TWI842293B - 遮罩處理設備及基板處理設備 - Google Patents

Abstract

本發明概念提供一種遮罩處理設備。前述遮罩處理可包括：支撐單元，其支撐前述遮罩；及光輻照單元，前述光輻照單元藉由光輻照前述遮罩以調整形成於前述遮罩中圖案的關鍵尺度，其中前述光輻照單元包括產生前述光的光源及光調變元件，前述光調變元件調變由前述光源產生的前述光且形成輻照圖案。

Description

遮罩處理設備及基板處理設備

本文中所描述的本發明概念之實施例係關於一種遮罩處理設備及一種基板處理設備。

為了製造半導體元件，諸如攝影、蝕刻、灰化、離子植入及薄膜沈積的各種製程對諸如晶圓之基板予以執行。各種處理液體及處理氣體用於製程中。另外，為了移除用以處理基板的處理液體，對基板予以執行乾燥製程。

用於在晶圓上形成圖案的攝影製程包括曝光製程。曝光製程為用於將附接至晶圓之半導體積體材料切割成所要圖案的製程。曝光製程可具有各種用途，諸如形成用於蝕刻之圖案及形成用於離子植入的圖案。在曝光製程中，係使用一種「框架」之遮罩藉由光在晶圓上繪製出圖案。當晶圓上之半導體積體材料，例如晶圓上之抗蝕劑，被曝露至光線下時，抗蝕劑之化學性質係根據光及遮罩圖案來改變。當顯影溶液供應至抗蝕劑時，其化學性質根據圖案改變，圖案於晶圓上形成。

為了精準地執行曝光製程，形成於遮罩上之圖案應經精準地製造。在一些狀況下，形成於遮罩上之圖案的關鍵尺度應進行調整。當圖案之關鍵尺度並不具有所要大小時，可考慮製造新的遮罩之方法，但此並非適當的，此係因為一個遮罩的價格為極高的。因此，有必要的是另外處理遮罩以調整形成於遮罩上之圖案的關鍵尺度。

圖1為說明其中圖案使用深紫外線(deep ultraviolet，DUV)光在晶圓上繪製的狀態之視圖。在相關技術中，用以使用DUV光在晶圓上繪製圖案的DUV遮罩經組態，使得DUV光可通過。因此，為了調整在DUV遮罩上形成之圖案的關鍵尺度，圖案之關鍵尺度可藉由用雷射射束輻照DUV遮罩上之圖案或圖案周圍的區來調整。舉例而言，為了增大圖案之關鍵尺度，圖案可藉由雷射射束輻照。另外，為了減低圖案之關鍵尺度，裂紋可藉由用雷射射束輻照圖案周圍的區形成於圖案周圍的區中。當裂紋形成於圖案周圍的區中時，圖案周圍之區熱膨脹，因此圖案之關鍵尺度可被減小。然而，難以將調整圖案之關鍵尺度的方法應用至極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)遮罩。

圖2為說明其中圖案使用EUV光繪製於晶圓上之狀態的視圖。參閱圖2，不同於DUV遮罩，EUV遮罩以反射EUV光的方式將圖案繪製於晶圓上。EUV光之波長遠短於DUV光的波長。因此，EUV光經吸收至遮罩而不通過遮罩。因此，EUV遮罩以反射EUV光的方式將圖案繪製於晶圓上。出於此原因，難以將以下方式應用至EUV遮罩：藉由僅用雷射射束輻照遮罩上之圖案或圖案周圍的區來調整遮罩的關鍵尺度。

本發明概念之實施例提供一種遮罩處理設備及一種能夠有效地處理遮罩的基板處理設備。

本發明概念之實施例亦提供一種遮罩處理設備及一種能夠有效地調整形成於前述遮罩中之圖案之關鍵尺度的基板處理設備。

本發明概念要解決之問題不限於上述問題，且未提及問題將可由本發明概念所屬領域的技術人員自說明書及隨附圖式清楚地理解。

本發明概念提供一種遮罩處理設備。根據實施例，一種遮罩處理設備包括：支撐單元，前述支撐單元支撐遮罩；及光輻照單元，前述光輻照單元用光輻照遮罩以調整形成於遮罩中之圖案的關鍵尺度，其中光輻照單元包括產生光的光源以及調變由光源產生之光且形成輻照圖案的光調變元件。

根據實施例，光調變元件可包括以旋轉方式提供的微型鏡面，及安設微型鏡面所在的元件基板。

根據實施例，光輻照單元可進一步包括移除光的光收集器(light dumper)，光的反射方向由微型鏡面改變且因此並不傳輸至遮罩。

根據實施例，光收集器可具有中空圓柱形狀且具有孔，由光調變元件調變的光通過前述孔。

根據實施例，光收集器之內表面的至少一部分可包括移除光的溝槽，光的反射方向由微型鏡面改變且因此光並不傳送至遮罩。

根據實施例，光輻照單元可進一步包括冷卻光收集器的冷卻結構。

根據實施例，遮罩處理設備可進一步包括輻照位置改變機構，前述輻照位置改變機構改變由光調變元件調變之光的輻照位置，其中輻照位置改變機構包括旋轉驅動器及耦接至旋轉驅動器且係可旋轉的旋轉鏡面。

根據實施例，可提供複數個旋轉驅動器，且可提供複數個旋轉鏡面，且旋轉鏡面之中任一者的旋轉軸及旋轉鏡面中另一者的旋轉軸彼此並不平行。

根據實施例，遮罩處理設備可進一步包括平場聚焦透鏡，其安設於輻照位置改變機構與支撐單元之間且由輻照位置改變機構使傾斜地行進的光折射為在垂直方向上。

根據實施例，遮罩處理設備可進一步包括控制光輻照單元的控制器，其中前述控制器控制光調變元件以在要求光輻照之遮罩之複數個區中的每一者中形成所要求的輻照圖案且隨機地判定複數個區的輻照序列。

另外，本發明概念提供一種基板處理設備。根據實施例，一種基板處理設備包括：支撐單元，其支撐基板；化學液體供應單元，其供應化學液體至由支撐單元支撐的基板；及雷射射束輻照單元，其用雷射射束輻照由支撐單元支撐的基板，其中前述雷射射束輻照單元包括產生雷射射束的雷射射束源及調變由雷射射束源產生之雷射射束以便形成輻照圖案的數位微型鏡面裝置(digital micro-mirror device，DMD)元件。

根據實施例，基板處理設備可進一步包括碗狀件，前述碗狀件定義處理基板所在的處理空間，支撐單元將基板支撐於處理空間中。

根據實施例，基板處理設備可進一步包括控制器，前述控制器控制雷射射束輻照單元，其中前述控制器控制雷射射束輻照單元，使得DMD元件在基板之第一區藉由雷射射束輻照時形成第一輻照圖案；且DMD元件在基板之不同於第一區的第二區藉由雷射射束輻照時形成第二輻照圖案。

根據實施例，基板處理設備可進一步包括控制雷射射束輻照單元的控制器，其中前述控制器控制雷射射束輻照單元以隨機地判定要求雷射射束之輻照的基板之複數個區的輻照序列，且根據所判定的輻照序列藉由雷射射束輻照基板。

根據實施例，基板處理設備可進一步包括改變由EMD元件調變之雷射射束之輻照位置的輻照位置改變結構，其中在基板藉由雷射射束輻照同時及/或在雷射射束之輻照位置經改變同時，支撐單元將基板之水平位置維持於固定狀態。

根據實施例，基板處理設備可進一步包括控制化學液體供應單元及雷射射束輻照單元的控制器，其中控制器控制化學液體供應單元及雷射射束輻照單元，使得化學液體供應單元供應化學液體至由支撐單元支撐的基板以形成液體膜，且雷射射束輻照單元藉由雷射射束輻照液體膜形成於上面的基板。

根據實施例，基板處理設備可進一步包括平坦頂部光學機構，前述平坦頂部光學機構將由雷射射束源發射且具有高斯形狀的雷射射束轉換為具有平坦頂部形狀的雷射射束。

根據實施例，DMD元件藉由維持由雷射射束源產生之雷射射束之寬度或減小雷射射束的寬度來調變雷射射束。

另外，本發明概念提供一種用於處理極紫外線(EUV)遮罩的遮罩處理設備，前述EUV遮罩反射EUV光以在基板上形成圖案。根據實施例，一種遮罩處理設備包括：支撐遮罩的支撐單元；向遮罩供應作為蝕刻劑之化學液體的液體供應單元；及藉由雷射射束輻照遮罩的雷射射束輻照單元，在前述遮罩中，液體膜藉由由液體供應單元供應的化學液體形成且調整形成於遮罩中之圖案的關鍵尺度，其中雷射射束輻照單元包括雷射射束源，前述雷射射束源產生具有高斯形狀的雷射射束；數位微型鏡面裝置(DMD)元件，其調變由雷射射束源產生之雷射射束以形成輻照圖案；移除雷射射束的雷射射束收集器，雷射射束之反射方向由DMD元件改變且因此雷射射束不輻照至基板；形成於雷射射束收集器中的孔，由DMD元件調變之雷射射束通過前述孔；及形成於雷射射束收集器之內表面中的複數個溝槽，溝槽移除並未輻照至基板的雷射射束；平坦頂部光學機構，其安設於雷射射束源與DMD元件之間且將具有高斯形狀的雷射射束轉換為具有平坦頂部形狀的雷射射束；係電掃描儀的輻照位置改變機構，其改變遮罩藉由由DMD元件調變之雷射射束輻照的位置；及平場聚焦透鏡，其定位於輻照位置改變機構與支撐單元之間且改變通過輻照位置改變機構之雷射射束之行進方向至垂直方向。

根據實施例，遮罩處理設備可進一步包括控制器，前述控制器控制雷射射束輻照單元及化學液體供應單元，其中控制器執行控制化學液體供應單元，使得化學液體供應單元供應化學液體至由支撐單元支撐的遮罩以形成液體膜；由控制器隨機地判定要求雷射射束輻照的遮罩之複數個區之雷射射束的輻照序列；控制DMD元件，使得DMD元件形成對應於複數個區當中藉由雷射射束輻照之區的輻照圖案；且藉由雷射射束根據所形成之輻照圖案及輻照序列來輻照遮罩。

另外，本發明概念提供一種遮罩處理方法。根據實施例，遮罩處理方法包括：遮罩檢測操作，其經由視覺檢測繪製要求形成於遮罩中之圖案之關鍵尺度調整之區的地圖；化學液體供應操作，其供應化學液體至遮罩以形成液體膜；及光輻照操作，前述操作藉由雷射射束輻照要求遮罩的關鍵尺度之調整的區，液體膜形成於遮罩上，輻照圖案由光調變元件經由雷射射束形成。

根據實施例，遮罩處理方法可進一步包括對準以下各者中之至少一者的對準操作：遮罩置放於支撐單元上之位置、遮罩置放於支撐單元上的方向及藉由雷射射束輻照的位置。

根據實施例，對準操作可在光輻照操作之前執行。

根據實施例，在對準操作中，遮罩置放於支撐單元上的位置及遮罩置放於支撐單元上的方向可藉由經由視覺感測器俘獲顯示於遮罩上之對準標記之影像來識別。

根據實施例，在對準操作中，藉由雷射射束輻照之位置可藉由以下操作來識別：將對準板定位於電掃描儀下方，前述電掃描儀改變雷射射束之輻照位置；藉由雷射射束輻照對準板；及使用視覺感測器俘獲對準板的影像。

根據實施例，遮罩之水平位置及垂直位置在光輻照操作期間可維持於固定狀態。

根據實施例，要求關鍵尺度之調整的區之輻照序列可經判定，且輻照序列可經隨機地判定而無關於區的位置。

根據實施例，雷射射束可自高斯形狀轉換為平坦頂部形狀，且轉換為平坦頂部形狀的雷射射束可由光調變元件調變以形成輻照圖案。

根據實施例，光調變元件可藉由維持由雷射射束源產生之雷射射束之寬度或減小雷射射束的寬度來調變雷射射束。

另外，本發明概念提供一種基板處理方法。根據實施例，前述基板處理方法包括：基板檢測操作，前述操作經由視覺檢測繪製要求基板中之加熱的區之地圖；化學液體供應操作，前述操作供應化學液體至基板以形成液體膜；及雷射射束輻照操作，前述操作藉由雷射射束輻照液體膜形成於上面之基板，前述雷射射束由數位微型鏡面裝置(DMD)元件調變且具有輻照圖案。

根據實施例，基板處理方法可進一步包括對準以下各者中之至少一者的對準操作：基板置放於支撐單元上之位置、基板置放於支撐單元上的方向及藉由雷射射束輻照的位置。

根據實施例，要求加熱的區之輻照序列可經判定，且輻照序列可經隨機地判定。

根據實施例，雷射射束可自高斯形狀轉換為平坦頂部形狀，且轉換為平坦頂部形狀的雷射射束可由DMD元件調變以形成輻照圖案。

根據實施例，DMD元件可在要求加熱之區中的每一者處形成輻照圖案。

根據實施例，DMD元件可藉由維持由雷射射束源產生之雷射射束之寬度或減小雷射射束的寬度來調變雷射射束。

下文中，本發明概念之實施例將參閱隨附圖式詳細地描述，使得本發明概念所屬領域之技術人員可易於實施本發明概念。然而，本發明概念可以各種不同形式實施，且並不限於實施例。另外，在本發明概念之實施例的描述內容中，相關已知功能或組態的詳細描述在其使得本發明概念的本質不必要地不清楚時將被省略。此外，在所有圖式中，相同元件符號用於執行類似功能及操作的部分。

「包括」一些元件之表達可意謂另一元件可進一步被包括而不被排除，除非存在特定矛盾描述。詳細而言，應理解，術語「包括」、「包含」、「具有」等指定在說明書中描述之特徵、數字、步驟、操作、元件或組件或其組合的存在，且並不提前排除一或多個其他特徵、數字、步驟、操作、元件或組件或其組合的存在或額外可能性。

單數表達包括複數表達，除非上下文中以其他方式清楚地指示。另外，在圖式中，元件之形狀及大小可為了更清楚描述經誇示。

諸如第一及第二之術語可用以描述各種元件，但元件不限於前述術語。術語可僅出於區分一個元件與另一元件的目的。舉例而言，雖然未偏離本發明概念之範疇，但第一元件可命名為第二元件，且類似地第二元件可命名為第一元件。

當提及一個元件「連接」或「電連接」至另一元件時，應理解，第一元件可直接連接或電連接至第二元件，但第三元件可設置於兩個元件之間。另一方面，當提及元件「直接連接」或「直接連接至」另一元件時，應理解，第三元件並不存在於兩個元件之間。應理解，描述元件之間的關係之其他表達，諸如「……之間」、「直接在……之間」、「相鄰於」及「直接相鄰於」可具有相同目的。

此外，除非以其他方式界定，否則本文中所使用之包括技術或科學術語的所有術語具有與熟習本發明概念係關於之技術者通常理解之含義相同的含義。常用詞典中之術語應解譯為具有與相關技術之情形下的含義一致的含義，且不應解譯為理想或過度正式的形式，除非本發明概念之說明書中清楚地界定。

下文中，將參閱圖3至圖19來描述本發明概念之實施例。

圖3為示意性地圖示根據本發明之實施例的基板處理設備之平面圖。

參閱圖3，基板處理設備包括分度模組10、處理模組20及控制器30。當自頂部檢視時，分度模組10及處理模組20配置於一個方向上。下文中，分度模組10及處理模組20配置所在的方向指第一方向X，在自頂部檢視時垂直於第一方向X的方向指第二方向Y，且垂直於第一方向X及第二方向Y的方向指第三方向Z。

分度模組10將基板M自容納基板M的容器CR傳送至處理模組20，且將由處理模組20完全處理的基板M容納於容器CR中。分度模組10之縱向方向設置為第二方向Y。分度模組10具有載入埠12及分度框架14。載入埠12相對於分度框架14定位於與處理模組20相反的一側上。容納基板M所在之容器CR置放於載入埠12上。載入埠12可設置為複數個載入埠12，且複數個載入埠12可配置於第二方向Y上。

諸如前開式晶圓傳送盒(front open unified pod，FOUP)的密封容器CR可用作容器CR。容器CR可由操作人員或諸如高架運輸機、高架輸送機或自動化導引載具的傳送單元(未圖示)來置放於載入埠12上。

分度機器人120設置於分度框架14中。具有設置為第二方向Y之縱向方向的導引軌條124可設置於分度框架14中，且指標機器人120可經設置為在導引軌條124上可移動的。指標機器人120可包括基板M置放於上面的手部122，且手部122可經設置為上下移動，使用第三方向Z作為軸線旋轉，且在第三方向Z上移動。複數個手部122在垂直方向上可彼此隔開，且手部122可獨立於彼此地前後移動。

控制器30可控制基板處理設備的構件。控制器30可包括：包括微處理器(電腦)之製程控制器，前述製程控制器執行基板處理設備之操作的控制；使用者介面，其包括用於輸入命令以允許操作人員管理基板處理設備的鍵盤及視覺化基板處理設備之操作情形且顯示操作情形的顯示器；及記憶體單元，其用於儲存在製程控制器之控制下執行由基板處理設備執行之處理的控製程式或用於根據各種資料及處理條件，亦即處理配方執行組件中之處理的程式。另外，使用者介面及記憶體單元可連接至製程控制器。處理配方可儲存於記憶體單元的記憶體媒體中，且記憶體媒體可為硬碟，且可為諸如唯讀光碟(compact disc read-only memory，CD-ROM)及數位多功能光碟(digital versatile disc，DVD)之攜帶型硬碟(transportable disk)，及諸如快閃記憶體的半導體記憶體。

控制器30可控制基板處理設備以執行以下基板處理方法。舉例而言，控制器30可控制設置於液體處理腔室400中的構件以執行以下基板處理方法。

處理模組20包括緩衝單元200、傳送腔室300及液體處理腔室400。緩衝單元200提供空間，在處理模組20中攜載之基板M及脫離處理模組20攜載的基板M臨時停留於前述空間中。在液體處理腔室400中，執行供應液體至基板M及液體處理基板M的液體處理製程。傳送腔室300在緩衝單元200、液體處理腔室400之間傳送基板M。

傳送腔室300之縱向方向可設置為第一方向X。緩衝單元200可安置於分度模組10與傳送腔室300之間。液體處理腔室400可配置於傳送腔室300的側邊上。液體處理腔室400及傳送腔室300可配置於第二方向Y上。緩衝單元200可定位於傳送腔室300的一端處。

根據實施例，液體處理腔室400可配置於傳送腔室300的兩側上。傳送腔室300之一側上的液體處理腔室400可在第一方向X及第三方向Z上以A × B陣列設置(其中A及B為1或大於1的自然數)。

傳送腔室300具有傳送機器人320。具有設置為第一方向X之縱向方向的導引軌條324可設置於傳送腔室300中，且傳送機器人320可設置為在導引軌條324上係可移動的。傳送機器人320可包括基板M置放於上面的手部322，且手部322可經設置以前後移動，使用第三方向Z作為軸線旋轉，且在第三方向Z上移動。複數個手部322在垂直方向上可彼此隔開，且手部322可獨立於彼此地前後移動。

緩衝單元200可具備基板M置放於上面的複數個緩衝器220。緩衝器220可在第三方向Z上彼此間隔開。緩衝單元200的前表面及後表面為開放的。前表面為面向分度模組10的表面，且後表面為面向傳送腔室300的表面。分度機器人120可經由前表面接近緩衝單元200，且傳送機器人320可經由後表面接近緩衝單元200。

下文中，將詳細描述在液體處理腔室400中處理之基板M。

圖4為圖示基板在圖3之液體處理腔室中處理之狀態的示意圖。

參閱圖4，在液體處理腔室400中處理之待處理物件可為晶圓、玻璃及光遮罩當中的一個基板。舉例而言，在液體處理腔室400中處理之基板M可為在曝光製程期間使用之一種「框架」的光遮罩。

基板M可具有四邊形形狀。基板M可為係在曝光製程期間使用之「框架」的光遮罩。至少一個參考標記AK可顯示於基板M上。舉例而言，複數個參考標記AK可形成於基板M的隅角區處。參考標記AK可為稱作對準鍵的標記且在基板M經對準時使用。另外，參考標記AK可為用以導出關於基板M之位置資訊的標記。舉例而言，液體處理腔室400可具備諸如攝影機之視覺感測器(未圖示)，前述視覺感測器可藉由獲取參考標記AK來擷取影像，且控制器30可藉由分析包括參考標記AK的影像來偵測基板M的位置或方向。另外，當傳送基板M時，參考標記AK亦可用以識別基板M的位置。

單元CE可形成於基板M上。可形成至少一個單元CE，例如，可形成複數個單元CE。複數個圖案可形成於單元CE中的每一者中。形成於單元CE中的圖案可界定為一個圖案群組。形成於單元CE中的圖案可包括曝光圖案EP及第一圖案P1。曝光圖案EP可用以在基板M上形成實際圖案。另外，第一圖案P1可為表示形成於一個單元CE中之曝光圖案EP的圖案。另外，當設置複數個單元CE時，可設置複數個第一圖案P1。另外，複數個第一圖案P1可形成於一個單元CE中。第一圖案P1可具有曝光圖案EP之多個部分經組合的形狀。第一圖案P1可被稱作監視圖案。另外，第一圖案P1亦可被稱作關鍵尺度監視巨集(critical dimension monitoring macro，CDMM)。

當操作人員經由掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)檢測第一圖案P1時，可估計於一個單元CE中形成的曝光圖案EP之形狀是良好抑或壞的。另外，第一圖案P1可被稱作檢測圖案。另外，第一圖案P1亦可為實際上參與曝光製程之曝光圖案EP當中的任一圖案。另外，第一圖案P1可為檢測圖案及實際上參與曝光製程之圖案。

第二圖案P2可為表示形成於整個基板M中之曝光圖案EP的圖案。舉例而言，第二圖案P2可具有第一圖案P1中之一些經組合的形狀。

當操作人員經由SEM檢測第二圖案P2時，可估計形成於一個基板M中的曝光圖案EP之形狀是良好抑或壞的。另外，第二圖案P2可為檢測圖案。另外，第二圖案P2亦可為並不實際上參與曝光製程之檢測圖案。第二圖案P2亦可被稱作錨定圖案。

下文中，將詳細地描述提供至液體處理腔室400之基板處理設備。在攜載至液體處理腔室400中的基板M中，需要第一圖案P1、第二圖案P2及曝光圖案EP中之至少一者的關鍵尺度之調整。

圖5為圖示根據實施例之圖3之液體處理腔室的示意圖。參閱圖5，液體處理腔室400可包括支撐單元420、碗狀件430、化學液體供應單元440、及光輻照單元500。

支撐單元420可將基板M支撐於由碗狀件430定義的處理空間431中。支撐單元420可支撐基板M。支撐單元420可旋轉基板M。

支撐單元420可包括卡盤422、支撐軸424、驅動部件425，及支撐銷426。支撐銷426可安設於卡盤422中。卡盤422可具有一定厚度的板形狀。支撐軸424可耦接至卡盤422的下部。支撐軸424可為中空軸。另外，支撐軸424可由驅動部件425旋轉。驅動部件425可為中空馬達。當驅動部件425使支撐軸424旋轉時，耦接至支撐軸424的卡盤422可旋轉。置放於安設在卡盤422中之支撐銷426上的基板M亦可由卡盤422的旋轉來旋轉。

支撐銷426可支撐基板M。當自頂部檢視時，支撐銷426可具有大致圓形形狀。另外，當自頂部檢視時，支撐銷426可具有對應於基板M之邊緣區的部分向下凹陷的形狀。即，支撐銷426可包括支撐基板M之邊緣區之下部的第一表面及面向基板M之邊緣區之側向部分的第二表面以在基板M旋轉時限制基板M在側向方向上的移動。可設置至少一個支撐銷426。支撐銷426可設置為複數個支撐銷426。支撐銷426之數目可對應於具有四邊形形狀之基板M之邊緣區的數目。支撐銷426可支撐基板M，使得基板M之底表面及卡盤422之上表面可彼此間隔開。

碗狀件430可具有頂部開放式圓柱形狀。碗狀件430可定義處理空間431。基板M可在處理空間431內部經受液體處理及熱處理。碗狀件430可防止供應至基板M之處理液體散射並傳送至化學液體供應單元440及光輻照單元500。

碗狀件430可包括底部部分433、垂直部分434及傾斜部分435。當自頂部檢視時，可於底部部分433形成支撐軸424可插入之開口。垂直部分434可在第三方向Z上自底部部分433延伸。傾斜部分435可自垂直部分434傾斜地向上延伸。另外，傾斜部分435可在一方向上朝向由支撐單元420支撐之基板M傾斜地延伸。可於底部部分433形成排出孔432，由化學液體供應單元440供應之處理液體可透過排出孔432排出至外部。

另外，碗狀件430耦接至提升部件(未圖示)，因此可改變碗狀件430的位置。提升部件可為在垂直方向上移動碗狀件430的驅動裝置。提升部件可在向上方向上移動碗狀件430，同時基板M經受液體處理及/或熱處理，且當基板M攜載至液體處理腔室400中或基板M自液體處理腔室400攜載出時在向下方向上移動碗狀件430。

化學液體供應單元440可供應對基板M進行液體處理的化學液體。化學液體供應單元440可供應化學液體至由支撐單元420支撐的基板M。化學液體可為蝕刻液體或清洗液體。蝕刻液體可為化學物質。蝕刻液體可蝕刻形成於基板M上的圖案。蝕刻液體可被稱作蝕刻劑。清洗液體可清潔基板M。清洗液體可以已知的藥液提供。

化學液體供應單元440可包括噴嘴441、固定本體442、旋轉軸443、及旋轉部件444。

噴嘴441可供應處理液體至由支撐單元420支撐的基板M。噴嘴441之一端可耦接至固定本體442，且噴嘴441之另一端可在一方向上自固定本體442朝向基板M延伸。噴嘴441可在第一方向X上自固定本體442延伸。另外，噴嘴441之另一端可延伸以在一方向上朝向由支撐單元420支撐的基板M彎曲達一定角度。

如所需要，噴嘴441可設置為複數個噴嘴441。噴嘴441中之任一者可為上述蝕刻液體經排出通過的噴嘴，且噴嘴441中之另一者可為上述清洗液體經排出通過的噴嘴。

固定本體442可固定地支撐噴嘴441。固定本體442可連接至旋轉軸443，前述旋轉軸443使用第三方向Z作為參考由旋轉部件444來旋轉。當旋轉部件444使旋轉軸443旋轉時，固定本體442可使用第三方向Z作為軸線而旋轉。因此，噴嘴441之排出埠可在處理液體供應至基板M的液體供應位置與處理液體並未供應至基板M的待命位置之間移動。

光輻照單元500可使光輻照至係遮罩的基板M。光輻照單元500可使雷射射束輻照至作為遮罩的基板M。光輻照單元500可被稱作雷射射束輻照單元。光輻照單元500可藉由用光輻照基板M來調整形成於基板M上之圖案的關鍵尺度，其中液體膜由藉由化學液體供應單元440供應之化學液體(例如，蝕刻液體)形成於基板M之上表面上。由光輻照單元500輻照之光輻照於上面的遮罩之區的溫度可升高。因此，相對更多的蝕刻可對藉由光輻照之區執行，且相對較少的蝕刻可形成於並未由光輻照的區中。以此方式，形成於基板M上之圖案的關鍵尺度可予以調整。

光輻照單元500可包括光源510、平坦頂部光學機構520、鏡面530、稜鏡光學機構540、光調變元件550、光收集器560、冷卻機構570、輻照位置改變機構580、及透鏡590。

光源510可產生光束L。光源510可產生具有線性的光束L。光源510可產生雷射射束。光源510亦可被稱作雷射射束源。由光源510產生的光束L可輻照於基板M上以加熱基板M。光源510可具有每單位面積(cm ²) 20 W或更小範圍的輸出。當光源510可具有每單位面積(cm ²) 20 W範圍內的輸出時，光調變元件550可被適當地驅動而不受損害。

平坦頂部光學機構520可對自光源510輸出之光的形狀進行轉換。

圖6為描繪自光源輸出之光之分佈的圖形，且圖7為描繪通過平坦頂部光學機構之光之分佈的圖形。

參閱圖5至圖7，自光源510輸出之雷射射束可具有高斯形狀，其中強度分佈具有如圖6中所圖示的高斯分佈。更詳細而言，自光源510輸出之雷射射束的強度在雷射射束之中心處可為高的，且隨著距雷射射束之中心的距離增大而可逐漸減低(參見圖6)。因此，當基板M藉由自光源510輸出之雷射射束輻照時，更靠近於雷射射束之中心的區可經更多地加熱，且靠近於雷射射束之邊緣的區可經更少地加熱。因此，根據本發明概念之實施例的光輻照單元500可將平坦頂部光學機構520配置於自光源510輸出之光束L的行進路徑上。平坦頂部光學機構520可為雷射射束塑形器，其將輸出自光源510且具有高斯形狀的光束L轉換為平坦頂部光束L。輸出自光源510之光束L可經轉換為平坦頂部形狀，其中由於光束L通過平坦頂部光學機構520，強度分佈(照明強度)為相對均勻的(參見圖7)。

參閱圖5，通過平坦頂部光學機構520之光束L可由鏡面530當中的第一鏡面531反射。由第一鏡面531反射之光可傳送至稜鏡光學機構540。

稜鏡光學機構540可反射通過平坦頂部光學結構520且由第一鏡面531反射的光束L再次至光調變元件550。傳送至光調變元件550之光束L可由光調變元件550調變且輸出。由光調變元件550調變且輸出之光束L可傳送至鏡面530當中的第二鏡面532，同時通過稜鏡光學機構540。傳送至第二鏡面532的光束L可經反射且傳送至輻照位置改變機構580。

光調變元件550可調變傳送的光束L。光調變元件550可調變由光源510產生的光束L以形成輻照圖案。光調變元件550可為數位微型鏡面裝置(DMD)元件。

圖8為圖示光調變元件之狀態的示意圖。光調變元件550可包括元件基板SB及複數個微型鏡面MI。分別對應於複數個微影鏡面MI的電極可安設於元件基板SB中。控制器30可傳輸「0」或「1」的數位訊號至安設於元件基板SB中的電極。微型鏡面MI可以可旋轉地設置。微型鏡面MI可使用第一方向X、第二方向Y及平行於通過第一方向X及第二方向Y之平面的方向作為軸線來可旋轉地設置。對應於為「0」之數位訊號傳輸之電極的微型鏡面MI可處於斷開狀態，且對應於為「1」之數位訊號傳輸之電極的微型鏡面MI可處於接通狀態。處於接通狀態的微型鏡面MI可藉由光束L輻照基板M，且基板M可不藉由由處於斷開狀態之微型鏡面MI反射的光束L輻照。

圖9為圖示基板藉由自光調變元件輸出之光輻照的狀態之視圖。為了方便描述，圖9圖示由微型鏡面MI當中之任一微型鏡面MI反射的光之行進路徑。參閱圖5、圖8及圖9，由處於接通狀態之微型鏡面MI反射的光束L可傳送至基板M。

圖10為圖示自光調變元件輸出之光由光學收集器移除之狀態的視圖。為了方便描述，圖10圖示由微型鏡面MI當中之任一微型鏡面MI反射的光束L之行進路徑。參閱圖5、圖8及圖10，處於斷開狀態之微型鏡面MI可反射光束L，且因此光束L可能不傳送至基板M。詳細而言，微型鏡面MI可如下文所描述經旋轉地設置。處於斷開狀態之微型鏡面MI可旋轉以改變自光源510傳送之光L的行進路徑，使得光並未傳送至基板M。發射自處於斷開狀態之微型鏡面MI的光束L可經輻照至光收集器560的內表面，而不通過光收集器560的第二孔562(將於下文描述)，且因此可以是熄滅。

圖11為用於描述自光學收集器移除光之原理的視圖。參閱圖5及圖11，光收集器560可具有中空管狀形狀。光收集器560可由能夠吸收且移除光束L之諸如合成樹脂的材料製成。稜鏡光學機構540可設置於光收集器560的內部空間中。光調變元件550可設置於光收集器560之內部空間中，或可安設於光收集器560外部。

光收集器560可包括第一孔561及第二孔562。第一孔561可形成於光收集器560的側向側上。第一孔561可為由光源510產生且經由平坦頂部光學機構520轉換的光束L通過的孔。第二孔562可為由光調變元件550調變之光束L通過的孔。第二孔562可形成於光收集器560的下側上。

溝槽G可形成於光收集器560的內表面563中。形成於光收集器560之內表面563中的溝槽G可吸收由處於斷開狀態之微型鏡面MI反射的光。詳細而言，當光束L傳送至溝槽G時，光束L可在溝槽G中反射若干次同時經移除。光束L可在溝槽G中反射若干次且失去熱能至光收集器560同時經移除。圖5及圖11說明溝槽G在僅光收集器560的下部處形成的實例，但本發明概念不限於此，且溝槽G可形成於光收集器560之整個內表面563上方。

參閱圖5，隨著光收集器560移除光束L，光收集器560的溫度可升高。因此，根據本發明概念之實施例的光輻照單元500可包括冷卻光收集器560的冷卻機構570。冷卻機構570可為形成用於冷卻光收集器560之氣流的風扇。

圖12為用於描述自光調變元件輸出之光之輻照圖案的視圖。參閱圖5、圖8及圖12，如上文所描述，微型鏡面MI可在接通狀態與斷開狀態之間切換。微型鏡面MI在接通狀態與斷開狀態之間的狀態切換可在極短時間內執行。隨著微型鏡面MI在接通狀態與斷開狀態之間切換，光調變元件550可形成各種輻照圖案HP。舉例而言，圖12圖示在單位時間(例如，一秒)內由微型鏡面MI反射之光束L在每單位時間傳送至基板M的熱量。輻照圖案HP可包括分別對應於微型鏡面MI的複數個圖案P。當所要的是增大每單位時間自微型鏡面MI傳送至基板M的熱量時，可維持微型鏡面MI的接通狀態每單位時間為長的，且可維持其斷開狀態為短的。當所要的是減低每單位時間自微型鏡面MI傳送至基板M的熱量時，可維持微型鏡面MI的接通狀態為短的，且可維持其斷開狀態為長的。

圖13為圖示輻照位置改變機構改變光之輻照位置之狀態的視圖。參閱圖5及圖13，輻照位置改變機構580可藉由反射由光調變元件550調變之光束L且因此具有特定輻照圖案HP來改變輻照位置。輻照位置改變機構580可安設於液體處理腔室400中，同時其位置經固定。輻照位置改變機構580可包括第一反射機構581及第二反射機構583。第一反射機構581可包括第一旋轉驅動器581a及第一旋轉鏡面581b。第二反射機構583可包括第二旋轉驅動器583a及第二旋轉鏡面583b。第一旋轉驅動器581a及第二旋轉驅動器機構583a可為馬達。由光調變元件550調變之光可由第一反射機構581反射，且傳送至第二反射機構583。傳送至第二反射機構583之光束L可由第二反射機構583再次反射，且傳送至透鏡590。輻照位置改變機構580可為Galvano掃描儀。

第一旋轉鏡面581b之旋轉軸及第二旋轉鏡面583b之旋轉軸可能彼此並不平行。另外，如所需要，第一旋轉鏡面581b之旋轉軸及第二旋轉鏡面583b之旋轉軸可能彼此並不垂直。因此，經由第二鏡面532反射且傳送之光束L的輻照位置可由第一旋轉鏡面581b及第二旋轉鏡面583b的旋轉以各種方式改變。

圖14為圖示輻照位置改變機構改變在傾斜方向上行進之光的行進方向至垂直方向之狀態的視圖。參閱圖5及圖14，輻照位置由輻照位置改變機構580改變的光束L可在傾斜方向上行進。當由輻照位置改變機構580在傾斜方向上行進的光束L直接傳送至基板M時，光束L可傾斜地傳送至基板M。為了解決此問題，在根據本發明概念之實施例的光輻照單元500中，透鏡590可安置於輻照位置改變機構580與支撐單元420之間。透鏡590可為平場聚焦透鏡(F-Theta lens)。透鏡590可經組態以由輻照位置改變機構580，使相對於垂直於地面的第三方向Z傾斜地行進的光折射到垂直方向上的第三方向Z上。

圖15為圖示根據本發明概念之實施例的基板處理方法之流程圖。根據本發明概念之實施例的基板處理方法可為處理遮罩的遮罩處理方法。隨著控制器30控制在基板處理設備中提供的構件，可以執行下文將描述之基板處理方法。

參閱圖4、圖5及圖15，根據本發明概念之實施例的基板處理方法可包括遮罩檢測操作S10、對準操作S20、化學液體供應操作S30及光輻照操作S40。

在遮罩檢測操作S10中，可檢測形成於基板M上之圖案的關鍵尺度。舉例而言，在遮罩檢測操作S10中，可檢測形成於基板M上之第一圖案P1、第二圖案P2、及曝光圖案EP的關鍵尺度。在遮罩檢測操作S10中，在形成於基板M上之第一圖案P1、第二圖案P2、及曝光圖案EP當中，可指定需要調整圖案之關鍵尺度的圖案。在遮罩檢測操作S10中，可指定基板M上需要藉由光束L進行輻照的區。遮罩檢測操作S10可以使用諸如攝影機之視覺感測器獲取基板M之影像的方式來執行。遮罩檢測操作S10可在設置於本發明概念之基板處理設備中的檢測腔室(未圖示)中執行，或可在設置於基板處理設備外部之分離檢測腔室中執行。在遮罩檢測操作S10中，基板M上需要調整圖案之關鍵尺度的區(亦即，需要由光束L進行加熱的區)可經由視覺檢測來繪製地圖。在遮罩檢測操作S10中，需要調整關鍵尺度之經繪製地圖區的地圖資料可包括基板M上需要調整關鍵尺度的區之位置及大小、圖案之關鍵尺度及類似者。控制器30可儲存地圖資料。

參閱圖15，在對準操作S20中，可執行基板M之位置及方向的對準及發射自光輻照單元500之光束L的輻照位置之對準。

首先，基板M之位置及方向的對準可使用顯示於基板M上之參考標記AK來執行。舉例而言，基板M之影像使用諸如液體處理腔室400之攝影機的視覺感測器來獲取，且基板M置放於支撐單元420上的位置且基板M可置放於支撐單元420上的方向可經識別，且經由顯示於基板M上之參考標記AK來對準。舉例而言，當基板M之位置失真時，基板M之位置可由傳送機器人320來對準。另外，當基板M之位置失真時，光輻照單元500可在失真位置之反射中發射光束L。另外，當基板M之位置失真時，支撐單元420可使基板M旋轉以與基板M的方向對準。

圖16為圖示基板處理設備執行圖15之對準操作之狀態的視圖。參閱圖16，由光輻照單元500發射之光束L的輻照位置之對準可藉由利用對準單元(對準板)610及(對準攝影機)620來應用。舉例而言，液體處理腔室400可具備對準單元(對準板)610及(對準攝影機)620。對準單元(對準板)610及(對準攝影機)620可包括在水平方向上在基板M與透鏡590之間移動的對準板610，及對準攝影機620。

在對準操作S20中，在由光輻照單元500發射之光束L」輻照的位置中，對準板610可定位於改變光束L之輻照位置的輻照位置改變機構580 (Galvano掃描儀)下方，且光輻照單元500可藉由光束L輻照對準板610。輻照對準板610光束L可留下對準板610經輻照光束L的跡線。對準板610可由並未圖示之移動機構移動至對準攝影機620之下側，對準攝影機620為視覺感測器。對準攝影機620可獲取經輻照光束L之跡線的影像。由對準攝影機620獲取的對準板610之影像可傳輸至控制器30，且控制器30可在所接收影像基礎上識別光輻照單元500的輻照位置是否失真。

舉例而言，在光輻照單元500之輻照位置改變機構580經設定以藉由光束L輻照設定位置的狀態下，對準板610藉由光輻照，輻照位置改變機構580實際上發射光束L的實際輻照位置藉由綜合考慮對準板610移動之方向及距離來估計且協調對準板610藉由光束L輻照的位置之值，光輻照單元500藉由光束L輻照的位置是否經對準藉由比較實際輻照位置與設定位置來識別，且當對準並未達成時，輻照位置改變機構580可以具有誤差值的反射操作。

圖17為圖示其中基板處理設備執行圖15之化學液體供應操作之狀態的視圖。參閱圖4、圖15及圖17，在化學液體供應操作S30中，化學液體C可供應至基板M。在化學液體供應操作S30中，化學液體C可在使基板M旋轉情況下供應，且不同於此情形，化學液體C可在不使基板M旋轉情況下供應。在化學液體供應操作S30中，供應化學液體C可為蝕刻液體。化學液體C可被稱作蝕刻劑。當化學液體供應操作S30終止時，液體膜可由化學液體C形成於基板M上。在化學液體供應操作S30中，支撐單元420可使基板M旋轉，或可支撐基板M而不使基板M旋轉以防止基板M不對準。

圖18及圖19為圖示基板處理設備執行圖15之光輻照操作之狀態的視圖，且圖20為用於描述光輻照單元之輻照序列之遮罩的視圖。參閱圖15及圖18至圖20，在光輻照操作S40中，光經輻照至其上由化學液體C形成液體膜的基板M的上表面，因此可加熱基板M的特定區。基板M上圖案的整個蝕刻可由化學液體C執行，且藉由光束L輻照的特定區經加熱，使得蝕刻可經進一步執行。蝕刻程度可依據每單位時間由光束L傳送之熱量發生變化，且根據本發明概念之光調變元件550可形成具有各種形狀的輻照圖案，因此基板M上的蝕刻可以控制為各種形狀。在光輻照操作S40中，支撐單元420可在不使基板M旋轉情況下支撐基板M。

另外，如圖20中所圖示，在遮罩檢測操作S10中，光輻照單元500可輻照需要特定光束L之輻照的區，換言之需要藉由具有特定輻照圖案之光束L加熱的區A1至A8。舉例而言，當第一區A1藉由光束L輻照時，光調變元件550可形成第一輻照圖案，且當不同於第一區A1之第二區A2藉由光束L輻照時，光調變元件550可形成第二輻照圖案。另外，針對要求光束L之輻照之區A1至A8的光束L之輻照序列並未根據其位置依序判定，但可經隨機地判定。控制器30可儲存用於隨機地判定需要於遮罩檢測操作S10中指定之光束L之輻照的區之輻照序列的演算法。在針對要求光束L之輻照之區A1至A8的光束L之輻照序列中，當輻照序列根據區之位置依序判定時，期間熱經傳送至特定區的時間可大幅增加。舉例而言，當區A1、A2及A3依序加熱時，區A2間接接收在區A1經加熱同時產生的熱，且間接地接收在區A3加熱同時產生的熱。另外，遠離區A1、A2及A3的區A4至A8經暴露至化學液體C而無熱傳送的時間增大。換言之，當針對要求光束L之輻照之區A1至A8的光束L之輻照序列根據區之位置依序判定時，難以精準地調整圖案的關鍵尺度。

因此，本發明概念之控制器30可隨機地判定光束L的輻照序列，藉此使以上問題的出現最小化。另外，本發明概念可使光束L之輻照序列隨機化的原因係因為本發明概念中光束L的輻照位置並非藉由移動基板M來改變，而是藉由由輻照位置改變機構580改變光束L自身之行進方向來改變。舉例而言，在處於固定狀態的光束L中，當光束L之輻照位置藉由移動支撐基板M之載物台來改變時，當輻照序列經隨機化時載物台移動的時間增大，因此處理基板M消耗之時間可增大。

然而，在本發明概念中，在基板M藉由光束L輻照同時，及/或在光束L之輻照位置改變同時，支撐單元420維持基板M的水平位置處於固定狀態，且輻照位置改變機構580改變光束L自身的行進方向。因此，即使在輻照序列經隨機化時，用於處理基板M消耗的時間仍難以增大。

另外，根據本發明概念之光調變元件550可藉由維持由光源510產生之光束L的寬度或減小光束L的寬度來調變光束L。當光束L傳送至基板M時，用於加熱單元區域的微型鏡面MI之數目增大。因此，即使在加熱單位區域之微型鏡面MI的一些發生故障時，其他微型鏡面MI可有效地執行加熱。

在以上實例中已描述，基板M為遮罩，但本發明概念不限於此。舉例而言，基板可經提供為要求圖案之關鍵尺度之蝕刻或調整的各種類型之基板，諸如晶圓或玻璃基板。

根據本發明概念之實施例，可有效地處理遮罩，

另外，根據本發明概念之實施例，可有效地調整形成於遮罩中圖案的關鍵尺度。

本發明概念之效應不限於上述效應，且未提及之效應可自說明書及隨附圖式由所屬領域的技術人員清楚地理解。

以上詳細描述內容例證本發明概念。此外，上述內容描述本發明概念之例示性實施例，且本發明概念可在各種其他組合、改變及環境中使用。即，本發明概念可經修改及修正而不偏離說明書中揭示的本發明概念之範疇、等效於撰寫之揭示內容的範疇，及/或熟習此項技術者的技術或知識範圍。所撰寫之實施例描述用於實施本發明概念之技術精神的最佳狀態，且可進行在本發明概念之詳細應用領域及用途中要求的各種改變。因此，本發明概念之詳細描述內容並不意欲將本發明概念約束於所揭示實施例狀態。此外，應理解的是，隨附申請專利範圍包括其他實施例。

10:分度模組 12:載入埠 14:分度框架 20:處理模組 30:控制器 120:指標機器人 122:手部 124:導引軌條 200:緩衝單元 220:緩衝器 300:傳送腔室 320:傳送機器人 322:手部 324:導引軌條 400:液體處理腔室 420:支撐單元 422:卡盤 424:支撐軸 425:驅動部件 426:支撐銷 430:碗狀件 431:處理空間 432:排出孔 433:底部部分 434:垂直部分 435:傾斜部分 440:化學液體供應單元 441:噴嘴 442:固定本體 443:旋轉軸 444:旋轉部件 500:光輻照單元 510:光源 520:平坦頂部光學機構 530:鏡面 531:第一鏡面 532:第二鏡面 540:稜鏡光學機構 550:光調變元件 560:光收集器 561:第一孔 562:第二孔 563:內表面 570:冷卻機構 580:輻照位置改變機構 581:第一反射機構 581a:第一旋轉驅動器 581b:第一旋轉鏡面 583:第二反射機構 583a:第二旋轉驅動器 583b:第二旋轉鏡面 590:透鏡 610:對準單元/對準板 620:對準單元/對準攝影機 AK:參考標記 A1:第一區 A2:第二區 A3~A8:區 C:化學液體 CE:單元 CR:容器 EP:曝光圖案 G:溝槽 HP:輻照圖案 L:光束 MI:微型鏡面 M:基板 P:圖案 P1:第一圖案 P2:第二圖案 SB:元件基板 S10:遮罩檢測操作 S20:對準操作 S30:化學液體供應操作 S40:光輻照操作 X:第一方向 Y:第二方向 Z:第三方向

以上及其他目標及特徵將參閱以下圖式自以下描述內容變得顯而易見，除非另有說明，否則類似元件符號在各圖式中係指向類似部分，且其中：

圖1為圖示使用深紫外線(DUV)光於晶圓上繪製圖案之狀態的視圖；

圖2為圖示使用EUV光於晶圓上繪製圖案之狀態的視圖；

圖3為示意性地圖示根據本發明概念之實施例的基板處理設備之平面圖；

圖4為圖示其中基板在圖3之液體處理腔室中處理之狀態的示意圖；

圖5為圖示根據實施例之圖3之液體處理腔室的示意圖；

圖6為描繪自光輻照裝置輸出之光之分佈的圖形；

圖7為描繪通過平坦頂部光學機構之光之分佈的圖形；

圖8為圖示光調變元件之狀態的示意圖；

圖9為圖示基板藉由自光調變元件輸出之光輻照的狀態之視圖；

圖10為圖示自光調變元件輸出之光由光學收集器移除之狀態的視圖；

圖11為用於描述自光學收集器移除光之原理的視圖；

圖12為用於描述自光調變元件輸出之光之輻照圖案的視圖；

圖13為圖示輻照位置改變機構改變光之輻照位置之狀態的視圖；

圖14為圖示輻照位置改變結構改變在傾斜方向上行進之光的行進方向至垂直方向之狀態的視圖；

圖15為圖示根據本發明概念之實施例的基板處理方法之流程圖；

圖16為圖示基板處理設備執行圖15之對準操作之狀態的視圖；

圖17為圖示基板處理設備執行圖15之化學液體供應操作之狀態的視圖；

圖18及圖19為圖示基板處理設備執行圖15之光輻照操作之狀態的視圖；以及

圖20為用於描述光輻照單元之輻照序列之遮罩的視圖。

10:分度模組

12:載入埠

14:分度框架

20:處理模組

30:控制器

120:指標機器人

122:手部

124:導引軌條

200:緩衝單元

220:緩衝器

300:傳送腔室

320:傳送機器人

322:手部

324:導引軌條

400:液體處理腔室

CR:容器

X:第一方向

Y:第二方向

Z:第三方向

Claims (20)

1. 一種用於處理遮罩的遮罩處理設備，其包含：支撐單元，前述支撐單元經組態以支撐前述遮罩；及光輻照單元，前述光輻照單元經組態以藉由光輻照前述遮罩以調整形成於前述遮罩中圖案的關鍵尺度，其中前述光輻照單元包括：光源，前述光源經組態以產生前述光；及光調變元件，前述光調變元件經組態以調變由前述光源產生的前述光且形成輻照圖案。
2. 如請求項1所述之遮罩處理設備，其中前述光調變元件包括：微型鏡面，前述微型鏡面以旋轉方式設置；及元件基板，前述微型鏡面安設於前述元件基板中。
3. 如請求項2所述之遮罩處理設備，其中前述光輻照單元進一步包括光收集器，前述光收集器經組態以移除反射方向由前述微型鏡面改變且因此不傳送至前述遮罩的光。
4. 如請求項3所述之遮罩處理設備，其中前述光收集器具有中空圓柱形狀且具有孔，由前述光調變元件調變的前述光通過前述孔。
5. 如請求項4所述之遮罩處理設備，其中前述光收集器之內表面的至少一部分包括溝槽，前述溝槽經組態以移除前述反射方向由前述微型鏡面改變且因此不傳送至前述遮罩的光。
6. 如請求項3所述之遮罩處理設備，其中前述光輻照單元進一步包括冷卻機構，前述冷卻機構經組態以冷卻前述光收集器。
7. 如請求項1所述之遮罩處理設備，其進一步包含：輻照位置改變機構，前述輻照位置改變機構經組態以改變由前述光調變元件調變的前述光之輻照位置，其中前述輻照位置改變機構包括：旋轉驅動器；及旋轉鏡面，前述旋轉鏡面耦接至前述旋轉驅動器且為可旋轉的。
8. 如請求項7所述之遮罩處理設備，其中設置複數個旋轉驅動器，且設置複數個旋轉鏡面，且前述複數個旋轉鏡面中任一者的旋轉軸及前述複數個旋轉鏡面中另一個旋轉鏡面的旋轉軸並不彼此平行。
9. 如請求項7所述之遮罩處理設備，其進一步包含：平場聚焦透鏡(F-Theta lens)，前述平場聚焦透鏡安設於前述輻照位置改變機構與前述支撐單元之間，且經組態以在垂直方向上折射由前述輻照位置改變機構傾斜地行進的前述光。
10. 如請求項1所述之遮罩處理設備，其進一步包含：控制器，前述控制器經組態以控制前述光輻照單元，其中前述控制器控制前述光調變元件以形成需要前述光之輻照的前述遮罩之複數個區中之每一區中所需要的輻照圖案，且隨機地判定前述複數個區的輻照序列。
11. 一種用於處理形成有圖案的基板的基板處理設備，其包含：支撐單元，前述支撐單元經組態以支撐前述基板； 化學液體供應單元，前述化學液體供應單元經組態以供應化學液體至由前述支撐單元支撐的前述基板；及雷射射束輻照單元，前述雷射射束輻照單元經組態以將雷射射束輻照到前述基板上的圖案，前述基板由前述支撐單元支撐，且前述基板藉由前述化學液體供應單元供應前述化學液體形成液體膜，其中前述雷射射束輻照單元包括：雷射射束源，前述雷射射束源經組態以產生前述雷射射束；及數位微型鏡面裝置(DMD)元件，前述DMD元件經組態以調變由前述雷射射束源產生的前述雷射射束以便形成輻照圖案。
12. 如請求項11所述之基板處理設備，其進一步包含：碗狀件，前述碗狀件經組態以定義處理空間，在前述處理空間中處理前述基板，前述支撐單元在前述處理空間中支撐前述基板。
13. 如請求項11所述之基板處理設備，其進一步包含：控制器，前述控制器經組態以控制前述雷射射束輻照單元，其中前述控制器控制前述雷射射束輻照單元，使得前述DMD元件在前述基板之第一區藉由前述雷射射束輻照時形成第一輻照圖案，且前述DMD元件在前述基板之不同於前述第一區的第二區藉由前述雷射射束輻照時形成第二輻照圖案。
14. 如請求項11所述之基板處理設備，其進一步包含：控制器，前述控制器經組態以控制前述雷射射束輻照單元， 其中前述控制器控制前述雷射射束輻照單元以隨機地判定需要前述雷射射束之輻照的前述基板之複數個區的輻照序列，且根據所判定的前述輻照序列藉由前述雷射射束輻照前述基板。
15. 如請求項11所述之基板處理設備，其進一步包含：輻照位置改變機構，前述輻照位置改變機構經組態以改變由前述DMD元件調變的前述雷射射束之輻照位置，其中在前述基板藉由前述雷射射束輻照同時及/或在前述雷射射束之前述輻照位置經改變同時，前述支撐單元維持前述基板之水平位置於固定狀態。
16. 如請求項11所述之基板處理設備，其進一步包含：控制器，前述控制器經組態以控制前述化學液體供應單元及前述雷射射束輻照單元，其中前述控制器控制前述化學液體供應單元及前述雷射射束輻照單元，使得前述化學液體供應單元供應前述化學液體至由前述支撐單元支撐的前述基板以形成前述液體膜，且前述雷射射束輻照單元對形成有前述液體膜於其上的前述基板輻照前述雷射射束。
17. 如請求項11所述之基板處理設備，其進一步包含：平坦頂部光學機構，前述平坦頂部光學機構經組態以將由前述雷射射束源發射且具有高斯形狀的前述雷射射束轉換為具有平坦頂部形狀的雷射射束。
18. 如請求項11所述之基板處理設備，其中前述DMD元件藉由維持由前述雷射射束源產生之前述雷射射束的寬度或減小前述雷射射束之前述寬度來調變前述雷射射束。
19. 一種用於藉由反射極紫外線(EUV)光處理EUV遮罩且將圖案形成於基板上的遮罩處理設備，前述遮罩處理設備包含：支撐單元，前述支撐單元經組態以支撐遮罩；液體供應單元，前述液體供應單元經組態以向前述遮罩供應作為蝕刻劑的化學液體；及雷射射束輻照單元，前述雷射射束輻照單元經組態以藉由雷射射束輻照前述遮罩且調整形成於前述遮罩中之圖案的關鍵尺度，在前述遮罩中液體膜由前述液體供應單元供應的前述化學液體形成，其中前述雷射射束輻照單元包括：雷射射束源，前述雷射射束源經組態以產生具有高斯形狀的雷射射束；數位微型鏡面裝置(DMD)元件，前述DMD元件經組態以調變由前述雷射射束源產生的前述雷射射束以形成輻照圖案；雷射射束收集器，前述雷射射束收集器經組態以移除反射方向由前述DMD元件改變且因此並未輻照至前述基板的雷射射束；於前述雷射射束收集器中形成孔，由前述DMD元件調變之前述雷射射束通過前述孔；及於前述雷射射束收集器之內表面中形成複數個溝槽，前述複數個溝槽經組態以移除並未輻照至前述基板的前述雷射射束；平坦頂部光學機構，前述平坦頂部光學機構安設於前述雷射射束源與前述DMD元件之間，且經組態以將具有高斯形狀的前述雷射射束轉換為具有平坦頂部形狀的雷射射束； 輻照位置改變機構，前述輻照位置改變機構係為Galvano掃描儀，且經組態以改變遮罩藉由前述DMD元件調變的前述雷射射束輻照的前述遮罩的位置；及平場聚焦透鏡(F-Theta lens)，前述平場聚焦透鏡定位於前述輻照位置改變機構與前述支撐單元之間，且經組態以在垂直方向上改變通過前述輻照位置改變機構的前述雷射射束之行進方向。
20. 如請求項19所述之遮罩處理設備，其進一步包含：控制器，前述控制器經組態以控制前述雷射射束輻照單元及前述化學液體供應單元，其中前述控制器執行以下操作：控制前述化學液體供應單元，使得前述化學液體供應單元供應化學液體至由前述支撐單元支撐的前述遮罩以形成前述液體膜；由前述控制器隨機地判定需要前述雷射射束之輻照的前述遮罩之複數個區的前述雷射射束之輻照序列；控制前述DMD元件，使得前述DMD元件形成對應於前述複數個區中藉由前述雷射射束輻照之區的輻照圖案；及根據前述形成之輻照圖案及前述輻照序列來藉由前述雷射射束輻照前述遮罩。