CN107785472A - 一种高可靠性的led封装器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种高可靠性的LED封装器件，包括LED芯片、导电载体、第一电连接线、第二电连接线、第一光转换层和第二光转换层，所述LED芯片与所述导电载体电连接，所述第一电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第二电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第一光转换层覆盖所述第一电连接线和第二电连接线，所述第二光转换层覆盖所述第一光转换层；所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质。本发明提供的高可靠性的LED封装器件，其电连接线不容易断裂，器件使用寿命长。

Description

一种高可靠性的LED封装器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种高可靠性的LED封装器件及其制备方法，属于LED技术领域。
背景技术
白光LED器件是新一代照明的主流器件，其主流的封装结构为PLCC或者EMC封装结构，其封装体包括电镀铜片、由塑胶加工成型的碗杯、LED芯片、硅胶及分散于胶体中的荧光粉体、键合线。其中，键合线作为LED芯片同封装体外部电连接的重要导体，实现电连接功能，而键合线处于LED芯片、塑胶、荧光粉、硅胶等不同材料体系组成的复杂体系之间。LED在应用过程中受冷热的影响，容易造成键合线断线出现死灯。在冷热冲击的模拟测试中，该位置断裂的位置多数发生在正负极电连接线，且位于与LED芯片相连接的位置。
发明内容
基于以上不足，本发明要解决的技术问题是提供一种高可靠性的LED封装器件，其电连接线不容易断裂，器件使用寿命长。
为了解决以上技术问题，本发明采用了以下技术方案：
一种高可靠性的LED封装器件，包括LED芯片、导电载体、第一电连接线、第二电连接线、第一光转换层和第二光转换层，所述LED芯片与所述导电载体电连接，所述第一电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第二电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第一光转换层覆盖所述第一电连接线和第二电连接线，所述第二光转换层覆盖所述第一光转换层；所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质。
所述导电载体包括第一电连接部、第二电连接部、绝缘坝、反射杯，所述绝缘坝设置在所述第一电连接部与所述第二电连接部之间，所述反射杯设置在所述第一电连接部与所述第二电连接部上，所述LED芯片与所述第一电连接部连接，所述第一电连接线与所述第一电连接部连接，所述第二电连接线与所述第二电连接部连接。
所述第一电连接线的形状为C线弧、ULL线弧或J线弧；和/或，所述第一电连接线高度为80-200um。
所述第一光转换物质为氮化物或硅酸盐。
所述第一胶体的硬度在20A至70A之间。
所述第二光转换物质为Ga-YAG、YAG、LuAG或LuYAG。
所述第二胶体的硬度在30D至70D之间。
所述绝缘坝突出所述第一电连接部与所述第二电连接部，并且形状为工字型。
所述第一电连接线和第二电连接线为金线、合金线、铜钯线或铜铝线。
采用以上技术方案，本发明取得了以下技术效果：
(1)本发明提供的一种高可靠性的LED封装器件，在第一电连接线和第二电连接线上涂覆第一光转换层，第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质，将胶体与光转换物质混合，可以降低线材的内应力，提高其耐冷热冲击性能；在第一光转换层上涂覆第二光转换层，所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质，可以阻止湿气侵入，实现防硫化的效果，电连接线不容易断裂，器件使用寿命长；
(2)第一光转换层包括低硬度的氮化物和第一胶体，组合涂覆包裹第一电连接线和第二电连接线，可以降低线材的内应力，降低对易断裂位置的作用力。
(3)第二光转换层包括YAG体系的第一光转换物质和高硬度的第二胶体，并覆盖在第一光转换层上方，可以阻止湿气进入，实现防硫化的效果，同时也可以避免RG粉混合使用G粉被R粉吸收导致亮度下降，提高封装的出光效率；
(4)绝缘坝突出所述第一电连接部与所述第二电连接部，并且形状为工字型，延长湿气的进入路径，同时绝缘坝突出部分占据部分胶体空间可降低胶体CTE值过大对线材的影响，抵消胶体的内应力。
本发明另一方面要解决的技术问题是提供一种高可靠性的LED封装器件的制备方法，由此方法制得的LED封装器件的电连接线不容易断裂，器件使用寿命长，并且制作方法简单，节省成本。
为了解决以上技术问题，本发明采用了以下技术方案：
一种高可靠性的LED封装器件的制备方法，包括以下步骤：
S1：制作第一电连接部、第一电连接部；
S2：在第一电连接部、第二电连接部之间制作绝缘坝，在第一电连接部、第二电连接部周围制作反射杯，形成容纳LED芯片的载体；
S3：固定LED芯片于所述第一电连接部，将第一电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第一电连接部连接，将第二电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第二电连接部连接；
S4：涂覆第一光转换层将第一电连接线和第二电连接线覆盖，所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；
S5：涂覆第二光转换层涂覆将第一光转换层覆盖，所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质。
采用以上技术方案，本发明取得了以下技术效果：
本发明提供的高可靠性的LED封装器件的制备方法，制得的LED封装器件的电连接线不容易断裂，器件使用寿命长，并且制作方法简单，节省成本。
附图说明
图1为本发明高可靠性的LED封装器件的结构图。
具体实施方式
如图1所示，本发明提供的一种高可靠性的LED封装器件，包括LED芯片1、第一电连接线4、第二电连接线5、第一光转换层8、第二光转换层9以及导电载体，所述导电载体包括第一电连接部2、第二电连接部3、绝缘坝6和反射杯7，第一电连接线4一端与LED芯片1连接，另一端与第一电连接部2连接，第二电连接线5一端与LED芯片1连接，另一端与第二电连接部3连接，绝缘坝6设置在第一电连接部2与第二电连接部3之间并突出第一电连接部2与第二电连接部3，绝缘坝6突出第一电连接部2与第二电连接部3的部分的形状为半圆柱形或长条形，反射杯7设置在第一电连接部2与第二电连接部3上，第一光转换层8覆盖第一电连接线4和第二电连接线5，第二光转换层9覆盖第一光转换层8。绝缘坝6 设置于第一电连接部2和第二电连接部3之间并且突出第一电连接部2与第二电连接部3，可以有效延长湿气进入的路径，同时绝缘坝突出部分占据部分胶体空间可降低胶体CTE值过大对线材的影响，抵消胶体的内应力。
其中，绝缘坝6和反射杯7均为塑胶材料制成。第一光转换层8包括第一胶体和第一光转换物质，所述第一光转换物质均匀分散于所述第一胶体中。所述第一光转换物质为氮化物或硅酸盐，第一光转换物质的直径在5-15um之间。第一透明胶体的硬度在于邵氏硬度20A 至70A之间。第一光转换层8包括低硬度的氮化物和第一胶体，组合涂覆包裹第一电连接线 4和第二电连接线5，可以降低线材的内应力，降低对易断裂位置的作用力。所述第二光转换层9包括第二胶体和第二光转换物质，所述第二光转换物质均匀分散于所述第二胶体中。所述第二光转换物质为Ga-YAG、YAG、LuAG或LuYAG，所述第二光转换物质的直径在15-50um 之间。第二透明胶体的硬度在于邵氏硬度30D至70D之间。第二光转换层9包括YAG体系的第一光转换物质和高硬度的第二胶体，并覆盖在第一光转换层8上方，可以阻止湿气进入，实现防硫化的效果，同时也可以避免RG粉混合使用G粉被R粉吸收导致亮度下降，提高封装的出光效率。
第一电连接线4高度为80-200um，第一电连接线4的线弧形状为C线弧、ULL线弧或J线弧。第一电连接线4和第二电连接线5为金线、合金线、铜钯线或铜铝线。
本发明还提供了一种高可靠性的LED封装器件的制备方法，包括以下步骤：
S1：制作第一电连接部2、第一电连接部2；
S2：在第一电连接部2、第二电连接部3之间制作凸出绝缘坝6，在第一电连接部2、第二电连接部3周围制作反射杯7，形成容纳LED芯片1的载体；
S3：固定LED芯片于所述第一电连接部，将第一电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第一电连接部连接，将第二电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第二电连接部连接；
S4：涂覆第一光转换层8将第一电连接线4和第二电连接线5覆盖；
S5：涂覆第二光转换层9涂覆将第一光转换层8覆盖。
本发明提供的高可靠性的LED封装器件的制备方法，制得的LED封装器件的电连接线不容易断裂，器件使用寿命长，并且制作方法简单，节省成本。
最后应说明的是：以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高可靠性的LED封装器件，其特征在于：包括LED芯片、导电载体、第一电连接线、第二电连接线、第一光转换层和第二光转换层，所述LED芯片与所述导电载体电连接，所述第一电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第二电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第一光转换层覆盖所述第一电连接线和第二电连接线，所述第二光转换层覆盖所述第一光转换层；所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质。
2.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述导电载体包括第一电连接部、第二电连接部、绝缘坝和反射杯，所述绝缘坝设置在所述第一电连接部与所述第二电连接部之间，所述反射杯设置在所述第一电连接部与所述第二电连接部上，所述LED芯片与所述第一电连接部连接，所述第一电连接线与所述第一电连接部连接，所述第二电连接线与所述第二电连接部连接。
3.根据权利要求2所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述第一电连接线的形状为C线弧、ULL线弧或J线弧；和/或，所述第一电连接线高度为80-200um。
4.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述第一光转换物质为氮化物或硅酸盐。
5.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述第一胶体的硬度在20A至70A之间。
6.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述第二光转换物质为Ga-YAG、YAG、LuAG或LuYAG。
7.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述第二胶体的硬度在30D至70D之间。
8.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述绝缘坝突出所述第一电连接部与所述第二电连接部，并且形状为工字型。
9.根据权利要求1所述的高可靠性的LED封装器件，其特征在于：所述第一电连接线和第二电连接线为金线、合金线、铜钯线或铜铝线。
10.一种高可靠性的LED封装器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制作第一电连接部、第一电连接部；
S2：在第一电连接部、第二电连接部之间制作绝缘坝，在第一电连接部、第二电连接部周围制作反射杯，形成容纳LED芯片的载体；
S3：固定LED芯片于所述第一电连接部，将第一电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第一电连接部连接，将第二电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第二电连接部连接；
S4：涂覆第一光转换层将第一电连接线和第二电连接线覆盖，所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；
S5：涂覆第二光转换层涂覆将第一光转换层覆盖，所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质。
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