CN108122795A - Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法 - Google Patents

Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108122795A
CN108122795A CN201611064140.0A CN201611064140A CN108122795A CN 108122795 A CN108122795 A CN 108122795A CN 201611064140 A CN201611064140 A CN 201611064140A CN 108122795 A CN108122795 A CN 108122795A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cmos camera
wafer
camera wafer
probe
detection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611064140.0A
Other languages
English (en)
Inventor
程丰年
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Micro Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Micro Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Micro Semiconductor Co Ltd filed Critical Shenzhen Micro Semiconductor Co Ltd
Priority to CN201611064140.0A priority Critical patent/CN108122795A/zh
Publication of CN108122795A publication Critical patent/CN108122795A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及一种CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及其检测方法。检测装置包括:PCB板,PCB板上固定并电连接有探针;探针;单颗定位治具,用于固定CMOS摄像头晶圆;视觉装置,用于获取探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况;视觉显示屏,通过视觉显示屏能够查看探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况;测试盒,用于处理CMOS摄像头晶圆的图像信号;电脑,电脑安装有测试软件,测试软件判定CMOS摄像头晶圆的成像质量;视觉装置与视觉显示屏电连接,PCB板与测试盒电连接,测试盒与电脑电连接。本发明实现了在CMOS摄像头晶圆封装之前的CMOS摄像头晶圆的单颗电性和功能检测,节省了封装的成本、提高了生产效率和产品质量。

Description

CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及其检测方法。
背景技术
半导体产业包括集成电路设计(IC Design)、晶圆制造(Wafer Fabrication)、以及封装测试(Assembly and Testing)。
目前的CMOS摄像头晶圆产业,只能在原厂制作时对CMOS摄像头晶圆进行测试,这种测试是采用整个晶圆(Wafer)进行电性和功能测试。而对于封装后的测试,封装之前CMOS摄像头晶圆测试PAD大小为65μm×65μm,封装后的信号引脚PIN的大小为850μm×400μm,也就是说,封装后的测试精度远远低于晶圆的测试精度。同时,由于已经封装成芯片,如果测试出不良品,则整块封装芯片都将报废,出现模块中因单一组件报废而导致其他相关晶粒一起作废而造成浪费的问题。也就是说,在现有技术中,还无法提供在封装前对单颗CMOS摄像头晶圆进行电性和功能检测的技术,使得行业中普遍存在物料、人力、机械等的浪费现象,以及封装成本增加的问题。
发明内容
基于上述问题,本发明的一个目的是提出一种对CMOS摄像头晶圆进行单颗电性和功能测试的检测装置,在CMOS摄像头晶圆封装之前加以电性和功能测试,确定晶圆品质,实现良品与不良品的明确分类,避免盲封、节省封装成本。
本发明通过以下技术方案实现:
一种CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置,包括:PCB板,PCB板上固定并电连接有探针,PCB板用于传输信号;探针,探针的一端与PCB板电连接,另一端接触CMOS摄像头晶圆上的PAD点;单颗定位治具,用于固定所述CMOS摄像头晶圆;视觉装置,用于获取所述探针与所述CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况;视觉显示屏,通过视觉显示屏能够查看探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况;测试盒,用于处理CMOS摄像头晶圆的图像信号;电脑,电脑安装有测试软件,所述测试软件判定CMOS摄像头晶圆的成像质量;所述视觉装置与视觉显示屏电连接,所述PCB板与测试盒电连接,测试盒与所述电脑电连接。
更进一步地,所述单颗定位治具控制所述CMOS摄像头晶圆与所述探针接触,视觉装置将获取到的探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况传输至视觉显示屏,通过视觉显示屏查看接触状况以判断CMOS摄像头晶圆是否良好地放置在单颗定位治具上。
更进一步地,所述CMOS摄像头晶圆能够采集并处理图像信号,所述测试盒通过PCB板和探针对CMOS摄像头晶圆供电,CMOS摄像头晶圆将处理后的图像信号经由探针和PCB板传输到测试盒中。
更进一步地,测试盒对处理后的图像信号进行再次处理,并将再次处理后的图像信号传输至电脑。
更进一步地,电脑中的所述测试软件对再次处理后的图像信号进行成像获得成像图,测试软件对成像图进行质量判定从而确定CMOS摄像头晶圆的品质。
更进一步地,探针的直径大小为25μm。
本发明的另一个目的是提供一种使用如上述技术方案所述的检测装置的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测方法,所述检测方法包括如下步骤:
(1)晶圆放置:将CMOS摄像头晶圆放置到单颗定位治具上;
(2)视觉查看:查看视觉显示屏中的探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况,若接触不良,则返回第(1)步,重新放置晶圆,若接触良好,则进行下一个步骤;
(3)软件成像:点击电脑中的测试软件,测试软件对来自CMOS摄像头晶圆的图像信号进行成像,若成像失败,则说明CMOS摄像头晶圆损坏,若成像成功,则进行下一个步骤;
(4)成像判定:根据上一个步骤中成像所得的图像的质量判定CMOS摄像头晶圆的质量并进行分类。
与现有技术相比,本发明的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及其检测方法实现了在CMOS摄像头晶圆封装之前的CMOS摄像头晶圆的单颗电性和功能检测,由于在封装之前进行了检测,能够在封装之前就发现CMOS摄像头晶圆品质的好坏,避免了因为盲封(不确定晶圆的功能是否正常,全部进行封装)而导致的封装浪费,极大地节省了封装的成本、提高了生产效率和产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置;
图2是图1的检测装置的硬件连接原理图;
图3是本发明的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测流程图;
图中标号说明如下:
1、视觉装置;2、PCB板;3、探针;4、CMOS摄像头晶圆;5、单颗定位治具;6、测试盒;7、视觉显示屏;8、电脑。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面将结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
参见附图1,CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置包括视觉装置1、PCB板2、单颗定位治具5、测试盒6、视觉显示屏7和电脑8。其中,PCB板2上设置有探针3,探针3固定并连接于PCB板2以传输信号,探针3的一端电连接PCB板,另一端用于接触CMOS摄像头晶圆4上的PAD点,实现信号传输;单颗定位治具5用于固定CMOS摄像头晶圆4、并控制CMOS摄像头晶圆4与探针3接触;视觉装置1用于在测试过程中获取探针3与CMOS摄像头晶圆4上的PAD点的接触状况,视觉装置1与视觉显示屏7电连接,视觉装置1获取接触状况后,将接触状况传输至视觉显示屏7,可以通过视觉显示屏7查看探针3与CMOS摄像头晶圆4上的PAD点的接触状况;测试盒6与PCB板2电连接,通过带有探针3的PCB板2对CMOS摄像头晶圆4进行供电,同时,CMOS摄像头晶圆4采集并处理后的图像信号通过探针3和PCB板2传输到测试盒6并由测试盒6进行图像信号的再次处理;测试盒6还与电脑8进行电连接,测试盒6将再次处理后的图像信号传输至电脑8形成图像并显示,电脑8中安装有测试软件,测试软件根据成像后的图像的质量进行判定并分类。
其中,探针3的直径大小为25μm。
下面对CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置的整体工作原理进行详细阐述:
参见附图2,CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置的硬件连接原理为:首先放置CMOS摄像头晶圆4,也就是将CMOS摄像头晶圆4放置于单颗定位治具5上进行固定;其次将探针3与CMOS摄像头晶圆4进行接触,CMOS摄像头晶圆4处理后的图像信号通过探针3传输到PCB板2;然后PCB板2进行信号传输,将CMOS摄像头晶圆4传输来的图像信号传输到测试盒6;接下来测试盒6将图像信号再次处理之后传输至电脑8进行显示,最后由电脑8中的测试软件对成像图进行判定。
具体地,参见附图1和附图2,在对CMOS摄像头晶圆4单颗进行电性和功能测试时,先将CMOS摄像头晶圆4固定放置于单颗定位治具5上,单颗定位治具5可以控制CMOS摄像头晶圆4使其与PCB板2上的探针3进行接触,此时,视觉装置1获取探针3与CMOS摄像头晶圆4上的PAD点接触的接触状况,并将获取到的接触状况传输至视觉显示屏7,从而可以通过视觉显示屏7查看探针3与CMOS摄像头晶圆4上的PAD点的接触状况,以判断CMOS摄像头晶圆4是否良好地放置在单颗定位治具5上,然后,测试盒6通过PCB板2和探针3对CMOS摄像头晶圆4进行供电,使CMOS摄像头晶圆4能够采集并处理图像信号,对CMOS摄像头晶圆4进行供电后,CMOS摄像头晶圆4将采集到的图像信号进行处理,处理后的图像信号由探针3和PCB板2传输到测试盒6中,由测试盒6对处理后的图像信号进行再次的处理,测试盒6将再次处理后的图像信号传输至电脑8,电脑8中安装有测试软件,测试软件对再次处理后的图像信号进行成像获得成像图,如果成像失败,说明CMOS摄像头晶圆4没有工作,即CMOS摄像头晶圆4损坏,如果成像成功,测试软件还将对成像图进行质量判定从而确定晶圆的品质,最终实现良品和不良品的明确分类。
更进一步地,本发明还提供了一种采用前面所述的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测方法,参见附图3,CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测方法包括以下步骤:
(1)晶圆放置:将CMOS摄像头晶圆放置到单颗定位治具上;
(2)视觉查看:查看视觉显示屏中的探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况,若接触不良,则返回第(1)步,重新放置晶圆,若接触良好,则进行下一个步骤;
(3)软件成像:点击电脑中的测试软件,测试软件对来自CMOS摄像头晶圆的图像信号进行成像,若成像失败,则说明CMOS摄像头晶圆损坏,若成像成功,则进行下一个步骤;
(4)成像判定:根据上一个步骤中成像所得的图像的质量判定CMOS摄像头晶圆的质量并进行分类。
本发明的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及其检测方法实现了在CMOS摄像头晶圆封装之前的CMOS摄像头晶圆的单颗电性和功能检测,由于在封装之前进行了检测,能够在封装之前就发现CMOS摄像头晶圆品质的好坏,避免了因为盲封(不确定晶圆的功能是否正常,全部进行封装)而导致的封装浪费,极大地节省了封装的成本、提高了生产效率和产品质量。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本发明的实质精神所引申出的显而易见的变化或变动仍属于本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置,其特征在于,检测装置包括:
PCB板,PCB板上固定并电连接有所述探针,PCB板用于传输信号;
探针,探针的一端与PCB板电连接,另一端接触CMOS摄像头晶圆上的PAD点;
单颗定位治具,用于固定所述CMOS摄像头晶圆;
视觉装置,用于获取所述探针与所述CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况;
视觉显示屏,通过视觉显示屏能够查看探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况;
测试盒,用于处理CMOS摄像头晶圆的图像信号;
电脑,电脑安装有测试软件,所述测试软件判定CMOS摄像头晶圆的成像质量;
所述视觉装置与视觉显示屏电连接,所述PCB板与测试盒电连接,测试盒与所述电脑电连接。
2.如权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述单颗定位治具控制所述CMOS摄像头晶圆与所述探针接触,视觉装置将获取到的探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况传输至视觉显示屏,通过视觉显示屏查看接触状况以判断CMOS摄像头晶圆是否良好地放置在单颗定位治具上。
3.如权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述CMOS摄像头晶圆能够采集并处理图像信号,所述测试器通过PCB板和探针对CMOS摄像头晶圆供电,CMOS摄像头晶圆将处理后的图像信号经由探针和PCB板传输到测试盒中。
4.如权利要求3所述的检测装置,其特征在于,测试盒对处理后的图像信号进行再次处理,并将再次处理后的图像信号传输至电脑。
5.如权利要求4所述的检测装置,其特征在于,所述电脑设备中的所述测试软件对再次处理后的图像信号进行成像获得成像图,测试软件对成像图进行质量判定从而确定CMOS摄像头晶圆的品质。
6.如权利要求1至5中任一项所述的检测装置,其特征在于,探针的直径大小为25μm。
7.一种使用如上述权利要求中任一项所述的检测装置的CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测方法,其特征在于,所述检测方法包括如下步骤:
(1)晶圆放置:将CMOS摄像头晶圆放置到单颗定位治具上;
(2)视觉查看:查看视觉显示屏中的探针与CMOS摄像头晶圆上的PAD点的接触状况,若接触不良,则返回第(1)步,重新放置晶圆,若接触良好,则进行下一个步骤;
(3)软件成像:点击电脑中的测试软件,测试软件对来自CMOS摄像头晶圆的图像信号进行成像,若成像失败,则说明CMOS摄像头晶圆损坏,若成像成功,则进行下一个步骤;
(4)成像判定:根据上一个步骤中成像所得的图像的质量判定CMOS摄像头晶圆的质量并进行分类。
CN201611064140.0A 2016-11-28 2016-11-28 Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法 Pending CN108122795A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611064140.0A CN108122795A (zh) 2016-11-28 2016-11-28 Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611064140.0A CN108122795A (zh) 2016-11-28 2016-11-28 Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108122795A true CN108122795A (zh) 2018-06-05

Family

ID=62225062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611064140.0A Pending CN108122795A (zh) 2016-11-28 2016-11-28 Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108122795A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110361643A (zh) * 2019-08-07 2019-10-22 苏州伊欧陆系统集成有限公司 紫外可见光光敏复合介质栅mosfet探测器测试系统及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1639577A (zh) * 2002-03-22 2005-07-13 电子科学工业公司 测试探针对准设备
JP2008053411A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Nec Electronics Corp プローブ検査装置およびプローブ検査方法
CN101952949A (zh) * 2007-11-28 2011-01-19 豪威科技有限公司 一种检测图像传感器晶片中像素缺陷的装置和方法
CN102749570A (zh) * 2012-07-26 2012-10-24 上海宏力半导体制造有限公司 探针台晶圆测试设备以及晶圆测试方法
CN104459505A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 格科微电子(上海)有限公司 图像传感器的晶圆级测试系统及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1639577A (zh) * 2002-03-22 2005-07-13 电子科学工业公司 测试探针对准设备
JP2008053411A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Nec Electronics Corp プローブ検査装置およびプローブ検査方法
CN101952949A (zh) * 2007-11-28 2011-01-19 豪威科技有限公司 一种检测图像传感器晶片中像素缺陷的装置和方法
CN102749570A (zh) * 2012-07-26 2012-10-24 上海宏力半导体制造有限公司 探针台晶圆测试设备以及晶圆测试方法
CN104459505A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 格科微电子(上海)有限公司 图像传感器的晶圆级测试系统及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110361643A (zh) * 2019-08-07 2019-10-22 苏州伊欧陆系统集成有限公司 紫外可见光光敏复合介质栅mosfet探测器测试系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103969267B (zh) 一种探针卡探针的颗粒物清洁控制方法
CN104062534B (zh) 针对短路测试集成电路封装
TW201835557A (zh) 自動光學檢測系統及其操作方法
US8040140B2 (en) Method and apparatus for identifying broken pins in a test socket
JP3350477B2 (ja) ウエハ検査装置
US20070164763A1 (en) Method for detecting abnormality of probe card
CN104183512B (zh) 一种晶圆监控方法
US20150066414A1 (en) Automatic retest method for system-level ic test equipment and ic test equipment using same
CN108122795A (zh) Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置及方法
CN111998960B (zh) 集成线路板的红外扫描设备鉴定方法
TWI383159B (zh) 電性連接瑕疵偵測裝置
TWI383160B (zh) 電性連接瑕疵偵測系統及方法
CN101349723A (zh) 半导体测试管理系统
US6992499B2 (en) Test method and test apparatus for semiconductor device
CN101398465B (zh) 电子元件的检测系统及其方法
CN206388678U (zh) Cmos摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置
KR101228426B1 (ko) 마킹 검사 장치 및 방법
CN209247969U (zh) 接插板和晶圆测试设备
JP4433265B2 (ja) Lsi検査方法及び欠陥検査データ分析装置
TWI539171B (zh) 電器類製品之組裝製程之管理方法
US8577123B2 (en) Method and system for evaluating contact elements
CN103322915A (zh) 测量芯片管脚数量和管脚间距的测试仪及其测量方法
KR101397242B1 (ko) 웨이퍼를 테스트하는 방법 및 장치
US20050254192A1 (en) Electrostatic discharge (ESD) detector
CN113451167B (zh) 一种封装测试方法、装置以及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180605