CN107851585B - 使用电场吸附法去除异物的系统和方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 90
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 33
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 9
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 claims 3
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/465—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/479—Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
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- F04B19/006—Micropumps
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- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02301—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment in-situ cleaning
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- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
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Abstract
本发明涉及一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法,该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中,能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案,而不是诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法,来容易地吸附并去除膜表面上的异物的,并且特别地,该系统和方法排除高压放电处理等,从而降低了操作者的安全事故的发生率,并且防止了膜的表面被划伤。
Description
技术领域
本申请要求于2016年4月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0051689号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文中。
本发明涉及一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法,并且更具体地,涉及一种去除异物的系统和方法,该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中,能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案,而不是诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法,来容易地在膜表面上吸附并去除异物。
具体地,本发明涉及通过使用排除高压放电处理等的电场吸附方案去除异物的系统和方法,从而降低了操作者的安全事故的发生率,并且防止了膜的表面被划伤。
背景技术
通常,膜可以是指通过在诸如赛璐珞或聚酯的透明材料中形成特定涂层而制造的薄膜,根据涂层的种类可以不同地分为感光膜、偏振膜、增强膜、防弹膜、镜面膜、绝缘膜、阻挡膜和防碎膜。
同时,与空气接触的膜的面积很大,使得空气中的浮尘、尘粒、各种异物等容易吸附在膜的表面上,为了从根本上阻断吸附在膜表面上的飘浮物,通过应用在现有技术的半导体制造工艺中使用的真空处理设备来首次去除飘浮物。
然而,尽管存在首次真空处理设备,但也存在通过操作者引入的细尘或其他异物,使得额外使用二次异物去除方法,例如高压等离子体放电处理或电晕放电处理和空气吹洗处理。
在这种情况下,等离子体放电处理或电晕放电处理通过电极棒释放发生器中产生的高电压电流,并通过使用放电电流涂覆膜的表面以防止异物吸附到膜的表面,但是存在1)可能导致膜表面受损或划伤的问题;2)由于在发生器中产生的高电压电流而存在操作者的安全事故的风险的问题;另外,空气吹洗还存在的问题是,由于高压空气注入薄膜的表面而可能在膜的表面上产生细小的划痕。
另外,在现有技术的等离子体放电处理或电晕放电处理的情况下,放电处理基本上需要在真空室内进行,因此存在根据真空室的形状和尺寸而限制放电处理设备的形状的问题,并因此可能降低膜制造过程的效率。
在这方面,为了解决现有技术中去除膜表面异物的方法的问题,本发明人制作了一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法,该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中,能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案,而不是诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法,来容易地吸附并去除膜表面上的异物,并且该系统和方法特别排除高压放电处理等,从而降低了操作者的安全事故的发生率,并且防止了膜的表面被划伤。
发明内容
技术问题
本发明被设想解决上述问题,并且提供了一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法,该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中,能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案,而不是通过诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法,来容易地在膜表面上吸附并去除异物,并且该系统和方法排除高压放电处理等,从而降低了操作者的安全事故的发生率,并且防止了膜的表面被划伤。
技术方案
在本发明的示例性实施例中,通过使用电场吸附方案去除异物的系统可以包括:一个或多个正极引线和一个或多个负极引线,形成电场并在以预定间距交替定位的同时定位在平板的一个表面处;以及覆盖层,覆盖所述正极引线和所述负极引线的外侧。
在示例性实施例中,根据由所述电场产生的静电力,与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物可以在所述正极引线的方向上移动,并被吸附到所述覆盖层的表面。
在示例性实施例中,所述系统还可以包括:电力供应单元,根据异物的种类改变电力的电压值,并且将电力供应到所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线。
在示例性实施例中,所述正极引线和所述负极引线可以具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度。
在示例性实施例中,所述正极引线和所述负极引线可以以与0.4mm至1.2mm对应的间距交替定位。
在示例性实施例中,所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线可以形成:相互平行的直的正极引线和负极引线交替定位的旋转图案,或者环形的正极引线和负极引线以同心圆形式交替定位的同心圆图案。
在示例性实施例中,所述覆盖层的形式可以对应于下述形式中的至少一个或多个:膜形式,其中用于覆盖的一个或多个聚合物膜粘合在所述平板的外侧;以及涂层形式,其中将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷到所述平板的外侧上以形成多个涂层。
在示例性实施例中,所述系统可以进一步包括:吸附物质去除模块,去除被吸附到所述覆盖层的表面上的吸附物质。
在示例性实施例中,所述吸附物质去除模块可以包括:粘合板,具有预定的粘合力,并形成为与所述覆盖层的形式相对应的形式;以及移动单元,使所述粘合板在所述覆盖层的表面的方向上移动。
在示例性实施例中,所述粘合板可以通过所述移动单元与所述覆盖层的表面接触,使得所述吸附物质可以吸附到所述粘合板的表面,并可以从所述覆盖层的表面去除。
根据本发明的另一示例性实施例,通过使用电场吸附方案去除异物的方法可以包括:使一个或多个正极引线和一个或多个负极引线在以预定间距交替定位的同时定位在平板的一个表面上;用覆盖层覆盖所述正极引线和所述负极引线的外侧;并且根据由一个或多个正极引线和一个或多个负极引线形成的电场产生的静电力,使与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物在所述正极引线的方向上移动,并将异物吸附到所述覆盖层的表面。
在示例性实施例中,所述方法还可以包括:通过电力供应单元根据异物的种类改变电力的电压值;并且向所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线供应改变的电力。
在示例性实施例中,所述交替定位可以包括将所述正极引线和所述负极引线形成为具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度。
在示例性实施例中,所述交替定位可以包括将所述正极引线和所述负极引线交替定位为具有与0.4mm至1.2mm对应的间距。
在该示例性实施例中,所述交替定位可以包括:使彼此平行的直的正极引线和负极引线交替定位成旋转的形式;并且使环形的正极引线和负极引线交替定位成同心圆形式。
在示例性实施例中,所述覆盖可以包括:将用于覆盖的一个或多个聚合物膜粘合到所述平板的外侧;以及将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷到所述平板的外侧以形成多个涂层。
在示例性实施例中,所述方法还可以包括通过吸附物质去除模块去除吸附在所述覆盖层的表面上的吸附物质。
在示例性实施例中,所述吸附物质的去除可以包括:通过移动单元使粘合板在所述覆盖层的表面的方向上移动,所述粘合板具有预定粘合力并形成为与所述覆盖层的表面的形式对应的形式;并且根据所述粘合板与所述覆盖层的表面的接触,将所述吸附物质粘合到所述粘合板的表面,并从所述覆盖层的表面去除所述吸附物质。
根据本发明的又一个示例性实施例,一种通过使用电场吸附方案去除异物的系统可以包括:柱体,在一个方向上旋转;一个或多个正极引线和一个或多个负极引线,在以预定间距交替定位的同时沿所述柱体的外侧的周边定位并形成电场;覆盖层,覆盖所述正极引线和所述负极引线的外表面;以及吸附物质去除模块,与所述柱体相邻定位并且跟随所述柱体旋转。
在示例性实施例中,根据由电场产生的静电力,与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物的方向可以被改变为所述正极引线的方向,使得所述异物被吸附到所述覆盖层的表面,并且通过所述吸附物质去除模块可以将吸附到所述覆盖层的表面上的吸附物质从所述覆盖层的表面去除。
在示例性实施例中,所述吸附物质去除模块可以包括:粘合带,具有预定面积;一个或多个旋转辊,使所述粘合带在与所述柱体的旋转方向相反的方向上旋转;以及移动单元,使所述粘合带在所述覆盖层的表面的方向上移动。
在示例性实施例中,所述粘合带可以通过所述移动单元与所述覆盖层的表面接触,然后通过一个或多个旋转辊在与所述柱体的旋转方向相反的方向上旋转,使得所述吸附物质可以被吸附在所述粘合带的表面并从所述覆盖层的表面被去除。
根据本发明的又一个示例性实施例,通过使用电场吸附方案去除异物的方法可以包括:使一个或多个正极引线和一个或多个负极引线在以预定间距交替定位的同时沿着在一个方向上旋转的柱体外侧的周边定位;用覆盖层覆盖所述正极引线和所述负极引线的外侧;使跟随所述柱体旋转的吸附物质去除模块与所述柱体相邻定位;通过由所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线形成的电场产生的静电力,将与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物的方向改变为所述正极引线的方向,并且将所述异物吸附到所述覆盖层的表面;以及通过所述吸附物质去除模块将吸附到所述覆盖层的表面上的吸附物质从所述覆盖层的表面去除。
在示例性实施例中,所述相邻定位可以包括:通过移动单元使具有预定面积的粘合带在所述覆盖层的方向上移动,以使所述粘合带与所述覆盖层接触;以及使所述粘合带与所述覆盖层的表面接触。
在示例性实施例中,从所述覆盖层的表面去除吸附物质可以包括:通过一个或多个旋转辊使与所述覆盖层的表面接触的粘合带在与所述柱体的旋转方向相反的方向上旋转;以及将所述吸附物质粘合到所述粘合带的表面,并从所述覆盖层的表面去除所述吸附物质。
有益效果
通过使用根据本发明的电场吸附方案去除异物的系统和方法使用具有数微安培值的电流,而不是高电压电流放电或高压空气注入,从而防止根据高压电流放电引起的操作人员的安全事故。
此外,本发明不会对膜的表面造成任何损伤或划伤,因此不会由于表面处理工艺而导致膜的质量下降。
此外,本发明可以通过使用产生电介质偏振现象的电场吸附方案来吸附和去除形成膜表面的各种异物,而不管异物的种类如何。
此外,通过本发明的具有粘合力的粘合带,异物可以首次被吸附到膜的表面和从膜的表面去除,并且同时可以吸附到粘合带上并且二次被完全去除,使得可以显著减少从膜表面去除异物的时间,从而使膜制造过程的效率最大化。
特别地,本发明可以通过将具有预定粘合力的粘合带滚过异物来粘合并去除首次吸附和去除的异物,而不是通过晃动并去除首次吸附和去除的异物,从而防止浮动物质的二次污染。
此外,本发明可以根据异物的种类来将通过单独的电压供给装置供给的电力的电压调整为数千伏至数十千伏,由此增加了异物的应用范围。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明示例性实施例的异物去除系统100的配置的图;
图2是示意性地示出图1所示的异物去除系统100的形式的图;
图3是示出图1所示的正极引线110a和负极引线110b吸附异物2的状态的图;
图4是示出图1所示的正极引线110a和负极引线110b的各种电极宽度和电极间距的图;
图5是示出根据与图1所示的正极引线110a和负极引线110b之间的间距的而引起的电场强度的图;
图6是示意性示出根据图1所示的正极引线110a和负极引线110b之间的间距而引起的吸附物质的火花产生情况的图;
图7是示出图1所示的正极引线110a和负极引线110b的各种形状的图;
图8是示意性示出根据本发明另一示例性实施例的异物去除系统100'的构造的图;
图9是示出正极引线110a'和负极引线110b位于图8所示的柱体110'的外侧的状态的图;
图10是示意性地示出图8中所示的吸附物质去除模块130'的形状的图;
图11是示意性地示出图8所示的柱体110'、正极引线110a'、负极引线110b'以及吸附物质去除模块130'去除膜1上的异物2的状态的图;
图12是示意性地示出从侧方观察图11所示的去除异物2的状态的图;
图13是示意性地示出将图8所示的一个或多个异物去除系统100'应用于三层膜层压过程的状态的图。
具体实施方式
在下文中,将提供示例性实施例来帮助理解本发明。然而,下面的示例性实施例仅用于帮助本领域技术人员更容易理解本发明,并且本发明的内容不受本示例性实施例的限制。
此外,在本说明书中,膜1可以是指通过在诸如赛璐珞或聚酯的透明材料中形成特定涂层而制造的膜,并且在这种情况下,应当注意,膜1的种类不受限制。
此外,在本说明书中,异物2可以被解释为所有污染源的统称,例如空气中的漂浮物质以及位于膜表面上的各种灰尘、粉末和毛发,它们被安放和吸附在膜1的表面上而污染膜1的表面。
图1是示意性地示出根据本发明示例性实施例的异物去除系统100的配置的图。
参照图1,根据本发明示例性实施例的异物去除系统100可以包括位于平板110中的正极引线110a和负极引线110b、电力供应单元120和吸附物质去除模块130。
首先,平板110可以用作支撑正极引线110a和负极引线110b的支撑件,并且平板110的面积可以与正极引线110a和负极引线110b的尺寸成比例地发生变化。
此外,作为非导体的塑料等可以用作平板110的材料,并且应当注意,只要材料能够保持正极引线110a和负极引线110b的形状,除了塑料材料以外,平板110的材料、面积、厚度等不受限制。
具有预定厚度的薄正极引线110a和负极引线110b可以位于平板110的上表面或下表面上。
更具体地,平板110可以是通过在树脂的上表面或下表面上层压铜层而形成的覆铜箔层压板CCL,并且正极引线110a和负极引线110b可以指通过将铜层蚀刻成特定形式而被区分为两个不同板的铜板。
因此,正极引线110a和负极引线110b可以在彼此间隔开特定间距的同时被定位,并且当从下面将描述的电源单元120供电时,正极引线110a和负极引线110b可以形成电场以产生静电力,从而通过静电力吸附异物2。
将参考图2至图7更详细地描述正极引线110a和负极引线110b。
图2是示意性地示出图1所示的异物去除系统100的形式的图,图3是示出图1所示的正极引线110a和负极引线110b吸附异物2的状态的图,图4是示出图1所示的正极引线110a和负极引线110b的各种电极宽度和电极间距的图,图5是示出根据与图1所示的正极引线110a和负极引线110b之间的间距而引起的电场强度的图,图6是示意性示出根据图1所示的正极引线110a和负极引线110b之间的间距而引起的吸附物质的火花产生情况的图,并且图7是示出图1所示的正极引线110a和负极引线110b的各种形状的图。
参照图2和图3,一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b以预定的间距交替地设置在平板110上,在这种情况下,一个或多个正极引线110a的全部组合为一个以与电力供应单元120的正极连接,并且一个或多个负极引线110b的全部组合为一个以与电源单元120的负极(或接地GND)连接。
参照图3A,由于电力没有被提供给交替设置的正极引线110a和负极引线110b,所以各种异物2原样地吸附在膜1的表面上。
然而,如图3B所示,当从电力供应单元120施加电力时,可以在交替布置的一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b之间形成电场以产生静电力,在这种情况下产生的静电力可以吸附吸附在膜1的表面上的异物。
电力供应单元120可以根据异物2的种类将供应的电力的电压值改变为数kV或数十kV,并提供改变的电力,在这种情况下提供的电力的电流值是对应于数微安培的微电流,从而不影响操作者的身体。
同时,形成的电场的强度可以根据以预定间距交替地布置的一个或多个正极引线110a与一个或多个负极引线110b之间的间距和宽度而变化,这将参考图4和5更详细地进行描述。
参照图4和图5,如图4A所示,位于平板110上的一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b也可以在非常密集地交替的同时被定位,并且如图4C所示,一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b也可以在非常宽松地交替的同时被定位。
例如,正极引线110a和负极引线110b可以被设计为具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度值,并且另外,例如,可以将正极引线110a和负极引线110b定位为具有与0.4mm至1.2mm对应的电极间距值,并且下面描述所述值的限制的依据。
当正极引线110a和负极引线110b之间的电极宽度小于0.5mm或者大于5mm时,静电力可以相反地降低,所以应当注意,为了最大化静电力的效率并产生最佳的静电力,正极引线110a与负极引线110b之间的电极宽度可以设定为0.5mm至5mm的范围。
另外,在正极引线110a和负极引线110b之间的电极间距小于0.4mm的情况下,有可能在正极引线110a和负极引线110b之间产生短路,与此相反,当正极引线110a和负极引线110b之间的电极间距大于1.2mm时,静电力可能降低,因此应当注意,为了防止正极引线110a和负极引线110b短路,并使静电力的效率最大化并产生最佳的静电力,正极引线110a与负极引线110b之间的电极间距可以设定为0.4mm至1.2mm的范围。
在这种情况下,即使一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b具有相同的电极宽度,但是当每个引线的电极厚度较大时,可能形成较大的磁场,而即使一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b具有相同的电极间距,但是当每个引线的电极的宽度较大时,可以形成较小的磁场。
因此,通过增加每个正极引线110a和负极引线110b的厚度或者调节正极引线110a与负极引线110b之间的电极间距能够形成由正极引线110a和负极引线110b形成的最佳磁场。
参照图5,图5表示根据一个或多个正极引线110a与一个或多个负极引线110b之间的电极间距形成的电场的大小,可以看出,正极引线110a和负极引线110b之间的电场的大小在从正极引线110a到负极引线110b的方向上减小,并且在从负极引线110b到正极引线110a的方向上再次增加。
即,在正极引线110a和负极引线110b之间形成的电场在正极引线110a中密集地形成,使得在这种情况下产生的静电力在正极引线110a中比在负极引线110b中大,因此,从膜1吸附的异物2可以向正极引线110a而不是负极引线110b移动并被吸附。
在这种情况下,可以看出,基于正极引线110a上的位置形成具有不同大小的电场,并且在正极引线110a的中心部分处形成的电场的大小可以远大于在正极引线110a的两侧的边界处形成的电场的大小。
同时,应当注意,正极引线110a和负极引线110b之间的电极间距和电极宽度不限于上述值,并且可以根据去除异物所需的静电功率改变这些值,而没有限制。
在该示例性实施例中,当正极引线110a和负极引线110b之间的电极间距太小时,由于异物2会产生火花,这将参考图6更详细地描述。
参照图6A,当一个或多个正极引线110a与一个或多个负极引线110b之间的电极间距小于异物2的大小时,使得非常密集地形成一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110a,异物2使正极引线110a和负极引线110b相交的可能性增大,在这种情况下,异物2成为正极引线110a与负极引线110b之间的导体,因短路而产生火花。
同时,参照图6B,当宽松地形成一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b,使得一个或多个正极引线110a与一个或多个负极引线110b之间的电极间距大于异物2的大小,异物2使正极引线110a和负极引线110b相交的可能性降低,因此由短路引起的火花的可能性也降低。
然而,即使正极引线110a和负极引线110b如图6B所示具有宽松的电极间距,当吸附比相应的电极间距长的异物时,异物2可能使正极引线110a和负极引线110b相交,因此可以看出,仍然不能避免由于异物而引起的火花产生的问题。
因此,根据本发明,覆盖正极引线110a和负极引线110b的覆盖层(未示出)可以形成在平板110的外表面中。
覆盖层可以形成为覆盖平板110的整个外侧的形式或者覆盖正极引线110a和负极引线110b中的任何一个或多个的形式,并且可以用来防止正极引线110a和负极引线110b暴露于外部,并且即使异物2被静电吸附并使正极引线110a和负极引线110b相交,也可以防止正极引线110a和负极引线110b与异物2直接接触。
覆盖层可以对应于通过将用于覆盖的多个聚合物膜粘合到平板110的一个表面(正极引线110a和负极引线110b所处的表面)而形成的膜的形式,或者通过将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷(或涂覆)到正极引线110a和负极引线110b中的任何一个或多个上而形成的多个涂层的形式(在这种情况下,聚合物膜或聚合物材料可以是非导体)。
同时应当注意,只要覆盖层用于防止正极引线110a和负极引线110b之间的火花,覆盖层的材料、形式等不受限制。
同时,可以以各种形状形成一个或多个正极引线110a和一个或多个负极引线110b,并且这将参考图7更详细地进行描述。
参照图7A,可以看出,彼此平行的直的正极引线110a和负极引线110b被交替地定位以形成旋转图案,并且参照图7B,可以看出,环形正极引线110a和负极引线110b交替地定位成同心圆以形成同心圆图案。
图7A所示的旋转图案可以更有效地吸附并去除膜表面上在一个方向上长的异物,并且图7B所示的同心圆图案可以更有效地吸附并去除膜表面上具有稍大面积的异物。
因此,根据本发明的平板110可以形成为对应于旋转图案或同心圆图案的形式,并且应当注意除了上述图案之外,只要正极引线110a和负极引线110b以特定的电极间距定位以形成电场并产生电磁力,则由正极引线110a和负极引线110b形成的图案不受限制。
接下来,吸附物质去除模块130可用于粘合并去除从覆盖层吸附到覆盖层表面的吸附的材料。
更具体地说,吸附物质去除模块130可以包括:粘合板130a,具有预定粘合力,并形成为与覆盖层的形式对应的形式;以及移动单元130b,在覆盖层的方向上使粘合板130b移动以使粘合板130b与覆盖层接触。
因此,当由正极引线110a和负极引线110b产生的电磁力使异物2在正极引线110a的方向上移动,并被吸附到覆盖正极引线110a的覆盖层时,移动单元130b可以使粘合板130a在覆盖层的下方方向上移动。然后,粘合板130a与覆盖层接触,并且吸附到覆盖层的吸附物质(异物2)可以通过粘合板130a的粘合力吸附到粘合板130a并且被去除。
通过重复这一系列处理,吸附在膜1的表面上的异物2可以通过正极引线110a和负极引线110b而被吸附并从膜1的表面去除,并且被吸附到覆盖层的异物2可以通过吸附物质去除模块130吸附到覆盖层并从覆盖层去除,因此,膜1和覆盖层可以一直保持未污染的状态。
接下来,将参照图8至图13来描述根据本发明另一示例性实施例的异物去除系统100'。
在这种情况下,图8至图13所示的构成元件中的一些构成元件可以用于与参照图1至图7描述的构成元件对应的功能,或者可以是具有不同的附图标记的相同构成元件,从而将省略对用于相同功能的构成元件的详细描述,并将主要描述图1至图7中未被描述、提及和包含的新构成元件。
更具体地说,图8至图13所示的正极引线110a'、负极引线110b和电力供应单元120'分别是与图1至图7所示的正极引线110a、负极引线110b和电力供应单元120b相同的构件元件,但是具有与图1至图7所示的正极引线110a、负极引线110b和电力供应单元120b不同的附图标记,所以应注意的是,关于正极引线110a'、负极引线110b'和电力供应单元120'可以参考图1至图7。
图8是示意性示出根据本发明另一示例性实施例的异物去除系统100'的构造的图,图9是示出正极引线110a'和负极引线110b位于图8所示的柱体110'的外侧的状态的图,并且图10是示意性地示出图8中所示的吸附物质去除模块130'的形状的图。
参照图8和图9,首先,柔性平板110'具有与图1所示的平板110相同的形状并且起到相同的作用,但是可以由柔性塑料材料形成。
因此,柔性平板110'可以形成为下述形式:两个末端弯曲,以覆盖将在下文描述的柱体140的外表面,并且可以通过柔性材料容易地覆盖柱体140的外侧。
此外,覆盖层可以以类似于图1所示的平板110的膜或涂层的形式形成在柔性平板110'的外侧,并且因此可以防止由吸附物质产生的火花。
接下来,柱体140可以是指可在一个方向上(例如,顺时针方向或逆时针方向)旋转的圆柱形转子,应当注意,柔性平板110'也可以根据柱体140的旋转而旋转,位于柔性平板110'的一个侧面处的正极引线110a'和负极引线110b也可以一起旋转。
因此,根据正极引线110a'和负极引线110'沿着柱体140的旋转,在正极引线110a'和负极引线110'中形成的电磁场以及根据电磁场产生的电磁力也沿着正极引线110a'旋转,因此,膜1上的异物2可以通过旋转的电磁力被连续地去除。
因此,当柱体140的旋转速度增加时,可以以更高的速度周期性地去除通过正极引线110a'的下侧的膜1的表面上的异物。
接下来,参照图10,吸附物质去除模块130'可以包括:具有预定粘合力的粘合带130a';使粘合带130a'在一个方向上旋转的一个或多个旋转辊130b';以及移动单元130c',使粘合带130a'在覆盖层的表面的方向上移动。
粘合带130a'可以起到与图1所示的粘合板130a的功能对应的功能,并且形成为具有预定长度的带的形式,使得粘合带130a'可以通过一个或多个旋转辊130b'旋转。
此外,当柱体140旋转时,移动单元130c'可以在柔性平板110'的方向上移动粘合带130a',以开始吸附并去除膜1的表面上的异物2。
因此,可以连续地去除吸附到覆盖柱体140的正极引线110a'和负极引线110b'的吸附物质,并且将参照图11和图12更详细地描述连续去除吸附物质的过程。
图11是示意性地示出图8所示的柱体110'、正极引线110a'、负极引线110b'以及吸附物质去除模块130'去除膜1上的异物2的状态的图,并且图12是示意性地示出从侧方观察图11所示的去除异物2的状态的图。
参考图11和12,在从图的右侧到左侧的方向上连续地供应膜1,并且柱体140在与膜1的上侧间隔开预定间距d的状态(非接触状态)下在与膜1的旋转方向相同的方向上旋转。此外,柔性平板110'在旋转的柱体140的外侧一起旋转,并且与形成在柔性平板110'的外侧的覆盖层相接触的粘合带130a'在与柱体140接触的状态下沿与柱体140的旋转方向相反的方向旋转。
在这种情况下,吸附在膜1的表面上的异物2在旋转的正极引线110a'的方向上移动,并且移动的异物2可以被吸附到覆盖层上以被去除。
同时,吸附到覆盖层的吸附物质(异物2)可以通过粘合带130a'的粘合力吸附到粘合带130'上,并且从覆盖层被去除,粘合带130a'在与柱体140的旋转方向相反的方向上旋转的同时与覆盖层接触,并且根据这一系列过程的重复,可以高速连续地执行吸附并去除膜1的表面上的异物2的过程以及粘合并去除覆盖层的吸附物质的过程。
接着,参照图13说明将图8至图12所示的异物去除系统100'应用于膜层压过程的状态。
图13是示意性地示出将图8所示的一个或多个异物去除系统100'应用于三层膜层压过程的状态的图。
这里,三层膜层压工艺可以意味着层压三种不同类型的a、b和c膜的工艺,并且在这种情况下应用的异物去除系统100'的数量可以是六个或更多个。
例如,可以应用两个异物去除系统100'来去除吸附在膜a的两个表面上的异物,可以应用两个异物去除系统100'来去除吸附在膜b的两个表面上的异物,并且可以应用两个异物去除系统100'来去除吸附在膜c的两个表面上的异物。
同时,由图13所示的每个异物去除系统100'执行的一系列异物去除过程与图11和图12所示的过程相同,因此将省略其详细描述。此外,应注意的是,异物去除系统100'的数量不限于上述数量,并且可以根据膜层压工艺而不受限制地改变。
如上所述,根据本发明的异物去除系统使用数微安值的电流,所以能够防止高压电流放电引起的操作者的安全事故,根据本发明的异物去除系统通过非接触方法不会对膜的表面造成任何损伤或划伤,从而不会引起根据表面处理过程导致膜质量的降低,特别是根据本发明的异物去除系统使用电介质偏振现象,从而吸附并去除各种异物,而不管异物的种类如何。
除此之外,通过使用具有预定粘合力的粘合带,异物可以首次被吸附到膜的表面上并从膜的表面去除,并且同时吸附到粘合带上并且二次被完全去除,使得可以显著减少从膜表面去除异物的时间,从而使膜制造过程的效率最大化。
已经参照示例性实施例描述了本发明,但是本领域的技术人员可以理解,在不脱离所附权利要求书中描述的本发明的精神和范围的情况下,可以在本发明的范围内对本发明进行各种修改和变化。
Claims (19)
1.一种通过使用电场吸附方案去除异物的系统,所述系统包括:
一个或多个正极引线和一个或多个负极引线,所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线形成电场,并定位在平板的一个表面处;以及
覆盖层,所述覆盖层覆盖所述正极引线和所述负极引线的外侧;并且
其中,根据由所述电场产生的静电力,与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物在所述正极引线的方向上移动,并被吸附到所述覆盖层的表面,
其中,所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线形成:
旋转图案,在所述旋转图案中,相互平行的直的所述正极引线和所述负极引线交替定位;或者
同心圆图案,在所述同心圆图案中,环形的所述正极引线和所述负极引线以同心圆形式交替定位,
其中,所述正极引线和所述负极引线具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度,并且
其中,所述正极引线和所述负极引线以与0.4mm至1.2mm对应的间距交替定位。
2.根据权利要求1所述的系统,还包括:
电力供应单元,所述电力供应单元根据所述异物的种类改变电力的电压值,并且将所述电力供应到所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述覆盖层的形式对应于以下形式中的至少一种或多种:
膜形式,在所述膜形式中,将用于覆盖的一个或多个聚合物膜粘合在所述平板的外侧;以及
涂层形式,在所述涂层形式中,将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷到所述平板的外侧上以形成多个涂层。
4.根据权利要求1所述的系统,还包括:
吸附物质去除模块,所述吸附物质去除模块去除被吸附到所述覆盖层的表面的吸附物质。
5.根据权利要求4所述的系统,其中,所述吸附物质去除模块包括:
粘合板,所述粘合板具有预定的粘合力,并形成为与所述覆盖层的形式对应的形式;以及
移动单元,所述移动单元使所述粘合板在所述覆盖层的所述表面的方向上移动,并且
所述粘合板通过所述移动单元与所述覆盖层的所述表面接触,使得所述吸附物质吸附到所述粘合板的表面,并被从所述覆盖层的所述表面去除。
6.一种通过使用电场吸附方案去除异物的方法,所述方法包括:
将一个或多个正极引线和一个或多个负极引线定位在平板的一个表面上;
用覆盖层覆盖所述正极引线和所述负极引线的外侧;并且
根据由所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线形成的电场产生的静电力,使与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物在所述正极引线的方向上移动,并将所述异物吸附到覆盖层的表面,
其中,交替定位包括:
使彼此平行的直的所述正极引线和所述负极引线交替定位为旋转的形式;并且
使环形的所述正极引线和所述负极引线交替定位成同心圆形式,
其中,所述正极引线和所述负极引线具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度,并且
其中,所述正极引线和所述负极引线以与0.4mm至1.2mm对应的间距交替定位。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:
通过电力供应单元根据异物的种类改变电力的电压值;并且
向所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线供应改变的所述电力。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述覆盖包括:
将用于覆盖的一个或多个聚合物膜粘合到所述平板的外侧;并且
将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷到所述平板的外侧以形成多个涂层。
9.根据权利要求6所述的方法,还包括:
通过吸附物质去除模块去除吸附到所述覆盖层的表面的吸附物质。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述吸附物质的去除包括:
通过移动单元使粘合板在所述覆盖层的所述表面的方向上移动,所述粘合板具有预定粘合力并形成为与所述覆盖层的表面的形式对应的形式;并且
根据所述粘合板与所述覆盖层的所述表面的接触,将所述吸附物质粘合到所述粘合板的表面,并从所述覆盖层的所述表面去除所述吸附物质。
11.一种通过使用电场吸附方案去除异物的系统,所述系统包括:
柱体,所述柱体在一个方向上旋转;
一个或多个正极引线和一个或多个负极引线,所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线沿所述柱体的外侧的周边定位并形成电场;
覆盖层,所述覆盖层覆盖所述正极引线和所述负极引线的外表面;以及
吸附物质去除模块,所述吸附物质去除模块与所述柱体相邻定位并且跟随所述柱体旋转,
其中,根据电场产生的静电力,与所述正极引线相邻定位的膜的外侧的异物的方向被改变为所述正极引线的方向,使得所述异物被吸附到所述覆盖层的表面,
通过所述吸附物质去除模块将吸附到所述覆盖层的表面上的吸附物质从所述覆盖层的表面去除,
其中,所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线形成:
旋转图案,在所述旋转图案中,相互平行的直的所述正极引线和所述负极引线交替定位;或者
同心圆图案,在所述同心圆图案中,环形的所述正极引线和所述负极引线以同心圆形式交替定位,
其中,所述正极引线和所述负极引线具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度,并且
其中,所述正极引线和所述负极引线以与0.4mm至1.2mm对应的间距交替定位。
12.根据权利要求11所述的系统,还包括:
电力供应单元,所述电力供应单元根据所述异物的种类改变电力的电压值,并且将所述电力供应到所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线。
13.根据权利要求11所述的系统,其中,所述覆盖层的形式对应于下述形式中的至少一种或多种:
膜形式,在所述膜形式中,用于覆盖的一个或多个聚合物膜粘合在所述正极引线和所述负极引线的外侧;以及
涂层形式,在所述涂层形式中,将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷到所述正极引线和所述负极引线的外侧上以形成多个涂层。
14.根据权利要求11所述的系统,其中所述吸附物质去除模块包括:
粘合带,所述粘合带具有预定面积;
一个或多个旋转辊,所述一个或多个旋转辊使所述粘合带在与所述柱体的旋转方向相反的方向上旋转;以及
移动单元,所述移动单元使所述粘合带在所述覆盖层的所述表面的方向上移动,并且
所述粘合带通过所述移动单元与所述覆盖层的所述表面接触,然后通过所述一个或多个旋转辊在与所述柱体的旋转方向相反的方向上旋转,使得所述吸附物质被吸附到所述粘合带的表面并被从所述覆盖层的所述表面去除。
15.一种通过使用电场吸附方案去除异物的方法,所述方法包括:
使一个或多个正极引线和一个或多个负极引线沿着在一个方向上旋转的柱体的外侧的周边定位;
用覆盖层覆盖所述正极引线和所述负极引线的外侧;
使跟随所述柱体旋转的吸附物质去除模块与所述柱体相邻定位;
将与所述正极引线相邻地定位的膜的外侧的异物的方向改变为所述正极引线的方向,并且通过由所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线形成的电场产生的静电力将所述异物吸附到所述覆盖层的表面;
通过所述吸附物质去除模块将吸附到所述覆盖层的表面的吸附物质从所述覆盖层的表面去除,
其中,交替定位包括:
使彼此平行的直的所述正极引线和所述负极引线交替定位为旋转的形式;以及
使环形的所述正极引线和所述负极引线交替定位为同心圆形式,
其中,所述正极引线和所述负极引线具有与0.5mm至5mm对应的电极宽度,并且
其中,所述正极引线和所述负极引线以与0.4mm至1.2mm对应的间距交替定位。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括:
通过电力供应单元根据所述异物的种类改变电力的电压值;并且
通过所述电力供应单元向所述一个或多个正极引线和所述一个或多个负极引线供应改变的所述电力。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述覆盖包括:
将用于覆盖的一个或多个聚合物膜粘合到所述正极引线和所述负极引线的外侧;以及
将用于覆盖的一个或多个聚合物材料涂敷到所述正极引线和所述负极引线的外侧上以形成多个涂层。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述相邻定位包括:
通过移动单元使具有预定面积的粘合带在所述覆盖层的方向上移动,以使所述粘合带与所述覆盖层接触;以及
使所述粘合带与所述覆盖层的所述表面接触。
19.根据权利要求15所述的方法,其中从所述覆盖层的所述表面去除所述吸附物质包括:
通过一个或多个旋转辊使与所述覆盖层的表面接触的粘合带在与所述柱体的旋转方向相反的方向上旋转;以及
将所述吸附物质粘合到所述粘合带的表面上,并从所述覆盖层的所述表面去除所述吸附物质。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160051689A KR102125598B1 (ko) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법 |
KR10-2016-0051689 | 2016-04-27 | ||
PCT/KR2017/003349 WO2017188612A1 (ko) | 2016-04-27 | 2017-03-28 | 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107851585A CN107851585A (zh) | 2018-03-27 |
CN107851585B true CN107851585B (zh) | 2021-11-19 |
Family
ID=60159865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780002399.9A Active CN107851585B (zh) | 2016-04-27 | 2017-03-28 | 使用电场吸附法去除异物的系统和方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10665472B2 (zh) |
KR (1) | KR102125598B1 (zh) |
CN (1) | CN107851585B (zh) |
WO (1) | WO2017188612A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019219163A1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | Applied Materials, Inc. | Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device |
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CN110690097B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-06-24 | 深圳市金奥兰科技有限公司 | 一种等离子刻蚀机用尘埃消除装置 |
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2016
- 2016-04-27 KR KR1020160051689A patent/KR102125598B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-03-28 CN CN201780002399.9A patent/CN107851585B/zh active Active
- 2017-03-28 WO PCT/KR2017/003349 patent/WO2017188612A1/ko active Application Filing
- 2017-03-28 US US15/737,561 patent/US10665472B2/en active Active
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---|---|
WO2017188612A1 (ko) | 2017-11-02 |
KR20170122556A (ko) | 2017-11-06 |
CN107851585A (zh) | 2018-03-27 |
US20180114701A1 (en) | 2018-04-26 |
US10665472B2 (en) | 2020-05-26 |
KR102125598B1 (ko) | 2020-06-22 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |