CN107827873B - 一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件 - Google Patents

一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN107827873B
CN107827873B CN201710990957.9A CN201710990957A CN107827873B CN 107827873 B CN107827873 B CN 107827873B CN 201710990957 A CN201710990957 A CN 201710990957A CN 107827873 B CN107827873 B CN 107827873B
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound
theoretical
product
mass spectrum
above results
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710990957.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107827873A (zh
Inventor
刘喜庆
孙敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Original Assignee
Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd filed Critical Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd
Priority to CN201710990957.9A priority Critical patent/CN107827873B/zh
Publication of CN107827873A publication Critical patent/CN107827873A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107827873B publication Critical patent/CN107827873B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D251/00—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
    • C07D251/02—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
    • C07D251/12—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D251/14—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom
    • C07D251/22—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom to two ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C07F7/0816—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring comprising Si as a ring atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

本发明公开了一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件，本发明的有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有本发明的三芳胺类衍生物。本发明的优点是，本发明的三芳胺类衍生物的共轭体系较大，因此具有较高的空穴迁移率，表现出较好的空穴传输性能，另外本发明的三芳胺类衍生物还具有较好的热稳定性和溶解性，有利于材料成膜；应用本发明的三芳胺类衍生物作为有机物层的有机发光器件，具有较高的发光效率和发光亮度，并且具有较长的使用寿命。

Description

一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件。
背景技术
有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前，有机光电材料已经应用于有机发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术，OLED以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点，越来越多的应用于显示及照明领域。
通常OLED具有多层结构，包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极以及置于ITO阳极与金属阴极之间的若干有机光电材料层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等。在一定电压驱动下，电子与空穴分别由阴极与阳极注入到电子传输层和空穴传输层，两者分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光材料层，当两者在发光材料层中相遇结合时形成电子-空穴复合激子，激子通过发光弛豫的形式回到基态，从而达到发光的目的。
目前，有机发光器件已经向着实用化、商品化发展，但在器件的亮度、效率和寿命上仍需要进一步的提高，这对有机空穴传输材料也提出了更高的要求。如何设计新的性能更好的材料进行调节，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
发明目的：针对上述问题，本发明的目的是提供一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件，该化合物作为空穴传输材料应用在有机发光器件中，从而降低了有机发光器件的驱动电压，提高了有机发光器件的发光效率及亮度，并且延长了有机发光器件的使用寿命。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案实现的：一种三芳胺类衍生物，该衍生物具有如化学式I所示的结构通式：
Figure BDA0001441468600000021
其中，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C50的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基。
优选的，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C15的芳基、取代或未取代的C6～C15的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基。
最优选的，Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的苯基、咔唑基、萘基、蒽基、芴基、三联苯基、联苯基、三亚苯基、螺二芴基。
优选的，本发明的三芳胺类衍生物选自如下所示化学结构中的一种：
Figure BDA0001441468600000022
Figure BDA0001441468600000031
Figure BDA0001441468600000041
Figure BDA0001441468600000051
本发明还提供了一种有机发光器件，该有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有上述本发明的三芳胺类衍生物。
进一步的，有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。
优选的，有机物层包括空穴传输层，空穴传输层包含上述本发明的三芳胺类衍生物。
有益效果：与现有技术相比，本发明的优点是，本发明的三芳胺类衍生物的共轭体系较大，因此具有较高的空穴迁移率，表现出较好的空穴传输性能，另外本发明的三芳胺类衍生物还具有较好的热稳定性和溶解性，有利于材料成膜；应用本发明的三芳胺类衍生物作为有机物层的有机发光器件，具有较低的驱动电压，较高的发光效率和发光亮度，并且具有较长的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
一种三芳胺类衍生物，该衍生物具有如化学式I所示结构通式：
Figure BDA0001441468600000061
其中，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C50的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基。
优选的，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C15的芳基、取代或未取代的C6～C15的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基。
按照本发明，上述取代的芳基、取代的杂芳基中，取代基独立地选自氘、C1～C10烷基、氨基、烷基氨基、羟基、烷氧基、酰胺基、酰氧基、C6～C24芳基和C3～C20杂环基。
最优选的，Ar1、Ar2、Ar3独立的选自苯基、烷基取代的苯基、苯基取代的苯基、萘基取代的苯基、蒽基取代的苯基、芴基取代的苯基、咔唑基、烷基取代的咔唑基、苯基取代的咔唑基、萘基取代的咔唑基、蒽基取代的咔唑基、菲基取代的咔唑基、咔唑N-取代的咔唑、三联苯基、烷基取代的三联苯基、萘基取代的联苯基、蒽基取代的联苯基、菲基取代的联苯基、芴基取代的联苯基、咔唑取代的联苯基、三亚苯基、二苯取代的苯基、联苯取代的芴基、联苯取代的咔唑基、苯基取代的联萘基、二苯取代的蒽基、螺二芴基、蒽基、烷基取代的蒽基、苯基取代的蒽基、萘基取代的蒽基、芴基取代的蒽基、菲基取代的蒽基、芴基、烷基取代的芴基、苯基取代的芴基、蒽基取代的芴基、菲基取代的芴基。
作为举例，没有特别限定，本发明的三芳胺类衍生物选自如下所示化学式中的一种：
Figure BDA0001441468600000071
Figure BDA0001441468600000091
Figure BDA0001441468600000101
本发明的三芳胺类衍生物的合成路线如下所示：
Figure BDA0001441468600000102
Figure BDA0001441468600000111
其中，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C50的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基。
上述三芳胺类衍生物的合成步骤如下：
(1)向圆底烧瓶中依次加入化合物I、4-溴-4'-碘联苯、t-BuONa、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2以及超声除氧的甲苯，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II；
(2)在圆底烧瓶中依次加入化合物II、氨水、t-BuONa、Pd2(dba)3以及超声除氧的二甲苯，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯中的P(t-Bu)3，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A；
(3)向圆底烧瓶中依次加入中间体A、化合物III、t-BuONa以及、Pd2(dba)3以及超声除氧的甲苯，随后添加溶解于甲苯中的P(t-Bu)3，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B；
(4)在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B、化合物IV、t-BuONa、Pd(dba)2、超声除氧的甲苯以及溶解于甲苯中的P(t-Bu)3的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化学式I的产品。
对本发明的三芳胺类衍生物的合成路线没有特殊限制，可以采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。
本发明还提供了一种有机发光器件，该有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有上述本发明的三芳胺类衍生物。
本发明的有机发光器件的有机物层具有单层结构，或可选择性地具有其中两个或更多个有机物层分层的多层结构。本发明的有机发光器件可具有空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层或置于阳极和空穴注入层之间的缓冲层作为有机物层。然而，有机发光器件的结构不限于此，但是可包括较少数量的有机物层。含有本发明的三芳胺类衍生物的有机物层的厚度不高于6μm，优选为不高于0.3μm，且更优选为0.002～0.3μm。如果需要，含有本发明的三芳胺类衍生物的有机物层可进一步包含本领域中已知的能进行空穴注入、空穴传输、发光、电子传输和电子注入的其它材料。
本发明的有机发光器件可以使用已知材料通过已知方法制备，仅可以在一层或多层有机物层中包含本发明的三芳胺类衍生物。
本发明的三芳胺类衍生物具体可以作为制备有机发光器件的空穴传输层。采用的有机发光器件优选为：附着在透光玻璃上的ITO作为阳极，空穴注入层，本发明的三芳胺类衍生物作为空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，金属Al作为阴极。
发明的有机发光器件可广泛应用于平板显示、固体照明、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。
本发明对以下实施例中所采用的原料没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
实施例1：中间体A-1的制备
向圆底烧瓶中依次加入化合物I-1(12.5g,73.8mmol)、4-溴-4'-碘联苯(26.5g,73.8mmol)、t-BuONa(10.7g,111mmol)、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2(1.2g,1.47mmol)以及超声除氧的甲苯(1.5L)，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II-1的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II-1(23.0g,78％)。
在圆底烧瓶中依次加入化合物II-1(20.0g,50mmol)、氨水(5.8g,150mmol)、t-BuONa(14.4g,150mmol)、Pd2(dba)3(0.46g,0.5mmol)以及超声除氧的二甲苯(1L)，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯(3ml)中的P(t-Bu)3(0.40g,2mmol)，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A-1(11.8g,70％)。质谱m/z：理论值：336.44；实测值：338.65。理论元素含量(％)C24H20N2：C,85.68；H,5.99；N,8.33；实测元素含量(％)：C,85.66；H,6.02；N,8.21。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体B-1的制备
Figure BDA0001441468600000131
向圆底烧瓶中依次加入中间体A-1(12.6g,37.5mmol)、化合物III-1(5.9g,37.5mmol)、t-BuONa(5.4g,56.25mmol)以及、Pd2(dba)3(0.686g,0.75mmol)以及超声除氧的甲苯(200mL)，随后添加溶解于甲苯(3mL)中的P(t-Bu)3(0.36g,1.8mmol)，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有几层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B-1的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B-1(10.1g,65％)。质谱m/z：理论值：412.54；实测值：414.67。理论元素含量(％)C30H24N2：C,87.35；H,5.86；N,6.79；实测元素含量(％)：C,87.32；H,5.89；N,6.78。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM1的制备
Figure BDA0001441468600000132
在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B-1(20.7g,50.0mmol)、化合物IV-1(27.0g,100mmol)、t-BuONa(10.1g,105mmol)、Pd(dba)2(0.28g,0.306mmol)、超声除氧的甲苯(300ml)以及溶解于甲苯(5ml)中的P(t-Bu)3(1g,4.9mmol)的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物TM1(23.9g,74％)。质谱m/z：理论值：645.77；实测值：647.86。理论元素含量(％)C43H31N7：C,79.98；H,4.84；N,15.18；实测元素含量(％)：C,79.95；H,4.88；N,15.16。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例2：中间体A-2的制备
向圆底烧瓶中依次加入化合物I-2(19.9g,73.8mmol)、4-溴-4'-碘联苯(26.5g,73.8mmol)、t-BuONa(10.7g,111mmol)、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2(1.2g,1.47mmol)以及超声除氧的甲苯(1.5L)，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II-2的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II-2(27.7g,75％)。
在圆底烧瓶中依次加入化合物II-2(25.0g,50mmol)、氨水(5.8g,150mmol)、t-BuONa(14.4g,150mmol)、Pd2(dba)3(0.46g,0.5mmol)以及超声除氧的二甲苯(1L)，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯(3ml)中的P(t-Bu)3(0.40g,2mmol)，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A-2(14.4g,66％)。质谱m/z：理论值：436.55；实测值：438.67。理论元素含量(％)C32H24N2：C,88.04；H,5.54；N,6.42；实测元素含量(％)：C,88.01；H,5.59；N,6.40。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体B-2的制备
Figure BDA0001441468600000151
向圆底烧瓶中依次加入中间体A-2(16.4g,37.5mmol)、化合物III-2(7.8g,37.5mmol)、t-BuONa(5.4g,56.25mmol)以及、Pd2(dba)3(0.686g,0.75mmol)以及超声除氧的甲苯(200mL)，随后添加溶解于甲苯(3mL)中的P(t-Bu)3(0.36g,1.8mmol)，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有几层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B-2的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B-2(13.3g,63％)。质谱m/z：理论值：562.70；实测值：564.86。理论元素含量(％)C42H30N2：C,89.65；H,5.37；N,4.98；实测元素含量(％)：C,89.63；H,5.43；N,4.96。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM2的制备
在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B-2(28.1g,50.0mmol)、化合物IV-2(27.0g,100mmol)、t-BuONa(10.1g,105mmol)、Pd(dba)2(0.28g,0.306mmol)、超声除氧的甲苯(300ml)以及溶解于甲苯(5ml)中的P(t-Bu)3(1g,4.9mmol)的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物TM2(28.6g,72％)。质谱m/z：理论值：795.95；实测值：797.89。理论元素含量(％)C55H37N7：C,83.00；H,4.69；N,12.32；实测元素含量(％)：C,82.88；H,4.74；N,12.27。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例3：中间体A-3的制备
Figure BDA0001441468600000161
向圆底烧瓶中依次加入化合物I-3(19.9g,73.8mmol)、4-溴-4'-碘联苯(26.5g,73.8mmol)、t-BuONa(10.7g,111mmol)、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2(1.2g,1.47mmol)以及超声除氧的甲苯(1.5L)，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II-3的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II-3(25.1g,78％)。
在圆底烧瓶中依次加入化合物II-3(25.0g,50mmol)、氨水(5.8g,150mmol)、t-BuONa(14.4g,150mmol)、Pd2(dba)3(0.46g,0.5mmol)以及超声除氧的二甲苯(1L)，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯(3ml)中的P(t-Bu)3(0.40g,2mmol)，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A-3(15.1g,69％)。质谱m/z：理论值：436.55；实测值：438.67。理论元素含量(％)C32H24N2：C,88.04；H,5.54；N,6.42；实测元素含量(％)：C,88.01；H,5.59；N,6.40。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体B-3的制备
Figure BDA0001441468600000162
向圆底烧瓶中依次加入中间体A-3(16.4g,37.5mmol)、化合物III-3(5.9g,37.5mmol)、t-BuONa(5.4g,56.25mmol)以及、Pd2(dba)3(0.686g,0.75mmol)以及超声除氧的甲苯(200mL)，随后添加溶解于甲苯(3mL)中的P(t-Bu)3(0.36g,1.8mmol)，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有几层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B-3的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B-3(12.7g,66％)。质谱m/z：理论值：512.66；实测值：514.78。理论元素含量(％)C38H28N2：C,89.03；H,5.51；N,5.46；实测元素含量(％)：C,89.01；H,5.56；N,5.44。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM3的制备
Figure BDA0001441468600000171
在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B-3(25.6g,50.0mmol)、化合物IV-3(27.0g,100mmol)、t-BuONa(10.1g,105mmol)、Pd(dba)2(0.28g,0.306mmol)、超声除氧的甲苯(300ml)以及溶解于甲苯(5ml)中的P(t-Bu)3(1g,4.9mmol)的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物TM3(28.0g,75％)。质谱m/z：理论值：745.89；实测值：747.94。理论元素含量(％)C51H35N7：C,82.12；H,4.73；N,13.15；实测元素含量(％)：C,82.11；H,4.76；N,13.13。上述结果证实获得产物为目标产品。
参照化合物1、化合物2和化合物3的合成方法合成其他目标产物，其反应物、目标产物、产率列于表1。
表1
Figure BDA0001441468600000172
Figure BDA0001441468600000181
Figure BDA0001441468600000191
Figure BDA0001441468600000201
Figure BDA0001441468600000211
Figure BDA0001441468600000221
Figure BDA0001441468600000231
化合物TM4(29.8g,75％)。质谱m/z：理论值：793.97；实测值：795.89。理论元素含量(％)C57H39N5：C,86.23；H,4.95；N,8.82；实测元素含量(％)：C,86.19；H,4.99；N,8.78。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM5(28.2g,73％)。质谱m/z：理论值：771.97；实测值：773.86。理论元素含量(％)C55H41N5：C,85.57；H,5.35；N,9.07；实测元素含量(％)：C,85.54；H,5.38；N,9.05。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM6(29.8g,71％)。质谱m/z：理论值：838.07；实测值：839.12。理论元素含量(％)C60H47N5：C,85.99；H,5.65；N,8.36；实测元素含量(％)：C,85.95；H,5.69；N,8.33。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM7(35.2g,76％)。质谱m/z：理论值：926.18；实测值：928.21。理论元素含量(％)C67H51N5：C,86.89；H,5.55；N,7.56；实测元素含量(％)：C,86.87；H,5.59；N,7.53。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM8(36.3g,72％)。质谱m/z：理论值：1008.33；实测值：1009.43。理论元素含量(％)C73H61N5：C,86.96；H,6.10；N,6.95；实测元素含量(％)：C,86.946；H,6.16；N,6.92。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM9(33.7g,72％)。质谱m/z：理论值：936.18；实测值：938.23。理论元素含量(％)C68H49N5：C,87.24；H,5.28；N,7.48；实测元素含量(％)：C,87.21；H,5.33；N,7.45。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM10(37.1g,74％)。质谱m/z：理论值：1002.28；实测值：1004.32。理论元素含量(％)C73H55N5：C,87.48；H,5.53；N,6.99；实测元素含量(％)：C,87.45；H,5.58；N,6.96。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM11(37.4g,73％)。质谱m/z：理论值：1026.30；实测值：1027.43。理论元素含量(％)C75H55N5：C,87.77；H,5.40；N,6.82；实测元素含量(％)：C,87.73；H,5.45；N,6.81。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM12(45.6g,75％)。质谱m/z：理论值：1216.55；实测值：1218.58。理论元素含量(％)C90H65N5：C,88.86；H,5.39；N,5.76；实测元素含量(％)：C,88.83；H,5.43；N,5.73。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM13(38.5g,76％)。质谱m/z：理论值：1012.27；实测值：1014.31。理论元素含量(％)C74H53N5：C,87.80；H,5.28；N,6.92；实测元素含量(％)：C,87.76；H,5.34；N,6.87。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM14(40.6g,72％)。质谱m/z：理论值：1128.44；实测值：1129.54。理论元素含量(％)C83H61N5：C,88.34；H,5.45；N,6.21；实测元素含量(％)：C,88.28；H,5.48；N,6.18。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM15(38.5g,74％)。质谱m/z：理论值：1040.33；实测值：1042.45。理论元素含量(％)C76H57N5：C,87.75；H,5.52；N,6.73；实测元素含量(％)：C,87.71；H,5.58；N,6.71。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM16(36.2g,73％)。质谱m/z：理论值：992.28；实测值：994.32。理论元素含量(％)C72H57N5：C,87.15；H,5.79；N,7.06；实测元素含量(％)：C,87.125；H,5.83；N,7.03。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM17(37.3g,73％)。质谱m/z：理论值：1022.27；实测值：1024.34。理论元素含量(％)C75H51N5：C,88.12；H,5.03；N,6.85；实测元素含量(％)：C,88.08；H,5.07；N,6.82。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM18(31.8g,76％)。质谱m/z：理论值：837.04；实测值：839.11。理论元素含量(％)C59H44N6：C,84.66；H,5.30；N,10.04；实测元素含量(％)：C,84.61；H,5.350；N,10.01。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM19(30.8g,74％)。质谱m/z：理论值：832.07；实测值：834.10。理论元素含量(％)C57H49N7：C,82.28；H,5.94；N,11.78；实测元素含量(％)：C,82.24；H,5.99；N,11.75。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM20(32.6g,76％)。质谱m/z：理论值：858.11；实测值：859.23。理论元素含量(％)C59H51N7：C,82.58；H,5.99；N,11.43；实测元素含量(％)：C,82.54；H,6.03；N,11.41。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM21(29.3g,75％)。质谱m/z：理论值：782.01；实测值：784.11。理论元素含量(％)C53H47N7：C,81.40；H,6.06；N,12.54；实测元素含量(％)：C,81.35；H,6.12；N,12.51。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM22(32.8g,73％)。质谱m/z：理论值：900.14；实测值：902.22。理论元素含量(％)C65H49N5：C,86.73；H,5.49；N,7.78；实测元素含量(％)：C,86.71；H,5.52；N,7.74。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM23(32.4g,74％)。质谱m/z：理论值：876.12；实测值：876.12。理论元素含量(％)C63H49N5：C,86.37；H,5.64；N,7.99；实测元素含量(％)：C,86.32；H,5.68；N,7.95。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM24(32.8g,72％)。质谱m/z：理论值：912.24；实测值：914.29。理论元素含量(％)C65H61N5：C,85.58；H,6.74；N,7.68；实测元素含量(％)：C,85.52；H,6.82；N,7.63。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM25(35.4g,71％)。质谱m/z：理论值：996.23；实测值：998.29。理论元素含量(％)C73H49N5：C,88.01；H,4.96；N,7.03；实测元素含量(％)：C,87.97；H,4.99；N,7.01。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM26(33.5g,74％)。质谱m/z：理论值：906.19；实测值：908.23。理论元素含量(％)C65H55N5：C,86.15；H,6.12；N,7.73；实测元素含量(％)：C,86.09；H,6.17；N,7.68。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM27(35.6g,76％)。质谱m/z：理论值：938.31；实测值：939.34。理论元素含量(％)C65H59N5Si：C,83.20；H,6.34；N,7.46；Si,2.99；实测元素含量(％)：C,83.18；H,6.43；N,7.42；Si,2.95。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM28(40.9g,72％)。质谱m/z：理论值：1136.56；实测值：1138.61。理论元素含量(％)C79H61N5Si2：C,83.49；H,5.41；N,6.16；Si,4.94；实测元素含量(％)：C,83.45；H,5.48；N,6.13；Si,4.91。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM29(32.3g,75％)。质谱m/z：理论值：862.18；实测值：864.21。理论元素含量(％)C61H59N5：C,84.98；H,6.90；N,8.12；实测元素含量(％)：C,84.92；H,6.94；N,8.08。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM30(37.8g,76％)。质谱m/z：理论值：996.23；实测值：998.31。理论元素含量(％)C73H49N5：C,88.01；H,4.96；N,7.03；实测元素含量(％)：C,87.98；H,4.98；N,7.01。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM31(24.6g,71％)。质谱m/z：理论值：693.85；实测值：695.88。理论元素含量(％)C49H35N5：C,84.82；H,5.08；N,10.09；实测元素含量(％)：C,84.78；H,5.12；N,10.04。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM32(34.2g,74％)。质谱m/z：理论值：924.25；实测值：926.35。理论元素含量(％)C66H61N5：C,85.77；H,6.65；N,7.58；实测元素含量(％)：C,85.73；H,6.68；N,7.56。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM33(25.9g,74％)。质谱m/z：理论值：701.92；实测值：7031.89。理论元素含量(％)C49H43N5：C,83.85；H,6.18；N,9.98；实测元素含量(％)：C,83.81；H,6.23；N,9.93。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM34(38.7g,72％)。质谱m/z：理论值：1076.36；实测值：1078.41。理论元素含量(％)C79H57N5：C,88.16；H,5.34；N,6.51；实测元素含量(％)：C,88.12；H,5.37；N,6.46。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM35(31.3g,76％)。质谱m/z：理论值：824.00；实测值：825.17。理论元素含量(％)C57H41N7：C,83.09；H,5.02；N,11.90；实测元素含量(％)：C,83.03；H,5.11；N,11.87。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM36(32.4g,72％)。质谱m/z：理论值：899.16；实测值：901.22。理论元素含量(％)C61H54N8：C,81.48；H,6.05；N,12.46；实测元素含量(％)：C,81.43；H,6.11；N,12.42。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM37(35.9g,75％)。质谱m/z：理论值：958.27；实测值：959.65。理论元素含量(％)C69H59N5：C,86.49；H,6.21；N,7.31；实测元素含量(％)：C,86.43；H,6.26；N,7.28。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM38(39.6g,75％)。质谱m/z：理论值：1056.37；实测值：10576.41。理论元素含量(％)C77H61N5：C,87.55；H,5.82；N,6.63；实测元素含量(％)：C,87.52；H,5.88；N,6.61。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM39(33.2g,73％)。质谱m/z：理论值：910.24；实测值：912.53。理论元素含量(％)C59H47N7Si2：C,77.85；H,5.20；N,10.77；Si,6.17；实测元素含量(％)：C,77.82；H,5.28；N,10.75；Si,6.14。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM40(29.8g,75％)。质谱m/z：理论值：793.97；实测值：794.89。理论元素含量(％)C57H39N5：C,86.23；H,4.95；N,8.82；实测元素含量(％)：C,86.13；H,4.99；N,8.78。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM41(26.8g,72％)。质谱m/z：理论值：743.91；实测值：745.65。理论元素含量(％)C53H37N5：C,85.57；H,5.01；N,9.41；实测元素含量(％)：C,85.53；H,5.05；N,9.36。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM42(29.2g,72％)。质谱m/z：理论值：811.99；实测值：813.54。理论元素含量(％)C56H41N7：C,82.84；H,5.09；N,12.08；实测元素含量(％)：C,82.81；H,5.12；N,12.05。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM43(34.3g,74％)。质谱m/z：理论值：928.16；实测值：929.26。理论元素含量(％)C65H49N7：C,84.11；H,5.32；N,10.56；实测元素含量(％)：C,84.05；H,5.37；N,10.52。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM44(35.6g,71％)。质谱m/z：理论值：1002.28；实测值：1003.33。理论元素含量(％)C73H55N5：C,87.48；H,5.53；N,6.99；实测元素含量(％)：C,87.45；H,5.58；N,6.96。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM45(32.9g,71％)。质谱m/z：理论值：928.16；实测值：929.32。理论元素含量(％)C65H49N7：C,84.11；H,5.32；N,10.56；实测元素含量(％)：C,84.08；H,5.37；N,10.53。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM46(46.8g,76％)。质谱m/z：理论值：1232.59；实测值：1233.61。理论元素含量(％)C91H69N5：C,88.68；H,5.64；N,5.68；实测元素含量(％)：C,88.64；H,5.68；N,5.65。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM47(42.6g,72％)。质谱m/z：理论值：1184.46；实测值：1185.53。理论元素含量(％)C88H57N5：C,89.24；H,4.85；N,5.91；实测元素含量(％)：C,89.21；H,4.88；N,5.86。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM48(38.7g,73％)。质谱m/z：理论值：1060.32；实测值：1061.72。理论元素含量(％)C78H53N5：C,88.36；H,5.04；N,6.61；实测元素含量(％)：C,88.32；H,5.07；N,6.53。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM49(34.6g,72％)。质谱m/z：理论值：961.19；实测值：963.21。理论元素含量(％)C69H48N6：C,86.22；H,5.03；N,8.74；实测元素含量(％)：C,86.182；H,5.07；N,8.71。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM50(41.0g,75％)。质谱m/z：理论值：1094.33；实测值：1095.85。理论元素含量(％)C81H51N5：C,88.90；H,4.70；N,6.40；实测元素含量(％)：C,88.85；H,4.77；N,6.36。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM51(30.9g,72％)。质谱m/z：理论值：858.11；实测值：859.21。理论元素含量(％)C59H51N7：C,82.58；H,5.99；N,11.43；实测元素含量(％)：C,82.56；H,6.01；N,11.41。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM52(38.0g,74％)。质谱m/z：理论值：1028.32；实测值1029.46。理论元素含量(％)C75H57N5：C,87.60；H,5.59；N,6.81；实测元素含量(％)：C,87.54；H,5.63；N,6.76。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM53(33.9g,71％)。质谱m/z：理论值：956.25；实测值958.75。理论元素含量(％)C69H57N5：C,86.67；H,6.01；N,7.32；实测元素含量(％)：C,86.63；H,6.05；N,7.26。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM54(32.2g,73％)。质谱m/z：理论值：882.20；实测值883.34。理论元素含量(％)C61H51N5Si：C,83.05；H,5.83；N,7.94；Si,3.18；实测元素含量(％)：C,83.01；H,5.88；N,7.92；Si,3.14。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM55(32.5g,76％)。质谱m/z：理论值：856.13；实测值857.23。理论元素含量(％)C61H53N5：C,85.58；H,6.24；N,8.18；实测元素含量(％)：C,85.55；H,6.29；N,8.16。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM56(31.9g,72％)。质谱m/z：理论值：886.12；实测值887.22。理论元素含量(％)C64H47N5：C,86.75；H,5.35；N,7.90；实测元素含量(％)：C,86.72；H,5.41；N,7.86。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM57(35.9g,74％)。质谱m/z：理论值：970.19；实测值972.64。理论元素含量(％)C71H47N5：C,87.90；H,4.88；N,7.22；实测元素含量(％)：C,87.86；H,4.94；N,7.17。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM58(31.4g,74％)。质谱m/z：理论值：850.08；实测值852.12。理论元素含量(％)C61H47N5：C,86.19；H,5.57；N,8.24；实测元素含量(％)：C,86.14；H,5.63；N,8.21。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM59(44.8g,75％)。质谱m/z：理论值：1195.49；实测值1196.82。理论元素含量(％)C85H62N8：C,85.40；H,5.23；N,9.37；实测元素含量(％)：C,85.34；H,5.27；N,9.32。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物TM60(30.4g,75％)。质谱m/z：理论值：812.18；实测值814.21。理论元素含量(％)C53H49N5Si2：C,78.38；H,6.08；N,8.62；Si,6.92；实测元素含量(％)：C,78.35；H,6.13；N,8.61；Si,6.87。上述结果证实获得产物为目标产品。
应用实施例1：发光器件1的制备
选取ITO玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀CuPc作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀TM2作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀ADN作为发光材料层主体，2％的DPAVB作为掺杂。在发光材料层上真空蒸镀Alq3作为电子注入层，蒸镀厚度为40nm。在电子注入层上蒸镀0.2nm的Liq以及150nm的Al作为阴极。
应用实施例2：发光器件2的制备
将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM15。
应用实施例3：发光器件3的制备
将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM28。
应用实施例4：发光器件4的制备
将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM47。
应用实施例5：发光器件5的制备
将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM55。
对比实施例1
选取ITO玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀CuPc作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀ADN作为发光材料层主体，2％的DPAVB作为掺杂。在发光材料层上真空蒸镀Alq3作为电子注入层，蒸镀厚度为40nm。在电子注入层上蒸镀0.2nm的Liq以及150nm的Al作为阴极。
本发明应用实施例1-5以及对比实施例1制备的发光器件的发光特性测试结果如表2所示。
表2
Figure BDA0001441468600000301
从表2中可以看出，本发明的三芳胺类衍生物作为空穴传输材料应用到有机发光器件中，该有机发光器件表现出较低的驱动电压，较高的发光效率和较长的使用寿命，并且具有较好的耐久性和可靠性。

Claims (1)

1.一种有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，所述有机物层位于阴极和阳极之间，所述有机物层包括空穴传输层，所述空穴传输层包含三芳胺类衍生物，所述三芳胺类衍生物选自如下所示化学结构中的一种，
Figure FDA0002251992380000011
Figure FDA0002251992380000021
CN201710990957.9A 2017-10-23 2017-10-23 一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件 Active CN107827873B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710990957.9A CN107827873B (zh) 2017-10-23 2017-10-23 一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710990957.9A CN107827873B (zh) 2017-10-23 2017-10-23 一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107827873A CN107827873A (zh) 2018-03-23
CN107827873B true CN107827873B (zh) 2020-02-07

Family

ID=61648758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710990957.9A Active CN107827873B (zh) 2017-10-23 2017-10-23 一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107827873B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113024477A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 陕西维世诺新材料有限公司 一种三嗪类化合物及其制备方法
KR102510700B1 (ko) * 2021-03-31 2023-03-20 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150006722A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2015041428A1 (ko) * 2013-09-17 2015-03-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20150117399A (ko) * 2014-04-10 2015-10-20 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010004803A1 (de) * 2010-01-16 2011-07-21 Merck Patent GmbH, 64293 Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150006722A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2015041428A1 (ko) * 2013-09-17 2015-03-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20150117399A (ko) * 2014-04-10 2015-10-20 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN107827873A (zh) 2018-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100852328B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기 전기 발광 소자
KR101421791B1 (ko) 새로운 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101012578B1 (ko) 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자
CN111574544A (zh) 一种含硼的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用
EP2873666A1 (en) Heterocyclic compound and organic electronic element containing same
KR100864154B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기전자소자
KR20070096917A (ko) 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기전자소자
EP3006433B1 (en) Compound, organic light emitting element comprising same, and display device comprising organic light emitting element
KR20110053114A (ko) 신규한 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
KR20100119077A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
CN106986842A (zh) 用于发光器件的螺二芴化合物
CN111393308B (zh) 含氮化合物、电子元件和电子装置
CN113233987B (zh) 一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN111471063A (zh) 一种含有硼的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN111018854B (zh) 化合物、有机电致发光器件以及电子装置
CN111004242B (zh) 含氮化合物、电子元件和电子装置
CN113937231B (zh) 有机电致发光器件和电子装置
CN107827873B (zh) 一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件
CN110642732B (zh) 一种含螺芴蒽酮结构的有机化合物及其应用
KR101680413B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN113149864B (zh) 基于茚并[2,1-a]茚稠环单元的热活性延迟荧光材料的合成及其应用
KR20150082156A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN112442037B (zh) 一种发光材料及其应用
CN110734381B (zh) 一种以三芳胺为核心的化合物及其制备方法和应用
CN113764604B (zh) 一种组合物及包含其的电子元件和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 130000 A5, North Lake Science and Technology Park, 3333 North Sheng street, Beihu science and Technology Development Zone, Jilin, Changchun

Patentee after: Changchun hiprunsi Technology Co., Ltd

Address before: 130000 A5, North Lake Science and Technology Park, 3333 North Sheng street, Beihu science and Technology Development Zone, Jilin, Changchun

Patentee before: CHANGCHUN HAIPURUNSI TECHNOLOGY Co.,Ltd.