CN108034913A - 柔性oled封装用金属掩膜版的绝缘处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，包括：提供一金属掩膜版，在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层，对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理。根据本发明实施例提供的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，先在金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层，再对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理，如此，阳极氧化处理后的金属掩膜版表面即可呈现优良的绝缘性，使得金属掩膜版能够满足镀膜中对绝缘性的要求。

Description

柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法

技术领域

本发明涉及柔性OLED封装技术，尤其涉及一种柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)因具有较多的优点，在显示领域有着无限的前景，其最大的优越性在于能够实现柔性显示，制作成柔性有机电致发光二极管。OLED对水蒸气和氧气非常敏感，渗透进入器件内部的水蒸气和氧气是影响OLED寿命的主要因素，因此，封装技术对器件非常重要。

金属氧化物和碳化物是封装技术中理想的选择，可以得到极薄的封装薄膜，一般的，可以利用化学气相沉积工艺(CVD)等在显示器件上镀上一层薄膜(即“封装镀膜”)。然而，相关技术中，掩膜版一般均采用金属材质，而这种金属材质的掩膜版无法直接应用在上述封装镀膜中。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提出一种柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法。

为实现上述目的，根据本发明实施例的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，包括：

提供一金属掩膜版；

在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层；

对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理。

根据本发明实施例提供的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，先在金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层，再对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理，如此，阳极氧化处理后的金属掩膜版表面即可呈现优良的绝缘性，使得金属掩膜版能够满足镀膜中对绝缘性的要求。

另外，根据本发明上述实施例的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述铝层或氧化铝层的厚度为1微米至50微米。

根据本发明的一个实施例，所述的在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层包括：

采用热浸镀工艺或真空蒸镀工艺对所述金属掩膜进行镀膜加工，使得所述金属掩膜形成所述纯铝层或氧化铝层。

根据本发明的一个实施例，所述采用热浸镀工艺对所述金属掩膜版进行镀膜加工包括：

利用碱性清洗液对所述金属掩膜版进行表面清洗，以去除所述金属掩膜版表面的油污；

通过水对所述金属掩膜版进行清洗，以清除所述金属掩膜版表面残留的碱性清洗液；

利用酸性清洗液对所述金属掩膜版进行表面清洗，以清除所述金属掩膜版表面的氧化物；

通过水对所述金属掩膜版进行清洗，以清除所述金属掩膜版表面残留的酸性清洗液；

将金属掩膜版放入至助镀溶液中，使所述金属掩膜版表面形成一层保护膜；

将金属掩膜版放入至铝液中进行热浸镀，形成所述铝层或氧化铝层。

根据本发明的一个实施例，所述采用真空蒸镀工艺对所述金属掩膜进行镀膜加工包括：

对所述金属掩膜版进行清洁，以去除所述金属掩膜版表面的油污及氧化物；

将金属掩膜版放置于真空腔内，并对所述真空腔抽真空；

对所述金属掩膜版进行加热烘烤，使得所述金属掩膜版达到预定温度；

向真空腔内通人氩气，并将金属掩膜版连接至负高压电源，利用氩离子轰击金属掩膜版；

利用蒸发源蒸发铝材料使其熔化并蒸发，蒸发的铝离子沉积在金属掩膜版上形成所述纯铝层或氧化铝层；

将金属掩膜版冷却。

根据本发明的一个实施例，所述对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理包括：

利用有机溶剂对所述金属掩膜版表面进行脱脂处理；

采用水对金属掩膜版进行清洗；

将所述金属掩膜版置于硫酸溶液中，以硫酸溶液作为阳极氧化液，以金属掩膜版表面的纯铝层或氧化铝层作为阳极材料，对所述金属掩膜版进行阳极氧化处理；

对金属掩膜版进行封闭处理。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1是本发明实施例柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法的流程图；

图2是本发明实施例柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法中步骤11的一种流程图；

图3是本发明实施例柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法中步骤11的另一种流程图；

图4是本发明实施例柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法中步骤12的流程图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面参照附图详细描述本发明实施例的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法。

本发明是基于发明人的下列研究发现而完成的：

在OLED显示器的制造技术中，真空蒸镀中的掩模版技术(例如精细金属掩膜片(Fine Metal Mask Sheet，FMM Sheet))是一项非常重要和关键的技术，直接影响OLED产品的质量和制造成本。一般的，掩膜版上具有至少一个掩膜图案，而为了批量生产加工，掩膜版上的掩膜图案为多个且呈矩阵分布，通过该掩膜版进行镀膜加工时，利用这些掩膜图案可以在玻璃基板上形成相同数量的薄膜图形，再将玻璃基板按照薄膜图形数量切割即可形成多个显示器件。

OLED对水蒸气和氧气非常敏感，渗透进入器件内部的水蒸气和氧气是影响OLED寿命的主要因素，因此，封装技术对OLED显示器件非常重要。目前，通常采用薄膜封装技术对OLED进行封装，其实质也是利用掩膜版作为工具，并采用化学气相沉积(CVD)工艺在OLED显示器件上形成一层薄膜(即“封装镀膜”)，利用这层薄膜阻挡水汽及氧气等。在封装镀膜的过程中，需要要求掩膜版必须为绝缘状态，当时，目前的掩膜版一般均采用金属材质，这种金属材质的掩膜版无法直接应用在上述封装镀膜中。

发明人发现，相关技术中的掩膜版一般均为金属材质，因为金属材质在受热时基本上不会膨胀变形，进而可以确保镀膜精度要求，而塑胶材质容易受热膨胀而难以保证精度。然而，金属材质的掩膜版本身具有导电性，在进行封装镀膜的过程中，气相物质会沉积至该金属掩膜版上，因此，无法满足封装镀膜要求。

参照图1所示，根据本发明实施例提供的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，包括以下步骤：

S10、提供一金属掩膜版。

S11、在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层，由于金属掩膜版与空气接触时，其表面的铝被空气氧化可能形成氧化铝，因此，金属掩膜版的表面形成可以为氧化铝层。

S12、对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理。经过阳极氧化处理后的金属掩膜版表面形成一层阳极氧化膜，该阳极氧化膜一般为两层结构，内层是纯度较高的三氧化二铝，致密的薄的玻璃状膜，硬度较高；外层是含水的三氧化二铝(Al2O3·H2O)膜，因三氧化铝不导电，所以，阳极氧化膜具有绝缘特性。

根据本发明实施例提供的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，先在金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层，再对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理，如此，阳极氧化处理后的金属掩膜版表面即可呈现优良的绝缘性，使得金属掩膜版能够满足镀膜中对绝缘性的要求。

在本发明的一个实施例中，铝层或氧化铝层的厚度为1微米至50微米。如此，通过阳极氧化处理后的阳极氧化膜的厚度也为1微米至50微米，经检测发现，当阳极氧化膜的厚度为1μm时，击穿电压为25V，因此，其具有良好的绝缘性。

需要说明的是，可以根据绝缘要求，选择所镀的铝层或氧化铝层的厚度，例如绝缘要求越高，所镀铝层或氧化铝层的厚度越高。

在本发明的一个实施例中，步骤S11、在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层可以包括：采用热浸镀工艺或真空蒸镀工艺对所述金属掩膜版进行镀膜加工，使得所述金属掩膜形成所述纯铝层或氧化铝层。也即是，采用热浸镀工艺或真空蒸镀工艺均可以实现在所述金属掩膜版上形成纯铝层或氧化铝层。

参照图2所示，更为具体的，在本发明的一个实施例中，采用热浸镀工艺对所述金属掩膜版进行镀膜加工可以包括：

S111、利用碱性清洗液对所述金属掩膜版进行表面清洗，以去除所述金属掩膜版表面的油污，该碱性溶液可以是氢氧化钠、碳酸钠等。

S112、通过水对所述金属掩膜版进行清洗，以清除所述金属掩膜版表面残留的碱性清洗液。

S113、利用酸性清洗液对所述金属掩膜版进行表面清洗，以清除所述金属掩膜版表面的氧化物，该酸性清洗液可以为氯化氢等。

S114、通过水对所述金属掩膜版进行清洗，以清除所述金属掩膜版表面残留的酸性清洗液。

S115、将金属掩膜版放入至助镀溶液中，使所述金属掩膜版表面形成一层保护膜，该助镀溶液可以为碱金属盐及铝盐组成的氯化物及氟化物复合盐。

S116、将金属掩膜版放入至铝液中进行热浸镀，形成所述铝层或氧化铝层。其中，热浸镀的温度可以为650至800摄氏度，时间为10秒至60秒。

参照图3所示，在本发明的一个实施例中，采用真空蒸镀工艺对所述金属掩膜进行镀膜加可以工包括：

S211、对所述金属掩膜版进行清洁，以去除所述金属掩膜版表面的油污及氧化物。金属掩膜版表面的清洁程度对镀膜质量有很大影响，因此，镀膜前可以对金属掩膜版进行清洁，清洁方法可以采用清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。

S212、将金属掩膜版放置于真空腔内，并对所述真空腔抽真空，其中，真空度可以为6.7Pa以上。

S213、对所述金属掩膜版进行加热烘烤，使得所述金属掩膜版达到预定温度。

S214、向真空腔内通人氩气，并将金属掩膜版连接至负高压电源，利用氩离子轰击金属掩膜版，其中，负高压电源的电压为1至3kV，轰击时间10至30分钟。

S215、利用蒸发源蒸发铝材料使其熔化并蒸发，蒸发的铝离子沉积在金属掩膜版上形成所述纯铝层或氧化铝层。

S216、将金属掩膜版冷却。

参照图4所示，在本发明的一些实施例中，对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理包括：

S121、利用有机溶剂对所述金属掩膜版表面进行脱脂处理，有机溶剂可以是四氯化碳、三氯乙烯、汽油或甲苯等，将金属掩膜版浸入并清洗，如此，取出金属掩膜版表面的油脂、少量磨料、灰尘等。

S122、采用水对金属掩膜版进行清洗，如此，可以除去金属掩膜版表面残余的有机溶剂。

S123、将所述金属掩膜版置于硫酸溶液中，以硫酸溶液作为阳极氧化液，以金属掩膜版表面的纯铝层或氧化铝层作为阳极材料，对所述金属掩膜版进行阳极氧化处理。其中，硫酸溶液的温度为12至25摄氏度，阳极电流密度1至2安/平方分米，电压为13至23伏，时间为60至180分钟。

为了获得防护性能更好的阳极氧化膜，可以在硫酸溶液中添加少量草酸。

S124、对金属掩膜版进行封闭处理。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，其特征在于，包括：

提供一金属掩膜版；

在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层；

对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理。

2.根据权利要求1所述的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，其特征在于，所述铝层或氧化铝层的厚度为1微米至50微米。

3.根据权利要求1所述的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，其特征在于，所述的在所述金属掩膜版的表面形成一纯铝层或氧化铝层包括：

采用热浸镀工艺或真空蒸镀工艺对所述金属掩膜进行镀膜加工，使得所述金属掩膜形成所述纯铝层或氧化铝层。

4.根据权利要求2所述的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，其特征在于，所述采用热浸镀工艺对所述金属掩膜版进行镀膜加工包括：

利用碱性清洗液对所述金属掩膜版进行表面清洗，以去除所述金属掩膜版表面的油污；

通过水对所述金属掩膜版进行清洗，以清除所述金属掩膜版表面残留的碱性清洗液；

利用酸性清洗液对所述金属掩膜版进行表面清洗，以清除所述金属掩膜版表面的氧化物；

通过水对所述金属掩膜版进行清洗，以清除所述金属掩膜版表面残留的酸性清洗液；

将金属掩膜版放入至助镀溶液中，使所述金属掩膜版表面形成一层保护膜；

将金属掩膜版放入至铝液中进行热浸镀，形成所述铝层或氧化铝层。

5.根据权利要求2所述的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，其特征在于，所述采用真空蒸镀工艺对所述金属掩膜进行镀膜加工包括：

对所述金属掩膜版进行清洁，以去除所述金属掩膜版表面的油污及氧化物；

将金属掩膜版放置于真空腔内，并对所述真空腔抽真空；

对所述金属掩膜版进行加热烘烤，使得所述金属掩膜版达到预定温度；

向真空腔内通人氩气，并将金属掩膜版连接至负高压电源，利用氩离子轰击金属掩膜版；

利用蒸发源蒸发铝材料使其熔化并蒸发，蒸发的铝离子沉积在金属掩膜版上形成所述纯铝层或氧化铝层；

将金属掩膜版冷却。

6.根据权利要求1所述的柔性OLED封装用金属掩膜版的绝缘处理方法，其特征在于，所述对形成纯铝层或氧化铝层的金属掩膜版进行阳极氧化处理包括：

利用有机溶剂对所述金属掩膜版表面进行脱脂处理；

采用水对金属掩膜版进行清洗；

将所述金属掩膜版置于硫酸溶液中，以硫酸溶液作为阳极氧化液，以金属掩膜版表面的纯铝层或氧化铝层作为阳极材料，对所述金属掩膜版进行阳极氧化处理；

对金属掩膜版进行封闭处理。