CN107847924B - 具有低n2o形成的氨泄漏催化剂 - Google Patents

具有低n2o形成的氨泄漏催化剂 Download PDF

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Abstract

公开了具有氨储存性低的载体上的铂与SCR催化剂的共混物的催化剂。该催化剂还可以含有一种或两种另外的SCR催化剂。该催化剂可以以多种构造之一存在。公开了含有这些催化剂的催化制品。该催化制品可用于选择性催化还原(SCR)废气中的NOx和减少氨泄漏的量。还描述了生产这样的制品的方法。还描述了在SCR方法中使用该催化制品的方法,其中减少了氨泄漏的量。

Description

具有低N2O形成的氨泄漏催化剂
发明领域
本发明涉及氨泄漏催化剂(ASC),含有氨泄漏催化剂的制品,和制造和使用这样的制品来减少氨泄漏的方法。
发明背景
柴油发动机、固定式燃气轮机和其他系统中的烃燃烧产生废气,必须处理该废气来除去氮氧化物(NOx),其包括NO(一氧化氮)和NO2 (二氧化氮),并且NO占形成的NOx的主要部分。已知NOx引起人们的许多健康问题,以及引起许多有害的环境效应,包括形成烟雾和酸雨。为了减轻来自于废气中的NOx对于人和环境的影响,令人期望的是消除这些不期望的组分,优选通过不产生其他有害或有毒物质的方法。
贫燃和柴油发动机产生的废气通常是氧化性的。NOx需要在被称作选择性催化还原(SCR)的方法中用催化剂和还原剂选择性还原,该方法将NOx转化成单质氮(N2)和水。在SCR方法中,将气态还原剂,典型地是无水氨、氨水或尿素添加到废气流中,然后使该废气接触催化剂。还原剂吸收到催化剂上,并且在气体经过催化型基底之中或之上时还原NOx。为了使NOx的转化率最大,经常必需向气流中添加大于化学计量量的氨。但是,过量的氨释放到大气中将对人的健康和对环境有害。另外,氨是苛性的,特别是它的含水形式。排气催化剂下游的排气管线区域中氨和水的冷凝会产生腐蚀性混合物,其会损坏排气系统。所以,应当消除废气中氨的释放。在许多常规排气系统中,氨氧化催化剂(也被称作氨泄漏催化剂或“ASC”)安装在SCR催化剂下游,来通过将氨转化成氮来从废气中除去氨。使用氨泄漏催化剂会使得典型的柴油机驱动循环中NOx转化率大于90%。
令人期望的是拥有提供通过SCR除去NOx和将氨选择性转化成氮二者的催化剂,其中氨转化在车辆驾驶循环中的宽温度范围进行,并且形成最少的氧化氮和一氧化二氮副产物。
发明内容
在第一方面中,本发明涉及一种催化剂,其包含氨储存性低的载体上的铂,和第一SCR催化剂,优选Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂的组合。氨储存性低的载体可以是含硅载体。含硅载体可以包括二氧化硅或二氧化硅与氧化铝之比是至少100的沸石。铂在氨储存性低的载体上的组合是,(1)氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,或者(2)双层,其具有包含第一SCR催化剂的顶层和包含氨储存性低的载体上的铂的底层,其中底层位于基底上或第三SCR催化剂(其位于底层和第三SCR催化剂之间)上。催化剂可以进一步包括第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且第二SCR催化剂至少部分地叠覆氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物。催化剂可以进一步包含第三SCR催化剂,其中第三SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物至少部分地叠覆第三 SCR催化剂。与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂可以提高在约250℃-约350℃的温度由氨到N2的产率,在所述包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体经过第一层,然后经过第二层。
在另一方面中,本发明涉及制造包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂的方法,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂。
在又一方面中,本发明涉及制品,其包含:包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和这些制品在约250℃- 约350℃的温度提高由氨到N2的产率的用途。
在又一方面中,本发明涉及排气系统,其包含:包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂,其中第一SCR 催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和含有这些催化剂的制品。
在又一方面中,本发明涉及一种如下来在约250℃-约350℃的温度提高由废气中的氨到N2的产率的方法:使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂。
在又一方面中,本发明涉及一种减少由废气中的NH3形成N2O的方法,该方法包括使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂。
附图说明
图1-7是包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂的构造的示意图。包含氨储存性低的载体上的铂与第一 SCR催化剂的共混物的催化剂的部分在这些图中被标记为“共混物”。
图1描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物上面,并且第二SCR覆盖整个共混物。
图2描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物之前,并且第二SCR覆盖整个共混物。
图3描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物之前,并且第二SCR覆盖部分而非整个共混物。
图4描绘的构造中,第二SCR覆盖整个共混物,并且第二SCR 的一部分在废气流中位于共混物之后。
图5描绘的构造中,第二SCR覆盖部分而非整个共混物,并且第二SCR的一部分在废气流中位于共混物之后。
图6描绘的构造中,第三SCR催化剂是基底上的底层,并且包含共混物的第二层部分地覆盖第三SCR催化剂,和包含第二SCR的第三层位于第二层上面且覆盖全部的共混物层。
图7描绘的构造中,第三SCR催化剂是基底上的底层,并且包含共混物的第二层部分而非完全地覆盖第三SCR催化剂,和包含第二 SCR的第三层位于第二层上面且部分而非完全地覆盖全部的共混物层。
图8描绘的构造中,存在包含共混物的单层。
图9-11描绘的构造中,氨储存性低的载体上的铂存在于一层中,该层不包含在含硅载体上的铂在第一SCR催化剂内的共混物。包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂的部分在这些图中被标记为“负载的Pt”。
图9描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于负载的铂上面,并且第二SCR覆盖整个负载的铂层。
图10描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物之前,并且第二SCR覆盖整个负载的铂层。
图11描绘的构造中,第三SCR催化剂在基底上的底层中,并且包含负载的铂层的第二层部分地覆盖第三SCR催化剂,和包含第二 SCR的第三层位于第二层上面且覆盖整个负载的铂层。
具体实施方式
作为本说明书和附加的权利要求书中所用的,单数形式“一个”、“一种”和“该”包括复数指代物,除非上下文另有明确指示。因此,例如提及“一种催化剂”时包括两种或更多种催化剂的混合物等。
作为本文使用的,术语“氨泄漏”表示经过SCR催化剂的未反应的氨的量。
术语“载体”表示催化剂固定到的材料。
术语“氨储存性低的载体”典型地表示每m3载体储存小于 0.001mmol NH3的载体。氨储存性低的载体优选是具有选自以下的骨架类型的分子筛或沸石:AEI、ANA、ATS、BEA、CDO、CFI、CHA、 CON、DDR、ERI、FAU、FER、GON、IFR、IFW、IFY、IHW、 IMF、IRN、IRY、ISV、ITE、ITG、ITN、ITR、ITW、IWR、IWS、 IWV、IWW、JOZ、LTA、LTF、MEL、MEP、MFI、MRE、MSE、 MTF、MTN、MTT、MTW、MVY、MWW、NON、NSI、RRO、 RSN、RTE、RTH、RUT、RWR、SEW、SFE、SFF、SFG、SFH、 SFN、SFS、SFV、SGT、SOD、SSF、SSO、SSY、STF、STO、STT、 SVR、SVV、TON、TUN、UOS、UOV、UTL、UWY、VET、VNI。更优选地,氨储存性低的载体是具有选自以下的骨架类型的分子筛或沸石:BEA、CDO、CON、FAU、MEL、MFI和MWW,甚至更优选骨架类型选自BEA和MFI。
术语“煅烧”表示将材料在空气或氧气中加热。这个定义与煅烧的 IUPAC定义一致。(IUPAC.Compendium of Chemical Terminology,第2版(“Gold Book”)。由A.D.McNaught和A.Wilkinson编纂, Blackwell Scientific Publications,牛津(1997)。XML在线修订版:http: //goldbook.iupac.org(2006-),由M.Nic,J.Jirat,B.Kosata创建;由A.Jenkins更新编纂。ISBN 0-9678550-9-8。doi:10.1351/goldbook。) 进行煅烧来分解金属盐和促进催化剂内的金属离子交换,以及将催化剂粘附到基底。煅烧所用温度取决于要煅烧的材料的组分,通常在约 400℃-约900℃进行约1-8小时。在一些情况中,煅烧可以在高至约 1200℃的温度进行。在包括本文所述方法的应用中,煅烧通常在约 400℃-约700℃的温度进行约1-8小时,优选在约400℃-约650℃的温度进行约1-4小时。
术语“约”表示大致,指的是在与该术语相关的值任选地±25%,优选±10%,更优选±5%,或最优选±1%的范围内。
当提供用于不同的数字元素的范围时,该范围可以包括该值,除非另有规定。
术语“N2选择性”表示氨到氮的百分转化率。
在本发明第一方面中,一种催化剂包含氨储存性低的载体上的铂和第一SCR催化剂的组合。氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的组合是(a)氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,或者(b)具有包含第一SCR催化剂的顶层和包含氨储存性低的载体上的铂的底层的双层,其中底层可以位于基底上。氨储存性低的载体可以是含硅载体。含硅载体可以包含二氧化硅或沸石,该沸石的二氧化硅与氧化铝之比≥100,优选≥200,更优选≥250,甚至更优选≥300,特别是≥400,更特别是≥500,甚至更特别是≥750,和最优选≥1000。在本发明的每个方面中,第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或 Fe-SCR催化剂,更优选是Cu-SCR催化剂。
共混物中第一SCR催化剂的量与氨储存性低的载体上的铂的量之比可以是0.1-300:1(包括端值),优选3:1-300:1(包括端值),更优选 7:1-100:1(包括端值),甚至更优选10:1-50:1(包括端值),基于这些组分的重量计。
术语“活性组分负载量”指的是共混物中铂载体的重量+铂的重量 +第一SCR催化剂的重量。铂可以以约0.01-约0.3wt%(包括端值),优选约0.03-0.2wt%(包括端值),更优选约0.05-0.17wt%(包括端值),最优选约0.07-0.15wt%(包括端值)的活性组分负载量存在于催化剂中。
当铂存在于双层的底层中时,铂可以以相对于层的重量计约 0.1wt%-2wt%(包括端值),优选0.1-1wt%(包括端值),更优选 0.1wt%-0.5wt%(包括端值)存在。另外的催化剂例如钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、钌(Ru)或铑(Rh)可以与Pt一起存在,优选与Pt共混。
SCR催化剂
在不同的实施方案中,组合物可以包含一种、两种或三种SCR催化剂。第一SCR催化剂,其总是存在于组合物中,可以存在于(1)与氨储存性低的载体上的Pt的共混物中,或者(2)当催化剂存在于双层中时处于顶层中,并且Pt存在于底层中。第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,更优选Cu-SCR催化剂。Cu-SCR 催化剂包含铜和分子筛。Fe-SCR催化剂包含铁和分子筛。下面进一步描述分子筛。分子筛可以是铝硅酸盐、铝磷酸盐(AlPO)、硅-铝磷酸盐(SAPO)或其混合物。铜或铁可以位于分子筛骨架内和/或分子筛内的骨架外(可交换)位置中。
第二和第三SCR催化剂可以相同或不同。第二和第三SCR催化剂可以是贱金属、贱金属的氧化物、贵金属、分子筛、金属交换的分子筛或其混合物。贱金属可以选自钒(V)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、铈(Ce)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)及其混合物。由负载于难熔金属氧化物例如氧化铝、二氧化硅、氧化锆、二氧化钛、氧化铈及其组合上的钒组成的SCR组合物是公知的,并且在商业上广泛用于移动应用。典型的组合物描述在美国专利4,010,238和4,085,193 中,其整个内容在此通过参考引入。商业上特别是移动应用中所用的组合物包含TiO2,其上分别以5-20wt%和0.5-6wt%的浓度分散有 WO3和V2O5。贵金属可以是铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、钌(Ru) 或铑(Rh)或其混合物。第二SCR催化剂可以包含经促进的Ce-Zr或 MnO2。这些催化剂可以含有充当粘结剂和促进剂的其他无机材料例如SiO2和ZrO2
当SCR催化剂是贱金属时,催化剂制品可以进一步包含至少一种贱金属促进剂。作为本文使用的,“促进剂”被理解为表示当添加到催化剂时增加催化剂的活性的物质。贱金属促进剂可以为金属、金属氧化物或其混合物的形式。至少一种贱金属催化剂促进剂可以选自钕 (Nd)、钡(Ba)、铈(Ce)、镧(La)、镨(Pr)、镁(Mg)、钙(Ca)、锰(Mn)、锌(Zn)、铌(Nb)、锆(Zr)、钼(Mo)、锡(Sn)、钽(Ta)、锶(Sr)及其氧化物。至少一种贱金属催化剂促进剂可以优选是MnO2、Mn2O3、Fe2O3、 SnO2、CuO、CoO、CeO2及其混合物。至少一种贱金属催化剂促进剂可以以盐的水溶液形式例如硝酸盐或乙酸盐添加到催化剂中。至少一种贱金属催化剂促进剂和至少一种贱金属催化剂例如铜可以从水溶液浸渍到氧化物载体材料上,可以添加到包含氧化物载体材料的载体涂料(washcoat)中,或者可以浸渍到事先用载体涂料涂覆的载体中。
SCR催化剂可以包含分子筛或金属交换的分子筛。作为本文所使用的,“分子筛”被理解为表示含有精确和均匀尺寸的细孔的亚稳材料,其可以用作气体或液体的吸附剂。足够小以穿过孔的分子被吸附,而较大分子不会。分子筛可以是沸石分子筛、非沸石分子筛或其混合物。
沸石分子筛是一种微孔铝硅酸盐,其具有由国际沸石学会(IZA) 公布的沸石结构数据库中的任何一种骨架结构。骨架结构包括但不限于CHA、FAU、BEA、MFI、MOR类型的那些。具有这些结构的沸石的非限定性例子包括菱沸石、八面沸石、Y沸石、超稳定的Y沸石、β沸石、丝光沸石、硅质岩、X沸石和ZSM-5。铝硅酸盐沸石的二氧化硅/氧化铝摩尔比(SAR,定义为SiO2/Al2O3)可以是至少约5,优选至少约20,并且有用的范围是约10-200。
任何SCR催化剂可以包括小孔、中孔或大孔分子筛或其组合。“小孔分子筛”是含有8个四面体原子的最大环尺寸的分子筛。“中孔分子筛”是含有10个四面体原子的最大环尺寸的分子筛。“大孔分子筛”是具有12个四面体原子的最大环尺寸的分子筛。第二和/或第三SCR催化剂可以包括选自以下的小孔分子筛:铝硅酸盐分子筛、金属取代的铝硅酸盐分子筛、铝磷酸盐(AlPO)分子筛、金属取代的铝磷酸盐 (MeAlPO)分子筛、硅-铝磷酸盐(SAPO)分子筛和金属取代的硅-铝磷酸盐(MeAPSO)分子筛及其混合物。
任何SCR催化剂可以包含选自以下的骨架类型的小孔分子筛: ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、 CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、 IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、 PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SFW、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG和ZON及其混合物和/或共生体。优选地,小孔分子筛选自骨架类型CHA、LEV、AEI、AFX、ERI、SFW、KFI、DDR 和ITE。
任何SCR催化剂可以包含选自以下的骨架类型的中孔分子筛: AEL、AFO、AHT、BOF、BOZ、CGF、CGS、CHI、DAC、EUO、 FER、HEU、IMF、ITH、ITR、JRY、JSR、JST、LAU、LOV、 MEL、MFI、MFS、MRE、MTT、MVY、MWW、NAB、NAT、NES、 OBW、PAR、PCR、PON、PUN、RRO、RSN、SFF、SFG、STF、STI、STT、STW、SVR、SZR、TER、TON、TUN、UOS、VSV、 WEI和WEN及其混合物和/或共生体。优选地,中孔分子筛选自骨架类型MFI、FER和STT。
任何SCR催化剂可以包含选自以下的骨架类型的大孔分子筛: AFI、AFR、AFS、AFY、ASV、ATO、ATS、BEA、BEC、BOG、 BPH、BSV、CAN、CON、CZP、DFO、EMT、EON、EZT、FAU、 GME、GON、IFR、ISV、ITG、IWR、IWS、IWV、IWW、JSR、 LTF、LTL、MAZ、MEI、MOR、MOZ、MSE、MTW、NPO、OFF、OKO、OSI、RON、RWY、SAF、SAO、SBE、SBS、SBT、SEW、 SFE、SFO、SFS、SFV、SOF、SOS、STO、SSF、SSY、USI、UWY 和VET及其混合物和/或共生体。优选地,大孔分子筛选自骨架类型 MOR、OFF和BEA。
Cu-SCR和Fe-SCR催化剂中的分子筛优选选自ACO、AEI、AEN、 AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、 DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、 KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG、ZON、BEA、MFI和FER及其混合物和/或共生体。更优选地,Cu-SCR和Fe-SCR 中的分子筛选自AEI、AFX、CHA、DDR、ERI、ITE、KFI、LEV、 SFW、BEA、MFI和FER及其混合物和/或共生体。
金属交换的分子筛可以具有选自周期表第VB、VIB、VIIB、VIIIB、 IB或IIB族的至少一种金属,其沉积在外表面上或者在分子筛的通道、腔室或笼中的骨架外位置。金属可以为几种形式之一,包括但不限于零价金属原子或簇,分离的阳离子,单核或多核氧阳离子,或者作为延伸的金属氧化物。优选地,金属可以是铁、铜及其混合物或组合。
可以使用金属前体在合适的溶剂中的混合物或溶液来将金属与沸石合并。术语“金属前体”表示可以分散在沸石上来产生催化活性金属组分的任何化合物或络合物。优选地,由于使用其他溶剂的经济和环境方面的原因,溶剂是水。当使用优选的金属,铜时,合适的络合物或化合物包括但不限于无水和水合硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜、乙酰基丙酮酸铜、氧化铜、氢氧化铜和铜胺盐(例如[Cu(NH3)4]2+)。本发明不限于特定类型、组成或纯度的金属前体。可以将分子筛添加到金属组分溶液中来形成悬浮液,然后使其反应,以使得金属组分分布在沸石上。金属可以分布在分子筛的孔通道中以及外表面上。金属可以以离子形式或作为金属氧化物分布。例如,铜可以作为铜(II)离子、铜(I) 离子,或者作为氧化铜来分布。含有金属的分子筛可以与悬浮液的液相分离,经过清洗和干燥。然后可以煅烧形成的含金属的分子筛来将金属固定在分子筛中。优选地,第二和第三催化剂包含:包含铜和分子筛的Cu-SCR催化剂,包含铁和分子筛的Fe-SCR催化剂,钒基催化剂,促进的Ce-Zr,或促进的MnO2
金属交换的分子筛可以包含约0.10-约10wt%的第VB、VIB、 VIIB、VIIIB、IB或IIB族金属,其位于分子筛外表面上或者通道、腔室或笼中的骨架外位置上。优选地,骨架外金属的存在量可以是约 0.2-约5wt%。
金属交换的分子筛可以是负载于分子筛上的铜(Cu)或铁(Fe),其具有基于催化剂总重量计约0.1wt%-约20wt%的铜或铁。更优选地,铜或铁以基于催化剂总重量计约0.5wt%-约15wt%存在。最优选地,铜或铁以基于催化剂总重量计约1wt%-约9wt%存在。
组合物可以包含与Pt组合的一种或多种另外的金属。这些一种或多种另外的金属可以是金(Au)、铱(Ir)、钯(Pd)、铑(Rh)、钌(Ru)或银 (Ag)。这些金属的存在量可以是约0.1wt%-约20wt%(包括端值),优选约0.3wt%-约10wt%(包括端值)。
在本发明的第一方面中,氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物可以进一步包含钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、钌(Ru)或铑(Rh) 中的至少一种。
在本发明的第一方面中,包含氨储存性低的载体上的铂的底层可以进一步包含钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、钌(Ru)或铑(Rh)中的至少一种。底层还可以含有具有氨储存性的混合氧化物催化剂。混合氧化物催化剂优选是促进的CeZr或MnO2
本文所述的催化剂可以用于多种发动机的废气的SCR处理中。包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂(其中第一SCR催化剂是Cu-SCR或Fe-SCR催化剂)的共混物的催化剂的性质之一是,与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和铂负载在存在于第二层中的储存氨的层上,包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,它可以在约250℃-约350℃的温度提高氨到N2的产率。包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂(其中第一SCR催化剂是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂)的共混物的催化剂的另一性质是,与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和铂负载在存在于第二层中的储存氨的载体上,包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,它可以减少由 NH3形成的N2O。
在本发明另一方面中,一种制造包含氨储存性低的载体上的铂和第一SCR催化剂(其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或 Fe-SCR催化剂)的共混物的催化剂的方法包括:将包含氨储存性低的载体上的铂的催化剂与第一SCR催化剂共混,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂。本领域技术人员将知晓能够共混这些材料的方式。例如,可以通过用铂盐,优选硝酸铂的溶液,使用常规初始润湿技术浸渍氨储存性低的载体来在氨储存性低的载体上制备铂。在浸渍后,可以干燥载体,优选在约100℃在静态烘箱中的空气中干燥约5小时,然后在静态烘箱中在约500℃的空气中煅烧 2小时。可以通过本领域技术人员已知的多种技术来将氨储存性低的载体上的铂与第一SCR混合。例如,可以如下来将铂在氨储存性低的载体上的混合物与载体涂料中的第一SCR催化剂共混:使用工业混合器,将没有负载氨的载体上的铂的粉末与SCR催化剂的粉末制浆。可以添加粘结剂例如氧化铝。然后可以将浆料作为载体涂料施涂到基底例如蜂窝体基底上。
在本发明的一方面中,可以制备包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂的不同构造。包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的催化剂的部分在以下描述的附图中标记为“共混物”。
在第一构造中,催化剂可以包含:第一层,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第二层,其包含第二SCR催化剂,其中第二层位于第一层上面的层中,并且第二层覆盖全部的第一层。图1描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物上面,并且第二SCR覆盖整个共混物。
在第二构造中,催化剂可以包含:第一层,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第二层,其包含第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂的第一部分位于第一层上游,和第二SCR 催化剂的第二部分存在于第二层中,其中第二层覆盖全部第一层。图 2描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物之前,并且第二SCR 覆盖整个共混物。
在第三构造中,催化剂可以包含:第一层,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第二层,其包含第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂的第一部分位于第一层上游,和第二SCR 催化剂的第二部分存在于第二层中,其中第二层覆盖部分而非全部的第一层。第二SCR催化剂可以以约10%-95%(包括端值),优选 50%-95%(包括端值)的量叠置氨储存性低的载体上的铂与第一SCR 催化剂的共混物。图3描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物之前,并且第二SCR覆盖部分而非全部的混合物。在图3中,第二 SCR覆盖约40%的共混物。
在第四构造中,催化剂可以包含:第一层,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第二层,其包含第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂的第一部分位于第一层下游,和第二SCR 催化剂的第二部分存在于第二层中,其中第二层覆盖全部的第一层。图4描绘的构造中,第二SCR覆盖整个共混物,并且第二SCR的一部分在废气流中位于共混物之后。
在第五构造中,催化剂可以包含:第一层,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第二层,其包含第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂的第一部分位于第一层下游,和第二SCR 催化剂的第二部分存在于第二层中,其中第二层覆盖部分而非全部的第一层。第二SCR催化剂可以以约10%-95%(包括端值),优选 50%-95%(包括端值)的量叠置氨储存性低的载体上的铂与第一SCR 催化剂的共混物。图5描绘的构造中,第二SCR覆盖部分而非整个共混物,并且第二SCR的一部分在废气流中位于共混物之后。在图5 中,第二SCR覆盖约95%的共混物。
在第六构造中,催化剂可以包含:含有第三SCR催化剂的第一层。第一层部分而非完全地被氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物覆盖,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或 Fe-SCR催化剂。共混物可以覆盖第三SCR催化剂约10%-95%(包括端值),优选50%-95%(包括端值)的量。第二层被包含第二SCR催化剂的第三层覆盖,其中第三层覆盖整个第二层。图6描绘的构造中,第三SCR催化剂是基底上的底层,并且包含共混物的第二层部分地覆盖第三SCR催化剂,和包含第二SCR的第三层位于第二层上面且覆盖全部的共混物层。
在第七构造中,催化剂可以包含:包含第三SCR催化剂的第一层。第一层是部分而非完全地被氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物覆盖,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或 Fe-SCR催化剂。混合物可以覆盖第三SCR催化剂约10%-95%(包括端值),优选50%-95%的量。第二层被包含第二SCR催化剂的第三层覆盖,其中第三层部分而非完全地覆盖第二层,并且第二SCR催化剂的一部分也位于共混物下游且覆盖第二层下游的第三SCR催化剂的一部分。第二SCR催化剂可以覆盖第三SCR催化剂约10%-95%(包括端值),优选50%-95%(包括端值)的量。图7描绘的构造中,第三 SCR催化剂是基底上的底层,并且包含共混物的第二层部分而非完全地覆盖第三SCR催化剂,和包含第二SCR的第三层位于第二层上面且部分而非完全地覆盖全部的共混物层。第二层覆盖约60%的第一层,并且具有第二SCR的层覆盖约20%的第一层。术语“覆盖”表示层与不同的层直接接触的部分。
在第八构造中,催化剂可以包含:包含氨储存性低的载体上的铂的单层。图8描绘的构造中,包含氨储存性低的载体上的铂的单层位于废气流中。
在第九构造中,催化剂可以包含:包含氨储存性低的载体上的铂和第一SCR催化剂的第一层,和包含第二SCR催化剂的第二层,其中第二层位于第一层上面的层中,和第二层覆盖全部的第一层。图9 描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于负载的铂上面,并且第二SCR覆盖全部的负载的铂。
在第十构造中,催化剂可以包含:包含氨储存性低的载体上的铂的第一层,和包含第二SCR催化剂的第二层,其中第二SCR催化剂的第一部分位于第一层上游,和第二SCR催化剂的第二部分存在于第二层中,其中第二层覆盖全部的第一层。图10描绘的构造中,第二SCR在废气流中位于共混物之前,并且第二SCR覆盖全部的负载的铂。
在第十一构造中,催化剂可以包含:包含第三SCR催化剂的第一层。第一层部分而非完全地被包含氨储存性低的载体上的铂的第二层覆盖。包含负载的铂的层可以覆盖第三SCR催化剂约10%-95%(包括端值),优选50%-95%(包括端值)的量。包含负载的铂的第二层被包含第二SCR催化剂的第三层覆盖,其中第三层覆盖整个第二层。图 11描绘的构造中,第三SCR催化剂是基底上的底层,并且包含负载的Pt的第二层部分地覆盖第三SCR催化剂,和包含第二SCR的第三层位于第二层上面且覆盖全部的负载的铂。
在本发明一方面中,一种制品包含:(1)本发明第一方面的催化剂, (2)催化剂位于其上的基底,(3)入口,和(4)出口。催化剂可以具有上述构造之一。
用于催化剂的基底可以是典型地用于制备汽车催化剂的任何材料,其包括流通式或滤过式结构,例如蜂窝体结构、挤出的载体、金属基底或SCRF。优选地,基底具有多个细的、平行的气体流动通道,其从基底的入口延伸到出口面,由此通道对于流体流动是开放的。这样的整料载体可以含有至多约700或更多个流动通道(或“孔腔”)/平方英寸横截面,不过可以使用少得多的数目。例如,载体可以具有约7-600 个,更通常地约100-400个孔腔/平方英寸(“cpsi”)。通道从它们的流体入口到它们的流体出口基本上是直线路径,通过SCR催化剂作为“载体涂料”涂覆到的壁来限定,由此流过通道的气体接触催化材料。整料基底的流动通道是薄壁通道,其可以是任何合适的横截面形状,例如梯形、矩形、正方形、三角形、正弦形、六边形、椭圆形、圆形等。本发明不限于特定的基底类型、材料或几何形状。
陶瓷基底可以由任何合适的难熔材料制成,例如堇青石、堇青石-α氧化铝、α氧化铝、碳化硅、氮化硅、氧化锆、莫来石、锂辉石、氧化铝-二氧化硅氧化镁、硅酸锆、硅线石、硅酸镁、锆石、透锂长石、硅酸铝及其混合物。
壁流式基底也可以由陶瓷纤维复合材料形成,例如由堇青石和碳化硅形成的那些。这样的材料能够经受在处理废气流中遇到的环境,特别是高温。
基底可以是高孔隙率基底。术语“高孔隙率基底”指的是孔隙率是约40%-约80%的基底。高孔隙率基底的孔隙率优选可以是至少约 45%,更优选至少约50%。高孔隙率基底的孔隙率优选可以小于约 75%,更优选小于约70%。作为本文使用的,术语孔隙率指的是总孔隙率,优选用水银孔隙率法测量。
优选地,基底可以是堇青石、高孔隙率堇青石、金属基底、挤出的SCR、壁流式过滤器、过滤器或SCRF。
包含含硅载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的载体涂料,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,可以使用本领域已知的方法施用到基底的入口侧。在施涂载体涂料后,可以干燥和煅烧组合物。当组合物包含第二SCR时,第二SCR可以在单独的载体涂料中施涂到具有底层的经煅烧的制品上,如上所述。在施涂第二载体涂料后,可以如对第一层进行的那样对它进行干燥和煅烧。
可以在300℃-1200℃,优选400℃-700℃,更优选450℃-650℃的温度干燥和煅烧具有含铂层的基底。煅烧优选在干燥条件下进行,但是它也可以水热,即在一些水分含量存在下进行。煅烧可以进行约 30分钟到约4小时,优选约30分钟到约2小时,更优选约30分钟到约1小时的时间。
一种排气系统可以包含具有上述11种构造之一的催化剂,和用于在废气中形成NH3的装置,其中NH3在废气与催化剂接触之前在废气中形成。
一种排气系统可以包含:(1)催化剂,其包含氨储存性低的载体上的铂和第一SCR催化剂,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,并且第一SCR催化剂作为与铂的共混物存在,和(2)用于在废气中形成NH3的装置,其中NH3在废气与催化剂接触之前在废气中形成。一种排气系统可以包含:(1)催化剂,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,(2)第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且至少部分地叠置氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,和(3)用于在废气中形成NH3的装置,其中NH3在废气与催化剂接触之前在废气中形成。一种排气系统可以包含:(1)催化剂,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,(2)第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且至少部分地叠置氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,(3)第三SCR 催化剂,其中第三SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR 催化剂的共混物相邻布置,并且氨储存性低的载体上的铂与第一SCR 催化剂的共混物至少部分地叠置第三SCR催化剂,和(4)用于在废气中形成NH3的装置,其中NH3在废气与催化剂接触之前在废气中形成。
在本发明另一方面中,一种提高在约250℃-约350℃温度由废气中的氨到N2的产率的方法,其包括使含氨废气与本发明第一方面的催化剂接触。与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,在约250℃产率可以提高约10%-约 20%。
在本发明另一方面中,一种提高在约250℃-约350℃温度由废气中的氨到N2的产率的方法,其包括使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含:(1)氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第一SCR催化剂作为与铂的共混物存在,和(2)第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且至少部分地叠置氨储存性低的载体上的铂与第一 SCR催化剂的共混物。与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,在约250℃产率可以提高约10%-约20%。
在本发明另一方面中,一种提高在约250℃-约350℃温度由废气中的氨到N2的产率的方法,其包括使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含:(1)氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第一SCR催化剂作为与铂的混合物存在,(2)第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且至少部分地叠置氨储存性低的载体上的铂与第一 SCR催化剂的共混物,和(3)第三SCR催化剂,其中第三SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物至少部分地叠置第三SCR催化剂。与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,在约250℃产率可以提高约10%-约20%。
在本发明另一方面中,一种减少由废气中的NH3形成N2O的方法,其包括使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂优选是 Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂。与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,在约250℃ N2O产率可以减少约40%-约70%。
在本发明另一方面中,一种减少由废气中的NH3形成N2O的方法,其包括使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含:(1)氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂,优选是Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,作为与铂的混合物存在,和(2)第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂是与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置的,并且至少部分地叠置氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物。与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,在约250℃N2O产率可以减少约40%-约70%。
在本发明另一方面中,一种减少由废气中的NH3形成N2O的方法,其包括使含氨废气与催化剂接触,该催化剂包含:(1)氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,其中第一SCR催化剂是 Cu-SCR催化剂或Fe-SCR催化剂,和第一SCR催化剂作为与铂的混合物存在,(2)第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且至少部分地叠置氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物,和(3)第三SCR催化剂,其中第三SCR催化剂与氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物至少部分地叠置第三SCR催化剂。与包含相当的配方的催化剂(其中第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且包含NH3的气体先经过第一层,然后经过第二层)相比,在约250℃N2O产率可以减少约40%-约70%。
下面的实施例仅说明本发明;本领域技术人员将认识到在本发明主旨和权利要求书的范围内的许多变化。
实施例
实施例1-底层中MFI沸石(SAR=2100)上1wt%Pt与Cu-CHA 和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA 顶层覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=2100)上1wt%Pt和Cu-CHA(铜菱沸石)的共混物。使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约 1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.18g/in3和1.8g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空在基底上将载体涂料牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例1。实施例1的构造显示在图1中。
实施例2-底层中MFI沸石(SAR=2100)上2wt%Pt与Cu-CHA 和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA 顶层覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=2100)上2wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.09g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例2。实施例2的构造显示在图1中。
实施例3-底层中无定形二氧化硅上2wt%Pt与Cu-CHA和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA顶层覆盖。
使用包含无定形二氧化硅上2wt%Pt和Cu-CHA的共混物的载体涂料将底层施用到陶瓷基底。将载体涂料施涂到陶瓷基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.09g/in3和0.9g/in3
使用包括Cu-CHA的第二载体涂料将顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有被Cu-CHA顶层覆盖的共混物底层100%。这种材料是实施例3。实施例3的构造显示在图1中。
实施例4-底层中在氧化铝上1wt%Pt与Cu-CHA和顶层中的 Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的全部长度被Cu-CHA覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含氧化铝上1wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR 沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.18g/in3和1.8g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施涂到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例4。实施例4的构造显示在图1中。
实施例5-底层中二氧化钛上2wt%Pt与Cu-CHA和顶层中 Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含二氧化钛上2wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR 沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.09g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例5。实施例5的构造显示在图1中。
实施例1-5将具有底层中类似共混物构造和完全覆盖的Cu-CHA 顶层的新鲜催化剂的NH3氧化活性进行了比较,其中该共混物包含不同载体材料上的Pt:含硅沸石、二氧化硅、氧化铝和二氧化钛(表1)。
实施例1-2在250℃提供了最高的NH3氧化活性,并且转化率大于 80%。相反,实施例3-5在250℃提供了明显更低的NH3转化率。这些结果表明,需要氨储存性低的载体例如含硅载体(例如沸石或二氧化硅)上的Pt来实现令人满意的NH3氧化活性。
表1在200ppm NH3、10%O2、4.5%H2O、4.5%CO2、余量N2下,
在SV=120,000h-1,比较新鲜催化剂的稳态NH3氧化活性。
Figure BDA0001551079450000221
实施例6-底层中MFI沸石(SAR=40)上4wt%Pt与Cu-CHA和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA 顶层覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=40)上4wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.045g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例6。实施例6的构造显示在图1中。
实施例7-底层中MFI沸石(SAR=850)上4wt%Pt与Cu-CHA和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA 顶层覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=850)上4wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.045g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施涂到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例7。实施例7的构造显示在图1中。
实施例8-底层中MFI沸石(SAR=2100)上4wt%Pt与Cu-CHA 和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的整个长度被Cu-CHA 顶层覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=2100)上4wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.045g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施涂到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层覆盖的100%。这种材料是
实施例8。实施例8的构造显示在图1中。
实施例6-8比较了具有共混的底层和全覆盖顶层的催化剂,其中该共混物包含负载在具有不同SAR值的沸石上的Pt(表2)。虽然实施例6-8中新鲜的、全部三种催化剂在250℃提供了类似的NH3转化率,但是在250℃的N2O生产率,实施例6(SAR=40)中最高,实施例8(SAR=2100)中最低。这些结果表明,最优选高度含硅的沸石(例如 SAR>1000的沸石)作为Pt载体来实现低N2O形成和高水热耐久性。表2在200ppm NH3、10%O2、4.5%H2O、4.5%CO2、余量N2下,
在SV=120,000h-1,比较新鲜催化剂的稳态NH3氧化活性。
Figure BDA0001551079450000241
实施例9-双层配制物-氧化铝上的Pt与Cu-SCR顶层-对比例
将具有氧化铝底层上的Pt和SCR顶层的双层配制物用作对比例。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含氧化铝上的0.3wt%Pt,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt的负载量是3g/ft3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约 500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。这种材料是实施例9。通过将实施例9的样品在620℃在含有10%H2O的气氛中老化50小时来制备老化样品。实施例9的构造显示在图8中。
实施例10:MFI沸石(SAR=2100)上的Pt,仅具有Cu-SCR顶层
将ZSM-5(MFI骨架,SAR=2100)上0.3wt%Pt的单层配制物用作对比例。
将包含载体涂料浆料的催化制品施用到陶瓷基底,该载体涂料浆料包含ZSM-5(MFI骨架,SAR=2100)上的0.3wt%铂,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。制品上铂的负载量是3g/ft3。将基底干燥来除去水分,然后在约500℃煅烧约1小时。这种材料是实施例10。通过将实施例10的样品在620℃在含有10%H2O的气氛中老化50小时来制备老化样品。实施例10的构造显示在图8中。
实施例11-MFI沸石(SAR=2100)上的4wt%Pt与Cu-CHA的单层共混物
制备载体涂料,其包含ZSM-5沸石(SAR 1500)上的4wt%Pt与 Cu-CHA的共混物。将载体涂料施涂到陶瓷基底的入口侧,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。Pt、ZSM-5和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.045/in3和0.9g/in3。这种材料是实施例11。通过将实施例11样品在620℃在含有10%H2O 的气氛中老化50小时来制备老化样品。实施例11的构造显示在图9 中。
实施例12-底层中MFI沸石(SAR=2100)上4wt%Pt与Cu-CHA 和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的50%被Cu-CHA顶层从入口覆盖。
如下所述制备双层配制物,其包含底层中高SAR沸石上的4wt% Pt与Cu-CHA和50%Cu-CHA SCR顶层的共混物。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=2100)上4wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.045g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施用到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层从入口覆盖的50%。这种材料是实施例12。通过将实施例12样品在620℃在含有10%H2O的气氛中老化50小时来制备老化样品。实施例12的构造显示在图3中。
实施例13-底层中MFI沸石(SAR=2100)上4wt%Pt与Cu-CHA 和顶层中Cu-CHA的双层共混物,并且Pt底层的90%被Cu-CHA顶层从出口覆盖。
将包含载体涂料的底层施用到陶瓷基底,该载体涂料包含ZSM-5 (MFI骨架,SAR=2100)上4wt%Pt和Cu-CHA的共混物,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。制品上Pt、高SAR沸石和Cu-CHA的负载量分别是3g/ft3、0.045g/in3和0.9g/in3
将包含含有Cu-CHA的第二载体涂料的顶层施涂到涂覆有底层的基底,然后使用真空将载体涂料顺着基底牵动到基底长度的约50%的距离。将制品干燥和在约500℃煅烧约1小时。顶层中Cu-CHA的负载量是1.8g/in3。在沿着制品长度的适当位置切割制品来形成新的较小制品,其具有共混物底层被Cu-CHA顶层从出口覆盖的90%。这种材料是实施例12。通过将实施例12样品在620℃在含有10%H2O的气氛中老化50小时来制备老化样品。实施例13的构造显示在图10中。表3在200ppm NH3、10%O2、4.5%H2O、4.5%CO2、余量N2下,在SV=120000h-1,比较新鲜的或620℃/10%H2O/50h老化的催化剂的稳态NH3氧化活性。
Figure BDA0001551079450000271
表3、实施例8-13比较了具有氧化铝上的Pt作为底层与全 Cu-CHA顶层的ASC(实施例1),含硅沸石上的Pt作为底层与全顶层 (实施例10),和含硅沸石上的Pt+Cu-CHA共混物底层与不同顶层构造(实施例8、11-13)。
实施例9相比于实施例10:
新鲜的和老化的实施例9和10在250℃和450℃提供了类似的 NH3转化率。新鲜的实施例9和10在250℃产生了类似量的N2O。但是,在老化后,实施例10在250℃产生了与实施例9相比低约40%的N2O。新鲜的实施例9和10在450℃产生了类似量的NOx。但是,在老化后,实施例10在250℃产生了与实施例9相比低约25%的NOx。新鲜的实施例9和10在250℃和450℃产生了类似的N2产率。但是,在老化后,实施例10在250℃和450℃分别提供了与实施例9相比高约20%和10%的N2产率。
实施例9相比于实施例11:
新鲜的和老化的实施例9和11在250℃和450℃提供了类似的 NH3转化率。在250℃,新鲜的和老化的实施例11产生了比新鲜的和老化的实施例9分别低约55%和低75%的N2O。结果,新鲜的和老化的实施例11在250℃提供了比新鲜的和老化的实施例9分别高约30%和高30%的N2产率。在450℃,新鲜的和老化的实施例11产生了比新鲜的和老化的实施例9分别高约140%和高70%的NOx。结果,新鲜的和老化的实施例11在450℃提供了比新鲜的和老化的实施例9 分别低约5%和低20%的N2产率。
实施例9相比于实施例12:
新鲜的和老化的实施例1和12在250℃和450℃提供了类似的 NH3转化率。在250℃,新鲜的和老化的实施例12产生了比新鲜的和老化的实施例9分别低约60%和低75%的N2O。结果,新鲜的和老化的实施例12提供了在250℃比新鲜的和老化的实施例9分别高约30%和高40%的N2产率。在450℃,新鲜的和老化的实施例12产生了类似量,比新鲜的和老化的实施例9分别低35%的NOx。结果,新鲜的和老化的实施例12在450℃提供了类似水平,比新鲜的和老化的实施例9分别高10%的N2产率。
实施例9相比于实施例13:
老化的实施例13提供了在250℃比老化的实施例9低约10%的 NH3转化率,在450℃类似水平的NH3转化率。在250℃,老化的实施例13产生了比老化的实施例9低80%的N2O。结果,老化的实施例13在250℃提供了比老化的实施例9高约30%的N2产率。在450℃,老化的实施例13产生了比老化的实施例9低约35%的NOx。结果,老化的实施例13在450℃提供了比老化的实施例9高约10%的N2产率。
实施例9相比于实施例8:
新鲜的实施例9和8在250℃和450℃提供了类似的NH3转化率。老化的实施例8提供了在250℃比实施例9低10%的NH3转化率,和在450℃类似水平的NH3转化率。在250℃,新鲜的和老化的实施例 8产生了比新鲜的和老化的实施例9分别低约65%和低85%的N2O。结果,新鲜的和老化的实施例8在250℃提供了比新鲜的和老化的实施例9分别高约30%和高30%的N2产率。在450℃,新鲜的和老化的实施例8产生了比新鲜的和老化的实施例9分别低80%和低70%的 NOx。结果,新鲜的和老化的实施例8在450℃提供了比新鲜的和老化的实施例9分别高4%和高20%的N2产率。
前述实施例目的仅是说明性的;权利要求书限定了本发明的范围。

Claims (71)

1.用于防止氨泄漏的催化剂,其包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的组合,
其中第一SCR催化剂是包含铜和分子筛的Cu-SCR催化剂,或者包含铁和分子筛的Fe-SCR催化剂,和
其中该氨储存性低的载体是含硅载体,该含硅载体包括二氧化硅与氧化铝之比≥300的沸石。
2.根据权利要求1所述的催化剂,其中该组合是氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物。
3.根据权利要求1所述的催化剂,其中该组合是具有顶层和底层的双层,该顶层包含第一SCR催化剂,该底层包含氨储存性低的载体上的铂,其中该底层位于基底上或者位于处在底层和基底之间的第三SCR催化剂上。
4.根据权利要求1所述的催化剂,其中该含硅载体包括二氧化硅与氧化铝之比≥500的沸石。
5.根据权利要求1所述的催化剂,其中该含硅载体包括BEA、CDO、CON、FAU、MEL、MFI或MWW。
6.根据权利要求2所述的催化剂,其中第一SCR催化剂的量与该氨储存性低的载体上的铂的量之比是3:1-300:1,包括端值,基于这些组分的重量计。
7.根据权利要求2所述的催化剂,其中该氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物进一步包含钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、钌(Ru)或铑(Rh)的至少一种。
8.根据权利要求3所述的催化剂,其中包含氨储存性低的载体上的铂的该底层进一步包含金(Au)、铱(Ir)、钯(Pd)、铑(Rh)、钌(Ru)或银(Ag)的至少一种。
9.根据权利要求1所述的催化剂,其中该分子筛是铝硅酸盐、铝磷酸盐(AlPO)、硅-铝磷酸盐(SAPO)或其混合物。
10.根据权利要求1所述的催化剂,其中该分子筛选自骨架类型ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、BEA、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、FER、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MFI、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG和ZON及其混合物和/或共生体。
11.根据权利要求1所述的催化剂,其中该分子筛选自骨架类型AEI、AFX、BEA、CHA、DDR、ERI、FER、ITE、KFI、LEV、MFI和SFW及其混合物和/或共生体。
12.根据权利要求2所述的催化剂,其中铂相对于该共混物中铂的载体的重量+铂的重量+第一SCR催化剂的重量计以以下的至少一种存在:(a)0.01-0.3wt%,(b)0.03-0.2wt%,(c)0.05-0.17wt%,和(d)0.07-0.15wt%,包括端值。
13.根据权利要求3所述的催化剂,其中铂相对于该层的重量计的存在量是0.1wt%-2wt%,包括端值。
14.根据权利要求3所述的催化剂,其中铂相对于该层的重量计的存在量是0.1wt%-1wt%,包括端值。
15.根据权利要求3所述的催化剂,其中铂相对于该层的重量计的存在量是0.1wt%-0.5wt%,包括端值。
16.根据权利要求2所述的催化剂,其进一步包含第二SCR催化剂,其中第二SCR催化剂和该氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且至少部分地叠覆该氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物。
17.根据权利要求16所述的催化剂,其中第二SCR催化剂包含贱金属、贱金属的氧化物、贵金属、分子筛、金属交换的分子筛、混合氧化物或其混合物。
18.根据权利要求17所述的催化剂,其中该贱金属选自钒(V)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、铈(Ce)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)及其混合物。
19.根据权利要求18所述的催化剂,其进一步包含至少一种贱金属促进剂。
20.根据权利要求19所述的催化剂,其中该贱金属促进剂是Nb。
21.根据权利要求17所述的催化剂,其中该分子筛或该金属交换的分子筛是小孔的、中孔的、大孔的或其混合物。
22.根据权利要求17所述的催化剂,其中第二SCR催化剂包括选自以下的小孔分子筛:铝硅酸盐分子筛、金属取代的铝硅酸盐分子筛、铝磷酸盐(AlPO)分子筛、金属取代的铝磷酸盐(MeAlPO)分子筛、硅-铝磷酸盐(SAPO)分子筛和金属取代的硅-铝磷酸盐(MeAPSO)分子筛及其混合物。
23.根据权利要求18所述的催化剂,其中第二SCR催化剂包括选自以下骨架类型的小孔分子筛:ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG和ZON及其混合物和/或共生体。
24.根据权利要求18所述的催化剂,其中第二SCR催化剂包括选自以下骨架类型的小孔分子筛:CHA、LEV、AEI、AFX、ERI、SFW、KFI、DDR和ITE。
25.根据权利要求18所述的催化剂,其中第二SCR催化剂包括选自以下骨架类型的中孔分子筛:AEL、AFO、AHT、BOF、BOZ、CGF、CGS、CHI、DAC、EUO、FER、HEU、IMF、ITH、ITR、JRY、JSR、JST、LAU、LOV、MEL、MFI、MFS、MRE、MTT、MVY、MWW、NAB、NAT、NES、OBW、PAR、PCR、PON、PUN、RRO、RSN、SFF、SFG、STF、STI、STT、STW、SVR、SZR、TER、TON、TUN、UOS、VSV、WEI、和WEN及其混合物和/或共生体。
26.根据权利要求18所述的催化剂,其中第二SCR催化剂包括选自以下骨架类型的大孔分子筛:AFI、AFR、AFS、AFY、ASV、ATO、ATS、BEA、BEC、BOG、BPH、BSV、CAN、CON、CZP、DFO、EMT、EON、EZT、FAU、GME、GON、IFR、ISV、ITG、IWR、IWS、IWV、IWW、JSR、LTF、LTL、MAZ、MEI、MOR、MOZ、MSE、MTW、NPO、OFF、OKO、OSI、RON、RWY、SAF、SAO、SBE、SBS、SBT、SEW、SFE、SFO、SFS、SFV、SOF、SOS、STO、SSF、SSY、USI、UWY和VET及其混合物和/或共生体。
27.根据权利要求16所述的催化剂,其中第二SCR催化剂完全叠覆该氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物。
28.根据权利要求16所述的催化剂,其中第二SCR催化剂是包含铜和分子筛的Cu-SCR催化剂、包含铁和分子筛的Fe-SCR催化剂、钒基催化剂、促进的Ce-Zr或促进的MnO2
29.根据权利要求16所述的催化剂,其进一步包含第三SCR催化剂,其中第三SCR催化剂和该氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物相邻布置,并且该氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物至少部分地叠覆第三SCR催化剂。
30.根据权利要求29所述的催化剂,其中第三SCR催化剂是贱金属、贱金属的氧化物、贵金属、分子筛、金属交换的分子筛或其混合物。
31.根据权利要求30所述的催化剂,其中贱金属选自钒(V)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、铈(Ce)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)及其混合物。
32.根据权利要求30所述的催化剂,其进一步包含至少一种贱金属促进剂。
33.根据权利要求30所述的催化剂,其中该分子筛或该金属交换的分子筛是小孔的、中孔的、大孔的或其混合物。
34.根据权利要求30所述的催化剂,其中第三SCR催化剂包括选自以下的小孔分子筛:铝硅酸盐分子筛、金属取代的铝硅酸盐分子筛、铝磷酸盐(AlPO)分子筛、金属取代的铝磷酸盐(MeAlPO)分子筛、硅-铝磷酸盐(SAPO)分子筛和金属取代的硅-铝磷酸盐(MeAPSO)分子筛及其混合物。
35.根据权利要求30所述的催化剂,其中第三SCR催化剂包括选自以下骨架类型的小孔分子筛:ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG和ZON及其混合物和/或共生体。
36.根据权利要求30所述的催化剂,其中第三SCR催化剂包括选自以下骨架类型的小孔分子筛:CHA、LEV、AEI、AFX、ERI、SFW、KFI、DDR和ITE。
37.根据权利要求30所述的催化剂,其中第三SCR催化剂包括选自以下骨架类型的中孔分子筛:AEL、AFO、AHT、BOF、BOZ、CGF、CGS、CHI、DAC、EUO、FER、HEU、IMF、ITH、ITR、JRY、JSR、JST、LAU、LOV、MEL、MFI、MFS、MRE、MTT、MVY、MWW、NAB、NAT、NES、OBW、PAR、PCR、PON、PUN、RRO、RSN、SFF、SFG、STF、STI、STT、STW、SVR、SZR、TER、TON、TUN、UOS、VSV、WEI和WEN及其混合物和/或共生体。
38.根据权利要求30所述的催化剂,其中第三SCR催化剂包括选自以下骨架类型的大孔分子筛:AFI、AFR、AFS、AFY、ASV、ATO、ATS、BEA、BEC、BOG、BPH、BSV、CAN、CON、CZP、DFO、EMT、EON、EZT、FAU、GME、GON、IFR、ISV、ITG、IWR、IWS、IWV、IWW、JSR、LTF、LTL、MAZ、MEI、MOR、MOZ、MSE、MTW、NPO、OFF、OKO、OSI、RON、RWY、SAF、SAO、SBE、SBS、SBT、SEW、SFE、SFO、SFS、SFV、SOF、SOS、STO、SSF、SSY、USI、UWY和VET及其混合物和/或共生体。
39.根据权利要求30所述的催化剂,其中第三SCR催化剂是包含铜和分子筛的Cu-SCR催化剂、包含铁和分子筛的Fe-SCR催化剂、钒基催化剂、促进的Ce-Zr或促进的MnO2
40.根据权利要求1所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂提高了在250℃-350℃的温度由氨到N2的产率,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
41.根据权利要求2所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂提高了在250℃-350℃的温度由氨到N2的产率,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
42.根据权利要求3所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂提高了在250℃-350℃的温度由氨到N2的产率,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
43.根据权利要求12所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂提供以下至少一种:(a)提高在350℃-450℃的温度由氨到N2的产率,和(b)减少在350℃-450℃的温度形成的NOx,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
44.根据权利要求27所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂提供以下至少一种:(a)提高在350℃-450℃的温度由氨到N2的产率,和(b)减少在350℃-450℃的温度形成的NOx,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
45.根据权利要求29所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂提供以下至少一种:(a)提高在350℃-450℃的温度由氨到N2的产率,和(b)减少在350℃-450℃的温度形成的NOx,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
46.根据权利要求1所述的催化剂,其中与包含相当的配方的催化剂相比,该催化剂减少由NH3形成的N2O,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和负载的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
47.制品,其包含根据权利要求1所述的催化剂、基底、入口和出口。
48.根据权利要求47所述的制品,其中该基底是堇青石、高孔隙率堇青石、金属基底、挤出的SCR、壁流式过滤器、过滤器或SCRF。
49.制品,其包含根据权利要求12所述的催化剂、基底、入口和出口。
50.根据权利要求49所述的制品,其中该基底是堇青石、高孔隙率堇青石、金属基底、挤出的SCR、壁流式过滤器、过滤器或SCRF。
51.根据权利要求49所述的制品,其中第二SCR催化剂位于该包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的该催化剂的入口侧上。
52.根据权利要求49所述的制品,其中第二SCR催化剂位于该包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的该催化剂的出口侧上。
53.制品,其包含根据权利要求29所述的催化剂、基底、入口和出口,其中第三SCR催化剂位于该包含氨储存性低的载体上的铂与第一SCR催化剂的共混物的该催化剂的入口侧上。
54.根据权利要求51所述的制品,其中该基底是堇青石、高孔隙率堇青石、金属基底、挤出的SCR、壁流式过滤器、过滤器或SCRF。
55.根据权利要求52所述的制品,其中该基底是堇青石、高孔隙率堇青石、金属基底、挤出的SCR、壁流式过滤器、过滤器或SCRF。
56.排气系统,其包含根据权利要求1所述的催化剂和用于在废气中形成NH3的装置。
57.排气系统,其包含根据权利要求16所述的催化剂和用于在废气中形成NH3的装置。
58.排气系统,其包含根据权利要求29所述的催化剂和用于在废气中形成NH3的装置。
59.制造根据权利要求2所述的催化剂的方法,该方法包括使包含氨储存性低的载体上的铂的催化剂与第一SCR催化剂共混。
60.提高在250℃-350℃的温度由废气中的氨到N2的产率的方法,该方法包括使含氨废气与根据权利要求1所述的催化剂接触。
61.根据权利要求60所述的方法,其中与包含相当的配方的催化剂相比,产率提高了5%-10%,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和储存氨的载体上的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
62.提高在250℃-350℃的温度由废气中的氨到N2的产率的方法,该方法包括使含氨废气与根据权利要求10所述的催化剂接触。
63.根据权利要求62所述的方法,其中与包含相当的配方的催化剂相比,产率提高了10%-20%,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和储存氨的载体上的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
64.提高在250℃-350℃的温度由废气中的氨到N2的产率的方法,该方法包括使含氨废气与根据权利要求25所述的催化剂接触。
65.根据权利要求64所述的方法,其中与包含相当的配方的催化剂相比,产率提高了10%-20%,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和储存氨的载体上的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
66.减少由废气中的NH3形成N2O的方法,方法包括将含氨废气与根据权利要求1所述的催化剂接触。
67.根据权利要求66所述的方法,其中与包含相当的配方的催化剂相比,N2O形成减少了20%-40%,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和储存氨的载体上的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
68.减少由废气中的NH3形成N2O的方法,该方法包括使含氨废气与根据权利要求10所述的催化剂接触。
69.根据权利要求68所述的方法,其中与包含相当的配方的催化剂相比,N2O形成减少了50%-80%,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和储存氨的载体上的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
70.减少由废气中的NH3形成N2O的方法,该方法包括使含氨废气与根据权利要求25所述的催化剂接触。
71.根据权利要求70所述的方法,其中与包含相当的配方的催化剂相比,N2O形成减少了50%-80%,在该包含相当的配方的催化剂中,第一SCR催化剂作为第一层存在,和储存氨的载体上的铂存在于第二层中,并且含NH3气体先经过第一层,然后经过第二层。
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