CN108023013B - 压电薄膜传感器制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，在压电薄膜传感器的复合层制备过程中，在任意一层中制备定位标记；以定位标记为基准，在复合层上打定位孔；在套位模切时，模切模板具有定位组件，与定位孔一一对应，模切刀线将所述压电薄膜传感器的复合层半断和/或全断模切；接端子形成压电薄膜传感器元件。其优点在于在定位孔的精确定位下，通过套位模切将接线端子上的部分材质切除，方便接线端子安装。

Description

压电薄膜传感器制备方法
技术领域
本发明涉及一种压电薄膜传感器的制备方法，特别涉及一种压电薄膜传感器卷对卷制造方法。
背景技术
压电薄膜传感器元件可以嵌入鞋子等穿戴产品测量运动者的力学数据，或者应用于手机、家电等触控按键或键盘，是未来智能可穿戴和智能手机和家电的重要传感器件。目前，制造外观尺寸精度较高的小型压电薄膜传感器常常采用片材加工工艺，这样增加了较多人工成本。此外，压电薄膜传感器正电极和接地电极需要在垂直投影面形成相互错位，以采用刺穿端子铆接，给制造环节增加了困难。
中国专利CN20140383801.0介绍了一种压电驻极体薄膜元件的加工方法，该方法采用片材加工方式：在绝缘保护膜上设置导电电极，然后在非感应区和感应区分别设置压敏胶，在非感应区将正导电电极和接地导电电极接口错位对好位粘合，最后在感应区设置压电驻极体薄膜，形成压电驻极体薄膜元件。该方法中在进行非感应区错位粘合时，需要人工对位，不仅浪费了大量人工，而且对位精度不高，造成电极层和传感器元件外形相互偏移误差较大。
中国专利CN201610265705.5介绍了一种长条状压电薄膜传感器卷对卷制造方法，该方法将多个重复设置传感器倾斜设置，并且使传感器正电极端口在边缘露出，实现了压电薄膜传感器正电极和接地电极在垂直投影面形成相互错位的目的。但是实际上有些压电薄膜传感器(比如用于触控按键、智能鞋等)尺寸较小，尺寸属于圆形或方形，端口数量较多。采用本方法不容易实现压电薄膜传感器正电极和接地电极在垂直投影面形成相互错位的目的。
发明内容
本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，克服现有技术的缺陷，解决上述问题。
本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，具有以下步骤：
步骤A、在压电薄膜传感器的复合膜制备过程中，在任意一层中制备定位标记；
步骤B、以定位标记为基准，在复合层上打定位孔；
步骤C、在套位模切时，模切模板具有定位组件，与定位孔一一对应，模切刀线将所述压电薄膜传感器的复合层半断和/或全断模切；
步骤D、接端子形成压电薄膜传感器元件。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：套位模切的模具包括上下两个模板，其中一个模板具有半断刀线，半断刀线的切割深度为需要切除压电薄膜传感器的复合层部分层数的厚度；压电薄膜传感器的复合层放置在两个模板之间，半断刀线只切断部分复合层。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：模板上还具有全断刀线，将压电薄膜传感器全部切断。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：模板上还具有全断刀线，将压电薄膜传感器全部切断，在切断部分复合层的同时将卷对卷的复合层切成单个复合层。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：另一模板上也具有半断刀线，半断刀线的切割深度为需要切除压电薄膜传感器的复合层部分层数的厚度，切断另一侧的部分复合层。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：一个模板具有定位柱，另一个模板具有定位槽；套位模切时，定位柱穿过压电薄膜传感器的复合层上的定位孔，再插入定位槽。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：在正电极层中，刻蚀或印刷出定位标记图案。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：正电极层一侧或两侧的介质层为透明材质，从一侧可以识别定位标记。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：正电极层一侧或两侧的上的复合层的宽幅小于正电极层的宽幅，卷对卷制备时，露出正电极层上的定位标记。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层和绝缘介质层；作为优选，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层、绝缘介质层、接地层和绝缘介质层；作为优选，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层、绝缘介质层、压电薄膜层、接地层和绝缘介质层。
进一步，本发明提供一种压电薄膜传感器制备方法，还具有这样的特征：压电薄膜层材质包含但不限于PVDF压电薄膜、P(VDF+TrFE)压电薄膜、PTFE压电驻极体薄膜、PP压电驻极体薄膜、PTFE-FEP压电驻极体薄膜、PZT压电驻极体薄膜、PZT-PVDF复合压电薄膜、ZnO压电薄膜、ZnO纳米发电机薄膜、COC压电驻极体薄膜、PFA压电驻极体薄膜、PEN压电驻极体薄膜、PCTFE压电驻极体薄膜、PET压电驻极体薄膜。
附图说明
图1是实施例一中压电薄膜传感器元件的分解图。
图2是实施例一中压电薄膜传感器复合层的结构图。
图3是实施例一中压电薄膜传感器复合层的制备工艺图。
图4是实施例一中复合膜101的结构图。
图5是实施例一中复合膜101的俯视图。
图6是实施例一中复合膜102的结构图。
图7是实施例一中复合膜103的结构图。
图8是实施例一中复合层100的结构图。
图9是实施例一中套位模切的工艺图。
图10是实施例一中铆接端子的结构图。
图11是实施例二中压电薄膜传感器元件的分解图。
图12是实施例二中压电薄膜传感器复合层的结构图。
图13是实施例二中压电薄膜传感器复合层的制备工艺图。
图14是实施例二中复合膜201的结构图。
图15是实施例二中复合膜201的俯视图。
图16是实施例二中复合膜202的结构图。
图17是实施例二中复合膜203的结构图。
图18是实施例二中复合层200的结构图。
图19是实施例二中套位模切半断上模板的仰视图。
图20是实施例二中套位模切的工艺图。
图21是实施例二中套位模切半断全断综合模切上模板的仰视图。
图22是实施例二中铆接端子的结构图。
图23是实施例三中压电薄膜传感器元件的分解图。
图24是实施例三中压电薄膜传感器复合层的结构图。
图25是实施例三中压电薄膜传感器复合层的制备工艺图。
图26是实施例三中复合膜301的结构图。
图27是实施例三中复合膜301的俯视图。
图28是实施例三中复合膜301的仰视图。
图29是实施例三中复合膜302的结构图。
图30是实施例三中复合膜303的结构图。
图31是实施例三中复合层300的结构图。
图32是实施例三中套位模切的工艺结构图。
图33是实施例三中套位模具的上模板的仰视图。
图34是实施例三中铆接端子的结构图。
图35是实施例四中压电薄膜传感器元件的分解图。
图36是实施例四中压电薄膜传感器复合层的结构图。
图37是实施例四中压电薄膜传感器复合层的制备工艺图。
图38是实施例四中复合膜401的结构图。
图39是实施例四中复合膜401的俯视图。
图40是实施例四中复合膜403的结构图。
图41是实施例四中复合膜404的结构图。
图42是实施例四中复合膜405的结构图。
图43是实施例四中复合膜406的结构图。
图44是实施例四中复合层400的结构图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的描述。
实施例一
如图1所示，本实施例中电薄膜传感器元件10的结构五层，依次分别为：绝缘介质层15、接地层13、压电薄膜层11、正电极层12和绝缘介质层14。
如图2和图3所示，本实施例中，电薄膜传感器元件的制造方法，具有以下步骤：
步骤A、压电薄膜传感器的复合层的制备。
步骤A-1、在复合装置301上将铝箔或铜箔的正电极层12复合在绝缘介质层14上，刻蚀装置302刻蚀取掉正电极122和定位标记121图案以外的铝箔和铜箔，形成如图4和图5所示复合膜101。
绝缘介质层14为透明材质，为了后续工序的CCD摄像头或其他识别设备自动识别定位标记121的图案。
步骤A-2、复合膜101的正电极层12与压电薄膜层11在复合装置301上进行复合，形成如图6所示复合膜102。
步骤A-3、将接地层13与绝缘介质层15在复合装置301上进行复合，形成如图7所示复合膜103。该步骤在步骤A-4之前完成即可。
步骤A-4、将复合膜102和复合膜103在复合装置301上进行复合，形成如图8所示复合层100。
复合膜103幅宽小于复合膜102，以便于将复合膜102上的定位标记121图案在垂直面露出，以便后续工序的CCD摄像头或其他识别设备自动识别。
上述步骤A-1和A-4将定位标记121可以被后续工序CCD摄像头或其他识别设备自动识别的工艺只需要择一进行就可以了。
步骤B、复合层100按照定位标记121图案打定位孔1。
采用卷对卷式机械冲孔或激光打孔机，对定位标记121的位置进行打孔。利用CCD摄像头或其他识别设备自动识别出定位标记121的图案，然后对该图案的中心位置进行打孔将复合层100打穿，使得复合层100的两个边缘形成多个等距的大小相同的定位孔1。打定位孔1的目的是为了形成与产品外形位置相对固定的孔，方便模切机更精准的套位。
步骤C、将打好定位孔1的复合层100进行套位模切。
步骤C-1、复合层的半断套位模切。
如图9所示，半断套位模具600具有上模板610和下模板620。上模板610具有定位柱611，下模板620具有定位槽621。定位柱611、定位孔1和定位槽621的位置一一对应。上模板610上具有用于冲切复合膜100的半断刀线650。
将复合层100放置在下模板620上，上模板610上的定位柱611穿过复合层100的定位标孔1，插入下模板620的定位槽621内。上模板610继续向下，半断刀线650冲切复合膜100，将复合膜上的绝缘介质层15和接地层13的部分切断。半断刀线650的切割深度为接地层13与绝缘介质层15的总厚度。
步骤C-2、复位层100的外形全断套位模切，将复合层100切割成如图10所示的单个复合层。
将完成C-1步骤的部分切割的复合层100继续全断套位模切。
全断套位模具与半断套位模具的结构相似，具有上模板和下模板，上模板上具有冲切的全断刀线，全断刀线的切割深度比半断刀线的切割深度深。
将单个复合膜放在下模板上，上模板向下，全断刀线将复合层100切割成如图10所示的单个复合层。
整个步骤C的过程就是，将上述打好定位孔1的复合层100，卷对卷模切机以预定的距离纵向间断式的向前：拉料-模切-拉料-模切。C-1步骤和C-2步骤前后两次模切，所以需要第二次模切需要与第一次模切精准对位，故设置定位孔。如果没有定位孔，在实际中向前拉料的距离的误差不断累积，使得模切位置产品偏移，导致精度降低，因此每次“拉料-模切”需要进行校准，校准的方式即：通过模切磨具上突出的定位柱刚好套进定位孔后，在进行切割。
步骤D、接端子9形成压电薄膜传感器元件。
如图10所示，将C-1步骤中部分切断的端头多余部分8，即切断的绝缘介质层15和接地层13，撕掉，在垂直投影面上露出正电极接头，铆接端子9形成压电薄膜传感器元件。
实施例二
如图11所示，本实施例中电薄膜传感器元件20的结构7层，依次分别为：绝缘介质层25、接地层23、压电薄膜层21、正电极层22、绝缘介质层24、接地层23和绝缘介质层25。
如图12和图13所示，本实施例中，电薄膜传感器元件的制造方法，具有以下步骤：
步骤A、压电薄膜传感器的复合层的制备。
步骤A-1、丝网印刷装置521在绝缘介质层24上制备正电极层22，按照正电极222和定位标记221图案印刷银浆，形成如图14和图15所示复合膜201。
绝缘介质层24为透明材质，为了后续工序的CCD摄像头或其他识别设备自动识别定位标记221的图案。
步骤A-2、复合膜201的正电极层22与压电薄膜层21在复合装置522上进行复合，形成如图16所示复合膜202。
步骤A-3、将接地层23与绝缘介质层25在复合装置522上进行复合，形成如图17所示复合膜203。该步骤在步骤A-4之前完成即可。
步骤A-4、将复合膜202在复合膜203的两侧，采用复合装置522进行复合，形成如图18所示复合层200。
紧贴绝缘层24的复合膜203幅宽小于复合膜202，以便于将正电极层22上的定位标记221图案在垂直面露出，以便后续工序的CCD摄像头或其他识别设备自动识别。
步骤B、复合层200按照定位标记221图案打孔。
采用卷对卷式机械冲孔或激光打孔机，对定位标记221的位置进行打孔。利用CCD摄像头或其他识别设备自动识别出定位标记221的图案，然后对该图案的中心位置进行打孔将复合层200打穿，使得复合层200的两个边缘形成多个等距的大小相同的定位孔2。打定位孔2的目的是为了形成与产品外形位置相对固定的孔，方便模切机更精准的套位。
步骤C、将打好定位孔2的复合层200进行套位模切。
步骤C-1、复合层200的半断套位模切。
如图19所示，与实施例一相同，半断套位模切具有上模板710和下模板720。上模板710具有定位柱711，下模板720具有定位槽721。定位柱711、定位孔2和定位槽721的位置一一对应。上模板710上具有用于冲切复合膜200的半断刀线760。
将复合层200放置在下模板720上，上模板710上的定位柱穿过复合层200的定位标孔2，插入下模板720的定位槽721内。上模板710继续向下，半断刀线760冲切复合层200，将复合层200上的绝缘介质层25和接地层23的部分切断。半断刀线760的切割深度为接地层23与绝缘介质层25的总厚度。
步骤C-2、复位层200的另一侧进行半断全断综合套位模切。
如图20和21所示，半断全断综合套位模具700具有上模板710和下模板720。上模板710具有定位柱711，下模板720具有定位槽721。定位柱711、定位孔2和定位槽721的位置一一对应。上模板710上具有用于冲切复合层200的半断全断综合刀线750。如图20所示，半断全断综合刀线750具有全断刀线751和半断刀线752。全断刀线751突出上模板710的表面的尺寸大于半断刀线752的尺寸。
半断刀线752为L形状，切割接头部位8的非外形区域，半断刀线752的刀高刚好可以切割至复合层200另一侧的绝缘介质层25和接地电极层23，而不切割到压电薄膜层21、正电极层22和绝缘介质层24。全断刀线751是切割整个复合层200，形成产品外形。全断刀线751高于半断刀线752，全断刀线751与刀半断刀线752的高度差为：压电薄膜层21+正电极层22+绝缘介质层24+接地层23+绝缘介质层25的总厚度。
将复合层200放置在下模板720上，上模板710上的定位柱711穿过复合膜700的定位孔2，插入下模板720的定位槽721内。上模板710继续向下，全断刀线751冲切复合膜200的外形，将复合层200切割成如图22所示的单个复合层。同时，半断刀线752将复合层200一侧的绝缘介质层25和接地层23的部分切断。
整个步骤C的过程就是，将上述打好定位孔1的复合层200，卷对卷模切机以预定的距离纵向间断式的向前：拉料-模切-拉料-模切。C-1步骤和C-2步骤前后两次模切，所以需要第二次模切需要与第一次模切精准对位，故设置定位孔。如果没有定位孔，在实际中向前拉料的距离的误差不断累积，使得模切位置产品偏移，导致精度降低，因此每次“拉料-模切”需要进行校准，校准的方式即：通过模切磨具上突出的定位柱刚好套进定位孔后，在进行切割。
步骤D、接端子9形成压电薄膜传感器元件。
如图22所示，即切断的绝缘介质层15和接地层13，撕掉，在垂直投影面上露出正电极接头，铆接端子9形成压电薄膜传感器元件。
实施例三
如图23所示，本实施例中电薄膜传感器元件30的结构7层，依次分别为：绝缘介质层35、接地层33、压电薄膜层31、正电极层32、绝缘介质层34、接地层36和绝缘介质层37。
如图24和图25所示，本实施例中，电薄膜传感器元件的制造方法，具有以下步骤：
步骤A、压电薄膜传感器的复合层的制备。
步骤A-1、在复合装置531上将铝箔/铜箔层32和铝箔/铜箔层36分别复合在绝缘介质层34正反两面上，套位刻蚀装置532刻蚀取掉正电极32的图案322、接地电极36和定位标记321图案以外的铝箔和铜箔，形成如图26、图27和图28所示的复合膜301。
为了减少一次半断套位模切的步骤，上述接地电极层36刻蚀取一口窗361，该361窗口大小和位置与电极图案322一一对应，使得其在垂直投影面上露出电极图案322的端头。
绝缘介质层34为透明材质，为了后续工序的CCD摄像头或其他识别设备自动识别定位标记321的图案。
同时复合膜301上的接地电极层36幅宽小于复合膜34，以便于将正电极层32上的定位标记321图案在垂直面露出，以便后续工序的CCD摄像头或其他识别设备自动识别。
步骤A-2、上述复合膜301的正电极层32面与压电薄膜层31的一面进行复合，形成如图29所示的复合膜302。
步骤A-3、将接地层33与绝缘介质层35在复合装置531上进行复合，形成如图30所示复合膜303。该步骤在步骤A-4之前完成即可。
步骤A-4、压电薄膜31另一面与复合膜303复合；将接地电极层36面与绝缘介质层37的一面进行复合；形成如图31所示的复合层300。
步骤B、复合层300按照定位标记321图案打孔。
采用机械冲孔或激光打孔机，对定位标记321的位置进行打孔。利用CCD摄像头或其他识别设备自动识别出定位标记321的图案，然后对该图案的中心位置进行打孔将复合层300打穿，使得复合层300的两个边缘形成多个等距的大小相同的定位孔3。打定位孔3的目的是为了形成与产品外形位置相对固定的孔，方便模切机更精准的套位。
步骤C、将打好定位孔3的复合层300进行半断全断综合套位模切。
如图32所示，半断全断综合套位模切模具800具有上模板810和下模板820。上模板810具有定位柱811，下模板820具有定位槽821。定位柱811、定位孔3和定位槽821的位置一一对应。上模板810上具有用于冲切复合层300的半断全断综合刀线850。如图33所示，半断全断综合刀线850具有全断刀线851和半断刀线852。全断刀线851突出上模板810的表面的尺寸大于半断刀线852的尺寸。
将复合层300放置在下模板820上，上模板810上的定位柱811穿过复合层300的定位标记321，插入下模板820的定位槽821内。上模板810继续向下，全断刀线851冲切复合层300的外形，将复合层300切割成如图34所示的单个复合层。同时，上模板810的半断刀线852将复合层300同一侧的绝缘介质层35和接地层33的部分切断。
步骤D、接端子9形成压电薄膜传感器元件。
如图34所示，将C步骤中一侧部分切断的端头多余部分8，即切断的绝缘介质层35和接地层33，撕掉，在垂直投影面上露出正电极接头，铆接端子9形成压电薄膜传感器元件。
变形例
本实施例中的步骤A-1也可以采用以下方式：
丝网印刷装置在绝缘介质层34上制备正电极层32，按照正电极和定位标记321图案印刷银浆，形成复合膜。
丝网印刷装置在上述复合膜的反面按照接地电极图案36印刷银浆，形成如图26所示复合膜301。
实施例四
如图35所示，本实施例中压电薄膜传感器元件40的结构8层，依次分别为：绝缘介质层45、接地层43、压电薄膜层41、正电极层42、绝缘介质层44、压电薄膜层41、接地层46和绝缘介质层47。
如图36和图37所示，本实施例中，压电薄膜传感器元件的制造方法，具有以下步骤：
步骤A、压电薄膜传感器的复合层的制备。
步骤A-1、丝网印刷装置541在绝缘介质层44上制备正电极层42，按照正电极图案422和定位标记421图案印刷银浆，形成如图37和图38所示复合膜401。
步骤A-2、上述复合膜401的正电极层42面与压电薄膜层41的一面进行复合，形成如图40所示的复合膜403。
步骤A-3、将接地层43与绝缘介质层45在复合装置531上进行复合，形成如图41所示复合膜404。该步骤在步骤A-4之前完成即可。
步骤A-4、压电薄膜41另一面与复合膜404复合，形成如图42所示的复合膜405。
步骤A-5、将接地层46与绝缘介质层47在复合装置531上进行复合，形成如图41所示复合膜404。
在复合膜404的的接地层46上复合压电薄膜41，形成如图43所示的复合膜406。
将复合膜405的绝缘介质层44面与复合膜406的压电薄膜41面进行复合，形成如图44所示复合层400。
步骤B、复合层400按照定位标记421图案打孔。
步骤C、将打好定位标记421的复合层400进行套位模切。可以采用实施例一至三种任意一种方法，不再重复叙述。
步骤D、接端子9形成压电薄膜传感器元件。
将切断部分，即切断的绝缘介质层45和接地层43，以及切断的绝缘介质层47和接地层46，撕掉，在垂直投影面上露出正电极接头，铆接端子形成压电薄膜传感器元件。

Claims (12)

1.一种压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：
步骤A、在压电薄膜传感器的复合层制备过程中，在任意一层中制备定位标记；
步骤B、以定位标记为基准，在复合层上打定位孔；
步骤C、在套位模切时，模切模板具有定位组件，与定位孔一一对应，模切刀线将所述压电薄膜传感器的复合层半断和/或全断模切；
步骤D、接端子形成压电薄膜传感器元件。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，套位模切的模具包括上下两个模板，其中一个模板具有半断刀线，半断刀线的切割深度为需要切除压电薄膜传感器的复合层部分层数的厚度；压电薄膜传感器的复合层放置在两个模板之间，半断刀线只切断部分复合层。
3.根据权利要求2所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，模板上还具有全断刀线，将压电薄膜传感器全部切断，在切断部分复合层的同时将卷对卷的复合层切成单个复合层。
4.根据权利要求2所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，另一模板上也具有半断刀线，半断刀线的切割深度为需要切除压电薄膜传感器的复合层部分层数的厚度，切断另一侧的部分复合层。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，一个模板具有定位柱，另一个模板具有定位槽；套位模切时，定位柱穿过压电薄膜传感器的复合层上的定位孔，再插入定位槽。
6.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，在正电极层中，刻蚀或印刷出定位标记图案。
7.根据权利要求6所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，正电极层一侧或两侧的介质层为透明材质，从一侧可以识别定位标记。
8.根据权利要求6所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，正电极层一侧或两侧的上的复合层的宽幅小于正电极层的宽幅，卷对卷制备时，露出正电极层上的定位标记。
9.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层和绝缘介质层。
10.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层、绝缘介质层、接地层和绝缘介质层。
11.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层、绝缘介质层、压电薄膜层、接地层和绝缘介质层。
12.根据权利要求9至11中任意一项所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜层材质包含但不限于PVDF压电薄膜、P(VDF+TrFE)压电薄膜、PTFE压电驻极体薄膜、PP压电驻极体薄膜、PTFE-FEP压电驻极体薄膜、PZT压电驻极体薄膜、PZT-PVDF复合压电薄膜、ZnO压电薄膜、ZnO纳米发电机薄膜、COC压电驻极体薄膜、PFA压电驻极体薄膜、PEN压电驻极体薄膜、PCTFE压电驻极体薄膜、PET压电驻极体薄膜。
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