结晶化状态;以及在第一ITO层131上形成的第二ITO层133。第二ITO层133中形成有接收走线和传输走线中的一个;显示面板还包括:在第二ITO层133上形成的第三ITO层135,第三ITO层135中形成由接收走线和传输走线中的另一个,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
基于上述触控显示面板的结构,在本方面中,还提供一种On-Cell触控显示面板的制作方法,如图9以及图10-15所示,包括如下步骤:
S201:在彩膜基板的第一表面上形成第一ITO层131,如图10所示。
具体的,可以是采用物理气相沉积法或激光脉冲沉积法。
在本方面的实施方式中,该第一表面显然为背离彩膜基板的表面。
本领域技术人员明了,彩膜基板包括:第二衬底,在第二衬底109上形成的彩膜层107,彩膜层107中设置RGB像素区和BM黑矩阵区;在彩膜层107上形成的绝缘覆盖层,绝缘覆盖层上形成有多个隔垫物1051。
可选的,隔垫物1051可以为柱形隔垫物或者球形隔垫物。
S202:,将彩膜基板与阵列基板对盒,其中彩膜基板的与第一表面相对的第二表面朝向阵列基板,并且在对盒过程中,第一ITO层131结晶化,如图11所示。
本领域技术人员明了,阵列基板包括第一衬底101,以及在第一衬底101上形成的薄膜晶体管103。
彩膜基板与阵列基板的对盒工艺中,将液晶封装在彩膜基板与阵列基板对盒的密封空间内形成液晶层105。
在对盒过程中,产品处于烘焙加热的环境下,导致第一ITO层131结晶化,使得其耐化学性增强,电阻降低。
S203:在第一ITO层131上形成第二ITO层133,如图12所示。
具体的,可以是采用物理气相沉积法或激光脉冲沉积法,然后进行曝光、显影、刻蚀及剥离制程。
S204:在第二ITO层133中形成接收走线和传输走线中的一个。
本领域技术人员明了,在MLOC中,接收走线和传输走线设置于不同层ITO中,因此增加了触控线的单位密度,使得触控灵敏度提高。
S205:在第二ITO层133形成第三ITO层135,如图13和图14所示。
基于上述形成第二ITO层133相同的方法,可以第三ITO层135可以采用物理气相沉积法或激光脉冲沉积法,然后进行曝光、显影、刻蚀及剥离制程图案化。
在本方面中,第二ITO层133和第三ITO层135由于分别形成接收走线或传输走线,因此,需要分别图案化。
实质上,第一ITO层131不具有触控功能,即第一ITO层131并不需要图案化,但在曝光工艺中,如果仅仅将第二ITO层133图案化,需要额外对曝光工艺进行精确控制,因此,将第一ITO层131与第二ITO层133在同一曝光工艺中图案化,可以避免不必要的调试工作。
需要说明的是,一般第二ITO层133和第三ITO层135图案化为相互交叉或者垂直的图案,因此从图14和15仅仅能够体现出其中一层ITO层(例如第三ITO层135)图案化。
S206:在第三ITO层135中形成接收走线和传输走线中的另一个。
其中接收走线和传输走线彼此电绝缘,在两层ITO层中电绝缘的方式一般可以为在第二ITO层和第三ITO层之间形成一层薄的绝缘层。
S207:在第三ITO层135上形成偏光层111,如图15所示。
具体的,偏光层111可以采用涂布或者贴敷的方式覆盖在第三ITO层135上,本领域公知的,液晶显示器的成像必须依靠偏振光,偏光片能够将光线折射为偏振光。
相较于现有技术,无论是SLOC还是MLOC产品的制作过程中,第一ITO层131在彩膜制作工艺和对盒工艺中,起到了对衬底玻璃的保护作用,由于衬底玻璃在彩膜制作工艺和对盒工艺之前沉积了一层ITO层,因此该ITO层与衬底玻璃之间形成牢固结合,在后续的工艺中,虽然会导致第一ITO层131被划伤,或者形成缺陷,但在沉积第二ITO层133时,第二ITO层133能够将该划伤部位或者缺陷部位填充,第二ITO层133与第一ITO层131形成互补,导致相互支撑并且牢固结合,因此避免了现有技术中存在的ITO层与被污染的衬底玻璃结合不牢的问题。并且,第一ITO层131能够在对盒工艺完成后形成为结晶化状态,使得其耐化学性增强,电阻降低。
此外,在本发明的第三方面,提供一种显示装置,该显示装置为手机、平板电脑、导航仪等具有任何显示和触控功能的产品。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的属于“第一”、“第二”等是用于区别不同的对象,而不是用于描述特定顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法或设备固有的气体步骤或单元。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (10)
1.一种On-Cell触控显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
与所述阵列基板对盒的彩膜基板;
在所述彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层,其中所述第一ITO层为在所述阵列基板和彩膜基板对盒过程中形成结晶化状态;以及
在所述第一ITO层上形成的第二ITO层。
2.根据权利要求1所述面板,其特征在于,所述第二ITO层中形成有接收走线和传输走线,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
3.根据权利要求1所述面板,其特征在于,所述第二ITO层中形成有接收走线和传输走线中的一个;
所述显示面板还包括:
在所述第二ITO层上形成的第三ITO层,所述第三ITO层中形成由接收走线和传输走线中的另一个,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
4.根据权利要求2或3所述面板,其特征在于,
在所述第二ITO层中形成有接收走线和传输走线的情况下,所述显示面板还包括在所述第二ITO层上形成的偏光层;或者
在所述第二ITO层上形成的第三ITO层的情况下,在所述第三ITO层上形成的偏光层。
5.一种On-Cell触控显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在彩膜基板的第一表面上形成第一ITO层;
将彩膜基板与阵列基板对盒,其中彩膜基板的与第一表面相对的第二表面朝向所述阵列基板,并且在所述对盒过程中,所述第一ITO层结晶化;
在第一ITO层上形成第二ITO层。
6.根据权利要求5所述方法,其特征在于,所述方法还包括:
在第二ITO层中形成接收走线和传输走线,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
7.根据权利要求5所述方法,其特征在于,所述方法还包括:
在第二ITO层中形成接收走线和传输走线中的一个;
在第二ITO层上形成第三ITO层;
在第三ITO层中形成接收走线和传输走线中的另一个,其中接收走线和传输走线彼此电绝缘。
8.根据权利要求6所述方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第二ITO层上形成偏光层。
9.根据权利要求7所述方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第三ITO层上形成偏光层。
10.一种On-Cell触控显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4中任一项所述的触控显示面板。
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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