KR20090106896A - 포토마스크 제조방법 - Google Patents

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KR20090106896A KR1020080032290A KR20080032290A KR20090106896A KR 20090106896 A KR20090106896 A KR 20090106896A KR 1020080032290 A KR1020080032290 A KR 1020080032290A KR 20080032290 A KR20080032290 A KR 20080032290A KR 20090106896 A KR20090106896 A KR 20090106896A
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은, 투광기판 위에 차광층을 형성하는 단계와, 차광층 위에 차광층의 일부 표면을 노출시키는 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계와, 측정된 시디를 기준 시디와 비교하여 시디 편차를 계산하는 단계와, 시디 편차가 보정되도록 레지스트막패턴에 대한 추가 현상을 수행하는 단계와, 추가 현상된 레지스트막패턴을 식각마스크로 차광층의 노출부분을 제거하여 차광층패턴을 형성하는 단계와, 그리고 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
포토마스크, 시디 보정, 추가 현상, 시디 균일도

Description

포토마스크 제조방법{Method of fabricating photomask}
본 발명은 포토마스크 제조방법에 관한 것으로서, 특히 시디 보정이 용이하고 시디 균일도가 향상되도록 할 수 있는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 각종 패턴들로 구현되는데, 이와 같은 패턴들의 형성은 포토리소그라피(photolithography) 공정을 이용한 노광공정 및 현상공정과 함께 식각공정을 통해 이루어진다. 구체적으로 설명하면, 반도체웨이퍼 상의 절연막이나 도전막 등과 같이 패턴을 형성하여야 할 패턴대상막 위에 광의 조사에 의해 용해도가 변화하는 포토레지스트막을 형성하고, 이 포토레지스트막의 일정 부위를 포토마스크를 사용하여 노광시킨 후, 현상액에 대하여 용해도가 변화된 부분을 제거하여 포토레지스트막패턴을 형성한다. 그리고 이 포토레지스트막패턴에 의해 노출되는 패턴대상막을 식각공정을 통해 제거하여 패턴을 형성한다.
이 과정에서 포토레지스트막패턴은 노광시 사용되는 포토마스크상의 패턴이 전사되는 것이며, 이에 따라 포토마스크상의 패턴이 원하는 프로파일을 갖지 못하는 경우 포토레지스트막패턴 또한 원하는 프로파일로 형성되지 못하며, 결과적으로 웨이퍼상에 형성되는 패턴 또한 원하는 프로파일로 형성되지 못한다. 따라서 포토 마스크 제작시 포토마스크상의 패턴이 정확하게 형성되었는지의 여부는 중요하며, 이와 같은 이유로 포토마스크 제조과정에서 포토마스크상의 패턴들의 시디를 측정한 후에 시디 편차가 발생되는 경우 시디 보정을 위한 별도의 작업이 수행된다.
위상반전마스크(PSM; Phase Shift Mask)의 제조과정을 예로 들면, 먼저 투광기판 위에 위상반전층 및 차광층을 순차적으로 형성하고, 그 위에 레지스트막패턴을 형성한다. 다음에 레지스트막패턴에 대해 전자빔 또는 레이저빔을 이용한 노광을 수행한 후 현상하여 레지스트막패턴을 형성한다. 다음에 레지스트막패턴을 식각마스크로 차광층의 노출부분에 대한 식각을 수행하여 차광층패턴을 형성한다. 다음에 레지스트막패턴을 제거하고, 차광층패턴의 시디(CD; Critical Dimension)를 측정한다. 이어서 시디(CD) 편차가 있는 경우 다시 레지스트막을 코팅한 후에 노광 및 현상을 수행하여 시디(CD) 보정을 위한 레지스트막패턴을 형성한다. 그리고 이 레지스트막패턴을 이용한 식각으로 차광층패턴의 시디(CD)를 보정한다. 다음에 위상반전층의 노출부분을 식각하여 위상반전층패턴을 형성한 후 레지스트막패턴을 제거하고, 이어서 차광층패턴이 불필요한 부분의 차광층패턴을 제거한다. 그런데 이와 같이 시디(CD) 보정을 위해 레지스트막 코팅과 노광공정, 현상공정 및 차광층패턴에 대한 추가식각공정이 더 수행되어야 한다. 따라서 공정 단계들의 추가로 인하여 포토마스크 제조비용이 증대되고, 또한 결함(defect)들이 발생될 가능성 또한 높아져서 포토마스크 제조수율도 낮아진다는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 시디(CD) 보정을 위해 추가로 수행되는 단계들을 줄이면서 시디(CD) 보정과 함께 시디(CD) 균일도도 향상되도록 하는 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은, 투광기판 위에 차광층을 형성하는 단계와, 차광층 위에 차광층의 일부 표면을 노출시키는 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계와, 측정된 시디를 기준 시디와 비교하여 시디 편차를 계산하는 단계와, 시디 편차가 보정되도록 레지스트막패턴에 대한 추가 현상을 수행하는 단계와, 추가 현상된 레지스트막패턴을 식각마스크로 차광층의 노출부분을 제거하여 차광층패턴을 형성하는 단계와, 그리고 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은, 투광기판 위에 위상반전층 및 차광층을 형성하는 단계와, 차광층 위에 차광층의 일부 표면을 노출시키는 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계와, 측정된 시디를 기준 시디와 비교하여 시디 편차를 계산하는 단계와, 시디 편차가 보정되도록 레지스트막패턴에 대한 추가 현상을 수행하는 단계와, 추가 현상된 레지스트막패턴을 식각마스크로 차광층의 노출부분 및 위상반전층의 노출부분을 제거하여 차광층패턴 및 위상반전층패턴을 형성하는 단계와, 그리고 레지스트막패턴 및 차광층패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
본 실시예들에 있어서, 상기 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계는 원자력간현미경(AFM)을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상은 보정되어야 할 시디 편차에 대응되는 시간동안 이루어지도록 할 수 있다.
그리고 상기 투광기판의 영역별 시디 균일도를 측정하여 시디 균일도 편차를 계산하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상은, 계산된 시디 균일도 편차가 보정되도록 투광기판의 영역별로 서로 다른 양의 현상액이 공급되도록 수행할 수 있다.
본 발명에 따르면 다음과 같은 이점들이 제공된다. 첫째로 시디(CD) 측정을 원자력간현미경(AFM)을 사용하여 수행하므로 시디(CD) 측정과정에서의 레지스트막패턴의 로스(loss)를 억제할 수 있다. 둘째로, 추가 현상공정만 추가되므로 시디(CD) 보정을 위한 추가 단계들의 수가 현저히 줄어들어 결함 발생 가능성이 저하되며, 이에 따라 비용감소 및 수율증대를 유발시킬 수 있다. 셋째로, 추가 현상공정 진행시 현상액의 공급양을 영역별로 다르게 조절함으로써 시디(CD) 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다. 그리고 도 5 및 도 6은 도 3의 추가현상공 정을 보다 상세하게 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 먼저 도 1을 참조하면, 쿼츠(quartz)와 같은 투광기판(100) 위에 차광층(120)을 형성한다. 차광층(120)은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다음에 차광층(120) 위에 레지스트막(130)을 형성한다. 경우에 따라서는 투광기판(100) 위에 차광층(120) 및 레지스트막(130)이 순차적으로 형성되어 있는 구조의 블랭크 마스크(blank mask)를 이용할 수도 있다.
다음에 도 2를 참조하면, 레지스트막(도 1의 130)에 대한 전자빔 노광을 수행한다. 다른 예에서는 전자빔 노광 대신에 레이저빔 노광을 수행할 수도 있다. 다음에 노광이 이루어진 레지스트막(130)에 대한 현상공정을 수행하여 레지스트막패턴(132)을 형성한다. 이 레지스트막패턴(132)에 의해 투광영역 위의 차광층(120), 즉 차광층(120) 중에서 제거되어야 할 부분이 노출된다. 다음에 레지스트막패턴(132)의 시디(CD)를 측정한다. 레지스트막패턴(132)의 시디(CD) 측정은 원자력간현미경(AFM; Atomic Force Microscope)을 사용하여 수행한다. 통상적으로 시디(CD) 측정은 스캐닝전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)을 사용하여 수행할 수도 있지만, 이 경우 전자빔에 의해 레지스트막패턴(132)의 프로파일이 영향을 받아서 레지스트막패턴(132)의 로스(loss)가 발생될 수 있다. 따라서 본 실시예에서는 원자력간현미경(AFM)을 이용하여 레지스트막패턴(132)의 시디(CD)를 측정하여, 시디(CD) 측정과정에서 레지스트막패턴(132)의 프로파일이 영향을 받지 않도록 한다. 시디(CD) 측정은 레지스트막패턴(132)의 폭에 대해 이루어질 수도 있고, 또는 레지스트막패턴(132)의 피치(pitch)에 대해 이루어질 수도 있다.
다음에 도 3을 참조하면, 레지스트막패턴(도 2의 132)에 대한 추가 현상공정을 수행하여 시디(CD) 편차가 보정된 레지스트막패턴(134)을 형성한다. 추가 현상공정은 시디(CD) 보정이 이루어져야 할 레지스트막패턴(132)에 일정시간동안 현상액을 공급함으로써 이루어지며, 이 과정에서 레지스트막패턴의 폭을 수 nm 수준으로 조절할 수 있다. 시디(CD) 편차가 보정된 레지스트막패턴(134)은, 도면에서 점선으로 나타낸 시디(CD) 보정 전의 레지스트막패턴에 비하여 상대적으로 좁은 폭을 가지며, 따라서 시디(CD) 편차가 보정된 레지스트막패턴(134) 사이의 공간폭은 상대적으로 더 넓어진다.
시디(CD) 편차는 측정된 시디(CD)를 기준 시디(CD)와 비교함으로써 얻을 수 있다. 여기서 기준 시디(CD)는 설계에 의해 설정된 시디(CD)를 의미한다. 시디(CD) 편차가 계산되면, 수행하여야 할 추가 현상공정의 조건을 설정한다. 일 예에서 이 추가 현상공정의 조건은 현상공정이 수행되는 시간조건일 수 있다. 즉 추가 현상공정이 수행되는 시간은 시디(CD) 조절과 직접적인 연관성을 나타내는데, 구체적으로 추가 현상공정이 수행되는 시간이 길수록 조절되는 시디(CD)량은 커진다. 보정하여야 할 시디(CD) 편차에 대한 추가 현상공정 시간의 설정은 기 설정된 라이브러리(library)를 통해 결정된다. 즉 추가 현상공정을 진행하면서 진행 시간에 따른 시디(CD)의 변화량에 관한 데이터를 수집하고, 이를 데이터베이스화하여 라이브러리를 만든 후에 추가 현상공정을 적용하여야 할 경우 사용한다.
한편 위와 같은 추가 현상공정을 수행하면서 시디(CD) 균일도 향상을 위해 추가 현상공정의 현상액 공급조건을 다양하게 설정할 수 있다. 구체적으로 먼저 영 역별 시디 균일도(CD uniformity)를 측정하여 시디 균일도 편차를 계산한다. 이 계산 결과 영역별 시디 균일도 차이가 발생하는 경우 현상액의 공급량을 영역별로 다르게 설정하여 모든 영역에 걸쳐 균일한 시디(CD) 분포가 이루어지도록 한다. 일 예로서, 도 5에 스트림 노즐(stream nozzle)을 이용하는 경우에서의 시디 균일도 개선을 위한 현상액 공급방식을 나타내었다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 시디(CD) 보정이 이루어질 레지스트막패턴을 갖는 투광기판(100)을 지지대(510) 위에 지지되도록 한 상태에서 스트림 노즐(521, 522)을 통해 현상액(530)을 공급한다. 지지대(510)는, 도면에서 화살표(512)로 나타낸 바와 같이 일정 방향으로 회전하며, 이에 따라 투광기판(100) 또한 같은 방향으로 회전한다. 비록 도면상에는 두 개의 tm트림 노즐(521, 522)이 도시되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것으로서, 추가 현상공정중에는 두 개 중 어느 하나의 스트림 노즐만이 사용된다.
일 예로 중앙 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량이 가장자리 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량보다 큰 경우에는, 스트림 노즐(521)을 중앙 부분에 배치시킨 후에 현상액(530)을 공급한다. 그러면 보정하여야 할 시디(CD)량이 많은 중앙 부분에 현상액이 상대적으로 더 많이 공급되고, 보정하여야 할 시디(CD)량이 적은 가장자리 부분에는 현상액이 상대적으로 더 적에 공급된다. 따라서 중앙 부분과 가장자리 부분에 걸쳐 균일한 시디(CD) 분포를 얻을 수 있게 된다. 다른 예로 중앙 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량이 가장자리 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량보다 작은 경우에는, 스트림 노즐(522)을 가장자리 부분에 배치시킨 후에 현상액(530)을 공급한다. 그러면 보정하여야 할 시디(CD)량이 많은 가장자리 부분에 현 상액이 상대적으로 더 많이 공급되고, 보정하여야 할 시디(CD)량이 적은 중앙 부분에는 현상액이 상대적으로 더 적에 공급된다. 따라서 중앙 부분과 가장자리 부분에 걸쳐 균일한 시디(CD) 분포를 얻을 수 있게 된다.
다른 예로서, 도 6에는 엘앤에스 노즐(LNS nozzle)을 이용하는 경우에서의 시디 균일도 개선을 위한 현상액 공급방식을 나타내었다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 시디(CD) 보정이 이루어질 레지스트막패턴을 갖는 투광기판(100)을 지지대(610) 위에 지지되도록 한 상태에서 엘앤에스 노즐(620)을 통해 현상액(630)을 공급한다. 엘앤에스 노즐(620)은 투광기판(100)에 대향하는 부분에 현상액 공급구(621, 622)를 갖는다. 지지대(610)는, 도면에서 화살표(612)로 나타낸 바와 같이 일정 방향으로 회전하며, 이에 따라 투광기판(600) 또한 같은 방향으로 회전한다. 엘앤에스 노즐(620)을 이용하는 경우, 중앙 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량이 가장자리 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량보다 큰 경우에는, 중앙 부분에 위치한 현상액 공급구(621)로 공급되는 현상액(630)의 유량을 가장자리 부분에 위한 현상액 공급구(622)로 공급되는 현상액(630)의 유량보다 더 많게 한다. 반면에 중앙 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량이 가장자리 부분에서 보정하여야 할 시디(CD)량보다 작은 경우에는, 중앙 부분에 위치한 현상액 공급구(621)로 공급되는 현상액(630)의 유량을 가장자리 부분에 위한 현상액 공급구(622)로 공급되는 현상액(630)의 유량보다 더 작게 한다.
다음에 도 4를 참조하면, 추가 현상공정에 의해 시디(CD) 보정이 이루어진 레지스트막패턴(도 3의 134)을 식각마스크로 차광층(도 3의 120)의 노출부분을 제 거하는 식각을 수행한다. 이 식각에 의해 투광기판(100)의 투광영역을 노출시키는 차광층패턴(122)이 만들어진다. 차광층패턴(122)을 형성한 후에는 레지스트막패턴(134)을 제거한다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다. 먼저 도 7을 참조하면, 쿼츠(quartz)와 같은 투광기판(200) 위에 위상반전층(210) 및 차광층(220)을 형성한다. 위상반전층(210)은 몰리브데늄실리콘나이트라이드(MoSiN)막으로 형성할 수 있고, 차광층(220)은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다음에 차광층(220) 위에 레지스트막(230)을 형성한다. 경우에 따라서는 투광기판(200) 위에 위상반전층(210), 차광층(220) 및 레지스트막(230)이 순차적으로 형성되어 있는 구조의 블랭크 마스크(blank mask)를 이용할 수도 있다.
다음에 도 8을 참조하면, 레지스트막(도 7의 230)에 대한 전자빔 노광을 수행한다. 다른 예에서는 전자빔 노광 대신에 레이저빔 노광을 수행할 수도 있다. 다음에 노광이 이루어진 레지스트막(230)에 대한 현상공정을 수행하여 레지스트막패턴(232)을 형성한다. 다음에 레지스트막패턴(232)의 시디(CD)를 측정한다. 레지스트막패턴(232)의 시디(CD) 측정은 원자력간현미경(AFM)을 사용하여 수행하며, 이에 따라 시디(CD) 측정과정에서 레지스트막패턴(232)의 프로파일이 영향을 받지 않는다. 시디(CD) 측정은 레지스트막패턴(232)의 폭에 대해 이루어질 수도 있고, 또는 레지스트막패턴(232)의 피치(pitch)에 대해 이루어질 수도 있다.
다음에 도 9를 참조하면, 레지스트막패턴(도 8의 232)에 대한 추가 현상공정 을 수행하여 시디(CD) 편차가 보정된 레지스트막패턴(234)을 형성한다. 추가 현상공정은 시디(CD) 보정이 이루어져야 할 레지스트막패턴(232)에 일정시간동안 현상액을 공급함으로써 이루어지며, 이 과정에서 레지스트막패턴의 폭을 수 nm 수준으로 조절할 수 있다. 시디(CD) 편차가 보정된 레지스트막패턴(234)은, 도면에서 점선으로 나타낸 시디(CD) 보정 전의 레지스트막패턴에 비하여 상대적으로 좁은 폭을 가지며, 따라서 시디(CD) 편차가 보정된 레지스트막패턴(234) 사이의 공간폭은 상대적으로 더 넓어진다.
시디(CD) 편차는 측정된 시디(CD)를 기준 시디(CD)와 비교함으로써 얻을 수 있다. 여기서 기준 시디(CD)는 설계에 의해 설정된 시디(CD)를 의미한다. 시디(CD) 편차가 계산되면, 수행하여야 할 추가 현상공정의 조건을 설정한다. 일 예에서 이 추가 현상공정의 조건은 현상공정이 수행되는 시간조건일 수 있다. 즉 추가 현상공정이 수행되는 시간은 시디(CD) 조절과 직접적인 연관성을 나타내는데, 구체적으로 추가 현상공정이 수행되는 시간이 길수록 조절되는 시디(CD)량은 커진다. 보정하여야 할 시디(CD) 편차에 대한 추가 현상공정 시간의 설정은 기 설정된 라이브러리(library)를 통해 결정된다. 즉 추가 현상공정을 진행하면서 진행 시간에 따른 시디(CD)의 변화량에 관한 데이터를 수집하고, 이를 데이터베이스화하여 라이브러리를 만든 후에 추가 현상공정을 적용하여야 할 경우 사용한다. 한편 위와 같은 추가 현상공정을 수행하면서 시디(CD) 균일도 향상을 위해 추가 현상공정의 현상액 공급조건을 다양하게 설정할 수 있는데, 이는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 바와 동일하다.
다음에 도 10을 참조하면, 추가 현상공정에 의해 시디(CD) 보정이 이루어진 레지스트막패턴(도 9의 234)을 식각마스크로 차광층(도 8의 220) 및 위상반전층(도 8의 210)의 노출부분을 순차적으로 제거하는 식각을 수행한다. 이 식각에 의해 투광기판(200)의 투광영역을 노출시키는 위상반전층패턴(212) 및 차광층패턴(222)이 만들어진다. 다음에 도 11에 나타낸 바와 같이, 레지스트막패턴(도 10의 234) 및 차광층패턴(222)을 제거하여 위상반전마스크를 만든다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 5 및 도 6은 도 3의 추가현상공정을 보다 상세하게 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.

Claims (10)

  1. 투광기판 위에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층 위에 차광층의 일부 표면을 노출시키는 레지스트막패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계;
    상기 측정된 시디를 기준 시디와 비교하여 시디 편차를 계산하는 단계;
    상기 시디 편차가 보정되도록 상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상을 수행하는 단계;
    상기 추가 현상된 레지스트막패턴을 식각마스크로 상기 차광층의 노출부분을 제거하여 차광층패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계는 원자력간현미경(AFM)을 사용하여 수행하는 포토마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상은 보정되어야 할 시디 편차에 대응되는 시간동안 이루어지도록 하는 포토마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투광기판의 영역별 시디 균일도를 측정하여 시디 균일도 편차를 계산하는 단계를 더 포함하는 포토마스크 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상은, 상기 계산된 시디 균일도 편차가 보정되도록 상기 투광기판의 영역별로 서로 다른 양의 현상액이 공급되도록 수행하는 포토마스크 제조방법.
  6. 투광기판 위에 위상반전층 및 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층 위에 차광층의 일부 표면을 노출시키는 레지스트막패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계;
    상기 측정된 시디를 기준 시디와 비교하여 시디 편차를 계산하는 단계;
    상기 시디 편차가 보정되도록 상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상을 수행하는 단계;
    상기 추가 현상된 레지스트막패턴을 식각마스크로 상기 차광층의 노출부분 및 위상반전층의 노출부분을 제거하여 차광층패턴 및 위상반전층패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트막패턴 및 차광층패턴을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 레지스트막패턴의 시디를 측정하는 단계는 원자력간현미경(AFM)을 사용하여 수행하는 포토마스크 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상은 보정되어야 할 시디 편차에 대응되는 시간동안 이루어지도록 하는 포토마스크 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 투광기판의 영역별 시디 균일도를 측정하여 시디 균일도 편차를 계산하는 단계를 더 포함하는 포토마스크 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 레지스트막패턴에 대한 추가 현상은, 상기 계산된 시디 균일도 편차가 보정되도록 상기 투광기판의 영역별로 서로 다른 양의 현상액이 공급되도록 수행하는 포토마스크 제조방법.
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