CN107797396A - 导电薄膜对位标记制作方法 - Google Patents

Abstract

一种导电薄膜对位标记制作方法，包括如下步骤：提供一包括一功能区域和一邻接功能区域的辅助区域的基片，辅助区域用以形成至少一对位标记；在基片之上形成一导电薄膜；在导电薄膜之上形成一正性光阻膜；通过第一光罩曝光正性光阻膜，形成第一曝光区域和保留区域；显影正性光阻膜；蚀刻导电薄膜；通过位于该至少一对位标记之上的第二光罩再次曝光正性光阻膜，形成位于保留区域的第二曝光区域；再次显影正性光阻膜，形成至少一个对位标记。该制作方法节省原材料、工序简单，且能有效避免位于导电薄膜之下的膜层被腐蚀。

Description

导电薄膜对位标记制作方法

技术领域

本发明涉及一种导电薄膜对位标记制作方法。

背景技术

触控显示产品的普及吸引了大批投资进入该产业，致使业内竞争日趋激烈，各生产商竞相推出高性能产品以冀获得竞争优势。在此背景下，触控面板各膜层的透过率越来越高，致使导电薄膜上的对位标记难以被设备捕捉，不能自动对位。现有技术中，通过增加一道BM(black matrix，黑色矩阵)工序或金属镀膜工序制作导电薄膜上的对位标记来解决该问题。这种解决方案的问题在于：增加了一道工序，使得相较于以往加工同样数量的产品需要使用更多的设备、原材料，并付出更多的劳动，提高了生产成本；同时，增加了一道工序，必然会生产出更多次品，降低了产品良率。

触控面板制作过程中，会在导电薄膜上蚀刻出特定图案，蚀刻出该特定图案的过程包括以下步骤：在导电薄膜上涂布一层正性光阻；光透过呈该特定图案的光罩照射在该正性光阻上，该正性光阻部分区域曝光，以使曝光区域易于移去；利用显影液移去该正性光阻的该曝光区域，以使该正性光阻呈该特定图案；利用蚀刻液蚀刻该导电薄膜，以使该导电薄膜呈该特定图案；利用去胶液全部移去该正性光阻。当该导电薄膜为ITO(indium tinoxide，氧化铟锡)薄膜时，该去胶液是浓度为5％的KOH；当该导电薄膜为金属薄膜时，该去胶液为有机碱。该KOH和该有机碱均是强碱，会对该导电薄膜下部的膜层(例如为BM或含有铜引线的膜层)产生腐蚀，该KOH及该有机碱的成本也较高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种导电薄膜对位标记制作方法，该方法节省原材料、工序简单，且能有效避免位于导电薄膜之下的膜层被腐蚀。

本发明实施例提供的导电薄膜对位标记制作方法，包括如下步骤：提供一基片，基片包括用于切割之后最终形成产品的功能区域和与功能区域相邻接的辅助区域，辅助区域用以在其之上形成至少一个对位标记；在基片之上形成一导电薄膜；在导电薄膜之上形成一正性光阻膜；通过第一光罩向正性光阻膜照射曝光光，以使正性光阻膜的部分区域曝光，正性光阻膜曝光的部分区域形成为第一曝光区域，正性光阻膜未曝光的区域形成为保留区域；利用第一显影液移去第一曝光区域，保留保留区域，位于正性光阻膜之下的导电薄膜的部分区域露出形成为裸露区域；利用蚀刻液蚀刻导电薄膜，蚀刻掉裸露区域；通过第二光罩向正性光阻膜照射曝光光，以使保留区域部分区域曝光，保留区域曝光的部分区域形成为第二曝光区域，第二光罩位于至少一个对位标记之上，且具有与至少一个对位标记相同的图案；利用第二显影液移去第二曝光区域，形成至少一个对位标记。

本发明较佳实施例中，基片是刚性基板或柔性基板。

本发明较佳实施例中，基片上下两个表面为平面或者曲面。

本发明较佳实施例中，基片上下两个表面中的一个表面形成有对位标记，或者基片上下两个表面都形成有对位标记。

本发明较佳实施例中，全部对位标记位于基片周围区域，或者一部分对位标记位于基片周围区域。

本发明较佳实施例中，对位标记的数量为三个，三个对位标记构成一个非对称三角形。

本发明较佳实施例中，对位标记呈非对称十字形或非对称三角形。

本发明较佳实施例中，基片包括一基板玻璃和一黑色矩阵，黑色矩阵位于基板玻璃之上。

本发明较佳实施例中，导电薄膜为ITO薄膜或金属薄膜，正性光阻层厚度为0.8um～1.5um。

本发明较佳实施例中，第一显影液是浓度为0.5％～1.5％的KOH溶液，第一显影液溶解移去第一曝光区域，第二显影液是浓度为0.6％～1％的KOH溶液，第二显影液溶解移去第二曝光区域。

本发明实施例提供的导电薄膜对位标记制作方法，在去除正性光阻膜时保留用正性光阻制作的对位标记，在后续工序中，曝光机能自动捕捉对位标记，顺利完成自动对位。该制作方法工序简单，节省原材料和劳动时间并提高了产品的良率。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1为本发明实施例提供的导电薄膜对位标记制作方法的步骤流程图；

图2A至图2H为图1中导电薄膜对位标记制作方法的步骤示意图；

图3为本发明实施例中基片的示意图；

图4为本发明一变化实施例中对位标记位于基片及导电薄膜上的示意图；

图5为本发明另一变化实施例中对位标记位于基片及导电薄膜上的示意图；

图6为本发明又一变化实施例中对位标记的分布示意图；

图7为本发明实施例中对位标记的形状示意图；

图8为本发明再一变化实施例中对位标记的形状示意图；

图9为本发明还一变化实施例中对位标记制作的步骤示意图。

具体实施方式

为说明本发明实施例提供的导电薄膜对位标记制作方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。

请参照图1和图2A至图2H，本发明实施例提供的导电薄膜对位标记制作方法(以下简称“制作方法”)包括如下步骤：

如图2A所述，提供一基片10，请同时参照图3，基片10包括切割后最终形成产品的功能区域11和与功能区域11相邻接的辅助区域13，辅助区域13用以在其之上形成至少一个对位标记34；

如图2B所示，在基片10之上形成一层导电薄膜20，优选地，本实施例通过磁控溅射沉积成膜技术在基片10上形成导电薄膜20；优选地，导电薄膜20为ITO薄膜或金属薄膜；

如图2C所示，在导电薄膜20之上形成一层正性光阻膜30，具体地，本实施例中是用涂布刀在导电薄膜20表面涂布正性光阻膜30，优选地，正性光阻层厚度为0.8um～1.5um，正性光阻膜30具有特定的性能：曝光后，正性光阻膜30曝光的区域易于被显影液溶解移去；

如图2D所示，通过第一光罩60向正性光阻膜30照射曝光光50，以使正性光阻膜30的部分区域曝光，正性光阻膜30曝光的部分区域形成为第一曝光区域31，第一曝光区域31易于被显影液溶解移去，正性光阻膜30未曝光的区域形成为保留区域33；

如图2E所示，利用第一显影液溶解移去第一曝光区域31，并保留保留区域33，位于正性光阻膜30之下的导电薄膜20的部分区域露出，导电薄膜20露出的部分区域形成为裸露区域21，优选地，本实施例中第一显影液是浓度为0.5％～1.5％的KOH溶液；

如图2F所示，利用蚀刻液蚀刻导电薄膜20，蚀刻掉裸露区域21；

如图2G所示，通过第二光罩70向正性光阻膜30照射曝光光50，以使保留区域33部分区域曝光，保留区域33曝光的部分区域形成为第二曝光区域35，第二曝光区域35易于被显影液溶解除去，其中，第二光罩位于该至少一个对位标记4之上，且与该至少一个对位标记具有相同的图案；

如图2H所示，利用第二显影液溶解移去第二曝光区域35，形成该至少一个对位标记34，优选地，第二显影液是浓度为0.6％～1％的KOH溶液。

可以理解，基片10既可以是单一层也可以是包括多层，既可以是刚性的也可以是柔性的，例如，基片可以是基板玻璃(图未示)，也可以是基板玻璃及其上镀的一层黑色矩阵(图未示)，还可以是一层或多层绝缘薄膜(图未示)或导电薄膜(图未示)。

本实施例中，基片10表面为平面。如图4所示，于一变化实施例中，基片210表面为曲面，基片10其中一个表面之上形成有一导电薄膜220，于导电薄膜220之上形成有至少一个对位标记234。

本实施例中，基片10上下两个表面中的一个表面形成有对位标记34。基片也可以于上下两个表面均形成有对位标记。例如，如图5所示，于另一变化实施例中，基片310包括一第一表面311和一与第一表面311相对设置的第二表面313，于第一表面311之上形成有一导电薄膜320，于导电薄膜320之上形成有至少一个第一对位标记334a，于第二表面313之上形成有与第一对位标记334a数量相同的第二对位标记334b，第一对位标记334a与第二对位标记334b位置相互对应。基片上下两个表面均形成有对位标记，使对位标记所在区域透过率较低，易于被设备捕捉。

本实施例中，对位标记34位于基片10周围区域。对位标记也可以位于基片中央区域。例如，如图6所示，于又一变化实施例中，部分对位标记434位于基片410周围，部分对位标记434位于基片410中央。

对位标记的数量可以为一个，也可以为多个，本实施例中对位标记34的数量为三个。三个对位标记34构成一个非对称三角形，非对称三角形任意两条边都不等长。非对称三角形既非轴对称图像，亦非中心对称图像，便于设备准确对位。

本实施例中，如图7所示，对位标记34的形状为非对称十字形，非对称十字形既非轴对称图形，亦非中心对称图形，便于设备准确对位。如图8所示，于再一变化实施例中，对位标记534的形状为非对称三角形。

本实施例中，对位标记34由正性光阻膜制作而成。对位标记也可以由其他膜层制作而成，例如，如图9所示，于还一变化实施例中，对位标记634由一层绝缘薄膜630制作而成。其制作步骤包括：于基片610之上形成一导电薄膜620；于导电薄膜620之上形成一绝缘薄膜630；蚀刻绝缘薄膜630使其形成特定图案，蚀刻时，保留对位标记634。

本发明实施例提供的导电薄膜对位标记制作方法，在去除正性光阻膜时保留用正性光阻制作的对位标记，在后续工序中，曝光机能自动捕捉对位标记，顺利完成自动对位。该制作方法工序简单，节省原材料和劳动时间并提高了产品的良率。

进一步地，该制作方法利用浓度为0.6％～1％的KOH溶液去除正性光阻膜，该KOH溶液碱性较弱，有效避免位于导电薄膜之下的膜层(黑色矩阵或者金属导电薄膜等)被腐蚀；该KOH溶液制作成本低，可以有效节省生产成本。

以上为本发明提供的导电薄膜对位标记制作方法，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的改进或替换都应在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。

在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。

Claims (10)

1.一种导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基片，所述基片包括用于切割之后最终形成产品的功能区域和与所述功能区域相邻接的辅助区域，所述辅助区域用以在其之上形成至少一个对位标记；

在所述基片之上形成一导电薄膜；

在所述导电薄膜之上形成一正性光阻膜；

通过第一光罩向所述正性光阻膜照射曝光光，以使所述正性光阻膜的部分区域曝光，所述正性光阻膜曝光的所述部分区域形成为第一曝光区域，所述正性光阻膜未曝光的区域形成为保留区域；

利用第一显影液移去所述第一曝光区域，保留所述保留区域，位于所述正性光阻膜之下的所述导电薄膜的部分区域露出形成为裸露区域；

利用蚀刻液蚀刻所述导电薄膜，蚀刻掉所述裸露区域；

通过第二光罩向所述正性光阻膜照射曝光光，以使所述保留区域部分区域曝光，所述保留区域曝光的所述部分区域形成为第二曝光区域，所述第二光罩位于所述至少一个对位标记之上，且具有与所述至少一个对位标记相同的图案；

利用第二显影液移去所述第二曝光区域，形成所述至少一个对位标记。

2.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片是刚性基板或柔性基板。

3.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片上下两个表面为平面或者曲面。

4.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片上下两个表面中的一个表面形成有所述对位标记，或者所述基片上下两个表面都形成有所述对位标记。

5.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，全部所述对位标记位于所述基片周围区域，或者一部分所述对位标记位于所述基片周围区域。

6.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述对位标记的数量为三个，三个所述对位标记构成一个非对称三角形。

7.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述对位标记呈非对称十字形或非对称三角形。

8.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述基片包括一基板玻璃和一黑色矩阵，所述黑色矩阵位于所述基板玻璃之上。

9.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述导电薄膜为ITO薄膜或金属薄膜，所述正性光阻层厚度为0.8um～1.5um。

10.如权利要求1所述的导电薄膜对位标记制作方法，其特征在于，所述第一显影液是浓度为0.5％～1.5％的KOH溶液，所述第一显影液溶解移去所述第一曝光区域，所述第二显影液是浓度为0.6％～1％的KOH溶液，所述第二显影液溶解移去所述第二曝光区域。