CN108098564A - 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 - Google Patents
一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108098564A CN108098564A CN201711384643.0A CN201711384643A CN108098564A CN 108098564 A CN108098564 A CN 108098564A CN 201711384643 A CN201711384643 A CN 201711384643A CN 108098564 A CN108098564 A CN 108098564A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- ring
- semiconductor crystal
- slurries
- wheel rim
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 16
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 claims abstract description 15
- 239000008267 milk Substances 0.000 claims abstract description 15
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 claims abstract description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010960 commercial process Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004556 laser interferometry Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，包括由上至下依次设置的晶圆夹持总成、研磨浆液控制装置、CMP装置。本发明结构简单，摒弃传统的磨床结构，不直接控制驱动晶圆转动的电机主轴升降，而是设置安装筒，并将晶圆的校验水平装置与电机主轴联动，一齐设置在安装筒内，通过对安装筒单独的线性驱动直接进行升降，精度更高，隔离电机震动的问题，也能够解决在接触瞬间的啃咬问题，同时通过研磨浆液控制装置在晶圆和抛光板之间形成均质的环状水膜层，既能够避免气隙的问题产生，又能够稳定抛光的过程，便于激光干涉的监测，提升抛光精度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶圆制造的技术领域，尤其是一种半导体晶圆用化学机械抛光设备。
背景技术
在公知的技术领域，化学机械抛光是半导体工艺的一个步骤，简称CMP，该技术于90年代前期开始被引入半导体硅晶片工序，化学机械抛光已经被证明是目前最佳也是唯一能够实现全局平坦化的技术。在半导体的制造过程中，通过前道工序将各层电路叠加集成至晶圆的表面，在制造过程中其表面必然会不规则，如果不进行平坦化处理，在后续的操作中将可能导致晶圆电路的失效。
在传统的CMP工艺中，类似于一般的抛光工艺，将晶圆与抛光板接触，通相互之间的传动摩擦，配合专用抛洗浆液，进行抛光处理，但是由于抛光精度级别和半导体材料本身的特性，在实际操作中主要存在以下四方面问题：
(1)晶圆在初始状态拟接触抛光前的水平度矫验问题，因为传统的结构一般为直接对驱动晶圆转动的电机直接进行升降，由于电机在工作时的震动，激光测量的状态只是在某一状态下的水平度，故校验的精度方面存在问题；
(2)国内的传动CMP抛光设备仍然移植于传统的机加工磨床结构，由于传统机加工的精度远低于晶圆加工的精度，故如果不重新设计新的结构，那传统结构转速高必然扭矩低，尤其体现在晶圆和抛光板接触的刹那，在两者端面的水平方向的剪切力会突然猛增，容易导致加工误差，经常长期的实验研究，晶圆抛光的加工误差往往是接触瞬间产生的，后续通过激光测距进行改善的余地也并不是很高；
(3)现阶段比较成熟的抛光精度解决方式一般是激光干涉测量法，现有的化学机械抛光方式中，浆液仍然是直接冲洗式，在抛光的初始阶段，在抛光板与晶圆表面之间容易产生气隙，混杂有浆液和废屑，随着抛光的进行，也会形成稳定的扰流层，这将会干扰光谱信号的振动，影响监测的效果，当晶圆尺寸越大，这种干扰就会体现的越明显；
(4)在研磨时的浆料回收一直是困扰已久的问题，如果不及时回收，对工作台的污染问题也会影响到后续的加工进行。
现阶段半导体抛光加工设备的最优商业化工艺和技术方案均为日本、美国等发达国家控制，均为商业保密状态，作为高附加值的加工，急需要研发一种新型的化学机械抛光设备的结构，摆脱传统磨穿结构的限制，更好的适应半导体晶圆的抛光处理，打破技术垄断的壁垒。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服上述问题，设计一种新型的化学抛光设备的结构方案，提供一种能够控制精度高、易于提升激光监测能力、回收废弃浆液的半导体晶圆用化学机械抛光设备。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，包括由上至下依次设置的晶圆夹持总成、研磨浆液控制装置、CMP装置，
所述晶圆夹持总成具有中空且两端开口的安装筒，在所述安装筒的上、下两端均设有密封端盖，在两个密封端盖之间转动连接有隔离套，在所述隔离套的内腔中通过轴承安装有驱动电机转轴，在所述隔离套的外壁上设有主动齿轮圈，与所述主动齿轮圈啮合设有从动齿轮圈，所述从动齿轮圈的下端设有连接端部，且所述从动齿轮圈的连接端部向下延展并贯穿位于下端的密封端盖，在所述从动齿轮圈与安装筒的内壁之间设有滚针轴承，在所述安装筒的外壁固定连接有由第一直线电机驱动的垂直位移调整滑块，以所述从动齿轮圈为中心、在其连接端部的下端边缘旋转设有若干个吊爪，在所述吊爪的下方固定有晶圆固定板，在所述晶圆固定板的下表面固定有待加工晶圆，
所述研磨浆液控制装置具有可升降的安装环装置，所述安装环装置具有内、外分别设置的配水环、固定环，所述配水环的上、下两端与固定环转动连接，在所述配水环的外侧设有环状分布的桨叶，在所述配水环的中部设有贯穿的环形沟槽缝，所述配水环的外侧与固定环的内侧一起构成环状浆液腔室，以所述固定环的中心轴线为中心、在其外侧的切向方向旋转设有若干个高压入水口，
所述CMP装置具有上、下分别设置的化学机械抛光板、旋转托板，在所述化学机械抛光板与旋转托板的同一位置处开设有观察窗口，在所述观察窗口的下方设有激光检测头，
且所述待加工晶圆的外径、化学机械抛光板的外径均小于配水环的内径。
进一步的，作为一种具体的结构形式，本发明中所述吊爪固定在从动齿轮圈的连接端部的下端边缘的万向节，在所述万向节的下端设有至少三个伸缩气杆，所述伸缩气杆的伸缩端部均固定在晶圆固定板的上表面。
进一步的，为了更好的形成浆液流动的分布状况，本发明中相邻两个高压入水口之间在垂直方向上不位于同一水平面。
进一步的，作为一种具体的实施方式，本发明中所述高压入水口的数量为4个，且分别沿固定环的外侧的四等分点的切向位置设置。
进一步的，作为一种具体的实施方式，本发明中所述高压入水口的数量为3个，且分别沿固定环的外侧的三等分点的切向位置设置。
进一步的，考虑到浆液回收，本发明中所述设备还具有浆液回收装置，所述浆液回收装置具有至少一个与配水环内侧固定连接的、呈半圆弧形的引流挡片，且所述引流挡片可密闭住环形沟槽缝，在所述固定环的上端面设有浆液回收环，在所述浆液回收环内设有环形废弃浆液容纳腔室，在所述引流挡片上设有与环形废弃浆液容纳腔室相连通的流道，在所述引流挡片的内侧设有与流道相连通的吸入缝隙。
进一步的，作为一种具体的实施方式，本发明中所述引流挡片的数量为两个，且两个引流挡片之间均由环形沟槽缝隔开。
本发明的有益效果是：本发明结构简单，摒弃传统的磨床结构，不直接控制驱动晶圆转动的电机主轴升降，而是设置安装筒，并将晶圆的校验水平装置与电机主轴联动，一齐设置在安装筒内，通过对安装筒单独的线性驱动直接进行升降，精度更高，隔离电机震动的问题，也能够解决在接触瞬间的啃咬问题，同时通过研磨浆液控制装置在晶圆和抛光板之间形成均质的环状水膜层，既能够避免气隙的问题产生，又能够稳定抛光的过程，便于激光干涉的监测，提升抛光精度。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的实施例一的结构示意图；
图2是本发明的实施例一中吊爪的分布示意图；
图3是本发明的实施例一中研磨浆液控制装置的原理示意图；
图4是图3的剖视图；
图5是本发明的实施例二中研磨浆液控制装置的原理示意图；
图6是图5中A处的剖视图；
图7是本发明的实施例三中研磨浆液控制装置的原理示意图；
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1～图4所示的本发明一种半导体晶圆用化学机械抛光设备的实施例一，包括由上至下依次设置的晶圆夹持总成1、研磨浆液控制装置2、CMP装置3，
所述晶圆夹持总成1具有中空且两端开口的安装筒10，在安装筒10的上、下两端均设有密封端盖11，在两个密封端盖11之间转动连接有隔离套12，在隔离套12的内腔中通过轴承安装有驱动电机转轴13，在隔离套12的外壁上设有主动齿轮圈14，与主动齿轮圈14啮合设有从动齿轮圈15，巧妙的利用隔离套12、安装筒10的内壁之间的环形腔室，将驱动电机转轴13的动力传递出去，在保证同步转速的同时，为晶圆固定板100、待加工晶圆101通过离心力作用自适应调整水平提供动力，从动齿轮圈15的下端设有连接端部，且从动齿轮圈15的连接端部向下延展并贯穿位于下端的密封端盖11，在从动齿轮圈15与安装筒10的内壁之间设有滚针轴承16，在安装筒10的外壁固定连接有由第一直线电机17驱动的垂直位移调整滑块18，以从动齿轮圈15为中心、在其连接端部的下端边缘旋转设有若干个吊爪19，所述吊爪19固定在从动齿轮圈15的连接端部的下端边缘的万向节，在万向节的下端设有至少三个伸缩气杆，所述伸缩气杆的伸缩端部均固定在晶圆固定板100的上表面，在晶圆固定板100的下表面固定有待加工晶圆101，
所述研磨浆液控制装置2具有可升降的安装环装置20，所述安装环装置20具有内、外分别设置的配水环21、固定环22，所述配水环21的上、下两端与固定环22转动连接，在配水环21的外侧设有环状分布的桨叶211，在配水环21的中部设有贯穿的环形沟槽缝212，所述配水环21的外侧与固定环22的内侧一起构成环状浆液腔室23，以固定环22的中心轴线为中心、在其外侧的切向方向旋转设有若干个高压入水口24，相邻两个高压入水口24之间在垂直方向上不位于同一水平面，这样有利于稳定流道的形成和保持，另外需保证高压入水口24与环形沟槽缝212在垂直方向上不在同一水平面，这样使得水流不是溢出，而是呈环状挤压出，更为均匀，所述高压入水口24的数量为4个，且分别沿固定环22的外侧的四等分点的切向位置设置，
所述CMP装置3具有上、下分别设置的化学机械抛光板30、旋转托板31，在化学机械抛光板30与旋转托板31的同一位置处开设有观察窗口32，在观察窗口32的下方设有激光检测头34，
为了方便研磨浆液控制装置2调整位置，且待加工晶圆101的外径、化学机械抛光板30的外径均小于配水环21的内径，也可将整个工位设置在密闭的筒状空间内，便于自动化产线的调配。
上述实施例在工作时，驱动电机转轴13是在晶圆夹持总成1中唯一动力源，其在垂直方向上的调整不在是通过液压油缸控制原驱动电机的升降进行，而是通过对安装筒10的升降进行直接控制，因直线电机调整精度高，能够满足晶圆抛光的要求，同时还可在晶圆固定板100上设置激光测距点用以矫正高度，这样将会极大的改善电机的震动对抛光操作的影响，也可以减缓在接触刹那剪切力由于误差存在而再次被放大，产生类似于啃咬的情况，在安装筒10中的主动齿轮圈14、从动齿轮圈15将主动力源分离，随着驱动电机转轴13带动晶圆固定板100的转动，吊爪19也将以等转速带动晶圆固定板100的转动，由于晶圆固定板100与待加工晶圆101的自重，若待加工晶圆101的下表面水平度存在问题，将会在产生高低差的区域之间产生配重问题，随着转动的进行，万向节和伸缩气杆能够自适应这种回复水平状态的变化，起到柔性调节的作用，当晶圆固定板100检测符合水平度的要求时，此时状态是相对稳定的存在，不会像传统机构那样只是某一时态的水平度，也不需要单独再设置校验的步骤。
然后第一直线电机17驱动的垂直位移调整滑块18调整距离化学机械抛光板30的位置，与此同时，研磨浆液控制装置2也将调整垂直方向的位置，其控制的参数可直接与垂直位移调整滑块18联动，避免过多复杂控制参数的采集，研磨浆液控制装置2中的高压入水口24将会沿切向方向对环状浆液腔室23进行灌注，由于配水环21上桨叶的作用，将会在环状浆液腔室23内形成稳定的环状浆液流道，如图3中轨迹a所示，而由于高压状态，浆液将会从环形沟槽缝212溢出，最终挤压形成图4中稳定均质、不掺杂气隙的水膜层b，控制水膜层b位于加工晶圆101的下表面与化学机械抛光板30上表面之间，即能够在抛光时从侧面对接触面整体进行冲洗，更为稳定可靠，避免浆液厚薄的问题对加工精度的影响，更能在加工晶圆101的下表面与化学机械抛光板30上表面初始接触前，两者之间具有稳定的水膜，避免气隙的的存在对激光干涉监测的影响，当晶圆尺寸越大，体现的抗干扰效果越是明显。
如图5和图6所示的本发明的实施二，在上述实施例中存在一个问题，由于环形沟槽缝212的结构，其高压水流挤出后虽然能形成稳定的水膜层，但是在其汇聚的中心处，即图4中线框c所示区域，其水膜将会最终挤压后喷出，在实际方案的试制中，并不是很完美，对水压的控制要求高，又考虑到浆液回收的问题，故在实施例一的基础上增加浆液回收装置4，所述浆液回收装置4具有至少一个与配水环21内侧固定连接的、呈半圆弧形的引流挡片41，且所述引流挡片41可密闭住环形沟槽缝212，在固定环22的上端面设有浆液回收环42，在浆液回收环42内设有环形废弃浆液容纳腔室43，在引流挡片41上设有与环形废弃浆液容纳腔室43相连通的流道44，在引流挡片41的内侧设有与流道44相连通的吸入缝隙45。所述引流挡片41的数量为两个，且两个引流挡片41之间均由环形沟槽缝212隔开，如图5所示，可设置为各自等分的状态。
由于引流挡片41与配水环21固定连接，在配水环21转动的同时，引流挡片41也随之转动，在某一状态下，如图5所示，相对的环形沟槽缝212将会形成呈半圆弧形扩散状的水膜层d、e，而又由于吸入缝隙45的作用，水膜层d、e的部分浆液会用于抛光摩擦，另外部分将会混杂废弃浆液一同被吸入缝隙45吸入，最终通过进入环形废弃浆液容纳腔室43，可在浆液回收环42设置出水口，最终排出，其最终稳定会形成图5中介于圆形和椭圆形之间的水膜层f。既能够解决浆液回收的问题，又能够使得实施例一中的问题更为完美，进一步提升加工效果和精度的控制。
如图7所示的本发明的实施例三，在实施例二其余结构不便的基础上，将所述高压入水口24的数量改为3个，且分别沿固定环22的外侧的三等分点的切向位置设置，相应的配水环21为一个，也能实现实施例二中的效果，而在验证过程中，实施例三的效果略好于实施例二。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (7)
1.一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：包括由上至下依次设置的晶圆夹持总成(1)、研磨浆液控制装置(2)、CMP装置(3)，
所述晶圆夹持总成(1)具有中空且两端开口的安装筒(10)，在所述安装筒(10)的上、下两端均设有密封端盖(11)，在两个密封端盖(11)之间转动连接有隔离套(12)，在所述隔离套(12)的内腔中通过轴承安装有驱动电机转轴(13)，在所述隔离套(12)的外壁上设有主动齿轮圈(14)，与所述主动齿轮圈(14)啮合设有从动齿轮圈(15)，所述从动齿轮圈(15)的下端设有连接端部，且所述从动齿轮圈(15)的连接端部向下延展并贯穿位于下端的密封端盖(11)，在所述从动齿轮圈(15)与安装筒(10)的内壁之间设有滚针轴承(16)，在所述安装筒(10)的外壁固定连接有由第一直线电机(17)驱动的垂直位移调整滑块(18)，以所述从动齿轮圈(15)为中心、在其连接端部的下端边缘旋转设有若干个吊爪(19)，在所述吊爪(19)的下方固定有晶圆固定板(100)，在所述晶圆固定板(100)的下表面固定有待加工晶圆(101)，
所述研磨浆液控制装置(2)具有可升降的安装环装置(20)，所述安装环装置(20)具有内、外分别设置的配水环(21)、固定环(22)，所述配水环(21)的上、下两端与固定环(22)转动连接，在所述配水环(21)的外侧设有环状分布的桨叶(211)，在所述配水环(21)的中部设有贯穿的环形沟槽缝(212)，所述配水环(21)的外侧与固定环(22)的内侧一起构成环状浆液腔室(23)，以所述固定环(22)的中心轴线为中心、在其外侧的切向方向旋转设有若干个高压入水口(24)，
所述CMP装置(3)具有上、下分别设置的化学机械抛光板(30)、旋转托板(31)，在所述化学机械抛光板(30)与旋转托板(31)的同一位置处开设有观察窗口(32)，在所述观察窗口(32)的下方设有激光检测头(34)，
且所述待加工晶圆(101)的外径、化学机械抛光板(30)的外径均小于配水环(21)的内径。
2.如权利要求1所述的一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：所述吊爪(19)固定在从动齿轮圈(15)的连接端部的下端边缘的万向节，在所述万向节的下端设有至少三个伸缩气杆，所述伸缩气杆的伸缩端部均固定在晶圆固定板(100)的上表面。
3.如权利要求2所述的一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：相邻两个高压入水口(24)之间在垂直方向上不位于同一水平面。
4.如权利要求3所述的一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：所述高压入水口(24)的数量为4个，且分别沿固定环(22)的外侧的四等分点的切向位置设置。
5.如权利要求3所述的一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：所述高压入水口(24)的数量为3个，且分别沿固定环(22)的外侧的三等分点的切向位置设置。
6.如权利要求4或5所述的一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：所述设备还具有浆液回收装置(4)，所述浆液回收装置(4)具有至少一个与配水环(21)内侧固定连接的、呈半圆弧形的引流挡片(41)，且所述引流挡片(41)可密闭住环形沟槽缝(212)，在所述固定环(22)的上端面设有浆液回收环(42)，在所述浆液回收环(42)内设有环形废弃浆液容纳腔室(43)，在所述引流挡片(41)上设有与环形废弃浆液容纳腔室(43)相连通的流道(44)，在所述引流挡片(41)的内侧设有与流道(44)相连通的吸入缝隙(45)。
7.如权利要求6所述的一种半导体晶圆用化学机械抛光设备，其特征在于：所述引流挡片(41)的数量为两个，且两个引流挡片(41)之间均由环形沟槽缝(212)隔开。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711384643.0A CN108098564B (zh) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711384643.0A CN108098564B (zh) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108098564A true CN108098564A (zh) | 2018-06-01 |
| CN108098564B CN108098564B (zh) | 2019-10-01 |
Family
ID=62211382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711384643.0A Active CN108098564B (zh) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108098564B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110524345A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-12-03 | 李佰强 | 一种用于石材加工的节水型桥式打磨系统 |
| CN112440203A (zh) * | 2019-09-03 | 2021-03-05 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 一种晶圆研磨系统和晶圆研磨方法 |
| CN117086736A (zh) * | 2023-10-20 | 2023-11-21 | 南通南洋照明科技有限公司 | 一种led灯具制造的镜面抛光装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000006009A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Speedfam Co Ltd | 研磨装置 |
| CN1852787A (zh) * | 2000-08-31 | 2006-10-25 | 多平面技术公司 | 化学机械抛光(cmp)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片 |
| CN1890055A (zh) * | 2003-12-11 | 2007-01-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 用来减少浆液回流的化学机械抛光法 |
| CN102398221A (zh) * | 2010-09-15 | 2012-04-04 | 亚泰半导体设备股份有限公司 | 化学机械研磨浆液回收再利用系统及其方法 |
| US20140120725A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| CN107210211A (zh) * | 2015-01-16 | 2017-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法 |
-
2017
- 2017-12-20 CN CN201711384643.0A patent/CN108098564B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000006009A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Speedfam Co Ltd | 研磨装置 |
| CN1852787A (zh) * | 2000-08-31 | 2006-10-25 | 多平面技术公司 | 化学机械抛光(cmp)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片 |
| CN1890055A (zh) * | 2003-12-11 | 2007-01-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 用来减少浆液回流的化学机械抛光法 |
| CN102398221A (zh) * | 2010-09-15 | 2012-04-04 | 亚泰半导体设备股份有限公司 | 化学机械研磨浆液回收再利用系统及其方法 |
| US20140120725A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| CN107210211A (zh) * | 2015-01-16 | 2017-09-26 | Lg矽得荣株式会社 | 晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112440203A (zh) * | 2019-09-03 | 2021-03-05 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 一种晶圆研磨系统和晶圆研磨方法 |
| CN110524345A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-12-03 | 李佰强 | 一种用于石材加工的节水型桥式打磨系统 |
| CN117086736A (zh) * | 2023-10-20 | 2023-11-21 | 南通南洋照明科技有限公司 | 一种led灯具制造的镜面抛光装置 |
| CN117086736B (zh) * | 2023-10-20 | 2023-12-26 | 南通南洋照明科技有限公司 | 一种led灯具制造的镜面抛光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108098564B (zh) | 2019-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108098564B (zh) | 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 | |
| CN105957821B (zh) | 一种晶圆刷洗摆臂装置 | |
| CN113894635B (zh) | 基于自学习的智能硅基晶圆超精密研磨抛光机 | |
| CN104723197B (zh) | 一种柔性的铁锅抛光装置 | |
| CN108381376A (zh) | 一种超声研磨蓝宝石镜片的加工装置 | |
| CN203125297U (zh) | 一种适用于长轴类零件的旋转料箱光整机 | |
| CN112975402A (zh) | 用于电机零部件制造加工用钻孔磨光机 | |
| CN209868301U (zh) | 一种单面抛光机抛光头 | |
| CN207401517U (zh) | 化妆品生产用珍珠研磨装置 | |
| CN107901002A (zh) | 一种自动化机械配件用加工台 | |
| CN108942646A (zh) | 行星齿轮式磁性复合流体抛光装置 | |
| CN116021359A (zh) | 一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置 | |
| CN207206065U (zh) | 一种光学仪器零部件打磨车床 | |
| CN208247214U (zh) | 一种用于桥切机的主轴箱总成 | |
| CN208663330U (zh) | 一种具有通液功能的打磨设备用过水轴 | |
| CN207223617U (zh) | 一种防晃动的研磨抛光机 | |
| CN210209952U (zh) | 一种单电机驱动的粗抛光机 | |
| CN214920804U (zh) | 铸铁管挡环自动铣削加工机 | |
| CN214979657U (zh) | 一种摇臂钻床用冷却装置 | |
| US1922498A (en) | Method and machine for making wire-drawing dies, etc. | |
| CN205989241U (zh) | 流动光饰机排水控制系统 | |
| CN204105069U (zh) | 一种离心力主轴穿珠机 | |
| CN108562397A (zh) | 一种平衡机的转子支架 | |
| CN213945956U (zh) | 一种双驱动摆臂装置 | |
| CN209062727U (zh) | 一种玻璃磨边机的磨头结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20190617 Address after: 230000 B-1512, west of Ganquan Road, Shushan District, Hefei, Anhui. Applicant after: Anhui Eagle Dragon Industrial Design Co., Ltd. Address before: 213100 8 16, 16 Tianan Digital City, 588 Changwu Road, Wujin District, Changzhou, Jiangsu Applicant before: Changzhou city of Chi - Dou Mdt InfoTech Ltd |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20190910 Address after: 311800 Tangnan 25, Wangjiazhai Village, Paitou Town, Zhuji City, Shaoxing City, Zhejiang Province Applicant after: He Yin Ya Address before: Ganquan road Shushan District of Hefei City, Anhui Province, 230000 West hillock road to the South Wild Garden commercial office building room B-1512 Applicant before: Anhui Eagle Dragon Industrial Design Co., Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200520 Address after: 221600 Science and Technology Park A5, Peixian Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Hans Automation Technology (Jiangsu) Co., Ltd. Address before: 311800 Tangnan 25, Wangjiazhai Village, Paitou Town, Zhuji City, Shaoxing City, Zhejiang Province Patentee before: He Yinya |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 221600 Science and Technology Park A5, Peixian Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Hans semiconductor (Jiangsu) Co.,Ltd. Address before: 221600 Science and Technology Park A5, Peixian Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Hans Automation Technology (Jiangsu) Co.,Ltd. |