CN107881558B - 砷化镓多晶合成装置 - Google Patents
砷化镓多晶合成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107881558B CN107881558B CN201711088557.5A CN201711088557A CN107881558B CN 107881558 B CN107881558 B CN 107881558B CN 201711088557 A CN201711088557 A CN 201711088557A CN 107881558 B CN107881558 B CN 107881558B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quartz
- air inlet
- tube
- quartz tube
- pbn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
- C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提出一种砷化镓多晶合成装置,包括一石英管,所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管,进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却,降温更有针对性,使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上,可以有效保护石英管、PBN桥和PBN,对石英管的二次利用造成的影响小。
Description
技术领域
本发明涉及一种冷却装置,尤其涉及一种砷化镓多晶合成装置。
背景技术
在水平定向凝固法合成砷化镓多晶时,为了保持合成的顺利完成,原料砷必须过量,在合成完成后,冷却形成的砷颗粒就会不规则地沾在石英管上,而因为石英管的内径仅略大于PBN桥的直径,当石英管上沾有砷颗粒后,在出料时, PBN桥很容易被卡在石英管内,这样也会很容易损伤PBN。砷颗粒沾在石英管上,在清洗后会在石英管壁上留有坑,这些坑会严重影响石英管的二次使用。
因此,有必要设计一种新的砷化镓多晶合成装置以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服上述技术问题,提出一种砷化镓多晶合成装置。
为实现前述目的,本发明采用如下技术方案:一种砷化镓多晶合成装置,包括一石英管,所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管,所述进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。
作为本发明的进一步改进,所述合成装置还包括连接于进气管另一端的一软管。
作为本发明的进一步改进,所述进气管为石英进气管。
作为本发明的进一步改进,所述软管为橡胶软管。
本合成装置通过增加进气管、软管由现有技术的自然降温变为局部冷却,降温更有针对性,使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上,可以有效保护石英管、PBN桥和PBN,对石英管的二次利用造成的影响小。
附图说明
图1为本发明砷化镓多晶合成装置的实施例的整体结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
砷化镓多晶的一种合成方法为水平定向凝固法,现有技术在利用水平定向凝固法合成砷化镓后,过量的砷会沾在石英管上,不仅在出料过程中会对PBN桥和PBN造成损伤,还会在石英管内表面留下坑,对石英管的二次使用造成影响。
请参阅图1,位于炉膛200内的一种砷化镓多晶合成装置100,包括一石英管110,冷却装置100还包括内置于石英管110内的一石英帽120、一进气管130,进气管130的一端伸入石英管110内且与石英帽120的半球形封闭面相对设置。
在本发明的某些实施例中,合成装置100还包括连接于进气管130另一端的一软管140。
在本发明的某些实施例中,进气管130为石英进气管。
在本发明的某些实施例中,软管140为橡胶软管。
砷化镓多晶合成在石英管110内完成,在合成完毕后开启吹气,冷空气依次通过软管140、进气管130给石英帽120降温,则砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽120内而非石英管110上,沉积完成后,将石英帽120切除,然后再出料,PBN桥、PBN可以很顺利的从石英管110出料,从而有效保护了石英管110、PBN桥和PBN。
本合成装置100通过增加进气管130、软管140由现有技术的自然降温变为局部冷却,降温更有针对性,使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽120内而非石英管110上,可以有效保护石英管110、PBN桥和PBN,对石英管110的二次利用造成的影响小。
尽管为示例目的,已经公开了本发明的优选实施方式,但是本领域的普通技术人员将意识到,在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下,各种改进、增加以及取代是可能的。
Claims (3)
1.一种砷化镓多晶合成装置的使用方法,所述合成装置(100)包括一石英管(110),其特征在于:所述合成装置(100)还包括内置于石英管(110)内的一石英帽(120)、一进气管(130),所述进气管(130)的一端伸入石英管(110)内且与石英帽(120)的半球形封闭面相对设置;
所述合成装置(100)还包括连接于进气管(130)另一端的一软管(140);
砷化镓多晶合成在石英管(110)内完成,在合成完毕后开启吹气,冷空气依次通过软管(140)、进气管(130)给石英帽(120)降温,则砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽(120)内而非石英管(110)上,沉积完成后,将石英帽(120)切除,然后再出料,PBN桥、PBN可以很顺利的从石英管(110)出料,从而有效保护了石英管(110)、PBN桥和PBN。
2.根据权利要求1所述的砷化镓多晶合成装置的使用方法,其特征在于:所述进气管(130)为石英进气管。
3.根据权利要求1所述的砷化镓多晶合成装置的使用方法,其特征在于:所述软管(140)为橡胶软管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711088557.5A CN107881558B (zh) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | 砷化镓多晶合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711088557.5A CN107881558B (zh) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | 砷化镓多晶合成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107881558A CN107881558A (zh) | 2018-04-06 |
CN107881558B true CN107881558B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=61779323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711088557.5A Active CN107881558B (zh) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | 砷化镓多晶合成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107881558B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108517560B (zh) * | 2018-05-18 | 2021-02-26 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 砷化镓的多晶合成装置及工艺 |
CN113481604B (zh) * | 2021-07-09 | 2023-03-28 | 武汉拓材科技有限公司 | 一种高纯碲化镓多晶合成生产装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1699161A (zh) * | 2000-05-11 | 2005-11-23 | 德山株式会社 | 多晶硅的生产装置 |
CN201172701Y (zh) * | 2008-01-25 | 2008-12-31 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 砷化镓单晶开管热处理装置 |
CN104389017A (zh) * | 2014-08-18 | 2015-03-04 | 吕铁铮 | 一种多晶硅铸锭炉助凝块内进气气冷装置及多晶硅铸锭炉 |
-
2017
- 2017-11-08 CN CN201711088557.5A patent/CN107881558B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1699161A (zh) * | 2000-05-11 | 2005-11-23 | 德山株式会社 | 多晶硅的生产装置 |
CN201172701Y (zh) * | 2008-01-25 | 2008-12-31 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 砷化镓单晶开管热处理装置 |
CN104389017A (zh) * | 2014-08-18 | 2015-03-04 | 吕铁铮 | 一种多晶硅铸锭炉助凝块内进气气冷装置及多晶硅铸锭炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107881558A (zh) | 2018-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107881558B (zh) | 砷化镓多晶合成装置 | |
NO20101309L (no) | System og fremgangsmate for gruspakking som gir lav skade | |
CN204448726U (zh) | 一种钢管内壁吹扫装置 | |
CN207859130U (zh) | 蹲坑生产的灌浆系统 | |
CN206015134U (zh) | 一种直拉法单晶炉用排气管道清洗装置 | |
CN205128525U (zh) | 防止水平除尘管道堵塞装置 | |
CN104527013A (zh) | 一种塑胶管材生产线余热回收利用系统及方法 | |
CN207525376U (zh) | 砷化镓多晶合成装置 | |
CN204151077U (zh) | 一种分离回收二硫化碳和氮气的装置 | |
CN204550381U (zh) | 一种玻璃熔体水淬制粒装置 | |
CN103924299A (zh) | 一种蓝宝石长晶炉通气方法 | |
CN205115395U (zh) | 一种从渣浆中回收乙炔的装置 | |
CN202832320U (zh) | 石粉罐排气净化装置 | |
CN105836798A (zh) | 一种ZrS2二维半导体材料的制备方法 | |
CN207765044U (zh) | 激光钻井破岩机理试验机 | |
CN102504871A (zh) | 吹风气回收阀隔离装置 | |
CN206199724U (zh) | 一种拣选后塑料瓶的自动风送装置 | |
CN207276777U (zh) | 一种提高单晶炉尾气氩气回收效率的装置 | |
CN104561448A (zh) | 防渗堵冶炼钢包 | |
CN105715944A (zh) | Lng气瓶抽真空的瓶内加热方法 | |
CN204295992U (zh) | 一种塑胶管材生产线余热回收利用系统 | |
CN207385430U (zh) | 一种带有废气回收装置的生产设备 | |
CN205035284U (zh) | 一种用于气流干燥扬料机的排渣装置 | |
CN203976976U (zh) | 一种改进型蓝宝石长晶炉通气结构 | |
CN204308133U (zh) | 铸造旧砂回收筛选装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20211230 Address after: 511517 workshop a, No.16, Chuangxing Third Road, high tech Zone, Qingyuan City, Guangdong Province Applicant after: Guangdong lead Microelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 511517 27-9B, Guangdong Qingyuan hi tech Industrial Park Applicant before: FIRST SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |