CN107920324A - 微音器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微音器及此的制造方法。具体地，本发明涉及利用具有压电特性的二维物质的微音器及其制造方法。根据本发明的一个实施例，微音器包括：基板，包括空腔；二维压电物质层，配置在所述基板上，使覆盖所述空腔被配置；电极层，配置在所述二维压电物质层上，且经声音随着振动所述二维压电物质层，生成电势。
Description
技术领域
本发明涉及微音器及其制造方法。具体地，本发明涉及利用具有压电特性的二维物质的微音器及其制造方法。
背景技术
微音器作为制造如声音振动频率的电信号装置，其原理是声音，即声压振动振动板，发生如声音振动频率的交流感应电流。即，将声音制作成输入信号的装置。最近，随着用在计算机和其周边装置智能手机的耳机和头戴耳机的微音器逐渐超小型化，利用MEMS工程比现有的微音器更薄、更轻、电力消耗少的超小型微音器，被活跃地适用。
通常，在微音器使用最广泛的方式是动态(Dynamic)方式，使用线圈和永久磁铁，因此其大小大、费用高，且不可作为小型化，所以，在某些装置用于内装用受限。为了克服此，最近利用如超小型微机电系统(Micro Electro Mechanical System；MEMS)半导体工程方式，在硅系列的晶片，使用制作超小型微音器集成的方式。
除动态方式以外使用的微音器是静电容量(Capacitive)方式或者电容器(Condenser)方式，具有一定的间隔且根据在相互面对的两个平行板(固定板、振动板)之间的间隔变化，感知电容变化。电容器方式的微音器为了维持电荷量，运行时要施加一定的电压。为了得到高灵敏性，可施加电压要变大，但施加电压大时膜片(Diaphragm)，即振动板的静态变形变大，所以，抗冲击性和动态测定范围减少。此外，之前用于振动板的物质由多晶硅氮化物、硅氧化物等电介质或者多晶硅等形成，但是，物质本身的特性上太薄时，机械强度下降，且厚时可破碎。不仅如此，为了高灵敏性两个平行板之间的间隔相当窄，所以，对冲击和振动、湿气等外部环境脆弱。
具有与电容器方式类似的驻极体电容器传声器(Electret CondenserMicrophone；ECM)方式。ECM是将排列在物质内部的静电荷(static charge)电介质，用于振动板或固定板的方式。因具有永久性的电极化性，所以，不需如一般电容器方式，在外部施加一定的电压。因价格低廉且便于制造，所以，多被用于小型移动机器的低价微音器，但是，具有响应特性下降的缺点和将聚合材料用于振动板，所以具有温度限制，不可使用将微音器直接贴装在印刷电路基板(PCB)表面方法的表面贴装技术(Surface Mount Technology，SMT)的大问题。
其次，具有利用如PZT(PbZr1-xTixO3)、SBT(SrBi2Ta2O9)BLT(Bi4-xLaxTi3O12)、PbTiO3、BaTiO3的陶瓷系列的压电物质，或者具有如压电特性的聚偏二氟乙烯(PVDF；polyvinylidene fluoride)的薄膜形态的聚合材料的微音器。利用压电物质可由低电压进行驱动，且对小型化及薄膜化具有有利的优点，但是，相比利用现有的线圈和电磁铁的微音器，具有音响输出及敏感性降低的缺点。利用压电陶瓷时，重且不弯曲，因此容易破碎，且具有铅(Pb)成分的物质，对人体具有有害的缺点。此外，使用铁电体聚合材料PVDF时，具有对使用温度有限制，且不适于DC测量，并且压电特性比陶瓷系列的物质降低的缺点。特别地，使用具有压电特性的β-上的PVDF，所以，热处理是必须的，且随着时间的经过，可发生输出低下的陈化(aging)现象。
发明内容
技术课题
为了改善上述提及的问题，本发明开发了利用具有压电特性的二维物质的超小型微音器。
本发明的目的是为了代替之前制作的MEMS微音器，以具有压电特性的二维物质为基础，制造非常薄，且敏感的优秀超小型微音器。
本发明的目的是提供将二维压电物质利用为振动板的超小型微音器。
技术方案
根据本发明的一个实施例，微音器包括：基板，包括空腔；二维压电物质层，配置在所述基板上，使覆盖所述空腔被配置；电极层，配置在所述二维压电物质层的平面两端，且相互绝缘，且经所述电极层的配置，利用平行于所述二维压电物理层平面方向的压电特性，经声音随着振动所述二维压电物质层，生成电势。
所述基板可在基板上附加地包括绝缘层。
优选地，所述二维压电物质层过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成。
优选地，所述二维压电物质层的厚度是1nm以下，且优选地，所述二维压电物质层的共振频率是20kHz以上。
所述二维压电物质层，可由多个层形成。
根据本发明的附加实施例，微音器包括：基板，包括由n x m(n，m是2以上的正数)个排列形成的多个空腔；多个二维压电物质层，配置在所述基板上，使覆盖所述多个空腔；电极层，使配置在各个所述多个二维压电物质层的平面两端，由两个电极图案形成，且所述电极层由第一电极图案及第二电极图案的两个电极图案形成，且所述第一电极图案及第二电极图案由电绝缘，并且分别形成互相交叉(interdigitated)的电极图案，并且经所述两个电极图案的配置，利用平行于所述二维压电物理层平面方向的压电特性，经声音随着振动所述多个二维压电物质层，生成电势。
所述基板可在基板上附加地包括绝缘层。
优选地，所述二维压电物质层过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成。
优选地，所述二维压电物质层的厚度是1nm以下，且优选地，所述二维压电物质层的共振频率是20kHz以上。
所述二维压电物质层，可由多个层形成。
根据本发明的一个实施例，微音器的制造方法，其步骤包括：准备基板；在所述基板上形成二维物质层；使在形成在基板的空腔部分配置所述二维物质层，图案化所述二维物质层，蚀刻成所需的形态；配置在所述二维物质层的平面两端，形成相互绝缘的电极层；及蚀刻所述基板的所述二维物质层形成面的反面，且由蚀刻所述基板的所述二维物质层形成面的反面，形成贯通基板的空腔，并且在形成所述空腔的部分，配置所述二维物质层，使经所述电极层的配置，利用平行于所述二维压电物理层平面方向的压电特性，经声音随着振动所述多个二维压电物质，生成电势。
所述基板可在基板上附加地包括绝缘层。所述基板被蚀刻时，所述绝缘层一起被蚀刻，可形成贯通空腔。
优选地，所述二维压电物质层过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成。
优选地，所述二维压电物质层的厚度是1nm以下，且优选地，所述二维压电物质层的共振频率是20kHz以上
蚀刻所述基板的步骤是在形成所述二维物理层及电极的表面，涂层保护层之后形成蚀刻。
所述空腔可被形成多个，且使分别对应于所述多个空腔，图案化所述二维物质层并进行蚀刻，使多个二维物质层分别对应于多个空腔。包括使分别配置在所述多个二维压电物质层形成的电极层，且所述电极层由第一电极图案及第二电极图案的两个电极图案形成，且所述第一电极图案及第二电极图案由电绝缘，并且分别形成互相交叉(interdigitated)的电极图案。
技术效果
根据本发明，以具有压电特性的二维物质为基础的微音器，提供非常薄且敏感的优秀超小型微音器。
根据本发明，将单原子层规模的极度薄的二维物质使用为振动板，可制造具有非常高敏感性(Sensitivity)的微音器。
根据本发明的微音器，在要求表面贴装技术(SMT)的温度下，也没有振动板的变形及性能低下，因此，可充分地代替现有静电容量MEMS微音器。
附图说明
图1是示出根据本发明的一个实施例的微音器的结构模拟图。
图2是示出二维物质中MoS2结构的代表模拟图。
图3是示出根据本发明的一个实施例，二维物质经施加在外部的声音变形的模拟图及经压电特性，从声压制作电势的模拟图。
图4是示出根据本发明的附件实施例的微音器的结构模拟图。
图5是示出根据本发明的一个实施例的微音器制造方法的顺序图。
图6是示出根据本发明的一个实施例的微音器制造方法的工程模拟图。
图7a至7d是示出根据本发明的一个实施例的多种形态的元件结构模样。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施例。本发明可施加多种变更且可具有多种形态，并且特定实施例示出在图，且在本文进行详细地说明。但应该理解为，这不是将本发明限定为特定的公开形态，且包括本发明的思想及包括在技术范围的所有变更、均等物至代替物。在说明各图中，对类似的构成要素使用了类似的参照符号。
在本申请使用的用语，只是用于说明特定的实施例被使用，且没有意图限定本发明。单数表现在文脉上没有明确地指定之外，包括复数表现。在本申请，“包括”或“具有”等用语，应该理解为指定存在记载于说明书上的特征、步骤、运行、构成要素、部件或这些组合，不是预先排除一个或其以上的其他特征或步骤、运行、构成要素、部件或组合这些的存在或附加可能性。
在没有其他定义之外，包括技术或科学用语，在此使用的所有用语，经本发明所属技术领域的技术人员，具有与一般理解相同的意思。通常使用的如在字典定义的用语，被解释为与有关技术的文脉上具有的意思一致的意思，且在本申请没有明确地定义之外，不可解释为理想的或过度形式的意思。
图1是示出根据本发明的一个实施例的微音器的结构模拟图。如图1示出，根据本发明的一个实施例的微音器，包括含空腔的基板10；二维压电物质层20；及电极层30。
基板10可在基板上附加地包括绝缘层12。在这些绝缘层12，也可形成空腔。形成空腔时，在绝缘层12包括与基板10的空腔投影为相同形态配置的贯通空腔。
二维压电物质层20使覆盖这些空腔，配置在基板10上。这些二维压电物质层，执行作为振动板的作用，经声音随着振动二维压电物质层，生成电势。
多种物质可被利用在二维压电物质层。作为二维物质，不仅是由单一元素构成的石墨烯，对存在于元素周期表上的，由多种物质结合的混合物质的剥离及合成的研究，也正在积极地进行。其中，像石墨烯积极研究的物质是由二原子构成的过渡金属硫族化合物(Transition Metal Dichalcogenide；TMD)物质，具有半导体特性，且过渡金属和硫族元素原子，如图2所示，具有形成六角形结构的共价键。在对称破坏的结构，具有压电(Piezoelectric)特性，且最为代表性的具有MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2等。不仅如此，碱土金属氧化物(CdO、ZnO、CaO、MgO等)、3-5族化合物(BN、InAs、InP、AlAs)等，可作为二维压电物质层被使用。
在本发明制造利用由具有压电特性的二维压电物质形成的二维纳米薄片的超小型微音器，且以上述提及的最为广泛研究的二维TMD纳米薄片为基础进行说明，并且，在本发明制作的超小型微音器的结构和驱动原理，包括由其他种类的原子构成的，或者由包括此原子构成的所有二维压电物质。二维TMD纳米薄片的厚度是约1nm以下，且利用这些厚度的纳米薄片，可制作与现有的超小型音响装置不可比较的，具有薄厚度振动板的超高敏感性微音器。
振动板大且重时，作用为音质低下的原因，且大面积的振动板受到空气的阻抗，因此，成为音变模糊的原因。因此，在本发明制造的超小型微音器将单原子层规模的极度薄的二维物质使用为振动板，来制作具有非常高敏感性(Sensitivity)的微音器。
此外，二维物质的强度高，所以是代替现有振动板的充分的物质。特别地，二维物质中，MoS2的强度在参考文献超细二硫化钼的拉伸和断裂，美国化学学会纳米，(Stretching and Breaking of Ultrathin MoS2，ACS Nano)2011，12，9703-9709中明示，有效杨氏模量(effective Young's modulus)平均达到约255GPa，且这被视为与钢铁比肩的水准，因此，非常薄但具有非常强的弹性，所以是代替现有振动板的充分的物质。
在本发明利用由二维压电物质形成的振动板自身的压电特性，所以，不使用在现有静电容量方式需要的固定板，可具有减少噪音及工程步骤的效果，此外，不使用外部电压，具有可简化信号处理电路的优点。此外，利用微音器的过程中，自身生成电势，所以，在外部不需要持续地供给另外的电流，因此，具有消费电力非常低的优点。
优选地，在本发明利用的二维压电物质层的共振频率是20kHz以上。二维压电物质中，MoS2膜(membrane)的共振频率是20kHz以上，且在20kHz以上的超声波领域，也适用为可用于微音器制作的元件。
一方面，二维压电物质层也可由多个层形成。即，多个二维压电物质层也可以是相互叠加的形态。经利用这些多层，可附加地形成压电効果的特性提高。
只要是电极物质可利用的，电极层30任何的都可行，且没有对此的特别限制。在这种情况下，电极层30配置在二维压电物质层的平面两端，且形成为相互绝缘的电极层，并且，由电极层的配置，利用与所述二维压电物质层的平面平行方向的压电特性(利用d11方向的压电特性)，经声音随着振动所述二维压电物质层，来生成电势。
一方面，如图7c-7d，为了保护二维压电物质层，可将保护聚合层盖在二维压电物质层上。
根据本发明的一个实施例，微音器由声音振动二维压电物质层，来生成电势。图3是示出根据本发明的一个实施例，二维物质经施加在外部的声音变形的模拟图及经压电特性，从声压制作电势的模拟图。
根据本发明的附加实施例，利用二维压电物质的微音器，也可具有如图4的结构。即，利用二维压电物质的微音器，可成为如图1的单一元件结构，且也可成为如图4，利用列阵(array)形态的多个空腔及二维物质的结构。体现这些列阵形态的微音器，来可提高更高的敏感性及输出。
以下，对利用如图4的列阵形态的二维压电物质的微音器进行说明，且对上述说明的部分相同的部分，重复说明给予省略。
根据本发明的附件实施例，利用二维压电物质的微音器具有列阵结构，且具体构成包括含有由n×m(n、m是2以上的正数)个排列形成的多个空腔的基板；使覆盖多个空腔配置的多个二维压电物质层；及使分别配置在多个二维压电物质层形成的电极层。
如图4所示，基板包括多个空腔，且这些空腔具有列阵形态的结构，由6x5的排列形成。
使覆盖这些多个空腔，排列与n×m相同的个数，即由6x5排列的二维压电物质层。
一方面，在各个二维压电物质层上配置电极层30。在配置这些电极层的过程中，为了覆盖列阵形态的空腔及二维压电物质层，可利用特别形态的电极图案。
在本发明的附加实施例利用的电极层30，可由第一电极图案31及第二电极图案32的2个电极图案形成，且第一电极图案及第二电极图案由电被绝缘，并且，形成互相交叉(interdigitated)的电极图案。在图4，在电极层30的某一侧的电极图案成为第一电极图案31，且另外的电极图案成为第二电极图案32。
第一及第二电极图案互相由电被绝缘，且分别形成互相交叉(interdigitated)的电极图案。这如在图4示出，第一电极图案和第二电极图案，在基板上相互绝缘并交叉的形成。这形成如梳子(comb)形状。在梳子中相应于各个齿的部分，形成多个电极。
到现在说明了，根据本发明的一个实施例及附加实施例的微音器，以下，说明对这些微音器的制造方法。相同地，对于与上述说明部分相同的部分，重复说明给予省略。
图5是示出根据本发明的一个实施例的微音器制造方法的顺序图，且图6是示出根据本发明的一个实施例的微音器制造方法的工程模拟图。
根据本发明的一个实施例，微音器的制造方法包括步骤S510：准备基板；步骤S520：在所述基板上形成二维物质层；步骤S530：使所述二维物质层配置在形成于基板的空腔部分，图案化所述二维物质层并蚀刻成所需的形态；步骤S540：在所述二维物质层上形成电极；及步骤S550：蚀刻所述基板的所述二维物质层形成面的反面。
在步骤S510中，准备基板10。基板10上可附加地包括绝缘层12。示例性的，作为基板可利用Si基板，作为绝缘层利用SiO2，但不限定于此。
在步骤S520中，在基板10上形成二维物质层20。二维物质层的形成，可由化学蒸汽沉积方法(CVD)形成，且可由溅射方法形成，并且，不必限定于此。
在步骤S530中，使二维物质层配置在形成于基板的空腔部分，图案化二维物质层并蚀刻成所需形态的过程。图案化由光刻工程形成，且UV的照射之后，利用等离子蚀刻工程蚀刻为普遍的，但不一定限定于此。
在步骤S540中，在二维物质层上形成电极30，但电极的形成，利用溅射装置或者蒸发(evaporation)装置金属化电极，且必要的电极以外部分，一般由提离值(lift-off)的方式形成。
在步骤S550中，蚀刻基板的所述二维物质层形成面的反面，由此形成贯通基板的空腔。优选地，这些蚀刻在形成二维物质层及电极的表面，涂层保护层之后，形成蚀刻。基板的蚀刻也可分为通过深反应离子刻蚀(DRIE)或者湿法蚀刻(wet etching)的一次蚀刻及通过DRIE或者wet etching的二次蚀刻进行。一方面，作为绝缘层涂SiO2时，为了去除这些SiO2利用如HF的水溶液或者蒸汽，去除SiO2。经步骤S550，在基板10及绝缘层12形成贯通空腔，且这些贯通空腔，由相同的形态投影被配置。
一方面，根据在步骤S550蚀刻的方式及顺序，可制造多种形态的元件结构。这些多种形态的元件结构示出在图7a至7d。
图7a作为不蚀刻绝缘层形态的结构，是在这些形态二维压电物质层和绝缘层一起振动的形态元件。图7b是示出绝缘层被蚀刻形态的元件模样，且在这种情况下，是二维压电物质层振动的形态元件。
图7c及7d是在图7a及图7b的元件形态，用于保护二维压电物质层，覆盖保护聚合层的形态。
优选地，二维压电物质层由过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成，且二维压电物质层的厚度，优选为1nm以下。
一方面，如上述说明，利用列阵形态的二维压电物质制造微音器时，形成多个空腔，优选地，使分别对应于多个空腔配置二维物质层时，使配对多个空腔形成的位置，图案化二维物质层进行蚀刻。此外，在这种情况下，电极的情况下，优选地形成电极图案结构。电极层的情况下如上述说明，电极层30由第一电极图案31及第二电极图案32的2个电极图案形成，且第一电极图案及第二电极图案由电被绝缘，优选地分别形成互相交叉(interdigitated)电极图案。
以下，与具体实施例一起附加地说明本发明的内容。
【实施例1】
作为二维物质层，TMD纳米薄片物质，利用最具代表性并广泛得知的MoS2。更仔细地，为了多量化及常用化，使用了由化学蒸汽沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)方式合成的大面积MoS2。
为了金属化电极，使用溅射(Sputtering)或者蒸发(Evaporation)方式，且为了图案化及蚀刻工程使用光刻技术(Photo-lithography)工程，并且，蚀刻使用深反应离子刻蚀DRIE(Deep Reactive Ion Etching)或者wet etching。
1)利用化学蒸汽沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)方式的大面积MoS2(二氧化钼)合成
在陶瓷舟皿装少量的MoO3粉末，放在石英(Quartz)管中央。这时，MoO3粉末的量根据SiO2基板的数或者基板大小调整。将清洗的SiO2基板放在陶瓷舟皿，放置在装有MoO3粉末的舟皿后侧。利用旋转泵将Quartz管内侧作为真空状态，且放入200sccm的超高纯度Ar气体。放入气体后，将压力调整为10Torr。约30分钟，将CVD铅室温度加热至700℃。达到700℃时，放入5sccm的H2S气体，压力继续调整为10Torr之后，约生长15分钟。这时，H2S气体的量、生长时间根据SiO2基板的数或者基板大小调整。
MoS2生长结束，则立即切断H2S气体注入，且将CVD降低至常温进行自然冷却。
2)图案化MoS2上部及形成电极垫
为了将生长的MoS2纳米薄片(nanosheet)，制作成正方形的array排列的形态，利用Photo-lithography工程。在这种情况下，正方形的大小和各正方形间的间隔，可根据所需的微音器大小进行调整。
为了将MoS2留为正方形形态，利用正性光刻(positive lithography)方式。照射UV后，显影在显影剂的样品，利用等离子蚀刻工程，对正方形以外的剩余部分的MoS2都进行蚀刻。为了蚀刻MoS2使用的气体为适当地混合CF4和O2进行使用。
为了去除剩余的光刻胶(Photoresist)，利用丙酮或PR remover溶液进行去除。
为了在列出正方形array的MoS2上金属化电极，利用负性光刻(negativelithography)工程，图案化电极。
照射UV之后，显影在显影剂的样品上，利用Sputtering或者Evaporation工程，金属化电极。
金属化电极之后，由丙酮或者PR remover溶液，利用脱落电极以外部分的lift-off方式，露出电极。
3)利用DRIE或者wet etching的一次蚀刻
在形成电极及垫的基板上部，利用聚合材料或者PR溶液，旋转涂布形成保护层。
为了基板后侧(back side)部分空腔形成，在Si基板后面利用负性光刻(negativelithography)工程，图案化所需洞(hole)大小的空腔。
在显影剂显影之后，利用DRIE设备薄薄地蚀刻Si部分。这时，蚀刻的深度是5～50um为适当。
或者，使用利用KOH、TMAH等溶液的wet etching方法，蚀刻图案化的Si部分。
4)利用DRIE或者wet etching的二次蚀刻
为了蚀刻剩余的Si部分，再次反复DRIE工程或者wet etching。
5)利用HF vapor的SiO2蚀刻
为了将MoS2制作成悬在空腔上的结构，去除SiO2。这时，二维物质由等离子受到损毁，必须利用如HF的水溶液或者其蒸汽，去除SiO2。
对示出的实施例的说明，被提供为本发明领域的技术人员可利用或者实施本发明。对这些实施例的多种变更，对本发明领域的技术人员是明确地，且在此定义的一般原理在不脱离本发明的范围下，可适用在其他实施例。由此，本发明不限定于在此提示的实施例，且在此提示的原理及与新特征一贯的最广义范围内进行解释。
Claims (18)
1.一种微音器，其包括：
基板，包括空腔；
二维压电物质层，配置在所述基板上，使覆盖所述空腔被配置；
电极层，配置在所述二维压电物质层的平面两端，且相互绝缘，且
经所述电极层的配置，利用平行于所述二维压电物理层平面方向的压电特性，经声音随着振动所述二维压电物质层，生成电势。
2.根据权利要求1所述的微音器，其中，所述基板在基板上附加地包括绝缘层。
3.根据权利要求1所述的微音器，其中，所述二维压电物质层的厚度是1nm以下。
4.根据权利要求1所述的微音器，其中，所述二维压电物质层的共振频率是20kHz以上。
5.根据权利要求1所述的微音器，其中，所述二维压电物质层过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成。
6.根据权利要求1所述的微音器，其中，所述二维压电物质层，可由多个层形成。
7.一种微音器，其包括：
基板，包括由n x m(n，m是2以上的正数)个排列形成的多个空腔；
多个二维压电物质层，配置在所述基板上，使覆盖所述多个空腔；
电极层，使配置在各个所述多个二维压电物质层的平面两端，由两个电极图案形成，且
所述电极层由第一电极图案及第二电极图案的两个电极图案形成，且所述第一电极图案及第二电极图案由电绝缘，并且分别形成互相交叉的电极图案，并且
经所述两个电极图案的配置，利用平行于所述二维压电物理层平面方向的压电特性，经声音随着振动所述多个二维压电物质层，生成电势。
8.根据权利要求7所述的微音器，其中，所述基板在基板上附加地包括绝缘层。
9.根据权利要求7所述的微音器，其中，所述二维压电物质层的厚度是1nm以下。
10.根据权利要求7所述的微音器，其中，所述二维压电物质层的共振频率是20kHz以上。
11.根据权利要求7所述的微音器，其中，所述二维压电物质层过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成。
12.根据权利要求7所述的微音器，其中，所述二维压电物质层，可由多个层形成。
13.一种微音器的制造方法，其步骤包括：
准备基板；
在所述基板上形成二维物质层；
使在形成在基板的空腔部分配置所述二维物质层，图案化所述二维物质层，蚀刻成所需的形态；
配置在所述二维物质层的平面两端，形成相互绝缘的电极层；及
蚀刻所述基板的所述二维物质层形成面的反面，且
由蚀刻所述基板的所述二维物质层形成面的反面，形成贯通基板的空腔，并且
在形成所述空腔的部分，配置所述二维物质层，使经所述电极层的配置，利用平行于所述二维压电物理层平面方向的压电特性，经声音随着振动所述多个二维压电物质，生成电势。
14.根据权利要求13所述的微音器的制造方法，其中，所述基板被蚀刻时，所述绝缘层一起被蚀刻，形成贯通空腔。
15.根据权利要求13所述的微音器的制造方法，其中，蚀刻所述基板的步骤是在形成所述二维物理层及电极的表面，涂层保护层之后形成蚀刻。
16.根据权利要求13所述的微音器的制造方法，其中，所述空腔被形成多个，且
使分别对应于所述多个空腔，图案化所述二维物质层并进行蚀刻，使多个二维物质层分别对应于多个空腔。
17.根据权利要求13所述的微音器的制造方法，其中，包括使分别配置在所述多个二维压电物质层形成的电极层，且
所述电极层由第一电极图案及第二电极图案的两个电极图案形成，且所述第一电极图案及第二电极图案由电绝缘，并且分别形成互相交叉的电极图案。
18.根据权利要求13所述的微音器的制造方法，其中，所述二维压电物质层过渡金属硫族化合物及碱土金属氧化物、3-5族化合物中任何一个形成。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180417 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |