CN108054162A - 一种mim电容制造工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MIM电容制造工艺,包括以下步骤:S1:得到第一金属连接层;S2:通过PECVD,在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层;S3:在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板;S4:利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形;S5:对上层金属电板进行蚀刻;S6:蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶;S7:利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形,并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔;S8:采用旋涂方式制作聚合物层;S9:利用PV光罩制作PV图形,并制作聚合物层开孔;S10:得到第二金属连接层。本发明避免电容击穿电压及可靠度下降。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺技术领域,尤其涉及一种MIM电容制造工艺。
背景技术
MIM电容是作为器件中被动组件除电感电阻外的一部份。其中MIM电容需靠两个金属电板及中间一层介电层形成主结构,另外两层金属板有部份也作金属连接层,层间需有一道低介电系数的聚合物层(POLYIMIDE) 降低高频下的层间电容。
现有技术在制作MIM电容时,包括以下步骤:下层电板的制作、氮化硅介电层沉积、介电层的开孔、制作聚合物层、聚合物层的开孔、上层电板的制作。然而现有技术在对厚度薄的电容介电层(氮化硅)表面作上层电极时,在对聚合物(POLYIMIDE)开孔的步骤中,刻蚀到介电层表面时容易造成击穿电压及可靠度下降。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种MIM电容制造工艺。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种MIM电容制造工艺,包括以下步骤:
S1:利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形,金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到第一金属连接层;
S2:通过PECVD,在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层;
S3:在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板;
S4:利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形,其中NM为金属或金属化合物;
S5:利用湿法或者干法对上层金属电板进行蚀刻;
S6:蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶;
S7:利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形,并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔;
S8:采用旋涂方式制作聚合物层;
S9:利用PV光罩制作PV图形,并通过干法刻蚀制作聚合物层开孔;
S10:利用金属M2光罩光刻出M2图形,金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到第二金属连接层。
进一步地,所述的下层金属电板的材料为Au,所述的第二金属连接层的材料为Au。
进一步地,步骤S9中对聚合物层进行开孔时,开孔的面积小于上层金属电板的面积。
进一步地,所述的步骤S4在利用NM光罩进行制作时,光刻胶为负胶或者正胶。
进一步地,在步骤S5中,当上层金属电板的材料为Ti时,采用稀释氢氟酸或用氯气进行湿法蚀刻;当上层金属电板的材料为TiN或者TaN时,采用氯气进行干法蚀刻。
本发明的有益效果是:本发明在电容介电层(氮化硅)开孔前在电容介电层(氮化硅)表面上制作新的上层金属电板,新的上层金属电板(Ti或TiN或TaN及其与Au的组合)在聚合物层开孔时挡住了原本直接刻蚀电容介电层(氮化硅)表面的伤害,避免电容击穿电压及可靠度下降;同时取代了聚合物层开孔后所作的上层金属电板,原先的上层电板成了新上层电板的金属连接层,新的MIM电容制造流程工艺方法用以改善电容击穿电压及可靠度均匀性,保证产品良率稳定可靠。
附图说明
图1为本发明方法流程图;
图2为步骤S1结果示意图;
图3为步骤S2结果示意图;
图4为步骤S3结果示意图;
图5为步骤S4结果示意图;
图6为步骤S5结果示意图;
图7为步骤S7结果示意图;
图8为步骤S8结果示意图;
图9为步骤S9结果示意图;
图10为步骤S10结果示意图;
图中,1-下层金属电板,2-第一M1图形,3-第二M1图形,4-氮化硅介电层,5-上层金属电板,6-NM光罩,7-NV2光罩,8-聚合物层,9-PV光罩,10-第二金属连接层。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案:
如图1所示,一种MIM电容制造工艺,包括以下步骤:
S1:如图2所示,利用金属M1光罩在下层金属电板1上光刻出两个M1图形(第一M1图形2和第二M1图形3),金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到第一金属连接层;具体地,在本实施例中,所述的下层金属电板1的材料为Au;
S2:如图3所示,通过PECVD,在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层4;
S3:如图4所示,在氮化硅介电层4上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板5;光刻胶为负胶或者正胶;
S4:如图5所示,利用NM光罩6在第二M1图形3上制作NM图形,其中NM为金属或金属化合物,优选为金属氮化物;
S5:如图6所示,利用湿法或者干法对上层金属电板5进行蚀刻;其中,当上层金属电板5的材料为Ti时,采用稀释氢氟酸或用氯气进行湿法蚀刻;当上层金属电板5的材料为TiN或者TaN时,采用氯气进行干法蚀刻;
S6:蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶;
S7:如图7所示,利用NV2光罩7在第一M1图形2上光刻出氮化硅图形,并利用干法刻蚀对第一M1图形2上的氮化硅介电层4开孔;
S8:如图8所示,采用旋涂方式制作聚合物层8;
S9:如图9所示,利用PV光罩9(polyimide via)制作PV图形,并通过干法刻蚀制作聚合物层8开孔,其中开孔的面积小于上层金属电板5的面积;
S10:如图10所示,利用金属M2光罩光刻出M2图形,金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到第二金属连接层10;其中,在本实施例中,所述的第二金属连接层10的材料为Au。
本发明是通过实施例来描述的,但并不对本发明构成限制,参照本发明的描述,所公开的实施例的其他变化,如对于本领域的专业人士是容易想到的,这样的变化应该属于本发明权利要求限定的范围之内。
Claims (5)
1.一种MIM电容制造工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1:利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形,金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到第一金属连接层;
S2:通过PECVD,在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层;
S3:在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti,作为上层金属电板;
S4:利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形,其中NM为金属或金属化合物;
S5:利用湿法或者干法对上层金属电板进行蚀刻;
S6:蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶;
S7:利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形,并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔;
S8:采用旋涂方式制作聚合物层;
S9:利用PV光罩制作PV图形,并通过干法刻蚀制作聚合物层开孔;
S10:利用金属M2光罩光刻出M2图形,金属蒸镀后采取liftoff反转方式,得到第二金属连接层。
2.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺,其特征在于:所述的下层金属电板的材料为Au,所述的第二金属连接层的材料为Au。
3.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺,其特征在于:步骤S9中对聚合物层进行开孔时,开孔的面积小于上层金属电板的面积。
4.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺,其特征在于:所述的步骤S4在利用NM光罩进行制作时,光刻胶为负胶或者正胶。
5.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺,其特征在于:在步骤S5中,当上层金属电板的材料为Ti时,采用稀释氢氟酸或用氯气进行湿法蚀刻;当上层金属电板的材料为TiN或者TaN时,采用氯气进行干法蚀刻。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113832441A (zh) * | 2021-09-26 | 2021-12-24 | 北京市春立正达医疗器械股份有限公司 | 一种多层复合膜及其制备方法 |
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