CN108166066A - 激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，包括依次进行的预处理步骤、等离子体处理步骤、酸刻蚀步骤，抛光处理步骤。本发明方法避免了传统机械车、磨、抛加工过程，可能引入的加工缺陷及表面/亚表面损伤，显著改善倍半氧化物激光晶体的加工效率。可快速获得超光滑、低/无损伤、高精度的激光晶体表面。

Description

激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法
技术领域
本发明属于晶体材料的加工领域，具体讲，是针对激光晶体元件低、无损伤高表面完整性需求以及传统加工的低效去除率，提出采用等离子体改性刻蚀辅助抛光加工的新方法来实现激光晶体材料的高效、高精度、低损伤、超光滑表面加工。
背景技术
随着制造业的快速发展，材料的加工的尺度已经从微米、纳米向原子尺度逼近。激光作为新兴的先进加工手段受到越来越广泛的关注，特别是激光制造的出现，更是对加工用激光器的性能提出了越来越高的要求。寻找光学性能优良的新型激光介质，从材料层面上提高激光器性能，对推进激光制造业的发展具有重大意义。
激光晶体，特别是倍半氧化物激光晶体，因具有低声子能量(可有效抑制激光能级间的多声子无辐射驰豫，进而降低激光阈值，提高激光输出功率和效率)、高的热导率(不会导致晶格畸变、晶体开裂以及热导率下降等问题，保障了晶体质量)、高损伤阈值及适中的受激发射截面，是理想的激光晶体之一，获得越来越多的关注。Nd:YAG晶体是YAG激光的核心元件，其加工精度及加工质量是直接影响激光器的输出质量及元件的激光损伤阈值。此外，激光元器件形式多样，厚度可高达200μm，径厚比可高达(≥60)，刚度高，加工难度大。此类材料属于硬脆材料，其弹性极限与强度极限非常接近，当材料所承受的载荷稍稍超过弹性极限时就会发生断裂破坏，加工表面容易产生微裂纹和凹坑，严重影响其表面质量和性能。
传统的切削、磨削及抛光工艺是加工激光晶体的主要方法，主要采用机械接触式去除材料，不可避免的损坏了晶体的表面质量及晶格完整性，引起了表面/亚表面损伤，导致表面产生残余应力，直接降低晶体的抗激光损伤阈值。非接触式的抛光方法是获得超光滑、无损伤晶体表面的主要途径。Namba等于1977年提出浮法抛光来实现包括熔石英、刚玉在内的多种光学材料的低表面粗糙度加工(RMS<0.1nm)，抛光剂采用胶态SiO2、GeO2及Al2O3，通过工件定轴旋转的动压力及工件与磨盘之间的含粒子液膜来实现材料去除，最终实现的RMS低于0.1nm。Mori等提出采用微细磨料粒子在流动液体的带动下撞击工件来实现工件表面原子级去除，可获得0.1nm的超光滑表面。离子束抛光通过惰性气体离子束流轰击工件表面来去除材料，可获得RMS 0.6nm。磁流变抛光(MRF)最早由白俄罗斯学者Kordonski在20世纪80年代末提出，通过磁场控制磁性流体粘性，进而控制工件表面的剪切去除。然而，上述几种方法加工效率低。等离子体化学蒸发加工的加工效率接近接触式加工方法，它利用等离子体来激发反应气体中的活性粒子使其与工件表面原子发生化学反应,将之转变为挥发性产物,最后通过气体蒸发实现表面材料加工，可实现单晶碳化硅的RMS 0.37nm。国内自上世纪80年代我国开展了超光滑表面的加工研究，先后开展了气囊抛光、磁射流抛光、磁流变抛光、离子束抛光及大气等离子抛光等。大气等离子化学蒸发抛光主要用于硅基硬脆材料，抛光效率较高，但受限于被加工材料是否能够转变为挥发性产物。
倍半氧化物激光晶体(粉末)难溶于水和碱，但可与无机酸反应生成盐。然而，倍半氧化物激光晶体与酸的反应速度较慢，即使在王水中，材料去除速率仍很低。此外，晶体材料具有各向异性，会影响不同位置材料的去除速率。目前对倍半氧化物激光晶体超精密加工技术的研究还未见报道。而Nd:YAG是自然界中仅次于金刚石、立方氮化硼的第三大硬脆材料,其研磨、抛光更加困难,且极易形成表面和亚表面损伤。现有的各种工艺方法还无法完全解决板条YAG晶体元件高面形精度与高表面光洁度之间的矛盾，实现该类元件高精度、高效率和低缺陷的加工制造仍比较困难。此外，激光晶体材料化学性质各异，很难形成气态化合物，导致等离子体化学蒸发加工方法难以实现。
发明内容
为满足高性能激光晶体元件的使用要求，提高激光晶体的损伤阈值，需加工出超光滑、无缺陷、低损伤的高面形精度晶体表面。针对此类难加工激光晶体，本发明提出一种具有一般意义等离子体改性刻蚀辅助抛光加工激光晶体的新方法。
实现本发明目的技术方案为：
一种激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，包括依次进行的预处理步骤、等离子体处理步骤、酸刻蚀步骤，抛光处理步骤。
而且，所述的预处理步骤包括依次进行的粗磨、精磨、机械抛光处理。
而且，所述的等离子体处理步骤是采用等离子体气体H2+反应气体He，在大气环境下，使用介质阻挡放电激发产生的含氢等离子体，H2与He的体积比1:100～1:500；或采用气体He通入水后出来的反应气体，水与He的体积比为1:49～1:500。
而且，所述的酸刻蚀步骤是在等离子体处理后的晶体表面喷涂强酸气体，生成反应物为溶于水的盐，反应后先换气将处理气体排净，再在晶体表面喷水去除溶于水的盐。
而且，所述的强酸气体为HF或HCl或HNO3或HBr。
而且，在酸刻蚀步骤后依次用去离子水、碱液、去离子水清洗至晶体表面为中性。
而且，所述的碱液为1％的碳酸氢钠溶液。
而且，所述的抛光处理方式采用机械抛光或磁流变抛光或CMP抛光。
而且，所述的机械抛光处理的步骤为：先使用W0.3～1金刚石抛光膏抛光5～10min，再使用W0.05～0.1的二氧化铈抛光膏抛光30～60min。
(1)激光晶体物理及化学性质的表征与分析：
分析和表征激光晶体材料的物理化学性质及其可形成的化合物基本组分，初步分析晶体材料可被改性的可行性及其表面化学刻蚀的可行性。
(2)等离子体辅助表面处理：
根据激光晶体材料的物理化学性质及其可形成的化合物基本组分，分析刻蚀气体的成分；通过实验，表征及分析刻蚀加工的有效性。
(3)激光晶体表面刻蚀
根据激光晶体被处理表面的化学物理性质，配置恰当的刻蚀剂，分析被刻蚀激光晶体的表面形貌、表面光洁度及材料去除速率等。
(4)激光晶体表面抛光
根据激光晶体表面刻蚀加工后粗糙度的微量损失，选取恰当的抛光方法及工艺参数，通过表面抛光去除酸刻蚀带来的粗糙度损失。
利用开发的加工系统，分析子口径等离子体辅助刻蚀加工条件下，等离子体改性及刻蚀处理工艺参数对刻蚀加工表面形貌的影响，保证激光晶体面型精度；通过表面抛光去除酸刻蚀带来的粗糙度损失，最终形成高效、高精度、低/无损伤加工工艺。
本发明的优点和有益效果
1、本发明依据激光晶体材料的物理、化学性质，提供了一种高效、低损伤、高精度的激光晶体元件超光滑表面加工新方法。此方法避免了传统机械车、磨、抛加工过程，可能引入的加工缺陷及表面/亚表面损伤，显著改善倍半氧化物激光晶体的加工效率。
2、本发明采用化学反应刻蚀的方法，没有引入机械作用，不会引入残余应力，所获得晶体表面无损伤，且可以实现材料原子级去除。通过子口径表面处理、刻蚀及原位测量，可以有效实现薄片激光晶体的快速去除加工。
3、本发明通过微量抛光去除酸刻蚀带来的粗糙度损失，并避免低速率修正过程，进一步提升加工速率，并且此抛光过程可以根据晶体表面的具体需求选择抛光方式，最终快速获得超光滑、低/无损伤、高精度的激光晶体表面。
4、本发明所提出的方法，不但可以应用于平面加工，也可以应用于曲面加工。
5、本发明方法不仅可用于加工倍半氧化物激光晶体，还可用于加工其他同类脆性材料。
6、采用He通入水后激发的含H等离子体，去离子水储存方便、使用安全；直接使用氢气混合激发产生的等离子体不会引入其他元素影响，大气环境对设备要求低、便于与其他处理结合。
7、使用强酸气体较酸液喷涂，反应离子浓度增加，处理均匀性会有较大提高，能与晶体表面改性层反应更加充分，产生无机盐效率更高。
附图说明
图1为本方法加工原理图；
图2为本方法加工工艺过程；
图3为本方法加工系统及过程示意图；
图4a为氧化镥晶体的抛光处理前SEM图；
图4b为氧化镥晶体的抛光处理后SEM图；
图5a为氧化镥晶体抛光处理前白光测量；
图5b为氧化镥晶体抛光处理后白光测量。
具体实施方式
本发明以倍半氧化物激光晶体为例，采取等离子改性刻蚀辅助抛光的方法，提出了倍半氧化物激光晶体的高效、高精度、无损伤加工工艺方法。下面根据附图和实例，对本发明做进一步详述。本发明采用子口径刻蚀加工、抛光系统及原位测量系统来实现晶体表面修形加工，具体实施方案步骤如下：
⑴对倍半氧化物氧化镥晶体坯料进行切割，并对表面进行粗磨、精磨及/或机械抛光等预处理，粗磨使用W7～W10的碳化硅，研磨时间20～40min，精磨使用W1～W3的氧化铝，研磨时间60～90min，得到氧化镥晶体毛坯材料；
⑵对毛坯材料进行形貌测量和损伤层厚度测量，以确定材料表面需要去除的深度；
⑶根据去除深度，对晶体进行等离子体表面处理，选择气体进行了实验，可选择气体为H(等离子体气体)和He(反应气体)，等离子体气体与反应气体的体积比为1:150；此外还可以是去离子水(等离子体气体)和He(反应气体)，等离子体气体与反应气体的体积比为2:98，在大气常温常压环境下通过电容式介质阻挡放电激发等离子体，在倍半氧化物中引入H离子，把倍半氧化物转变为氢氧化物；为增加对表面处理的精度，等离子体表面处理采用子口径局部处理方式；同样，采用子口径方式对晶体表面刻蚀加工，通过氢氧化物与无机酸反应实现材料的快速去除，反应生成盐，可溶于水，进而实现表面残留物回收；
⑷直接使用强酸气体进行反应，如HCl气体，直接在改性后的晶体表面喷涂强酸气体，生成反应物为溶于水的盐，反应后先换气将处理气体排净，再在晶体表面喷水去除溶于水的盐。将气体回收与盐回收分开，回收效率高，结构简单对被加工材料剩余厚度进行测试，检测是否达到预期厚度，并决定是否继续进行表面处理及刻蚀加工；
⑸酸刻蚀后用去离子水冲洗1分钟；然后用质量分数1％的碳酸氢钠碱液清洗半分钟，再用去离子水冲洗1分钟，收集冲洗后的去离子水，用PH试纸检测去离子水PH值在6.9-7.1碱洗完毕；
⑹对被加工表面进行微量抛光处理，通过抛光去除刻蚀造成的轻微粗糙度损失；抛光的具体方式可根据需求选取，若对亚表面损伤要求不高可以为机械抛光，若有要表面损伤的要求可以为磁流变抛光、CMP抛光；
具体抛光处理参数如表1所示。分别对抛光处理完成前后分别对表面进行SEM以及白光干涉仪观察，其结果如图4、5所示。图4(a)与图4(b)的对比中发现在等离子体改性刻蚀后晶体表面出现大量表面缺陷，在抛光后表面缺陷几乎完全消失，图5(a)和(b)的白光测量对比图像发现在抛光后粗糙度由1.4763nm降低至1.0155nm，证明了在进行了抛光处理后可以去除由于酸刻蚀带来的粗糙度误差，从而证明了本发明的可行性。
表1氧化镥晶体表面抛光处理参数
抛光膏 二氧化铈抛光膏
抛光方式 手动抛光
抛光时间(h) 1.5
公转速度(rpm) 60
抛光膏粒度(nm) 50
图1为本发明采用的技术方案原理图。首先，采用等离子体表面处理的方法，对激光晶体进行表面改性，使其转变为氢氧化物，然后进行局部酸腐蚀，通过酸碱的中和反应提高材料去除速率，在此基础之上，可通过对倍半氧化物晶体进行抛光来实现晶体材料面形快速修正，进而保证超光滑表面。
图2为本发明采用的主要工艺流程。首先，对倍半氧化物激光晶体坯料进行切割，并对表面进行粗磨、精磨及/或机械抛光等预处理，得到倍半氧化物激光晶体毛坯材料；对毛坯材料进行形貌测量和损伤层厚度测量，以确定材料表面需要去除的深度；根据去除深度，对晶体进行等离子体表面处理，在倍半氧化物中引入H离子，把倍半氧化物转变为氢氧化物；为增加对表面处理的精度，等离子体表面处理采用子口径局部处理方式；同样，采用子口径方式对晶体表面刻蚀加工，通过氢氧化物与无机酸反应实现材料的快速去除，反应生成盐，可溶于水，进而实现表面残留物回收；对被加工材料剩余厚度进行测试，检测是否达到预期厚度，并决定是否继续进行表面处理及刻蚀加工；对被加工表面进行微量抛光处理，通过抛光去除刻蚀造成的轻微粗糙度损失；对被加工表面进行形貌测试，检测是否的达到预期指标，并决定是否继续进行抛光处理，直至被加工表面达到预期加工目标。
图3显示了实现该方法所需要的具体实验装置，主要包含四大部分：(1)数控扫描平台及表面特性的测量装置，负责对加工表面数控扫描测量，以确定表面形貌和损伤厚度，确定后续加工中的去除量分布；(2)等离子体表面处理装置：等离子体发生装置、反应气体、保护气体，等离子体炬/等离子体发生舱，数控移动平台。该装置通过数控移动，对加工表面进行子孔径表面改性，提供更易于刻蚀加工的表面；(3)刻蚀加工装置：刻蚀液储存系统、刻蚀液、刻蚀液循环系统、热交换系统、流量计量与控制系统及表面残留回收系统。负责对改性部分进行子孔径酸腐蚀刻蚀加工。由于等离子体表面处理具有较好可控性，适宜对材料表面进行子孔径局部改性，通过设计恰当尺寸和结构的酸腐蚀喷嘴，可实现对表面子孔径局部可控去除，同时实现残留物的回收。(4)抛光加工装置：驱动电机、抛光膏、抛光盘、抛光垫、数控位移平台、负载控制装置。该装置通过数控扫描控制，对加工表面进行微量抛光处理，去除刻蚀处理带来的粗糙度损失。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：包括依次进行的预处理步骤、等离子体处理步骤、酸刻蚀步骤，抛光处理步骤。
2.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的预处理步骤包括依次进行的粗磨、精磨、机械抛光处理。
3.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的等离子体处理步骤是采用等离子体气体H2+反应气体He，在大气环境下，使用介质阻挡放电激发产生的含氢等离子体，H2与He的体积比1:100～1:500；或采用气体He通入水后出来的反应气体，水与He的体积比为1:49～1:500。
4.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的酸刻蚀步骤是在等离子体处理后的晶体表面喷涂强酸气体，生成反应物为溶于水的盐，反应后先换气将处理气体排净，再在晶体表面喷水去除溶于水的盐。
5.根据权利要求4所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的强酸气体为HF或HCl或HNO3或HBr。
6.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：在酸刻蚀步骤后依次用去离子水、碱液、去离子水清洗至晶体表面为中性。
7.根据权利要求6所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的碱液为1％的碳酸氢钠溶液。
8.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法：其特征在于：所述的抛光处理方式采用机械抛光或磁流变抛光或CMP抛光。
9.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法：其特征在于：所述的机械抛光处理的步骤为：先使用W0.3～1金刚石抛光膏抛光5～10min，再使用W0.05～0.1的二氧化铈抛光膏抛光30～60min。
10.一种权利要求1所述的方法在脆性材料加工中的应用。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109848760A (zh) * 2019-01-02 2019-06-07 中国科学院上海光学精密机械研究所 Yag板条激光晶体两平面平行度加工方法
CN111549379A (zh) * 2020-05-29 2020-08-18 天津大学 一种等离子体改性及刻蚀一体化晶体超光滑表面加工方法
CN112317271A (zh) * 2019-08-05 2021-02-05 全耐塑料欧洲公司 透明的车辆零件的制造方法
CN112318216A (zh) * 2020-11-05 2021-02-05 浙江工业大学 一种基于振镜的激光维持等离子体抛光钛合金的方法
CN114750080A (zh) * 2022-04-25 2022-07-15 中铁第四勘察设计院集团有限公司 一种水射流钢轨打磨车废料分类再利用系统及方法
CN118024033A (zh) * 2024-04-10 2024-05-14 浙江大学 一种基于放电工具的熔融石英研抛一体加工装置及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1748296A (zh) * 2003-02-06 2006-03-15 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置
CN106541506A (zh) * 2016-10-27 2017-03-29 天津大学 激光晶体等离子体辅助刻蚀加工PaE方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1748296A (zh) * 2003-02-06 2006-03-15 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置
CN106541506A (zh) * 2016-10-27 2017-03-29 天津大学 激光晶体等离子体辅助刻蚀加工PaE方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109848760A (zh) * 2019-01-02 2019-06-07 中国科学院上海光学精密机械研究所 Yag板条激光晶体两平面平行度加工方法
CN112317271A (zh) * 2019-08-05 2021-02-05 全耐塑料欧洲公司 透明的车辆零件的制造方法
CN111549379A (zh) * 2020-05-29 2020-08-18 天津大学 一种等离子体改性及刻蚀一体化晶体超光滑表面加工方法
CN111549379B (zh) * 2020-05-29 2021-07-30 天津大学 一种等离子体改性及刻蚀一体化晶体超光滑表面加工方法
CN112318216A (zh) * 2020-11-05 2021-02-05 浙江工业大学 一种基于振镜的激光维持等离子体抛光钛合金的方法
CN112318216B (zh) * 2020-11-05 2021-10-15 浙江工业大学 一种基于振镜的激光维持等离子体抛光钛合金的方法
CN114750080A (zh) * 2022-04-25 2022-07-15 中铁第四勘察设计院集团有限公司 一种水射流钢轨打磨车废料分类再利用系统及方法
CN118024033A (zh) * 2024-04-10 2024-05-14 浙江大学 一种基于放电工具的熔融石英研抛一体加工装置及方法

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