CN107919428A - 一种绿光装置及其实现方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种绿光装置,包括蓝光芯片和绿色透明陶瓷,所述绿色透明陶瓷固定在蓝光芯片的表面。所述蓝光芯片为蓝光LED芯片、倒装芯片或垂直芯片。所述蓝光芯片发出的蓝光光源的波长为440‑470nm。该发明克服了现有绿光的实现方法光衰大、亮度不高的缺点,本发明提供一种绿光装置及其实现方法,具有结构简单、无光衰、亮度高、易推广的优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种绿光装置及其实现方法,应用在照明领域。
背景技术
目前绿光的实现一般有两种方法,其一是直接用绿光LED芯片进行封装,其二是用芯片加绿色荧光粉进行封装。以上两种方法都无法回避一个问题,那就是光衰大、亮度不高。因此提供一种无光衰、亮度高的绿光装置及其实现方法己成为当务之亟。
发明内容
为了克服现有绿光的实现方法光衰大、亮度不高的缺点,本发明提供一种绿光装置及其实现方法,具有结构简单、无光衰、亮度高、易推广的优点。
本发明的技术方案如下:
一种绿光装置,包括蓝光芯片和绿色透明陶瓷,所述绿色透明陶瓷固定在蓝光芯片的表面。
本申请的绿光装置不同于现有绿光装置,采用目前最为成熟的蓝光芯片加绿色透明陶瓷封装而成,该绿色透明陶瓷是通过≥1600℃的温度烧结而成,其所有制备原料成份混为一体,有良好的热稳定性。本绿光装置不仅结构简单,而且亮度高、无光衰,主要应用于RGB混光、投影显示等领域。
所述蓝光芯片为蓝光LED芯片。
蓝光LED芯片产品技术成熟,易得且成本低。
所述蓝光芯片为倒装芯片或垂直芯片。
倒装芯片或垂直芯片方便与绿色透明陶瓷的黏接固定。
所述蓝光芯片发出的蓝光光源的波长为440-470nm。
所述蓝光光源激发效率高。
所述蓝光芯片的数量为一颗或多颗。
可根据需要选择蓝光芯片的具体数量。
所述绿色透明陶瓷的发射波长为520-535nm。
所述绿色透明陶瓷激发转化的绿光波长为520-535nm,其出光质量高。
所述绿色透明陶瓷为化学成分是(Ce x%,Lu 100%-x%)3Al5O12的绿色透明陶瓷,其中0.05≤x≤1,x为质量含量百分比。
所述绿色透明陶瓷由Lu2O3粉体、Al2O3粉体、CeO2粉体高温烧结而成,该发射波长及化学成分的绿色透明陶瓷耐高温,质地均匀,且光激发转化效率高。
所述绿光装置还包括基板,所述蓝光芯片固定在该基板上。
基板的设置方便安装和使用。
所述基板为铝基板、氧化铝基板或氮化铝基板。
所述优选基板偏白色,其反光效果好,能提高绿光装置的发光效率。
所述的绿光装置的实现方法为蓝光芯片发光激发绿色透明陶瓷转化为绿光。
本绿光装置的实现方法简单易行且亮度高、无光衰,易于推广。
与现有技术相比,本发明申请具有以下优点:
1)本绿光装置结构简单,而且亮度高、无光衰,应用广泛;
2)本绿光装置的实现方法简单易行、效果好,易于推广。
附图说明
图1是本发明所述的绿光装置实施例1的截面结构示意图;
图2是本发明所述的绿光装置实施例2的截面结构示意图;
图3是本发明所述的绿光装置实施例3的截面结构示意图;
图4是本发明所述的绿光装置实施例4的截面结构示意图;
图5是本发明所述的绿光装置实施例5的截面结构示意图。
标号说明:
蓝光芯片1、绿色透明陶瓷2、基板3。
具体实施方式
下面结合说明书附图1-5对本发明的技术方案进行详细说明。
实施例1
如图1所示,本发明所述的一种绿光装置,包括蓝光芯片1和绿色透明陶瓷2,所述绿色透明陶瓷2固定在蓝光芯片的表面。所述蓝光芯片1为倒装芯片或垂直芯片。所述蓝光芯片1发出的蓝光光源的波长为440-470nm。所述蓝光芯片1的数量为一颗。所述绿色透明陶瓷2的发射波长为520-535nm,其化学成分为(Ce x%,Lu 100%-x%)3Al5O12,0.05≤x≤1,其中x为质量含量百分比。
所述的绿光装置的实现方法为蓝光芯片1发光激发绿色透明陶瓷2转化为绿光。
实施例2
如图2所示,本发明所述的一种绿光装置,包括蓝光芯片1和绿色透明陶瓷2,所述绿色透明陶瓷2固定在蓝光芯片的表面。所述蓝光芯片1为蓝光LED芯片。所述蓝光芯片1发出的蓝光光源的波长为440-470nm。所述蓝光芯片1的数量为多颗。所述绿色透明陶瓷2的发射波长为520-535nm,其化学成分为(Ce x%,Lu 100%-x%)3Al5O12,0.05≤x≤1,其中x为质量含量百分比。
所述的绿光装置的实现方法为蓝光芯片1发光激发绿色透明陶瓷2转化为绿光。
实施例3
如图3所示,本发明所述的一种绿光装置,包括蓝光芯片1和绿色透明陶瓷2,所述绿色透明陶瓷2固定在蓝光芯片的表面。所述蓝光芯片1为倒装芯片或垂直芯片。所述蓝光芯片1发出的蓝光光源的波长为440-470nm。所述蓝光芯片1的数量为一颗。所述绿色透明陶瓷2的发射波长为520-535nm,其化学成分为(Ce x%,Lu 100%-x%)3Al5O12,0.05≤x≤1,其中x为质量含量百分比。所述绿光装置还包括基板3,所述蓝光芯片1固定在该基板3上。所述基板3为铝基板、氧化铝基板或氮化铝基板。
所述的绿光装置的实现方法为蓝光芯片1发光激发绿色透明陶瓷2转化为绿光。
实施例4
如图4所示,本发明所述的一种绿光装置,包括蓝光芯片1和绿色透明陶瓷2,所述绿色透明陶瓷2固定在蓝光芯片的表面。所述蓝光芯片1为倒装芯片或垂直芯片。所述蓝光芯片1发出的蓝光光源的波长为440-470nm。所述蓝光芯片1的数量为多颗,绿色透明陶瓷2的数量为一片。所述绿色透明陶瓷2的发射波长为520-535nm,其化学成分为(Ce x%,Lu100%-x%)3Al5O12,0.05≤x≤1,其中x为质量含量百分比。所述绿光装置还包括基板3,所述蓝光芯片1固定在该基板3上。所述基板3为铝基板、氧化铝基板或氮化铝基板。
所述的绿光装置的实现方法为蓝光芯片1发光激发绿色透明陶瓷2转化为绿光。
实施例5
如图5所示,本发明所述的一种绿光装置,包括蓝光芯片1和绿色透明陶瓷2,所述绿色透明陶瓷2固定在蓝光芯片的表面。所述蓝光芯片1为倒装芯片或垂直芯片。所述蓝光芯片1发出的蓝光光源的波长为440-470nm。所述蓝光芯片1的数量为多颗,绿色透明陶瓷2的数量与蓝光芯片1的相同。所述绿色透明陶瓷2的发射波长为520-535nm,其化学成分为(Ce x%,Lu 100%-x%)3Al5O12,0.05≤x≤1,其中x为质量含量百分比。所述绿光装置还包括基板3,所述蓝光芯片1固定在该基板3上。所述基板3为铝基板、氧化铝基板或氮化铝基板。
所述的绿光装置的实现方法为蓝光芯片1发光激发绿色透明陶瓷2转化为绿光。
本发明所述的绿光装置及其实现方法并不只仅仅局限于上述实施例,凡是依据本发明原理的任何改进或替换,均应在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种绿光装置,其特征在于:包括蓝光芯片(1)和绿色透明陶瓷(2),所述绿色透明陶瓷(2)固定在蓝光芯片的表面。
2.根据权利要求1所述的绿光装置,其特征在于:所述蓝光芯片(1)为蓝光LED芯片。
3.根据权利要求1所述的绿光装置,其特征在于:所述蓝光芯片(1)为倒装芯片或垂直芯片。
4.根据权利要求1所述的绿光装置,其特征在于:所述蓝光芯片(1)发出的蓝光光源的波长为440-470nm。
5.根据权利要求1所述的绿光装置,其特征在于:所述蓝光芯片(1)的数量为一颗或多颗。
6.根据权利要求1所述的绿光装置,其特征在于:所述绿色透明陶瓷(2)的发射波长为520-535nm。
7.根据权利要求6所述的绿光装置,其特征在于:所述绿色透明陶瓷(2)为化学成分是(Ce x%,Lu 100%-x%)3Al5O12的绿色透明陶瓷,其中0.05≤x≤1,x为质量含量百分比。
8.根据权利要求1所述的绿光装置,其特征在于:所述绿光装置还包括基板(3),所述蓝光芯片(1)固定在该基板(3)上。
9.根据权利要求8所述的绿光装置,其特征在于:所述基板(3)为铝基板、氧化铝基板或氮化铝基板。
10.根据权利要求1-9任一项所述的绿光装置的实现方法,其特征在于:所述实现方法为蓝光芯片(1)发光激发绿色透明陶瓷(2)转化为绿光。
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CN201610885435.8A CN107919428A (zh) | 2016-10-10 | 2016-10-10 | 一种绿光装置及其实现方法 |
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CN204696115U (zh) * | 2015-04-17 | 2015-10-07 | 苏州工业园区晶冠瓷材料科技有限公司 | 一种三基色白光led光源 |
CN105489736A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-04-13 | 张航 | 基于黄颜色陶瓷封装的cob、led灯丝及led灯 |
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CN103080272A (zh) * | 2010-07-22 | 2013-05-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 石榴石材料、其制造方法及包括石榴石材料的发射辐射的元件 |
CN204696115U (zh) * | 2015-04-17 | 2015-10-07 | 苏州工业园区晶冠瓷材料科技有限公司 | 一种三基色白光led光源 |
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