CN107815656A - 利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法 - Google Patents

利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107815656A
CN107815656A CN201711028774.5A CN201711028774A CN107815656A CN 107815656 A CN107815656 A CN 107815656A CN 201711028774 A CN201711028774 A CN 201711028774A CN 107815656 A CN107815656 A CN 107815656A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic matrix
film
hydrogen
evacuated
process conditions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711028774.5A
Other languages
English (en)
Inventor
鲍必辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wenzhou Branch Robot Technology Co Ltd
Original Assignee
Wenzhou Branch Robot Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wenzhou Branch Robot Technology Co Ltd filed Critical Wenzhou Branch Robot Technology Co Ltd
Priority to CN201711028774.5A priority Critical patent/CN107815656A/zh
Publication of CN107815656A publication Critical patent/CN107815656A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/02—Details

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明公开了表面覆盖TiN‑纳米Ti02膜的电子装置壳体及其加工方法，借助磁控溅射，通过调节工艺参数先在陶瓷基体(101)上涂覆TiN薄膜预置层(102），再在TiN预置层(102）上涂覆纳米TiO2膜(103)，薄膜均匀。有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，提高产品竞争力；而且，加工过程中靶料利用率高，安全环保。

Description

利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法
技术领域
本申请是分案申请，母案申请号是2015103699135。本发明涉及电子装置领域，具体是指利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法。
背景技术
现有电子产品的壳体涂覆有避免信号干扰的金属层以获得较好的操作强度和质感，但金属层不具备清洁功能，表面容易积聚灰尘、汗渍等等，影响电子产品的使用。
二氧化钛膜具有较好的光催化作用，在紫外线照射下可使部分有机物分解，具有一定的自清洁能力。
磁控溅射沉积是指具有足够高能量的粒子轰击靶材表面，使靶材中的原子通过碰撞获得足够的能量，从而从表面发射出来，再通过施加磁场而改变高能量粒子的运动方向，并束缚和延长粒子的运动轨迹，进而提高粒子对工作气体的电离效率和溅射沉积率。磁控溅射技术现在己经成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，特别适合于大面积镀膜的生产，其最突出的优点是膜与基体的附着力更强；还具有成膜速率高、均匀性好等优点；另外，整个镀膜过程中不产生其余有害废气、废液，绿色环保。
发明内容
本发明的目的在于提供利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法，有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，提供一种便于清洁的电子装置外壳及其加工方法。
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体，包括基体、覆盖基体外表面的纳米TiO2膜和连接基体与纳米TiO2膜的预置层；所述纳米TiO2膜为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体，预置层为TiN预置层。
本发明提供的表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体，不干扰电子信号，且具有易清洁和自清洁的特性。纳米TiO2膜不仅可以使壳体呈现出金属外观，还可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面的灰尘、汗渍或残留有机污染物等，从而对壳体表面起到清洁保护的作用。另一方面，由于纳米TiO2膜具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，水流还会自动带走壳体上被纳米TiO2膜分解之后残留的污染物。如此，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
所述TiN预置层既能增强陶瓷基体与纳米TiO2膜之间的结合度，又能够隔离陶瓷基体与纳米TiO2膜，防止陶瓷基体被纳米Ti0膜氧化分解。
所述纳米TiO2膜的厚度为20-80nm，在该厚度范围内，纳米Ti0膜不会对电子信号的收发产生干扰。
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体，包括基体、覆盖基体外表面的纳米Ti02膜(103)和连接基体与纳米Ti02膜(103)的预置层；所述纳米Ti02膜(103)为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体(101)，预置层为TiN预置层(102)。
利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体(101)进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体(101)稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体(101)输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体(101)温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
优选地，所述步骤S100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体(101)放入水温60-80摄氏度的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体(101)放入配置20-50％丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体(101)，去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体(101)并用冷风将其表面吹干，待用。
优选地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体(101)摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。
优选地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10-4-4.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-1.6Pa,氮气的分压为0.02-0.02Pa。
优选地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
优选地，所述步骤5500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8×10-4-6.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-2.8Pa,氧气的分压为0.O1-0.025Pa。
优选地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压OV，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
优选地，所述氢气作为溅射气体，其纯度大于99.999％；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99％；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9％。
优选地，所述金属钛靶的纯度大于99.96％。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本发明提供一种利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
(2)加工过程中靶料利用率高，安全环保。
附图说明
图1为表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的加工流程示意图。
图2为表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的结构示意图。
其中：101-陶瓷基体，102-TiN预置层，103一纳米TiO2膜。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1：
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体，如图2所示，包括基体、覆盖基体外表面的纳米TiO2膜103和连接基体与纳米TiO2膜103的预置层；所述纳米TiO2膜103为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体，预置层为TiN预置层102。
本发明提供的表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体，不干扰电子信号，且具有易清洁和自清洁的特性。纳米TiO2膜不仅可以使壳体呈现出金属外观，还可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面的灰尘、汗渍或残留有机污染物等，从而对壳体表面起到清洁保护的作用。另一方面，由于纳米TiO2膜103具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，水流还会自动带走壳体上被纳米TiO2膜103分解之后残留的污染物。如此，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
所述TiN预置层102既能增强陶瓷基体与纳米TiO2膜103之间的结合度，又能够隔离陶瓷基体101与纳米TiO2膜103，防止陶瓷基体101被纳米Ti02膜103氧化分解。
所述纳米TiO2膜103的厚度为20-80nm，在该厚度范围内，纳米Ti02膜103不会对电子信号的收发产生干扰。
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体，包括基体、覆盖基体外表面的纳米Ti02膜103和连接基体与纳米Ti02膜103的预置层102；所述纳米Ti02膜103为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体101，预置层102为TiN预置层102。
实施例2：
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体101温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
实施例3：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤5100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体101放入水温60-80摄氏度的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体(101)放入配置20-50％丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体(101)，去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体(101)并用冷风将其表面吹干，待用。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例4：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体101摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例5：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10-4-4.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-1.6Pa,氮气的分压为0.02-0.02Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例6：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例7：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤5500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8×10-4-6.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-2.8Pa,氧气的分压为0.O1-0.025Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例8：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压OV，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例9：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述氢气作为溅射气体，其纯度大于99.999％；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99％；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9％；所述金属钛靶的纯度大于99.96％。。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例10：
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体101温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10-4-4.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-1.6Pa,氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
实施例11：
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体101温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8×10-4-6.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-2.8Pa,氧气的分压为0.O1-0.025Pa。
进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压OV，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
实施例12：
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体101温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10-4-4.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-1.6Pa,氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8×10-4-6.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-2.8Pa,氧气的分压为0.O1-0.025Pa。
实施例13：
表面覆盖TiN-纳米Ti02膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体101温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体101上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过TiN膜预置层，加强二氧化钛膜与陶瓷基体101的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在100nm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。
进一步地，所述步骤S100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体(101)放入水温60-80摄氏度的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体(101)放入配置20-50％丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体(101)，去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体(101)并用冷风将其表面吹干，待用。
进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体(101)摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10-4-4.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-1.6Pa,氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8×10-4-6.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-2.8Pa,氧气的分压为0.O1-0.025Pa。
进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压OV，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
进一步地，所述氢气作为溅射气体，其纯度大于99.999％；
所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99％；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9％。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (1)

1.一种利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体(101)进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体(101)稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体(101)输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3×10-4至5×10-4Pa，通入氢气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm,陶瓷基体(101)温度30-300摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5×10-4至8×10-4Pa，通入氢气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min；
所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8×10-4-4.2×10-4Pa,氢气的分压为0.4-1.6Pa,氮气的分压为0.02-0.02Pa；
所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm,陶瓷基体(101)温度200摄氏度的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
CN201711028774.5A 2015-06-30 2015-06-30 利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法 Pending CN107815656A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711028774.5A CN107815656A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510369913.5A CN105177516B (zh) 2015-06-30 2015-06-30 表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法
CN201711028774.5A CN107815656A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510369913.5A Division CN105177516B (zh) 2015-06-30 2015-06-30 表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107815656A true CN107815656A (zh) 2018-03-20

Family

ID=54899931

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711028775.XA Pending CN107794503A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 壳体表面涂覆二氧化钛纳米涂层的制造方法
CN201711032257.5A Pending CN107779832A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 磁控溅射涂覆二氧化钛复合涂层的工艺方法
CN201510369913.5A Expired - Fee Related CN105177516B (zh) 2015-06-30 2015-06-30 表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法
CN201711028774.5A Pending CN107815656A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 利用磁控溅射制备钛合金涂层的方法
CN201711032288.0A Pending CN107761066A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 涂覆金属复合纳米涂层的制造工艺

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711028775.XA Pending CN107794503A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 壳体表面涂覆二氧化钛纳米涂层的制造方法
CN201711032257.5A Pending CN107779832A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 磁控溅射涂覆二氧化钛复合涂层的工艺方法
CN201510369913.5A Expired - Fee Related CN105177516B (zh) 2015-06-30 2015-06-30 表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711032288.0A Pending CN107761066A (zh) 2015-06-30 2015-06-30 涂覆金属复合纳米涂层的制造工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (5) CN107794503A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116103612A (zh) * 2023-03-02 2023-05-12 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 一种氮化钛薄膜的制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105483697B (zh) * 2015-12-30 2019-04-05 温州神一轴业股份有限公司 一种微型轴及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103924202A (zh) * 2014-04-03 2014-07-16 西南交通大学 一种金属支架表面改性方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1049017C (zh) * 1995-05-31 2000-02-02 西南交通大学 一种在人工器官表面沉积氧化钛和氮化钛复合膜的方法
JP2000176281A (ja) * 1998-12-11 2000-06-27 Ricoh Elemex Corp 酸化チタン膜コーティング製品
CN1141178C (zh) * 2001-10-31 2004-03-10 清华大学 二氧化钛光催化空气净化薄膜及其制备方法
CN201180112Y (zh) * 2008-03-11 2009-01-14 洛阳新晶润工程玻璃有限公司 一种可见光高透过率镀膜玻璃
CN102111970A (zh) * 2009-12-28 2011-06-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置壳体及其制作方法
CN101891400A (zh) * 2010-07-02 2010-11-24 浙江大学 兼具自清洁和节能功能的镀膜玻璃的制备方法
CN103824202A (zh) * 2014-03-21 2014-05-28 成都市易恒信科技有限公司 基于cpk标识认证技术的rfid与二维码复合鉴真防伪溯源方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103924202A (zh) * 2014-04-03 2014-07-16 西南交通大学 一种金属支架表面改性方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116103612A (zh) * 2023-03-02 2023-05-12 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 一种氮化钛薄膜的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107794503A (zh) 2018-03-13
CN105177516A (zh) 2015-12-23
CN105177516B (zh) 2017-12-12
CN107779832A (zh) 2018-03-09
CN107761066A (zh) 2018-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102373428A (zh) 涂层、具有该涂层的被覆件及该被覆件的制备方法
CN105177516B (zh) 表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法
CN102463714A (zh) 具有抗指纹性的被覆件及其制造方法
CN101538123A (zh) 一种镀有光催化层和抗菌金属离子的自洁净玻璃的制造方法
CN102400102A (zh) 金属表面抗指纹处理方法及制得的金属产品
CN102477531B (zh) 被覆件及其制造方法
CN103741102B (zh) 一种水晶灯挂件玻璃的制作方法
CN102560351B (zh) 镀膜件及其制备方法
US8304100B2 (en) Coated glass and method for making the same
CN104947059A (zh) 表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体及其加工方法
CN102485938B (zh) 具有抗指纹涂层的被覆件及其制造方法
Davis High power pulse reactive sputtering of TiO 2
CN104624212A (zh) 一种增强纳米银/二氧化钛复合薄膜光催化性能的方法
CN1850689A (zh) 通过热处理使TiN薄膜具有自清洁性能的方法
Kim et al. Enhanced hydrophilic property of TiO 2 thin film deposited on glass etched with O 2 plasma
WO2023190230A1 (ja) 光触媒部材
CN102703861A (zh) 一种陶瓷白薄膜的制备方法
CN218240872U (zh) 一种自消毒杀菌触摸屏
TWI496909B (zh) 具有抗指紋塗層的被覆件及其製造方法
CN102896826A (zh) 镀膜件及其制造方法
CN205953839U (zh) 一种低透光率的深蓝色阳光控制镀膜玻璃
CN105624613A (zh) 一种杀菌防炫增透的耐磨触摸显示屏及其制造方法
CN206279087U (zh) 一种具有优异可钢化性能的low‑e镀膜玻璃
TW200912018A (en) Magnesium alloy material having titanium dioxide thin film and physical vapor deposition manufacturing method thereof
TWI496933B (zh) 鎂合金製品及其製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180320