CN107799537A - 阵列基板以及显示装置 - Google Patents
阵列基板以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107799537A CN107799537A CN201710883532.8A CN201710883532A CN107799537A CN 107799537 A CN107799537 A CN 107799537A CN 201710883532 A CN201710883532 A CN 201710883532A CN 107799537 A CN107799537 A CN 107799537A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gate line
- along
- array base
- signal
- base palte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示装置,所述显示装置包括层叠设置的阵列基板、显示介质层以及对向基板,所述阵列基板包括基板及设置于所述基板上的多个阵列排列的薄膜晶体管和导线层,所述导线层包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线,每一条栅极信号线沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管,所述栅极信号线的电阻沿着所述栅极信号的传输的方向减小。本发明通过设计一种沿栅极信号传输方向电阻均匀减小的栅极信号线,实现了所述栅极信号线各区域的实际驱动电压与理想驱动电压一致,进而所述显示装置的所述栅极信号线各区域的薄膜晶体管效应一致,从而导致所述显示装置画面闪烁均匀。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板以及具有该阵列基板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,人们对于显示装置画面品质的要求不断提高,尤其对于显示装置画面闪烁(Flicker)均匀性要求越来越高。
电阻电容(RC)延迟是影像显示装置画面闪烁均匀性的主要因素之一。显示装置中薄膜晶体管阵列基板的栅极信号线受到RC延迟的影响,将产生电信号延迟,进而造成显示装置中某些位置的实际驱动电压与理想驱动电压不一致,即栅极信号线各区域的薄膜晶体管(feedthrough)效应不一致,从而导致显示装置画面闪烁均匀性较差的情况,这严重影响显示装置的画质和人们的用户体验。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板以及显示装置,通过设计一种沿栅极信号传输方向电阻均匀减小的栅极信号线,进而阵列基板和显示装置中实际驱动电压与理想驱动电压一致,栅极信号线各区域的薄膜晶体管(feedthrough)效应一致,从而实现画面闪烁(Flicker)的均一性。
本发明提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括基板及设置于所述基板上的多个阵列排列的薄膜晶体管和导线层,所述导线层包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线,每一条所述栅极信号线沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管,所述栅极信号线的电阻沿着所述栅极信号的传输的方向减小。
其中,所述栅极信号线的所述电阻均匀减小。
其中,所述栅极信号线的厚度沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大。
其中,所述栅极信号线沿着所述第一方向包括相对的第一端与第二端,所述第一端较所述第二端先接收到所述栅极信号(或者所述栅极信号自所述第一端传输至所述第二端),所述栅极信号线的所述第一端的厚度为所述栅极信号线的所述第二端的厚度为
其中,所述栅极信号线沿着所述第一方向包括相对的第一端与第二端,所述第一端较所述第二端先接收到所述栅极信号(或者所述栅极信号自所述第一端传输至所述第二端),所述栅极信号线的所述第一端的厚度为所述栅极信号线的所述第二端的厚度为
其中,所述栅极信号线的第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大,所述第二方向为与所述第一方向垂直的方向。
其中,所述栅极信号线沿着所述第一方向包括相对的第一端与第二端,所述第一端较所述第二端先接收到所述栅极信号(或者所述栅极信号自所述第一端传输至所述第二端),所述栅极信号线的所述第一端沿着所述第二方向的尺寸为所述栅极信号线的所述第二端沿着所述第二方向的尺寸为
其中,所述栅极信号线的厚度以及第二方向的尺寸均沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大。
本发明提供了一种显示装置,所述显示装置包括层叠设置的阵列基板、显示介质层以及对向基板,所述阵列基板包括基板及设置于所述基板上的多个阵列排列的薄膜晶体管和导线层,所述导线层包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线,每一条栅极信号线沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管,所述栅极信号线的电阻沿着所述栅极信号的传输的方向减小。
其中,所述栅极信号线的厚度和/或第二方向的尺寸沿着所述栅极信号的传输方向逐渐增大,进而导致所述栅极信号线的所述电阻均匀减小;或者,所述栅极信号线的电阻率沿着所述栅极信号的传输方向逐渐减小。
综上所述,本发明导线层中栅极信号线的电阻沿栅极信号传输的方向均匀减小,进而阵列基板和显示装置中实际驱动电压与理想驱动电压一致,导致栅极信号线各区域的薄膜晶体管(feedthrough)效应一致,从而实现画面闪烁(Flicker)的均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的阵列基板中半导体层及栅极信号线的结构示意图。
图2是本发明实施例提供的阵列基板结构的俯视示意图。
图3是图1中栅极信号线的结构示意图。
图4是图1中栅极信号线另一种状态的结构示意图。
图5是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1、图2,本发明提供了一种阵列基板,所述阵列基板可以是薄膜晶体管阵列基板,或者低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。所述阵列基板包括基板10及设置于所述基板10上的多个阵列排列的薄膜晶体管20和导线层30,所述导线层30包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线301,每一条栅极信号线301沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管20,所述栅极信号线301的电阻沿着所述栅极信号的传输的方向减小。在本实施例中,所述栅极信号线301的厚度沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大,进而导致所述栅极信号线301的所述电阻沿着所述栅极信号传输的方向均匀减小。进一步地,所述第一方向为所述栅极信号传输的方向。
请参阅图3,所述栅极信号线301沿着所述第一方向包括相对的第一端3011与第二端3012,所述第一端3011较所述第二端3012先接收到所述栅极信号,即所述栅极信号自所述第一端3011传输至所述第二端3012,所述栅极信号线301的所述第一端3011的厚度为所述栅极信号线301的所述第二端3012的厚度为
优选的,所述栅极信号线301的所述第一端3011的厚度为所述栅极信号线301的所述第二端3012的厚度为
在本实施例中,通过半色调曝光显影刻蚀工艺使所述栅极信号线301的厚度沿着所述栅极信号传输的方向均匀增大,进而使所述栅极信号线301的所述电阻均匀减小。具体为,在刻蚀所述导线层30非保留区域时,将所述导线层30保留区域沿厚度方向的尺寸逐步推减直至将所述保留区域刻穿,进而使更多的栅极信号线301裸露出来,从而形成了厚度不一致的所述栅极信号线301。其有益效果在于:所述栅极信号线301的厚度沿着所述栅极信号传输的方向均匀增大,进而导致所述栅极信号线301的电阻沿着所述栅极信号传输的方向均匀减小,所述栅极信号线301的各区域实际驱动电压与理想驱动电压一致,使位于所述栅极信号线301输出端的所述薄膜晶体管效应和远离所述栅极信号线301输出端的所述薄膜晶体管效应尽可能保持一致,实现所述阵列基板的所述栅极信号线301各区域的薄膜晶体管效应一致。
进一步地,所述栅极信号线301的材料为钼材。
进一步地,所述薄膜晶体管20包括形成于导线层的栅极、覆盖所述导线层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、设于所述半导体层上的源极/漏极层及覆盖所述源/漏极层的绝缘保护层,所述源/漏极层包括源极及漏极,所述源极与所述漏极间隔设置。
请参阅图4,本发明的第二实施例中,所述栅极信号线301第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大,进而导致所述栅极信号线301的所述电阻沿着所述栅极信号传输的方向均匀减小。进一步地,所述第一方向为所述栅极信号传输的方向,所述第二方向为图4中与所述第一方向垂直的方向。
所述栅极信号线301沿着所述第一方向包括相对的第一端3011与第二端3012,所述第一端3011较所述第二端3012先接收到所述栅极信号,即所述栅极信号自所述第一端3011传输至所述第二端3012,所述栅极信号线301的所述第一端3011第二方向的尺寸为所述栅极信号线301的所述第二端3012第二方向的尺寸为
在本实施例中,通过半色调曝光显影刻蚀工艺使所述栅极信号线301第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向均匀增大,进而使所述栅极信号线301的所述电阻均匀减小。具体为,在刻蚀所述导线层非保留区域时,将所述导线层30保留区域沿第二方向的尺寸逐步推减直至将所述保留区域刻穿,进而使更多的栅极信号线301裸露出来,从而形成了第二方向尺寸不一致的所述栅极信号线301。其有益效果在于:所述栅极信号线301第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向均匀增大,进而导致所述栅极信号线301的电阻沿着所述栅极信号传输的方向均匀减小,所述栅极信号线301的各区域实际驱动电压与理想驱动电压一致,使位于所述栅极信号线301输出端的所述薄膜晶体管效应和远离所述栅极信号线301输出端的所述薄膜晶体管效应尽可能保持一致,实现所述阵列基板的所述栅极信号线301各区域的薄膜晶体管效应一致。
进一步地,所述栅极信号线301的材料为钼材。
进一步地,所述薄膜晶体管20包括形成于导线层的栅极、覆盖所述导线层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、设于所述半导体层上的源极/漏极层及覆盖所述源/漏极层的绝缘保护层,所述源/漏极层包括源极及漏极,所述源极与所述漏极间隔设置。
本发明的第三实施例中,所述栅极信号线301的厚度以及第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大,进而导致所述栅极信号线301的所述电阻沿着所述栅极信号传输的方向均匀减小。进一步地,所述第一方向为所述栅极信号传输的方向,所述第二方向为与所述第一方向垂直的方向。
所述栅极信号线301沿着所述第一方向包括相对的第一端3011与第二端3012,所述第一端3011较所述第二端3012先接收到所述栅极信号,即所述栅极信号自所述第一端3011传输至所述第二端3012,所述栅极信号线301的所述第一端3011的厚度为所述第一端3011第二方向的尺寸为所述栅极信号线301的所述第二端3012的厚度为所述第二端3012第二方向的尺寸为
在本实施例中,通过半色调曝光显影刻蚀工艺使所述栅极信号线301的厚度以及第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向均匀增大,进而使所述栅极信号线301的所述电阻均匀减小。具体为,在刻蚀所述导线层30非保留区域时,将所述导线层30保留区域沿厚度方向以及第二方向的尺寸逐步推减直至将所述保留区域刻穿,进而使更多的栅极信号线301裸露出来,从而形成了厚度与第二方向尺寸不一致的所述栅极信号线301。其有益效果在于:所述栅极信号线301的厚度以及第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向均匀增大,进而导致所述栅极信号线301的电阻沿着所述栅极信号传输的方向均匀减小,所述栅极信号线301的各区域实际驱动电压与理想驱动电压一致,使位于所述栅极信号线301输出端的所述薄膜晶体管效应和远离所述栅极信号线301输出端的所述薄膜晶体管效应尽可能保持一致,实现所述阵列基板的所述栅极信号线301各区域的薄膜晶体管效应一致。
进一步地,所述栅极信号线301的材料为钼材。
进一步地,所述薄膜晶体管20包括形成于导线层的栅极、覆盖所述导线层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、设于所述半导体层上的源极/漏极层及覆盖所述源/漏极层的绝缘保护层,所述源/漏极层包括源极及漏极,所述源极与所述漏极间隔设置。
本发明的第四实施例中,所述栅极信号线301的厚度以及第二方向的尺寸不变,所述栅极信号线301的的电阻率沿着所述栅极信号传输的方向逐渐减小,进而导致所述栅极信号线301的所述电阻均匀减小,实现所述栅极信号线301的各区域实际驱动电压与理想驱动电压一致,进一步实现所述栅极信号线301各区域的薄膜晶体管效应一致。
请参阅图5,本发明还提供了一种显示装置,所述显示装置包括层叠设置的阵列基板、显示介质层40以及对向基板50,所述阵列基板包括基板10及设置于所述基板上的多个阵列排列的薄膜晶体管20和导线层30,所述导线层30包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线301,每一条栅极信号线301沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管20,所述栅极信号线301的电阻沿着所述栅极信号传输的方向减小。
所述栅极信号线301的厚度以及第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大,进而导致所述栅极信号线301的所述电阻均匀减小;或者,所述栅极信号线301的电阻率沿着所述栅极信号的传输方向逐渐减小。
进一步地,所述显示介质层40通过扭转可以控制射出显示屏的光线亮度。所述对向基板50结合所述显示介质层40可以调节三原色的光亮,得到需要的彩色显示。其有益效果在于:所述栅极信号线301的厚度以及第二方向的尺寸沿着所述栅极信号的传输方向均匀增大或者所述栅极信号线301的电阻率沿着所述栅极信号的传输方向逐渐减小,进而导致所述栅极信号线301的电阻沿着所述栅极信号的传输方向均匀减小,实现所述栅极信号线301的各区域实际驱动电压与理想驱动电压一致,进而所述显示装置的所述栅极信号线301各区域的薄膜晶体管效应一致,从而导致所述显示装置画面闪烁(Flicker)均匀。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本发明权利要求所作的等同变化,仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板及设置于所述基板上的多个阵列排列的薄膜晶体管和导线层,所述导线层包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线,每一条所述栅极信号线沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管,所述栅极信号线的电阻沿着所述栅极信号的传输的方向减小。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线的所述电阻均匀减小。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线的厚度沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线沿着所述第一方向包括相对的第一端与第二端,所述第一端较所述第二端先接收到所述栅极信号(或者所述栅极信号自所述第一端传输至所述第二端),所述栅极信号线的所述第一端的厚度为所述栅极信号线的所述第二端的厚度为
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线沿着所述第一方向包括相对的第一端与第二端,所述第一端较所述第二端先接收到所述栅极信号(或者所述栅极信号自所述第一端传输至所述第二端),所述栅极信号线的所述第一端的厚度为所述栅极信号线的所述第二端的厚度为
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线的第二方向的尺寸沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大,所述第二方向为与所述第一方向垂直的方向。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线沿着所述第一方向包括相对的第一端与第二端,所述第一端较所述第二端先接收到所述栅极信号(或者所述栅极信号自所述第一端传输至所述第二端),所述栅极信号线的所述第一端沿着所述第二方向的尺寸为所述栅极信号线的所述第二端沿着所述第二方向的尺寸为
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线的厚度以及第二方向的尺寸均沿着所述栅极信号传输的方向逐渐增大。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括层叠设置的阵列基板、显示介质层以及对向基板,所述阵列基板包括基板及设置于所述基板上的多个阵列排列的薄膜晶体管和导线层,所述导线层包括多条用于传输栅极信号的栅极信号线,每一条栅极信号线沿第一方向延伸并且连接沿着所述第一方向设置的数个所述薄膜晶体管,所述栅极信号线的电阻沿着所述栅极信号的传输的方向减小。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述栅极信号线的厚度和/或第二方向的尺寸沿着所述栅极信号的传输方向逐渐增大,进而导致所述栅极信号线的所述电阻均匀减小;或者,所述栅极信号线的电阻率沿着所述栅极信号的传输方向逐渐减小。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710883532.8A CN107799537A (zh) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | 阵列基板以及显示装置 |
PCT/CN2018/072695 WO2019061956A1 (zh) | 2017-09-26 | 2018-01-15 | 阵列基板以及显示装置 |
US16/003,752 US10367010B2 (en) | 2017-09-26 | 2018-06-08 | Array substrate and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710883532.8A CN107799537A (zh) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | 阵列基板以及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107799537A true CN107799537A (zh) | 2018-03-13 |
Family
ID=61532410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710883532.8A Pending CN107799537A (zh) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | 阵列基板以及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107799537A (zh) |
WO (1) | WO2019061956A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111402830A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-10 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 用于信号传输的电路板、显示装置及其驱动方法 |
CN113097234A (zh) * | 2021-04-02 | 2021-07-09 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103365015A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示器 |
CN106449662A (zh) * | 2016-11-16 | 2017-02-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN106681036A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-05-17 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN106783890A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100955772B1 (ko) * | 2003-06-20 | 2010-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
CN100466266C (zh) * | 2006-04-21 | 2009-03-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft lcd阵列基板及制造方法 |
KR101441545B1 (ko) * | 2008-01-02 | 2014-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 이의 제조방법 |
CN202905715U (zh) * | 2012-09-21 | 2013-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
KR102374749B1 (ko) * | 2015-07-15 | 2022-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 저 저항 배선 구조를 갖는 초고밀도 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN106226967B (zh) * | 2016-09-21 | 2023-05-12 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及制作方法 |
-
2017
- 2017-09-26 CN CN201710883532.8A patent/CN107799537A/zh active Pending
-
2018
- 2018-01-15 WO PCT/CN2018/072695 patent/WO2019061956A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103365015A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示器 |
CN106449662A (zh) * | 2016-11-16 | 2017-02-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN106783890A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN106681036A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-05-17 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
范志新: "《液晶器件工艺基础》", 31 December 2000 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111402830A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-10 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 用于信号传输的电路板、显示装置及其驱动方法 |
CN113097234A (zh) * | 2021-04-02 | 2021-07-09 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019061956A1 (zh) | 2019-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190157311A1 (en) | Flexible array substrate and preparation method thereof, display substrate and display device | |
CN106158882B (zh) | 一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法 | |
US10095075B2 (en) | Display panel, display apparatus having the same and method of manufacturing the same | |
CN102576736B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
US9952473B2 (en) | Display panel including light shielding line, display device having the same and method of manufacturing the same | |
TW201232629A (en) | Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same | |
US10535682B2 (en) | Active device array substrate | |
CN104638017B (zh) | 薄膜晶体管、像素结构及其制作方法、阵列基板、显示装置 | |
CN101764091A (zh) | 半导体设备及其制造方法 | |
US20210233937A1 (en) | Transistor structure, display device including transistor structure, and method of manufacturing transistor structure | |
CN205248273U (zh) | 一种用于液晶显示器的阵列基板 | |
TWI532154B (zh) | 顯示面板及顯示裝置 | |
CN108376688A (zh) | 一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
CN107863340A (zh) | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 | |
CN106802519A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
CN103811499A (zh) | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
US20180197887A1 (en) | Array Substrate and Manufacturing Method thereof | |
CN107799537A (zh) | 阵列基板以及显示装置 | |
CN114582910A (zh) | 显示装置 | |
WO2016201778A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
CN108873511A (zh) | 平面显示面板及其制造方法 | |
US20080100765A1 (en) | Ffs mode lcd | |
CN105140298B (zh) | 薄膜晶体管和阵列基板 | |
CN208028063U (zh) | 一种感光组件、阵列基板、显示装置 | |
US20170025447A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180313 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |