CN107845573B - 调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

Description

调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法
本申请要求于2016年9月20日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0120308号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及制造校正其特征尺寸的标线。
背景技术
通常，制造半导体器件的工艺可以包括多个单元工艺，所述单元工艺包括薄膜沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。光刻工艺可以包括使用曝光系统来执行的曝光工艺。曝光系统可以包括标线(reticle)，可以在标线中设置金属标线图案。
发明内容
根据发明构思的实施例可以提供被构造为对用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸进行调整的方法、系统和计算机程序产品。
在根据发明构思的一些实施例中，调整用于制造半导体器件的标线中的标线图案的特征尺寸的方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，所述第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，所述第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。
在根据发明构思的一些实施例中，校正标线图案的特征尺寸的方法可以包括获得包括在图像中的标线图案的第一特征尺寸并向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。
在根据发明构思的一些实施例中，制造标线的方法可以包括在基底上形成金属层并在金属层上形成掩模图案。可以将掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻金属层以在基底上形成标线图案。可以获得标线图案的图像连同图像中的标线图案的第一特征尺寸。向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。
在根据发明构思的一些实施例中，校正标线图案的特征尺寸的方法可以包括获得图像中的标线图案的特征尺寸的平均值，其中，所述特征尺寸对应于图像中的标线图案之间的距离。可以将平均值与目标值进行比较，当平均值大于目标值时，可以向标线图案局部地施用薄层以校正特征尺寸中的至少一个。
在根据发明构思的一些实施例中，制造半导体器件的方法可以包括将标线图案用作光掩模将光曝光在半导体基底上并在半导体基底上形成半导体器件。可以获得标线图案的图像连同图像中的标线图案的第一特征尺寸。向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。
附图说明
通过下面结合附图进行的简要说明，将更清楚地理解示例实施例。附图代表如这里所描述的非限制性示例实施例。
图1是示出根据发明构思的一些实施例的制造标线的方法的流程图。
图2至图7是顺序地示出图1的方法中的工艺步骤的剖视图。
图8是示出将要提供到图4的掩模层上的电子束的参考图的平面图。
图9是示出图1的校正标线图案的特征尺寸的步骤的示例的流程图。
图10是示出测量图6的标线图案的测量系统的示例的图。
图11是示意性示出使用图10的测量系统获得的标线图案图像的图。
图12是示出图9的获得第一特征尺寸的步骤的示例的流程图。
图13是包括与图11的图像中的标线图案的第一特征尺寸有关的信息的检测图的示例。
图14是从图13的检测图产生的校正图的示例。
图15是示出被构造为根据图14的校正图来产生大气压等离子体的大气压等离子体系统的图。
具体实施方式
图1的使用是示出根据发明构思的一些实施例的制造标线的方法的流程图。
参照图1，制造标线的方法可以包括：在基底上形成第一薄层(步骤S100)、形成掩模层(步骤S200)、将第一电子束提供到所述掩模层上(步骤S300)、形成掩模图案(步骤S400)、形成标线图案(步骤S500)并且校正所述标线图案的第一特征尺寸(步骤S600)。
图2至图7是顺序地示出图1的方法中的工艺步骤的剖视图。
参照图1和图2，可以在基底10上形成第一薄层12(步骤S100)。例如，基底10可以由透明玻璃或硅晶片形成或者包括透明玻璃或硅晶片。第一薄层12可以通过物理气相沉积法或化学气相沉积法来形成。第一薄层12可以由金属层(例如，铬或镍层)形成或包括金属层(例如，铬或镍层)。在某些实施例中，第一薄层12可以由介电材料(例如，氧化硅或氮化硅)形成或包括介电材料(例如，氧化硅或氮化硅)。
参照图1和图3，可以在第一薄层12上形成掩模层14(步骤S200)。掩模层14可以包括光致抗蚀剂材料。
图8示出了将要向图4的掩模层14上提供第一电子束16的参考图(reference map)20的示例。
参照图1、图4和图8，可以将第一电子束16提供到掩模层14上(步骤S300)。例如，可以使用电子束曝光系统18将第一电子束16部分地提供到掩模层14上。可以根据参考图20中的参考图案22来执行将第一电子束16提供到掩模层14上。提供第一电子束16可以导致掩模层的暴露部分14a的物理和化学特性的改变。例如，参考图20可以包括目标图(target map)或蚀刻邻近校正图(etch proximity correction map)。可以考虑蚀刻邻近效应而通过对目标图进行校正来获得蚀刻邻近校正图。
参照图1和图5，可以形成掩模图案15(步骤S400)。可以对掩模层14执行显影工艺来形成掩模图案15。在一些实施例中，可以在形成掩模图案15之后去除掩模层的暴露部分14a。掩模图案15可以被形成为部分地暴露第一薄层12。
参照图1和图6，可以通过对第一薄层12的暴露部分进行蚀刻来形成标线图案13(步骤S500)。蚀刻第一薄层12的步骤可以包括各向异性的干蚀刻方式。然后，可以去除掩模图案15。标线图案13可以被形成为具有第一特征尺寸32。例如，第一特征尺寸32中的每个可以具有亮场特征尺寸和/或暗场特征尺寸。亮场特征尺寸可以是清晰图案的特征尺寸。作为示例，亮场特征尺寸可以对应于相邻标线图案13之间的距离。暗场特征尺寸可以对应于每个标线图案13的宽度。在下文中，为了简单起见，下面的描述将参照第一特征尺寸32为亮场特征尺寸的示例，但根据发明构思的实施例不限于此。
标线图案13可以限定将提供到半导体基底上的光强度的空间分布。将提供到半导体基底上的光可以用于在半导体基底上制造半导体器件。如果在制造半导体器件的过程中出现故障，那么可以基于半导体器件的特征尺寸来校正标线图案13。
图9是示出图1的校正标线图案13的特征尺寸的步骤S600的示例的流程图。
参照图1、图7以及图9，可以将标线图案13校正为具有第二特征尺寸34(步骤S600)。在一些实施例中，第一特征尺寸32可以与第二特征尺寸34不同。第二特征尺寸34中的每个可以对应于预定目标值。第二特征尺寸34中的每个可以比第一特征尺寸32中的对应的一个小。在某些实施例中，第二特征尺寸34中的每个可以比第一特征尺寸32中的对应的一个大。在第一特征尺寸32等于第二特征尺寸34的情况下，可以省略步骤S600。
参照图7，可以使用大气压等离子体法来将标线图案13从第一特征尺寸32校正到第二特征尺寸34。例如，可以执行大气压等离子体法以在标线图案13和基底10上局部地形成第二薄层17。第二特征尺寸34可以与形成在标线图案13的相对侧壁上的第二薄层17的面对的表面之间的距离对应。第二特征尺寸34可以比第一特征尺寸32小。例如，第二薄层17可以由氧化硅层形成或包括氧化硅层。在一些实施例中，标线图案13和第二薄层17可以被用作和/或当做大的显示装置、ArF准分子激光系统和极紫外(EUV)曝光系统的标线。例如，在用于制造半导体器件的图案化工艺期间，标线图案13和第二薄层17可用于确定从光源(例如，ArF准分子激光器或EUV)提供的光的投影强度的空间分布。如图7所示，在一些实施例中，大气等离子体的局部使用可以允许调节标线图案13的位于基底的特定区域内的特征尺寸，同时保持标线图案13的位于所述特定区域外的特征尺寸基本上不变，从而可以减小标线图案13的位于局部区域内与局部区域外的特征尺寸之间的差。
可以使用大气压等离子体来蚀刻标线图案13。与未使用大气压等离子体蚀刻标线时相比，这会导致标线图案13之间的距离增大。第二特征尺寸34可以与已蚀刻的标线图案13之间的距离对应。在这种情况下，第二特征尺寸34中的每个会比第一特征尺寸32中的对应的一个大。
参照图9，步骤S600可以包括：获得标线图案13的图像(步骤S610)、获得第一特征尺寸32(步骤S620)、确定是否能够改变第一特征尺寸32(步骤S630)、获得第一特征尺寸32的校正图(步骤S640)、将第一特征尺寸32的平均值与目标值进行比较(步骤S650)、提供大气压等离子体(步骤S660)。
图10示出了测量图6的标线图案13的测量系统40的示例。图11示出了可以使用图10的测量系统40获得的标线图案13的图像10a的示例。
参照图9至图11，测量系统40可以被构造为测量标线图案13并获得标线图案13的图像10a(步骤S610)。例如，测量系统40可以包括电子显微镜或光学显微镜。在一些实施例中，测量系统40可以包括第一载物台42、电子枪44、检测器46和第一控制电路48。第一载物台42可以被构造为其上装载基底10。第一载物台42还可以被构造为相对于电子枪44和检测器46移动基底10。电子枪44可以被构造为将第二电子束45提供到基底10上。第二电子束45可以用于从基底10和标线图案13产生二次电子47。检测器46可以被配置为检测二次电子47。第一控制电路48可以被配置为从二次电子47的检测信号获得基底10和标线图案13的图像10a。
图12示出了图9的获得第一特征尺寸32的步骤S620的示例。
参照图9至图12，可以使用第一控制电路48来获得图像10a中的标线图案13的第一特征尺寸32(步骤S620)。在一些实施例中，获得第一特征尺寸32的步骤(步骤S620)可以包括：测量或者检测第一特征尺寸32(步骤S622)、产生第一特征尺寸32的检测图(步骤S624)、确定第一特征尺寸32的平均值(步骤S626)、并确定第一特征尺寸32的变化值或离差(dispersion)值(步骤S628)。
参照图10和图12，第一控制电路48可用于测量或检测图像10a中的标线图案13的第一特征尺寸32(步骤S622)。第一特征尺寸32中的每个可以是与标线图案13之间的距离对应的数字并且可以由步骤S622来确定。
图13示出了包含与图11的图像10a中的标线图案13的第一特征尺寸32有关的信息的检测图50的示例。
参照图10、图12和图13，可以使用第一控制电路48来产生第一特征尺寸32的检测图50(步骤S624)。该检测图50可以包括多个第一单元52。例如，检测图50中包括的第一单元52的数量可以是88。在某些实施例中，检测图50中包括的第一单元52的数量可以是640×480、1280×720、1920×1080、3840×2160、4096×2160或7680×4320。此外，第一单元52可以分别具有第一特征尺寸32。在一些实施例中，在每个第一单元52之内，第一特征尺寸32可以被表示为数值。换言之，在第一单元52之内的数值可以对应于第一特征尺寸32。例如，第一单元52可以具有范围从约9.3nm至约13nm的第一特征尺寸32。
然后，可以使用第一控制电路48来确定第一特征尺寸32的平均值(步骤S626)。在一些实施例中，第一特征尺寸32的平均值可以是将检测图50中的第一特征尺寸32的和除以第一单元52的数量而获得的值。例如，检测图50中的第一特征尺寸32的平均值可以是大约10.24。
可以使用第一控制电路48来确定第一特征尺寸32的离差值(步骤S628)。在一些实施例中，可以使用3-sigma方法来计算第一特征尺寸32的离差值。例如，第一特征尺寸32的离差值可以是2.49。第一特征尺寸32的离差值可以对应于第一特征尺寸32的均匀性。在某些实施例中，第一特征尺寸32的均匀性可以被表示为第一特征尺寸32的离差值的倒数。
返回参照图9和图10，还可以使用第一控制电路48来确定是否能够校正第一特征尺寸32(步骤S630)。可以由第一特征尺寸32的离差值来确定校正第一特征尺寸32的可能性。在第一特征尺寸32的离差值小于3的情况下，能够校正第一特征尺寸32。这里，3的值可以是以经验方式获得的值。相反，在第一特征尺寸32的均匀性大于3的情况下，会难以校正第一特征尺寸32。即，在第一特征尺寸32与第二特征尺寸34之间的差过大的情况下，会难以校正第一特征尺寸32。
图14示出了从图13的检测图50产生的校正图60。
可以使用第一控制电路48来产生第一特征尺寸32的校正图60(步骤S640)。在一些实施例中，可以从检测图50产生校正图60。校正图60可以包括多个第二单元62。第二单元62可以对应于第一单元52。校正图60的第二单元62可以具有表示目标值与第一特征尺寸32之间的差的差值64。在一些实施例中，差值64可以是用于将第一特征尺寸32改变为第二特征尺寸34的校正值。例如，当目标值为10nm时，第二单元62的差值64可以在-0.7nm至3nm的范围内。
然后，可以使用第一控制电路48将第一特征尺寸32的平均值与目标值进行比较并且基于比较结果确定大气压等离子体的使用(步骤S650)。大气压等离子体法可以包括例如薄膜沉积工艺或蚀刻工艺。在某些情况下，平均值和目标值可以相同。在一些实施例中，即使平均值和目标值相同，也可以在第一控制电路48的控制下，将薄膜沉积工艺和蚀刻工艺中的一种作为大气压等离子体法执行。可以基于校正图60来执行薄膜沉积工艺或蚀刻工艺。在平均值和目标值彼此不同的情况下，可以使用第一控制电路48来选择对标线图案13执行的薄膜沉积工艺和蚀刻工艺中的一种。可以基于平均值和目标值之间的比较而对标线图案13执行薄膜沉积工艺或蚀刻工艺。
图15示出大气压等离子体系统100的示例，其被构造为根据图14的校正图60来提供大气压等离子体152。
参照图9和图15，大气压等离子体系统100可以被构造为根据校正图60向标线图案13和/或基底10上提供大气压等离子体152(步骤S660)。
例如，大气压等离子体系统100可以被构造为局部地提供大气压等离子体152。在一些实施例中，大气压等离子体系统100可以包括腔室110、第二载物台120、反应气体供给单元130、射频供给单元140、等离子体枪150和第二控制电路160。腔室110可以构造成为基底10提供隔离的空间。第二载物台120可以设置在腔室110中。第二载物台120可以构造成其上装载基底10。第二载物台120还可以构造成相对于等离子体枪150移动基底10。反应气体供给单元130可以构造成将反应气体132供应到腔室110中。反应气体132可以包含He、N2、O2、SiH4、Cl2、CF4、SF6或CHF3。射频供给单元140可以构造成向等离子体枪150提供射频功率。例如，射频功率可以在约30W至约450W的范围内。等离子体枪150可以构造成在基底10上局部地形成大气压等离子体152。等离子体枪150可以包括射频电极。可以使用第二控制电路160来控制第二载物台120、反应气体供给单元130、射频供给单元140和等离子体枪150。可以使用大气压等离子体152来执行薄膜沉积工艺和/或蚀刻工艺。在某些实施例中，可以采用远程等离子体系统或真空等离子体系统来代替大气压等离子体系统100。例如，大气压等离子体152可以是远程等离子体。
参照图9，提供大气压等离子体152的步骤(步骤S660)可以包括形成第二薄层17(步骤S662)和蚀刻标线图案13(步骤S664)。
参照图7、图9和图15，在平均值大于目标值的情况下，可以使用大气压等离子体系统100基于校正图60在基底10和标线图案13上局部地形成第二薄层17(步骤S662)。例如，反应气体供给单元130可以将He和SiH4供给到腔室110中。可以使用大气压等离子体152在标线图案13上局部地形成第二薄层17。第二薄层17可以用于将至少一个标线图案13的第一特征尺寸32改变为第二特征尺寸34。第二特征尺寸34可以小于第一特征尺寸32中的至少一个。可以由第二薄层17的厚度来确定第二特征尺寸34。可以根据第二载物台120的移动速度来改变第二薄层17的厚度。例如，如果第二载物台120和基底10以低速移动，由大气压等离子体152形成的第二薄层17可以具有相对大的厚度。在这种情况下，第一特征尺寸32与第二特征尺寸34之间的差可以相对增大。相反，在第二载物台120以高速移动的情况下，第二薄层17可以具有相对小的厚度。在这种情况下，第一特征尺寸32与第二特征尺寸34之间的差可以相对减小。即，可以使用等离子体系统100来控制第二薄层17的厚度，从而将第一特征尺寸32校正为第二特征尺寸34。
相反，在平均值小于目标值的情况下，可以使用大气压等离子体系统100基于校正图60来蚀刻标线图案13(步骤S664)。例如，反应气体供给单元130可以将He、N2、O2、Cl2、CF4、SF6或CHF3供给到腔室110中。可以使用大气压等离子体152局部地蚀刻标线图案13。作为蚀刻工艺的结果，标线图案13可以具有第二特征尺寸34。第二特征尺寸34中的每个可以比第一特征尺寸32中的对应的一个大。可以根据标线图案13的蚀刻量来确定第二特征尺寸34。例如，在第二载物台120和基底10以低速移动的情况下，标线图案13的蚀刻量可以增加。因此，标线图案13之间的距离可以增大。换言之，标线图案13的第一特征尺寸32与第二特征尺寸34之间的差可以相对地增大。在第二载物台120以高速移动的情况下，标线图案13的蚀刻量可以减少。因此，标线图案13之间的距离可以相对少量地增大，因此，第一特征尺寸32与第二特征尺寸34之间的差可以相对地减小。即，可以使用等离子体系统100来控制标线图案13的蚀刻量，从而将第一特征尺寸32校正到第二特征尺寸34。
在平均值与目标值相同的情况下，提供大气压等离子体152的步骤(步骤S660)还可以包括基于校正图60来执行薄膜沉积工艺和蚀刻工艺中的一种工艺，大气压等离子体系统100可以用于这种工艺。
根据本发明构思的一些实施例，校正标线图案的特征尺寸的方法可以包括向其特征尺寸为第一特征尺寸的标线图案中的至少一个上局部地提供等离子体。使用等离子体可以使得能够允许至少一个标线图案具有与其第一特征尺寸不同的特征尺寸。例如，使用等离子体可以允许标线图案具有与第一特征尺寸不同的第二特征尺寸。这里，第二特征尺寸可以小于或大于第一特征尺寸。
尽管已具体示出并描述了发明构思的示例实施例，但本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的改变。

Claims (17)

1.一种校正标线图案的特征尺寸的方法，所述方法包括：
获得标线图案的图像；
获得图像中的标线图案的第一特征尺寸，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸并且确定第一特征尺寸的平均值；
获得第一特征尺寸的检测图；
将第一特征尺寸的平均值与对应于第二特征尺寸的目标值进行比较；
获得包含目标值与检测图中的标线图案的第一特征尺寸之间的差值的校正图；以及
向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸，
其中，向标线图案局部地提供等离子体的步骤包括：基于校正图，当平均值大于目标值时，在基底上与多个单元对应的每个位置处，独立地提供等离子体枪来生成等离子体，以选择性地在标线图案上形成薄层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，薄层包括氧化硅层，
第二特征尺寸与形成在标线图案的相对侧壁上的氧化硅层的面对的表面之间的距离对应。
3.如权利要求1所述的方法，其中，局部地提供等离子体的步骤包括：
当平均值小于目标值时，基于校正图来蚀刻标线图案，以提供已蚀刻的标线图案，
第二特征尺寸与已蚀刻的标线图案之间的距离对应。
4.如权利要求1所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的步骤还包括计算第一特征尺寸的离差值，
所述方法还包括基于离差值来确定是否校正第一特征尺寸。
5.如权利要求4所述的方法，其中，使用3-sigma方法计算离差值，
确定是否校正第一特征尺寸的步骤包括确定离差值是否小于3。
6.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体包括大气压等离子体或远程等离子体。
7.如权利要求1所述的方法，其中，第一特征尺寸中的每个包括与标线图案之间的距离对应的明场特征尺寸。
8.一种制造标线的方法，所述方法包括：
在基底上形成薄层；
在薄层上形成掩模图案；
将掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻薄层以在基底上形成标线图案；
获得标线图案的图像；
获得图像中的标线图案的第一特征尺寸，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸，并且确定第一特征尺寸的平均值；
获得第一特征尺寸的检测图；
将第一特征尺寸的平均值与对应于第二特征尺寸的目标值进行比较；
获得包含目标值与检测图中的标线图案的第一特征尺寸之间的差值的校正图；以及
向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸，
其中，向标线图案局部地提供等离子体的步骤包括：基于校正图，当平均值大于目标值时，在基底上与多个单元对应的每个位置处，独立地提供等离子体枪来生成等离子体，以选择性地在标线图案上形成薄层。
9.如权利要求8所述的方法，其中，根据参考图来形成掩模图案。
10.如权利要求8所述的方法，其中，局部地提供等离子体的步骤包括：在标线图案上提供大气压等离子体。
11.如权利要求8所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的平均值的步骤还包括：
确定第一特征尺寸的离差值；并且
基于离差值来确定是否校正第一特征尺寸。
12.如权利要求8所述的方法，其中，薄层是金属层。
13.一种校正标线图案的特征尺寸的方法，所述方法包括：
获得图像中的标线图案的特征尺寸的平均值，其中，获得特征尺寸的平均值的步骤包括：获得标线图案的特征尺寸的检测图，并且其中，标线图案的特征尺寸对应于图像中的标线图案之间的距离；
将目标值与特征尺寸的平均值进行比较；
获得包含目标值与检测图中的特征尺寸之间的差值的校正图；以及
当特征尺寸的平均值大于目标值时，在标线图案上局部地沉积薄层以校正特征尺寸中的至少一个特征尺寸，
其中，在标线图案上局部地沉积薄层的步骤包括：基于校正图，当特征尺寸的平均值大于目标值时，在基底上与多个单元对应的每个位置处，独立地提供等离子体枪来局部地生成等离子体，以选择性地在标线图案上形成薄层。
14.如权利要求13所述的方法，其中，局部地沉积薄层的步骤包括在标线图案上提供大气压等离子体以在标线图案上形成薄层。
15.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：
当特征尺寸的平均值小于目标值时，基于校正图来蚀刻标线图案。
16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
将标线图案用作光掩模将光曝光在半导体基底上；
在半导体基底上形成半导体器件；
获得标线图案的图像；
获得图像中的标线图案的第一特征尺寸，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸并且确定第一特征尺寸的平均值；
获得第一特征尺寸的检测图；
将第一特征尺寸的平均值与对应于第二特征尺寸的目标值进行比较；
获得包含目标值与检测图中的标线图案的第一特征尺寸之间的差值的校正图；以及
在具有第一特征尺寸的标线图案上局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸，
其中，在标线图案上局部地提供等离子体的步骤包括：基于校正图，当平均值大于目标值时，在基底上与多个单元对应的每个位置处，独立地提供等离子体枪来生成等离子体，以选择性地在标线图案上形成薄层。
17.如权利要求16所述的方法，其中，利用ArF准分子激光光源或极紫外光源来提供光。
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