CN108020995B - 光刻机水平向测量装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光刻机水平向测量装置及方法，该装置包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元，所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元一侧的主支架。通过与投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元和与投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元测量投影物镜单元相对主支架的倾角，物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台和掩模台之间的偏移量，移动掩模台和工件台进行补偿，从而解决了光刻机框架变形和热变形的影响导致套刻精度降低和CDU性能差的问题。

Description

光刻机水平向测量装置及方法
技术领域
本发明涉及光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机水平向测量装置及方法。
背景技术
在当今信息化社会中，人们对液晶显示器的要求越来越高。目前，OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光显示器)具有超薄、主动发光、高亮度、高对比度、高视觉、工作稳定范围大、低功耗、低成本等优点，被人们广泛应用。生产制造OLED产品需要TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)光刻机设备。
随着人们对液晶显示尺寸需求越来越大，从而要求生产制造OLED的TFT光刻机设备也越来越大；随之承载玻璃基板的工件台尺寸也越来越大，工件台的运动质量也就越来越大。然而支撑工件台、掩模台及物镜的框架结构刚度是有限的，致使掩模台、工件台的运动对于整机结构静力变形和动态性能的影响越来越大，从而影响到套刻成像精度和CDU(关键尺寸均匀性)性能。在光刻机的内部，因光刻机的尺寸越来越大，测量系统受到短期温度漂移的影响越来越大，会导致测量系统不准，从而也会影响到物镜的成像。
现有技术中提供了一种光刻机水平测量装置及测量方法，用于TFT安装时，支撑脚的垂向高度差的测量，并根据支撑脚的垂向高度差对支撑脚作水平调整，然而该方法无法实现在光刻机工作中进行水平向检测及调整。
发明内容
本发明提供了一种光刻机水平向测量装置及方法，以解决现有技术中存在的光刻机框架变形和热变形而导致套刻成像精度差和CDU性能差的问题。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种光刻机水平向测量装置，包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元，所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元一侧的主支架。
进一步的，所述第一位置测量单元包括固设于所述主支架上的掩模台干涉仪支架、设于所述掩模台干涉仪支架上的掩模台测量干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪、以及设于所述投影物镜单元上方且与所述物镜掩模台参考干涉仪对应的物镜掩模台参考镜，所述物镜掩模台参考干涉仪设于所述掩模台测量干涉仪下方。
进一步的，所述第二位置测量单元包括固设于所述主支架上的工件台干涉仪支架、设于所述工件台干涉仪支架上的工件台测量干涉仪和物镜工件台参考干涉仪、以及设于所述投影物镜单元下方且与所述物镜工件台参考干涉仪对应的物镜工件台参考镜，所述物镜工件台参考干涉仪设于所述工件台测量干涉仪上方。
进一步的，所述第一位置测量单元还包括设于所述掩模台干涉仪支架上的主基板掩模台参考干涉仪和设于所述主基板上且与所述主基板掩模台参考干涉仪对应的主基板掩模台参考镜，所述主基板掩模台参考干涉仪和所述物镜掩模台参考干涉仪具有水平向相同，垂向有高度差的位置关系。
进一步的，所述第二位置测量单元还包括设于所述工件台干涉仪支架上的主基板工件台参考干涉仪和设于主基板上且与所述主基板工件台参考干涉仪对应的主基板工件台参考镜，所述主基板工件台参考干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪和主基板掩模台参考干涉仪具有水平向相同，垂向有高度差的位置关系。
进一步的，所述整机框架采用钢件制成，所述投影物镜单元采用陶瓷件材料框架制成。
进一步的，所述第一位置测量单元包括固设于主支架上的掩模台干涉仪支架、设于所述掩模台干涉仪支架上的掩模台测量干涉仪和设于掩模台上的掩模台长条镜和角锥镜。
进一步的，所述第二位置测量单元包括固设于主支架上的工件台干涉仪支架、设于所述工件台干涉仪支架上的工件台测量干涉仪和设于工件台上的工件台长条镜。
进一步的，所述投影物镜单元下方还设有调焦调平传感器。
进一步的，所述主支架设于主基板上。
本发明还提供一种光刻机水平向测量装置的测量方法，通过所述第一位置测量单元和第二位置测量单元测量投影物镜单元相对所述主支架的倾角，所述物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台和掩模台之间的偏移量，移动掩模台和工件台进行补偿。
进一步的，还包括通过调焦调平传感器对工件台和掩模台进行水平向对准。
进一步的，所述工件台和掩模台之间的偏移量M与所述投影物镜单元相对所述主支架的倾角θ之间的关系为：M＝L*tanθ；其中tanθ＝(P1-P2)/T；L为掩模台测量干涉仪出光口到工件台测量干涉仪出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考干涉仪出光口之间的垂向距离；P1为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜掩模台参考镜的距离；P2为物镜工件台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考镜的距离。
进一步的，所述工件台和掩模台之间的偏移量M与所述投影物镜单元相对所述主支架的倾角θ之间的关系为：M＝L*tanθ；其中tanθ＝[(P1-P3)-(P2-P4)]/T；L为掩模台测量干涉仪出光口到工件台测量干涉仪出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考干涉仪出光口之间的垂向距离；P1为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜掩模台参考镜的距离；P2为物镜工件台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考镜的距离；P3为主基板掩模台参考干涉仪出光口到主基板掩模台参考镜的距离；P4为主基板工件台参考干涉仪出光口到主基板工件台参考镜的距离。
本发明提供的光刻机水平向测量装置及方法，该装置包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元，所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元一侧的主支架。通过与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元和与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元测量投影物镜单元相对所述主支架的倾角，所述物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台和掩模台之间的偏移量，移动掩模台和工件台进行补偿，从而解决了光刻机框架变形和热变形的影响导致套刻精度降低和CDU性能差的问题。
附图说明
图1是本发明实施例1中光刻机水平向测量装置的结构示意图；
图2是本发明实施例1中光刻机水平向测量装置的俯视图；
图3是本发明实施例1中投影物镜单元旋转时的示意图；
图4是本发明实施例1中主支架旋转时的示意图；
图5是本发明实施例1中测量装置发生热变形的分析示意图；
图6是本发明实施例2中第一位置测量单元的结构示意图；
图7是本发明实施例2中第二位置测量单元的结构示意图。
图中所示：1、投影物镜单元；2、调焦调平传感器；31、掩模台干涉仪支架；32、掩模台测量干涉仪；33、物镜掩模台参考干涉仪；34、物镜掩模台参考镜；35、主基板掩模台参考干涉仪；36、主基板掩模台参考镜；41、工件台干涉仪支架；42、工件台测量干涉仪；43、物镜工件台参考干涉仪；44、物镜工件台参考镜；45、主基板工件台参考干涉仪；46、主基板工件台参考镜；5、主支架；6、工件台；61、工件台长条镜；7、掩模台；71、掩模台长条镜；72、角锥镜；8、主基板。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作详细描述。
实施例1
如图1-2所示，本发明提供了一种光刻机水平向测量装置，包括整机框架(图中未标出)、设于所述整机框架上的投影物镜单元1、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元，所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元1镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元1镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元1一侧的主支架5。本实施例中，主支架5设于主基板8上。通过与所述投影物镜单元1镜筒上方位对应的第一位置测量单元和与所述投影物镜单元1镜筒下方位对应的第二位置测量单元测量投影物镜单元1相对所述主支架5的倾角，所述物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台6和掩模台7之间的偏移量，移动掩模台7和工件台6进行补偿，从而解决了光刻机框架变形和热变形的影响导致套刻精度降低和CDU性能差的问题。
请参照图1-4，所述第一位置测量单元包括固设于所述主支架5上的掩模台干涉仪支架31、设于所述掩模台干涉仪支架31上的掩模台测量干涉仪32和物镜掩模台参考干涉仪33、以及设于所述投影物镜单元1上方且与所述物镜掩模台参考干涉仪33对应的物镜掩模台参考镜34，所述物镜掩模台参考干涉仪33设于所述掩模台测量干涉仪32下方。如图3-4所示，物镜掩模台参考干涉仪33和物镜掩模台参考镜34水平向相同，垂向具有高度差，物镜掩模台参考干涉仪33用于测量其与物镜掩模台参考镜34之间的距离P1。
请继续参照图1-4，所述第二位置测量单元包括固设于所述主支架5上的工件台干涉仪支架41、设于所述工件台干涉仪支架41上的工件台测量干涉仪42和物镜工件台参考干涉仪43、以及设于所述投影物镜单元1下方且与所述物镜工件台参考干涉仪43对应的物镜工件台参考镜44，所述物镜工件台参考干涉仪43设于所述工件台测量干涉仪42上方。如图3-4所示，物镜工件台参考干涉仪43和物镜工件台参考镜44水平向相同，垂向具有高度差，物镜工件台参考干涉仪43用于测量其与物镜工件台参考镜44之间的距离P2。由此可知，工件台干涉仪支架41和掩模台干涉仪支架31固定于同一主支架1上，与主支架1的运动同步，不会出现错位的情况。此时，所述工件台6和掩模台7之间的偏移量M与所述投影物镜单元1相对所述主支架5的倾角θ之间的关系为：M＝L*tanθ；其中tanθ＝(P1-P2)/T；L为掩模台测量干涉仪32出光口到工件台测量干涉仪42出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪33出光口到物镜工件台参考干涉仪43出光口之间的垂向距离。
优选的，所述第一位置测量单元还包括设于所述掩模台干涉仪支架31上且与所述物镜掩模台参考干涉仪33水平向相同，垂向具有高度差的主基板掩模台参考干涉仪35和设于主基板8上且与所述主基板掩模台参考干涉仪35对应的主基板掩模台参考镜36。主基板掩模台参考干涉仪35和主基板掩模台参考镜36水平向相同，垂向具有高度差，主基板掩模台参考干涉仪35用于测量其与主基板掩模台参考镜36之间的距离P3，如图5所示。
优选的，所述第二位置测量单元还包括设于所述工件台干涉仪支架41上且与所述物镜工件台参考干涉仪43水平向相同，垂向具有高度差的主基板工件台参考干涉仪45和设于所述主基板8上且与所述主基板工件台参考干涉仪45对应的主基板工件台参考镜46。当温度场变化比较大，测量装置也会发生很大的热变形，以至于测量出来的结果不准确，此时，所述工件台6和掩模台7之间的偏移量M与所述投影物镜单元1相对所述主支架5的倾角θ之间的关系为：M＝L*tanθ；其中tanθ＝[(P1-P3)-(P2-P4)]/T；L为掩模台测量干涉仪32出光口到工件台测量干涉仪42出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪33出光口到物镜工件台参考干涉仪43出光口之间的垂向距离。
优选的，所述投影物镜单元1下方还设有调焦调平传感器(FLS，Focus LevelSensor)2，用于在补偿过程中对工件台6和掩模台7进行水平向对准。
本实施例中还提供一种如上所述的光刻机水平向测量装置的测量方法，通过所述第一位置测量单元和第二位置测量单元测量投影物镜单元1相对所述主支架5的倾角，所述物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台6和掩模台7之间的偏移量，移动掩模台7和工件台6进行补偿。优选的，在补偿过程中，还包括通过调焦调平传感器2对工件台6和掩模台7进行水平向对准，进一步保证不会影响到物镜成像。
由于工件台6的运动，作用力传递到主基板8，导致主基板8发生扭转变形，随之投影物镜单元1和主支架5都会发生扭转。在不考虑热变形的前提下，本实施例从以下两种情况讨论：投影物镜单元1旋转和主支架5旋转。
(1)投影物镜单元1旋转
如图3所示，投影物镜单元1发生旋转θ时，工件台6与掩模台7之间的偏移量M＝L*tanθ＝L*(P1-P2)/T，其中L为掩模台测量干涉仪32出光口到工件台测量干涉仪42出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪33出光口到物镜工件台参考干涉仪43出光口之间的垂向距离。P1为物镜掩模台参考干涉仪33出光口到物镜掩模台参考镜34的距离；P2为物镜工件台参考干涉仪43出光口到物镜工件台参考镜44的距离。由此得到工件台6与掩模台7之间的偏移量M，由物镜倾角补偿单元移动掩模台7和工件台6进行补偿。
(2)主支架5旋转
如图4所示，图中掩模台干涉仪支架31发生旋转θ1，工件台干涉仪支架41发生旋转θ2。
当θ1＝θ2时，则等效于投影物镜单元1旋转，工件台6与掩模台7之间的偏移量M＝L*tanθ1＝L*tanθ2＝L*(P1-P2)/T；
当θ1≠θ2时，则M无法测量，由此可知，掩模台干涉仪支架31和工件台干涉仪支架42必须固定在同一主支架5上，然后再固定在主基板8上。然而实际情况发生扭转，不是简单的旋转，此时对其工件台6运动情况进行模拟仿真，仿真结果旋转角度在0.1urad(该值为系统需求指标)下，可等效于θ1＝θ2。
当温度场变化比较大，测量装置也会发生很大的热变形，以至于测量出来的结果不准确，此时，需要设置在主基板8上下分别设置主基板掩模台参考镜36和主基板工件台参考镜46，在掩模台测量干涉仪31的下方设置主基板掩模台参考干涉仪35，工件台测量干涉仪41的上方设置主基板工件台参考干涉仪45，主基板掩模台参考干涉仪35用于测量其出光口到主基板掩模台参考镜36的距离P3，主基板工件台参考干涉仪45用于测量其出光口到主基板工件台参考镜46的距离P4，如图5所示，工件台6与掩模台7之间的偏移量M M＝[(P1-P3)-(P2-P4)]*L/T，由物镜倾角补偿单元移动掩模台7和工件台6进行补偿，使掩模台7和工件台6水平向对准。在实际的链路中，有些值是无法测量的，通过温度场仿真对其控制在一定的误差范围(温漂20nm)内，可等效于能够测量。
实施例2
与实施例1不同的是，本实施中，所述整机框架采用钢件制成，所述投影物镜单元1采用陶瓷件材料框架制成，以提高主基板8抗变形能力，所述第一位置测量单元包括设于主支架5上的掩模台干涉仪支架31、设于所述掩模台干涉仪支架31上的掩模台测量干涉仪32和设于掩模台7上的掩模台长条镜71和角锥镜72，如图6所示。优选的，所述第二位置测量单元包括固设于主支架5上的工件台干涉仪支架41、设于所述工件台干涉仪支架41上的工件台测量干涉仪42和设于工件台6上的工件台长条镜61，如图7所示。由于投影物镜单元1采用陶瓷件材料制成，可以提高主基板8抗变形能力，因此不需要设置相应的参考干涉仪，测量工件台6和掩模台7偏移量时，通过掩模台测量干涉仪32测量掩模台长条镜71和角锥镜72从而得到掩模台7的运动位置状态，通过工件台测量干涉仪42测量工件台长条镜61从而得到工件台6的运动位置状态，最终通过计算各测量点的位移量差值从而得到偏移量M值。
本发明提供的光刻机水平向测量装置及方法，该装置包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元1、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元，所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元1镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元1镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元1一侧的主支架5。通过与所述投影物镜单元1镜筒上方位对应的第一位置测量单元和与所述投影物镜单元1镜筒下方位对应的第二位置测量单元测量投影物镜单元1相对所述主支架5的倾角，所述物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台6和掩模台7之间的偏移量，移动掩模台7和工件台6进行补偿，从而解决了光刻机框架变形和热变形的影响导致套刻精度降低和CDU性能差的问题。
虽然说明书中对本发明的实施方式进行了说明，但这些实施方式只是作为提示，不应限定本发明的保护范围。在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种省略、置换和变更均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (12)

1.一种光刻机水平向测量装置，其特征在于，包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元，所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元一侧的主支架；
所述第一位置测量单元包括固设于所述主支架上的掩模台干涉仪支架、设于所述掩模台干涉仪支架上的掩模台测量干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪、以及设于所述投影物镜单元上方且与所述物镜掩模台参考干涉仪对应的物镜掩模台参考镜，所述物镜掩模台参考干涉仪设于所述掩模台测量干涉仪下方；
所述第二位置测量单元包括固设于所述主支架上的工件台干涉仪支架、设于所述工件台干涉仪支架上的工件台测量干涉仪和物镜工件台参考干涉仪、以及设于所述投影物镜单元下方且与所述物镜工件台参考干涉仪对应的物镜工件台参考镜，所述物镜工件台参考干涉仪设于所述工件台测量干涉仪上方。
2.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述第一位置测量单元还包括设于所述掩模台干涉仪支架上的主基板掩模台参考干涉仪和设于所述主基板上且与所述主基板掩模台参考干涉仪对应的主基板掩模台参考镜，所述主基板掩模台参考干涉仪和所述物镜掩模台参考干涉仪具有水平向相同，垂向有高度差的位置关系。
3.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述第二位置测量单元还包括设于所述工件台干涉仪支架上的主基板工件台参考干涉仪和设于主基板上且与所述主基板工件台参考干涉仪对应的主基板工件台参考镜，所述主基板工件台参考干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪和主基板掩模台参考干涉仪具有水平向相同，垂向有高度差的位置关系。
4.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述整机框架采用钢件制成，所述投影物镜单元采用陶瓷件材料框架制成。
5.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述第一位置测量单元包括固设于主支架上的掩模台干涉仪支架、设于所述掩模台干涉仪支架上的掩模台测量干涉仪和设于掩模台上的掩模台长条镜和角锥镜。
6.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述第二位置测量单元包括固设于主支架上的工件台干涉仪支架、设于所述工件台干涉仪支架上的工件台测量干涉仪和设于工件台上的工件台长条镜。
7.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述投影物镜单元下方还设有调焦调平传感器。
8.根据权利要求1所述的光刻机水平向测量装置，其特征在于，所述主支架设于主基板上。
9.一种如权利要求1所述的光刻机水平向测量装置的测量方法，其特征在于，通过所述第一位置测量单元和第二位置测量单元测量投影物镜单元相对所述主支架的倾角，所述物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台和掩模台之间的偏移量，移动掩模台和工件台进行补偿。
10.根据权利要求9所述的测量方法，其特征在于，还包括通过调焦调平传感器对工件台和掩模台进行水平向对准。
11.根据权利要求9所述的测量方法，其特征在于，所述工件台和掩模台之间的偏移量M与所述投影物镜单元相对所述主支架的倾角θ之间的关系为：M＝L*tanθ；其中tanθ＝(P1-P2)/T；L为掩模台测量干涉仪出光口到工件台测量干涉仪出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考干涉仪出光口之间的垂向距离；P1为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜掩模台参考镜的距离；P2为物镜工件台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考镜的距离；
其中，所述掩模台测量干涉仪和所述物镜掩模台参考干涉仪设于掩模台干涉仪支架上，所述物镜掩模台参考干涉仪设于所述掩模台测量干涉仪下方，所述掩模台干涉仪支架固设于所述主支架上；
所述物镜掩模台参考镜设于所述投影物镜单元上方且与所述物镜掩模台参考干涉仪对应；
工件台干涉仪支架固设于所述主支架上，所述工件台测量干涉仪和所述物镜工件台参考干涉仪设于所述工件台干涉仪支架上，所述物镜工件台参考干涉仪设于所述工件台测量干涉仪上方；
所述物镜工件台参考镜设于所述投影物镜单元下方且与所述物镜工件台参考干涉仪对应。
12.根据权利要求9所述的测量方法，其特征在于，所述工件台和掩模台之间的偏移量M与所述投影物镜单元相对所述主支架的倾角θ之间的关系为：M＝L*tanθ；其中tanθ＝[(P1-P3)-(P2-P4)]/T；L为掩模台测量干涉仪出光口到工件台测量干涉仪出光口之间的垂向距离；T为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考干涉仪出光口之间的垂向距离；P1为物镜掩模台参考干涉仪出光口到物镜掩模台参考镜的距离；P2为物镜工件台参考干涉仪出光口到物镜工件台参考镜的距离；P3为主基板掩模台参考干涉仪出光口到主基板掩模台参考镜的距离；P4为主基板工件台参考干涉仪出光口到主基板工件台参考镜的距离；
其中，所述掩模台测量干涉仪、所述物镜掩模台参考干涉仪和主基板掩模台参考干涉仪设于掩模台干涉仪支架上，所述物镜掩模台参考干涉仪设于所述掩模台测量干涉仪下方，所述掩模台干涉仪支架固设于所述主支架上；
所述物镜掩模台参考镜设于所述投影物镜单元上方且与所述物镜掩模台参考干涉仪对应；
所述主基板掩模台参考镜设于所述主基板上，所述主基板掩模台参考干涉仪和所述物镜掩模台参考干涉仪对应，且具有水平向相同，垂向有高度差的位置关系；
工件台干涉仪支架固设于所述主支架上，所述工件台测量干涉仪、所述物镜工件台参考干涉仪和主基板工件台参考干涉仪设于所述工件台干涉仪支架上，所述物镜工件台参考干涉仪设于所述工件台测量干涉仪上方；
所述物镜工件台参考镜设于所述投影物镜单元下方且与所述物镜工件台参考干涉仪对应；
所述主基板工件台参考镜设于所述主基板上，所述主基板工件台参考干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪对应，且具有水平向相同，垂向有高度差的位置关系。
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