CN108039421A - 一种oled薄膜封装结构及封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED薄膜封装结构，包括装载有OLED器件的基板和依次覆盖于所述OLED器件上的第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层，第一无机阻挡层的折射率由OLED器件至有机缓冲层的方向逐渐减小，有机缓冲层的折射率小于第一无机阻挡层的折射率，第二无机阻挡层的折射率小于有机缓冲层的折射率。第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层折射率的改变可以增加OLED器件出光效率，阻挡外部水汽和氧气透入OLED器件，避免腐蚀OLED器件内部结构，同时起到隔热的效果，防止后续沉积工艺对OLED器件造成热损伤，有机缓冲层还可以包裹大颗粒异物同时缓释平坦化时期产生的应力，从而提高了器件使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED薄膜封装结构及封装方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是一种全新的自发光显示技术，具有高亮度、全视角等优点。OLED中的金属电极较为活泼，容易被空气中的水、氧污染导致器件出现黑点，从而严重影响器件寿命。因此，OLED表面常需要覆盖一层阻水氧效果极好的封装层材料，从而提高OLED使用寿命。因此，薄膜封装技术(TFE)是一种必需的封装技术。薄膜封装的OLED具有色域宽、响应快、高对比度等优点，在显示领域得到了广泛应用。
目前常用的TFE采用无机金属氧化物堆叠的方式，形成复合薄膜封装结构。然而，随着薄膜层数的增加，封装薄膜的应力随之增大，造成薄膜开裂。同时光在不同的介质中传播时，由于折射率的差异，会在介质接触面发生反射造成损失。OLED中的光经过多层膜之后，会发生较强的反射损失，因此，亟需一种薄膜封装结构既具有好的阻水氧性能又不影响OLED出光效率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种OLED薄膜封装结构，其中第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层折射率的改变可以改善光传播过程中全反射的发生以及部分光折射造成的光损失，从而增加OLED器件的出光效率，多层封装结构可以阻挡外部水汽和氧气透入OLED器件，避免腐蚀OLED器件内部结构，同时起到隔热的效果，防止后续沉积工艺对OLED器件造成热损伤，其中，有机缓冲层还可以包裹大颗粒异物同时缓释平坦化时期产生的应力，从而提高了器件使用寿命。
第一方面，本发明提供了一种OLED薄膜封装结构，包括装载有OLED器件的基板和依次覆盖于所述OLED器件上的第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层，所述第一无机阻挡层的折射率由所述OLED器件至所述有机缓冲层的方向逐渐减小，所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层的折射率，所述第二无机阻挡层的折射率小于所述有机缓冲层的折射率。
可选的，所述第一无机阻挡层的折射率为1.7-1.9，所述有机缓冲层的折射率为1.6-1.7，所述第二无机阻挡层的折射率为1.5-1.6。所述第一无机阻挡层的折射率由所述OLED器件至所述有机缓冲层的方向逐渐减小，且所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层的折射率，即为所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层中的最小折射率。
可选的，所述第一无机阻挡层的材质包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氮氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种，所述第二无机阻挡层的材质包括氧化硅、氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种。进一步可选的，所述第一无机阻挡层的材质包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第二无机阻挡层的材质包括氧化铝和氮氧化硅中的至少一种。
可选的，所述有机缓冲层的材质包括环氧树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
可选的，所述第一无机阻挡层的厚度为100nm-2000nm，所述有机缓冲层的厚度为2μm-10μm，所述第二无机阻挡层的厚度为1μm-3μm。进一步可选的，所述第一无机阻挡层的厚度为500nm-1500nm，所述有机缓冲层的厚度为3μm-8μm，所述第二无机阻挡层的厚度为1.5μm-3μm。
可选的，所述OLED薄膜封装结构的水蒸气透射率为(1-10)×10-5g/m2/day。
本发明第一方面提供的一种OLED薄膜封装结构，其中第一无机阻挡层内部折射率的改变以及第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层整体折射率的改变可以改善光传播过程中全反射的发生以及部分光折射造成的光损失，从而增加OLED器件的出光效率，多层封装结构可以阻挡外部水汽和氧气透入OLED器件，避免腐蚀OLED器件内部结构，同时起到隔热的效果，防止后续沉积工艺对OLED器件造成热损伤，其中，有机缓冲层还可以包裹大颗粒异物同时缓释平坦化时期产生的应力，从而提高了器件使用寿命。
第二方面，本发明提供了一种OLED薄膜封装方法，包括：
提供一装载有OLED器件的基板，利用原子层沉积的方法在所述OLED器件上沉积第一无机阻挡层以覆盖所述OLED器件；
在所述第一无机阻挡层上依次沉积有机缓冲层和第二无机阻挡层，得到OLED薄膜封装结构，其中，所述第一无机阻挡层的折射率由所述OLED器件至所述有机缓冲层的方向逐渐减小，所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层的折射率，所述第二无机阻挡层的折射率小于所述有机缓冲层的折射率。
可选的，所述原子层沉积过程中的温度由100℃-110℃逐渐降低至30℃-50℃，制备得到所述第一无机阻挡层。进一步可选的，所述原子层沉积过程中的温度由100℃-105℃逐渐降低至30℃-45℃。
可选的，所述在所述第一无机阻挡层上依次沉积有机缓冲层和第二无机阻挡层的步骤包括：
利用喷墨打印方法或化学气相沉积在所述第一无机阻挡层上沉积有机缓冲层；利用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积的方法在所述有机缓冲层上沉积第二无机阻挡层。
本发明的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本发明实施例的实施而获知。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种OLED薄膜封装结构的示意图；
图2为本发明实施例提供的一种OLED薄膜封装方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的一种OLED薄膜封装方法中步骤S101的示意图；
图4为本发明实施例提供的一种OLED薄膜封装方法中步骤S102的示意图。
具体实施方式
以下所述是本发明实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明实施例的保护范围。
请参阅图1，为本发明提供的一种OLED薄膜封装结构，包括装载有OLED器件20的基板10和依次覆盖于所述OLED器件20上的第一无机阻挡层30、有机缓冲层40和第二无机阻挡层50，所述第一无机阻挡层30的折射率由所述OLED器件20至所述有机缓冲层40的方向逐渐减小，所述有机缓冲层40的折射率小于所述第一无机阻挡层30的折射率，所述第二无机阻挡层50的折射率小于所述有机缓冲层40的折射率。
本发明实施方式中，所述第一无机阻挡层30的折射率为1.7-1.9，所述有机缓冲层40的折射率为1.6-1.7，所述第二无机阻挡层50的折射率为1.5-1.6。所述第一无机阻挡层30的折射率由所述OLED器件20至所述有机缓冲层40的方向逐渐减小，且所述有机缓冲层40的折射率小于所述第一无机阻挡层30的折射率，即为所述有机缓冲层40的折射率小于所述第一无机阻挡层30中最小折射率。
本发明实施方式中，所述第一无机阻挡层30的材质包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氮氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种，所述第二无机阻挡层50的材质包括氧化硅、氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种。进一步可选的，所述第一无机阻挡层30的材质包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第二无机阻挡层50的材质包括氧化铝和氮氧化硅中的至少一种。
本发明实施方式中，所述有机缓冲层40的材质包括环氧树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
本发明实施方式中，所述第一无机阻挡层30的厚度为100nm-2000nm，所述有机缓冲层40的厚度为2μm-10μm，所述第二无机阻挡层50的厚度为1μm-3μm。进一步可选的，所述第一无机阻挡层30的厚度为500nm-1500nm，所述有机缓冲层40的厚度为3μm-8μm，所述第二无机阻挡层50的厚度为1.5μm-3μm。
本发明实施方式中，制备得到的所述OLED薄膜封装结构的水蒸气透射率为(1-10)×10-5g/m2/day。
本发明提供的一种OLED薄膜封装结构中第一无机阻挡层内部折射率的改变以及第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层整体折射率的改变可以增加OLED器件出光效率，阻挡外部水汽和氧气透入OLED器件，避免腐蚀OLED器件内部结构，同时起到隔热的效果，防止后续沉积工艺对OLED器件造成热损伤，有机缓冲层还可以包裹大颗粒异物同时缓释平坦化时期产生的应力，从而提高了器件使用寿命。
请参阅图2，为本发明实施提供的一种OLED薄膜封装方法，包括如下步骤:
步骤S101：提供一装载有OLED器件的基板，利用原子层沉积的方法在所述OLED器件上沉积第一无机阻挡层以覆盖所述OLED器件。
在步骤S101中，请参阅图3，所述装载有OLED器件20的基板10，其中，所述基板10可以包括基底层11以及依次沉积在基底层11上的缓冲层12和无机膜层13。所述OLED器件20设置在所述无机膜层13上并覆盖部分无机膜层13。本发明实施方式中，利用原子层沉积的方法在所述OLED器件20上沉积第一无机阻挡层30以覆盖所述OLED器件20。其中，所述原子层沉积过程中的温度由100℃-110℃逐渐降低至30℃-50℃，进一步的，所述原子层沉积过程中的温度由100℃-105℃逐渐降低至30℃-45℃。制备得到的第一无机阻挡层30的折射率为1.7-1.9。第一无机阻挡层30在沉积过程中的折射率逐渐减小，即在远离OLED器件20的方向上，所述的第一无机阻挡层30的折射率逐渐减小。本发明实施方式中，第一无机阻挡层30的材质包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氮氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种。进一步的，所述第一无机阻挡层30的材质包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。所述第一无机阻挡层30的厚度为100nm-2000nm，进一步的，所述第一无机阻挡层30的厚度为500nm-1500nm。所述第一无机阻挡层30覆盖所述OLED器件20以及基板10中OLED器件20未覆盖的区域。
步骤S102：在所述第一无机阻挡层上依次沉积有机缓冲层和第二无机阻挡层，得到OLED薄膜封装结构，其中，所述第一无机阻挡层的折射率由所述OLED器件至所述有机缓冲层的方向逐渐减小，所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层的折射率，所述第二无机阻挡层的折射率小于所述有机缓冲层的折射率。
在步骤S102中，请参阅图4，利用喷墨打印方法或化学气相沉积在所述第一无机阻挡层30上沉积有机缓冲层40；利用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积的方法在所述有机缓冲层40上沉积第二无机阻挡层50。本发明实施方式中提供了一些具体可行的沉积有机缓冲层和第二无机阻挡层的方法，具体的，可以根据实际需要进行选择，也可以通过其他常规技术手段进行沉积。所述有机缓冲层40的材质包括环氧树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。所述有机缓冲层40的折射率为1.6-1.7。所述有机缓冲层40的厚度为2μm-10μm。进一步可选的，所述有机缓冲层40的厚度为3μm-8μm。所述第二无机阻挡层50的材质包括氧化硅、氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种。进一步可选的，所述第二无机阻挡层50的材质包括氧化铝和氮氧化硅中的至少一种。所述第二无机阻挡层50的折射率为1.5-1.6。所述第二无机阻挡层50的厚度为1μm-3μm。进一步可选的，所述第二无机阻挡层50的厚度为1.5μm-3μm。其中，所述有机缓冲层40的折射率小于所述第一无机阻挡层30的折射率，即为所述有机缓冲层40的折射率小于所述第一无机阻挡层30中最小折射率，所述第二无机阻挡层50的折射率小于所述有机缓冲层40的折射率。
本发明实施方式中，制备得到的所述OLED薄膜封装结构的水蒸气透射率为(1-10)×10-5g/m2/day。
本发明提供的一种OLED薄膜封装方法，制备工艺简单，操作工艺成熟，适合工业化生产。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种OLED薄膜封装结构，其特征在于，包括装载有OLED器件的基板和依次覆盖于所述OLED器件上的第一无机阻挡层、有机缓冲层和第二无机阻挡层，所述第一无机阻挡层的折射率由所述OLED器件至所述有机缓冲层的方向逐渐减小，所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层的折射率，所述第二无机阻挡层的折射率小于所述有机缓冲层的折射率。
2.如权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述第一无机阻挡层的折射率为1.7-1.9，所述有机缓冲层的折射率为1.6-1.7，所述第二无机阻挡层的折射率为1.5-1.6。
3.如权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述第一无机阻挡层的材质包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氮氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种，所述第二无机阻挡层的材质包括氧化硅、氧化铝、氮氧化硅中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述第一无机阻挡层的材质包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第二无机阻挡层的材质包括氧化铝和氮氧化硅中的至少一种。
5.如权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述有机缓冲层的材质包括环氧树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100nm-2000nm，所述有机缓冲层的厚度为2μm-10μm，所述第二无机阻挡层的厚度为1μm-3μm。
7.如权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述OLED薄膜封装结构的水蒸气透射率为(1-10)×10-5g/m2/day。
8.一种OLED薄膜封装方法，其特征在于，包括：
提供一装载有OLED器件的基板，利用原子层沉积的方法在所述OLED器件上沉积第一无机阻挡层以覆盖所述OLED器件；
在所述第一无机阻挡层上依次沉积有机缓冲层和第二无机阻挡层，得到OLED薄膜封装结构，其中，所述第一无机阻挡层的折射率由所述OLED器件至所述有机缓冲层的方向逐渐减小，所述有机缓冲层的折射率小于所述第一无机阻挡层的折射率，所述第二无机阻挡层的折射率小于所述有机缓冲层的折射率。
9.如权利要求8所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述原子层沉积过程中的温度由100℃-110℃逐渐降低至30℃-50℃，制备得到所述第一无机阻挡层。
10.如权利要求8所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述在所述第一无机阻挡层上依次沉积有机缓冲层和第二无机阻挡层的步骤包括：
利用喷墨打印方法或化学气相沉积在所述第一无机阻挡层上沉积有机缓冲层；利用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积的方法在所述有机缓冲层上沉积第二无机阻挡层。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108899438A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN109841758A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| WO2020029351A1 (zh) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种复合膜层及制作方法、oled显示面板的制作方法 |
| CN111710797A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-09-25 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2021035543A1 (zh) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备 |
| CN113611809A (zh) * | 2020-08-05 | 2021-11-05 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其制备方法和发光装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102244202A (zh) * | 2004-05-20 | 2011-11-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件和显示器件 |
| CN103887441A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 财团法人工业技术研究院 | 复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构 |
| CN105609524A (zh) * | 2014-10-31 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN106158905A (zh) * | 2015-04-21 | 2016-11-23 | 上海和辉光电有限公司 | 发光器件结构及有机发光面板 |
| CN106298848A (zh) * | 2015-06-25 | 2017-01-04 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| US20170117332A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101155904B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN102569678A (zh) * | 2012-03-07 | 2012-07-11 | 上海大学 | 一种顶发射oled的复合薄膜封装方法 |
| KR101951223B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2019-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| CN103258965B (zh) * | 2013-04-27 | 2016-08-24 | 四川虹视显示技术有限公司 | 一种顶发光oled器件的薄膜封装结构及其制备方法 |
| CN103647027B (zh) * | 2013-12-10 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种多功能封装膜及显示装置 |
| CN106654042B (zh) * | 2016-12-13 | 2018-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性oled显示器及其制作方法 |
| CN107170775B (zh) * | 2017-04-12 | 2019-10-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 采用薄膜封装的显示装置 |
| CN107394059A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled封装结构及其制造方法、显示装置 |
-
2017
- 2017-12-27 CN CN201711448145.8A patent/CN108039421B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-15 WO PCT/CN2018/072696 patent/WO2019127677A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102244202A (zh) * | 2004-05-20 | 2011-11-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件和显示器件 |
| CN103887441A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 财团法人工业技术研究院 | 复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构 |
| CN105609524A (zh) * | 2014-10-31 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN106158905A (zh) * | 2015-04-21 | 2016-11-23 | 上海和辉光电有限公司 | 发光器件结构及有机发光面板 |
| CN106298848A (zh) * | 2015-06-25 | 2017-01-04 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| US20170117332A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108899438A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| WO2019242114A1 (zh) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| WO2020029351A1 (zh) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种复合膜层及制作方法、oled显示面板的制作方法 |
| CN109841758A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| US11581507B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-02-14 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing same, and display apparatus |
| WO2021035543A1 (zh) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备 |
| US11495775B2 (en) | 2019-08-27 | 2022-11-08 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Light-emitting device including encapsulation layers having different refractive indexes, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
| CN111710797A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-09-25 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2021258757A1 (zh) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113611809A (zh) * | 2020-08-05 | 2021-11-05 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其制备方法和发光装置 |
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| Publication number | Publication date |
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