CN107779945B - 异型加热器及单晶提拉炉热场结构 - Google Patents

异型加热器及单晶提拉炉热场结构 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构，所述异型加热器适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分的厚度由上至下逐渐增大。本发明的异型加热器根据实际温度分布的需要将加热器主体不同位置的厚度设置为不同，可以有效降低加热器材料的损耗；通过设置延伸至坩埚底部的凸部，使用凸部与具有不同厚度的加热器主体组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布，且不需要底部加热器配合使用，减少了一路控制系统。

Description

异型加热器及单晶提拉炉热场结构
技术领域
本发明属半导体设备技术领域，特别是涉及一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构。
背景技术
在利用直拉法制备大尺寸硅单晶的过程中，所使用到的单晶提拉炉热场结构如图1所示，石墨加热器作为热场关键部件直接影响长晶过程中的热场温度分布；目前，在制备300mm及更大尺寸硅单晶过程中通常采用位于坩埚11侧面的主加热器12及位于坩埚11底部的底部加热器13的组合来实现对温度场的精确控制，其中，所述主加热器12为形状比较规则的加热器，即所述主加热器12各部分的厚度几乎相同。但这样做不但增加了一路加热器控制系统，使得控制系统精确控制难度加大；而且由于拉晶过程加热器仅靠近坩埚底部位置属于高温区，而其他部分温度相对较低，造成一些区域的石墨材料浪费。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构，用于解决现有技术中单晶提拉炉热场结构采用形状规则的主加热器及底部加热器的组合对温场进行精确控制存在的控制系统精确控制难度大、造成一些区域的石墨材料浪费的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种异型加热器，所述异型加热器适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分的厚度由上至下逐渐增大。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述加热器主体第一部分与所述加热器主体第二部分为一体化成型结构。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述加热器主体第一部分与所述加热器主体第二部分的交界处靠近所述坩埚的底部。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述加热器主体第二部分靠近所述加热器主体第一部分的厚度与所述加热器主体第一部分的最大厚度相同。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述加热器主体径向截面的形状为圆环形。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述异型加热器还包括凸部，所述凸部固定于所述加热器主体内侧，且自所述加热器主体内侧延伸至所述坩埚底部。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述凸部的厚度自所述加热器主体内侧至所述坩埚底部逐渐减小。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述凸部远离所述坩埚底部的一端固定于所述加热器主体第一部分与所述加热器主体第二部分的交界处。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述凸部与所述加热器主体为一体化成型结构。
作为本发明的异型加热器的一种优选方案，所述凸部为倒梯形环状结构。
本发明还提供一种单晶提拉炉热场结构，所述单晶硅提拉炉热场结构包括：
炉体；
坩埚，位于所述炉体内；
如上述任一方案中所述的异型加热器，位于所述炉体内，且位于所述坩埚外围。
作为本发明的单晶提拉炉热场结构的一种优选方案，所述单晶硅提拉炉热场结构还包括：
热屏，位于所述炉体内，且位于所述坩埚的上方；
石墨结构，位于所述炉体内，且位于所述异型加热器及所述热屏外围；
保温层，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构的外围；
石墨端盖，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构及所述保温层的顶部。
如上所述，本发明的异型加热器及单晶提拉炉热场结构，具有以下有益效果：本发明的异型加热器根据实际温度分布的需要将加热器主体不同位置的厚度设置为不同，可以有效降低加热器材料的损耗；通过设置延伸至坩埚底部的凸部，使用凸部与具有不同厚度的加热器主体组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布，且不需要底部加热器配合使用，减少了一路控制系统。
附图说明
图1显示为现有技术中的单晶提拉炉热场结构的结构示意图。
图2显示为本发明实施例一中提供的异型加热器的结构示意图。
图3显示为本发明实施例二中提供的单晶提拉炉热场结构的结构示意图。
元件标号说明
11 坩埚
12 主加热器
13 底部加热器
20 异型加热器
201 加热器主体
2011 加热器主体第一部分
2012 加热器主体第二部分
202 凸部
21 炉体
22 坩埚
221 石墨坩埚
222 石英坩埚
23 热屏
24 石墨结构
25 保温层
26 石墨端盖
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2至图3，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图2，本发明提供一种异型加热器20，所述异型加热器20适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器20包括加热器主体201，所述加热器主体201包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分2011的厚度由上至下逐渐增大。
作为示例，所述异型加热器20可以为但不仅限于石墨加热器。
作为示例，所述加热器主体第一部分2011与所述加热器主体第二部分2012为一体化成型结构，即所述加热器主体第一部分2011与所述加热器主体第二部分2012为一体结构。
作为示例，所述加热器主体第一部分2011与所述加热器主体第二部分2012的交界处靠近所述坩埚的底部。在所述单晶提拉炉热场结构进行拉晶的过程中，只有所述坩埚的底部属于高温区，而其他部分的温度相对较低，将所述加热器主体第一部分2011与所述加热器主体第二部分2012的交界处设置在靠近所述坩埚的底部的位置，使得位于所述坩埚底部附近的所述加热器主体第一部分2011的厚度最厚，而位于所述坩埚上部的所述加热器主体第一部分2011的厚度较薄，这样的设计即可以保证加热效果，又减少了异型加热器材料(如石墨)的损耗。
作为示例，所述加热器主体第二部分2012靠近所述加热器主体第一部分2011的厚度与所述加热器主体第一部分2011的最大厚度相同。当然，在其他示例中，所述加热器主体第二部分2012的厚度也可以与所述加热器主体第一部分2011的最大厚度不同，所述加热器主体第二部分2012的厚度即可以大于所述加热器主体第一部分2011的最大厚度，也可以小于所述加热器主体第一部分2011的最大厚度。
作为示例，所述加热器主体201径向截面的形状为圆环形，以确保所述加热器主体201环绕在所述坩埚的四周外围，从而保证各部分的热场均匀。
作为示例，所述异型加热器20还包括凸部202，所述凸部202固定于所述加热器主体201内侧，且自所述加热器主体201内侧延伸至所述坩埚底部。在所述加热器主体201内侧设置延伸至所述坩埚底部的所述凸部202，可以进一步增强对所述坩埚底部的加热，从而满足所述坩埚底部处于高温区的要求；同时，通过设置延伸至所述坩埚底部的所述凸部202，使用所述凸部202与具有不同厚度的所述加热器主体201组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布的要求，不需要底部加热器配合使用，减少了一路控制系统，更有利于温度分布的精确控制。
作为示例，所述凸部202的厚度自所述加热器主体201内侧至所述坩埚底部逐渐减小。将所述凸部202的厚度设置为自所述加热器主体201内侧至所述坩埚底部逐渐减小，即可以保证加热效果，又减少了异型加热器材料的损耗。
作为示例，所述凸部202远离所述坩埚底部的一端固定于所述加热器主体第一部分2011与所述加热器主体第二部分2012的交界处。当然，在其他示例中，所述凸部202远离所述坩埚底部的一端还可以固定于所述加热器主体201内侧的其他位置。
作为示例，所述凸部202与所述加热器主体201为一体化成型结构，即所述凸部202与所述加热器主体201为一体结构。
作为示例，所述凸部202为倒梯形环状结构；即所述凸部202轴向截面的形状为倒梯形，且其中部为上下贯通的中空结构。将所述凸部202设置为倒梯形环状结构，可以确保所述凸部202环绕所述坩埚底部四周，从而使得所述坩埚底部各部分的热场均匀分布。
作为示例，所述凸部202径向截面的形状为圆环形。
实施例二
请参阅图3，本发明还提供一种单晶提拉炉热场结构，所述单晶硅提拉炉热场结构包括：炉体21；坩埚22，所述坩埚22位于所述炉体21内；如实施例一中所述的异型加热器20，所述异型加热器20位于所述炉体21内，且位于所述坩埚22外围。所述异型加热器20的具体结构请参阅实施例一，此处不再累述。
作为示例，所述坩埚22包括石墨坩埚221及石英坩埚222，所述石英坩埚222位于所述石墨坩埚221内。
作为示例，所述单晶硅提拉炉热场结构还包括：热屏23，所述热屏23位于所述炉体21内，且位于所述坩埚22的上方；石墨结构24，所述石墨结构24位于所述炉体21内，且位于所述异型加热器20及所述热屏23外围；保温层25，所述保温层25位于所述炉体21内，且位于所述石墨结构24的外围；所述保温层25可以为但不仅限于石墨保温层；石墨端盖26，所述石墨端盖26位于所述炉体21内，且位于所述石墨结构24及所述保温层25的顶部。
综上所述，本发明提供一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构，所述异型加热器适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分的厚度由上至下逐渐增大。本发明的异型加热器根据实际温度分布的需要将加热器主体不同位置的厚度设置为不同，可以有效降低加热器材料的损耗；通过设置延伸至坩埚底部的凸部，使用凸部与具有不同厚度的加热器主体组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布，且不需要底部加热器配合使用，减少了一路控制系统。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种异型加热器，适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，其特征在于，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分的厚度由上至下逐渐增大；
所述异型加热器还包括凸部，所述凸部固定于所述加热器主体内侧，且自所述加热器主体内侧延伸至所述坩埚底部，所述凸部与所述加热器主体为一体化成型结构，所述凸部的厚度自所述加热器主体内侧至所述坩埚底部逐渐减小；通过在所述加热器主体内侧设置延伸至所述坩埚底部的所述凸部，可以进一步增强对所述坩埚底部的加热，从而满足所述坩埚底部处于高温区的要求，且使用所述凸部与具有不同厚度的所述加热器主体组合成一个整体进行加热。
2.根据权利要求1所述的异型加热器，其特征在于：所述加热器主体第一部分与所述加热器主体第二部分为一体化成型结构。
3.根据权利要求1所述的异型加热器，其特征在于：所述加热器主体第一部分与所述加热器主体第二部分的交界处靠近所述坩埚的底部。
4.根据权利要求1所述的异型加热器，其特征在于：所述加热器主体第二部分靠近所述加热器主体第一部分的厚度与所述加热器主体第一部分的最大厚度相同。
5.根据权利要求1所述的异型加热器，其特征在于：所述加热器主体径向截面的形状为圆环形。
6.根据权利要求1所述的异型加热器，其特征在于：所述凸部远离所述坩埚底部的一端固定于所述加热器主体第一部分与所述加热器主体第二部分的交界处。
7.根据权利要求1所述的异型加热器，其特征在于：所述凸部为倒梯形环状结构。
8.一种单晶硅提拉炉热场结构，其特征在于，所述单晶硅提拉炉热场结构包括：
炉体；
坩埚，位于所述炉体内；
如权利要求1至7中任一项所述的异型加热器，位于所述炉体内，且位于所述坩埚外围。
9.根据权利要求8所述的单晶硅提拉炉热场结构，其特征在于：所述单晶硅提拉炉热场结构还包括：
热屏，位于所述炉体内，且位于所述坩埚的上方；
石墨结构，位于所述炉体内，且位于所述异型加热器及所述热屏外围；
保温层，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构的外围；
石墨端盖，位于所述炉体内，且位于所述石墨结构及所述保温层的顶部。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109554755A (zh) * 2018-12-19 2019-04-02 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种加热设备及多晶硅生产设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85101043A (zh) * 1984-08-06 1987-01-10 索尼公司 单晶生长装置(设备)
JP2000007496A (ja) * 1998-06-25 2000-01-11 Mitsubishi Materials Silicon Corp シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
JP2000203987A (ja) * 1999-01-14 2000-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶製造装置
JP2003209115A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウェーハの製造方法
CN102162123A (zh) * 2011-04-01 2011-08-24 江苏大学 双加热器移动热屏式直拉单晶炉
CN103628129A (zh) * 2012-08-27 2014-03-12 上海杰姆斯电子材料有限公司 一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨加热器
CN104818524A (zh) * 2015-04-28 2015-08-05 汤灏 一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法以及加热器
CN105568368A (zh) * 2015-06-16 2016-05-11 杭州海纳半导体有限公司 保护热场部件减小损耗的热场及方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6153186A (ja) * 1984-08-23 1986-03-17 Nec Corp 抵抗加熱用ヒ−タ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85101043A (zh) * 1984-08-06 1987-01-10 索尼公司 单晶生长装置(设备)
JP2000007496A (ja) * 1998-06-25 2000-01-11 Mitsubishi Materials Silicon Corp シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
JP2000203987A (ja) * 1999-01-14 2000-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶製造装置
JP2003209115A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウェーハの製造方法
CN102162123A (zh) * 2011-04-01 2011-08-24 江苏大学 双加热器移动热屏式直拉单晶炉
CN103628129A (zh) * 2012-08-27 2014-03-12 上海杰姆斯电子材料有限公司 一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨加热器
CN104818524A (zh) * 2015-04-28 2015-08-05 汤灏 一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法以及加热器
CN105568368A (zh) * 2015-06-16 2016-05-11 杭州海纳半导体有限公司 保护热场部件减小损耗的热场及方法

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