CN107779841B - 一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板 - Google Patents

一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板，本发明技术方案中，衬底表面依次沉积的SiO2薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层；其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。本发明技术方案提高了SiO2薄膜的质量。

Description

一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体的说，涉及一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积法，PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVaporDeposition)技术是利用辉光放电，在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子体，这些离子在电场中被加速而获得能量，可在较低温度下实现SiO2薄膜的生长。PECVD沉积SiO2薄膜技术广泛用于半导体材料、发光二极管、集成电路制造工艺中，SiO2薄膜采用N2O与N2稀释的SiH4气体生长。现有技术中，制备的SiO2薄膜的质量较差。
发明内容
为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板，提高了SiO2薄膜的质量。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种SiO2薄膜的沉积方法，所述沉积方法包括：
提供一衬底；
对所述衬底进行清洗；
在干燥后的所述衬底表面沉积SiO2薄膜，所述SiO2薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层；
其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。
优选的，在上述沉积方法中，所述对所述衬底进行清洗包括：
依次采用丙酮溶液和IPA溶液对所述衬底进行超声清洗，并通过N2进行旋干处理。
优选的，在上述沉积方法中，所述在干燥后的所述衬底表面沉积SiO2薄膜包括：
通过PECVD设备沉积所述周期性结构，射频功率为50W-200W，所述衬底的温度为200℃-25℃，反应腔内压强为20Pa-100Pa，N2O/SiH4流量比为 20-40。
优选的，在上述沉积方法中，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段；
根据时间顺序，前一工艺时段的沉积速率的变化趋势与后一工艺时段的沉积速率的变化趋势相同，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续渐变的SiO2层，且每层SiO2层的折射率连续渐变。
优选的，在上述沉积方法中，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率小于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续降低的SiO2层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率小于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO2层的折射率连续降低。
优选的，在上述沉积方法中，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率大于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续增大的SiO2层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率大于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO2层的折射率连续增大。
本发明还提供了一种基板，所述基板包括：
衬底；
设置在所述衬底表面的SiO2薄膜，所述SiO2薄膜包括多个在第一方向上层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层；
其中，在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。
优选的，在上述基板中，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐增大，同一层SiO2层的折射率逐渐增大。
优选的，在上述基板中，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐减小，同一层SiO2层的折射率逐渐减小。
优选的，在上述基板中，所述SiO2层的厚度范围为10nm-500nm，包括端点值。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的SiO2薄膜的沉积方法以及基板中，衬底表面依次沉积的SiO2薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层；其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。本发明技术方案提高了SiO2薄膜的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种SiO2薄膜的沉积方法的流程示意图；
图2为本发明实施例所述制作方法制备的一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图；
图3为本发明实施例所述制作方法制备的另一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图；
图4为本发明实施例所述制作方法制备的一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图；
图5为本发明实施例所述制作方法制备的另一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图；
图6为本发明实施例所述制作方法制备的又一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有技术通过PECVD工艺沉积SiO2薄膜的质量较差，具体表现为SiO2薄膜中杂质(包括H、O、O-H)含量较高，SiO2薄膜内柱状晶严重，并存在空洞，在高温退火时杂质中的H容易析出，在SiO2薄膜内形成裂纹或是气泡，SiO2薄膜的致密性较差。
发明人发现，影响SiO2薄膜的致密性以及折射率的反应参数包括用于沉积SiO2薄膜的衬底温度、反应腔内的压强、射频功率和N2O/SiH4流量比。通过调节反应参数以及分段沉积，形成的SiO2薄膜具有多个周期结构，每个周期结构具有多层SiO2层，可以使得同一周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变。这样，使得反应充分，可以降低SiO2薄膜中杂质含量，降低柱状晶体，减少空洞，避免高温退火时过多的H析出，进而避免裂纹和气泡，提高致密性。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种SiO2薄膜的沉积方法的流程示意图，该沉积方法包括：
步骤S11：提供一衬底。
步骤S12：对所述衬底进行清洗。
该步骤中，所述对所述衬底进行清洗包括：依次采用丙酮溶液和IPA(异丙醇)溶液对所述衬底进行超声清洗，并通过N2进行旋干处理。其中，清洗时间共计10min。
步骤S13：在干燥后的所述衬底表面沉积SiO2薄膜，所述SiO2薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构。
其中，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层。通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述 SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。
本发明实施例所述制作方法制作的多个周期结构中，同一周期结构种各层SiO2层的折射率在第一方向上连续渐变，单层SiO2层的折射率在第一方向上连续渐变同一周期结构中SiO2层之间没有折射率的突变，SiO2层内没有折射率的突变，可以使得沉积过程中反应充分，可以降低SiO2薄膜中杂质含量，降低柱状晶体，减少空洞，避免高温退火时过多的H析出，进而避免裂纹和气泡，提高致密性。
在该步骤中，所述在干燥后的所述衬底表面沉积SiO2薄膜包括：通过 PECVD设备沉积所述周期性结构，射频功率为50W-200W，所述衬底的温度为200℃-25℃，反应腔内压强为20Pa-100Pa，N2O/SiH4流量比为20-40。
在本发明实施例所述沉积方法中，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段，以实现分段沉积。根据时间顺序，前一工艺时段的沉积速率的变化趋势与后一工艺时段的沉积速率的变化趋势相同，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续渐变的SiO2层，且每层SiO2层的折射率连续渐变。前一工艺时段的沉积速率与后一工艺时段的沉积速率均降低或是升高，且二者交界时刻的沉积速率相同，可以使得所述周期结构的折射率连续渐变。
本发明实施例所述沉积方法中，可以使得所述周期结构的折射率在所述第一方向上连续的降低，用于作为增透膜。此时，由于同一周期结构中，折射率连续降低，没有跳跃式突变，使得增透效果更好。
本发明实施例所述沉积方法中，也可以使得所述周期结构的折射率在所述第一方向上连续的增大用于作为减反膜。此时，由于同一周期结构中，折射率连续增大，没有跳跃式突变，使得减反效果更好。
一种方式中，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率小于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续降低的SiO2层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率小于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO2层的折射率连续降低。该方式形成的SiO2薄膜的结构如图2所示。
参考图2，图2为本发明实施例所述制作方法制备的一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图，衬底11的表面形成的SiO2薄膜具有多个周期结构12，每个周期结构的沉积时间段范围三个工艺时间段，具有SiO2层121、SiO2层 122以及SiO2层123。
第一个工艺时间段的沉积速率变化范围0.2nm/s-0.5nm/s，SiO2层121的厚度10nm，折射率变化范围是2.5-1.8。在该工艺时间段，沉积速率逐渐增大，折射率逐渐降低。
第二个工艺时间段的沉积速率变换范围是0.5nm/s-1nm/s，SiO2层122的厚度10nm-500nm，折射率变化范围是1.8-1.4。同样，在该工艺时间段，沉积速率逐渐增大，折射率逐渐降低。
第三个工艺时间段的沉积速率变换范围是1nm/s-2nm/s，SiO2层123的厚度10nm，折射率变化范围是1.4-1。同样，在该工艺时间段，沉积速率逐渐增大，折射率逐渐降低。
另一种方式中，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率大于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续增大的SiO2层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率大于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO2层的折射率连续增大。该方式形成的SiO2薄膜的结构如图2所示。
参考图3，图3为本发明实施例所述制作方法制备的另一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图，衬底21的表面形成的SiO2薄膜具有多个周期结构 22，每个周期结构的沉积时间段范围三个工艺时间段，具有SiO2层221、SiO2层222以及SiO2层223。
第一个工艺时间段的沉积速率变化范围2nm/s-1nm/s，SiO2层221的厚度 10nm，折射率变化范围是1-1.4。在该工艺时间段，沉积速率逐渐减小，折射率逐渐增大。
第二个工艺时间段的沉积速率变换范围是1nm/s-0.5nm/s，SiO2层222的厚度10nm-500nm，折射率变化范围是1.4-1.8。同样，在该工艺时间段，沉积速率逐渐减小，折射率逐渐增大。
第三个工艺时间段的沉积速率变换范围是0.5nm/s-0.2nm/s，SiO2层223 的厚度10nm，折射率变化范围是1.8-2.5。同样，在该工艺时间段，沉积速率逐渐减小，折射率逐渐增大。
本发明实施例中，周期结构的个数可以根据需求设定，本发明实施例中对此不作具体限定。通过光谱仪测试，实验结果表面，SiO2薄膜的反射率或透过率提升3％-10％。
本发明实施例中，应用PECVD工艺在衬底表面沉积SiO2薄膜，沉积的方式为分段式，SiO2薄膜中周期结构具有连续渐变式折射率，SiO2层的致密性好，PECVD工艺沉积周期结构中SiO2层的具体化学反应原理：
首先，反应气体(N2O与N2稀释的SiH4)在等离子体中被裂解成为单体，形成包含Si离子、N离子、H离子、O离子的活性基团。其次，各种活性基团向衬底表面扩散输运，吸附在衬底表面并在表面扩散；最后，各种活性基团与表面发生结合反应成膜。在SiO2层的生长过程中，H离子以Si-H、Si-O-H 和H-O-H的形式存在，N离子以Si-N、Si-O-N的形式存在：
N2O→O+N2，SiH4+4O→SiO2+2H2O (1)
2SiH4+N2→2SiNH+3H2 (2)
N2O+O→2NO，NO+O→NO2，N2+2O→2NO (3)
在等离子体的条件下，N2O比N2更容易分解，反应(1)占主要，射频功率增加，提供反应的活性离子的能量就越高，反应的几率增大，Si离子和 O离子结合的几率升高，沉积速率增加，沉积的SiO2层中Si-H键含量少，当射频功率持续增加时，N2O的活化分子增加，反应(3)占比减少，反应(2) 占比增加，折射率持续上升，但当射频功率增加到一定值时，达到饱和状态，参与反应的活性离子的数目趋于饱和，等离子体的能量过高而对SiO2层表面造成物理刻蚀作用，使得表面产生缺陷，折射率反而会降低，沉积速率持续上升。
衬底温度上升可以减少Si-H及Si-OH键的比例，折射率增加，成膜气体分子或原子在基底表面吸附和扩散作用加强，沉积速率缓慢上升，当基板温度增加到一定值时，基材表面活性基团脱附速率高于吸附速率，导致SiO2层沉积速率下降；同时也更容易失去参杂在SiO2层内部的少量N原子，使沉积的SiO2层成分更接近于纯的SiO2，所以，沉积的SiO2层折射率随着温度的升高反而降低。
腔体反应压强低，腔体内需要参与反应气体分子少，反应产生的N2和H2还未进一步参与离子化反应被及时抽走，降低了Si-H键结合的几率，腔体反应室内Si离子和O离子的相对含量高，SiO2层中H离子的含量相对低，沉积的SiO2层纯度高，致密好，折射率大，随着反应压强的升高，反应气体的浓度增加，反应产物中SiO2的浓度相应增加，层的沉积速率增加，当腔体反应压强越大时，相当于更多的气体分子参与反应，导致更多的离子间碰撞，在没有足够的时间获得电离所需能量的情况下，频繁的碰撞将使等离子体密度下降，限制反应速率，因此在特定功率下，腔体反应压强增加到一定值时沉积速率增速变缓。
折射率不仅与SiO2层密度和成膜的颗粒尺寸等因素有关，还与SiO2层的组分密切有关，SiO2层出现SixO1+x，SixO1+xNX，x值不为1，可在一定范围内随工艺和外界条件改变，对表观光学折射率的数值测量有重要影响，当 N2O/SiH4气流比处于低水平时，随着N2O/SiH4气流比增加，SiH4流量减少，等离子体中的Si离子含量越小，从而使SiO2层生长过程中Si-O、Si-N、Si-H 键结合几率越小，SiO2层的生长速率变慢折射率降低，O-H键结合机率增加，SiO2层致密性降低，通过椭偏仪测试不同价态的Si化合物，随着Si的价态上升，折射率降低，Si1+的折射率为3.83，Si2+的折射率为2.15，Si3+的折射率为 1.61，Si4+的折射率为1.48；在ULVAC CX-500型PECVD设备上通过实验，得到较为优选的工艺窗口为：射频功率在50～200W、基板温度200～250度、腔体压强从20～100Pa、N2O/SiH4流量比为20～40时，可得到比较好的SiO2层。
应用以上工艺条件，可得到SiO2层的沉积的三类模型：
如图4所示的孤岛形貌的模型结构，图4为本发明实施例提供的一种SiO2层的沉积模型结构，沉积速率的范围为1nm/s-2nm/s(定义该速率阶段为快沉积速率)时，由于沉积速率比较快，形成的SiO2层表面存在一定不连续状，在沉积厚度不大于20nm时，界面内相当于中间区域有存在空气会引起折射率低，折射率逐渐升高，从1.28上升到1.47，当沉积厚度进一步增加后，整个面内形成连续状，折射率上升到1.49～1.51，随着厚度的增加，折射率基本维持在1.50左右。该沉积模型结构时，对应沉积速率可以为1.1nm/s、1.4nm/s、 1.6nm/s等。
如图5所示的连续岛形貌的模型结构，图5为本发明实施例所述制作方法制备的另一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图，沉积速率的范围为 0.5nm/s-1nm/s(定义该速率阶段为中沉积速率)时，由于沉积速率比较适中，形成的SiO2层表面存在一定连续与孤岛并存，在沉积厚度不大于20nm时，界面内相当于中间区域有存在部分空气会引起折射率低，折射率基本稳定在 1.4～1.5，随着厚度的增加，折射率基本维持在1.45～1.50左右。该沉积模型结构时，对应沉积速率可以为0.7nm/s、0.8nm/s、0.9nm/s等。
如图6所示的连续层形貌的模型结构，图6为本发明实施例所述制作方法制备的又一种具有SiO2薄膜的基板的结构示意图，沉积速率的范围为 0.2nm/s-0.5nm/s(定义该速率阶段为慢沉积速率)时，沉积速率较低，形成的 SiO2层表面比较致密，形成连续层状结构，但由于沉积速率慢，基板表面首先沉积Si1+的化合物，折射率为3.83，随着反应不断充分Si的化合物价态从 Si2+逐渐上升到Si3+，最后上升到Si4+，使得在沉积厚度为0～10nm左右的范围内存在Si的不同价态从低逐渐变高，在此厚度内，折射率逐渐下降，从2.51 上升到1.52，当沉积厚度进一步增加后，整个面内形成连续状，折射率上升到1.50～1.52，随着厚度的增加，最终形成Si3+、Si4+的化合物，其折射率基本维持在1.51左右。该沉积模型结构时，对应沉积速率可以为0.3nm/s、0.4nm/s、 0.45nm/s等。
基于发明人发现的以上基本规律，在射频功率为50W-200W，所述衬底的温度为200℃-25℃，反应腔内压强为20Pa-100Pa，N2O/SiH4流量比为20-40 时，可以得到较好的SiO2薄膜质量。基于该规律，可得到两种渐变式的SiO2薄膜的沉积结构，使得形成的SiO2薄膜中所述周期结构的折射率连续降低或是连续增大，分别用于增透膜和减反膜。
本发明实施例所述沉积方法中，通过分段式沉积形成同一周期结构中的 SiO2层，将每个周期结构的沉积时间分为三个沉工艺时段，该三个沉工艺时段对应的沉积速率可以快中慢的变化趋势分段沉积，也可以慢中快的变化趋势沉积，可以得到折射率连续渐变的三层SiO2层，SiO2层致密性好，该方法工艺简单，操作方便。可以多次重复上述分段式沉积过程，形成多个叠加的周期结构，得到多层复合结构。
本发明实施例所述沉积方法中，可以预设分段式沉积过程中各沉积工艺时段对应的沉积速率，每层厚度控制性准确，可以依据不同的产品用途，沉积连续渐变、折射率周期性变化的SiO2薄膜，适用性广。
通过上述描述可知，本发明实施例所述沉积方法，通过设定不同的沉积速率，以实现分段沉积，形成的SiO2薄膜致密性好，具有周期性的折射率结构。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种基板，该基板具有通过上述实施例所述沉积方法形成的SiO2薄膜，所述基板包括：衬底；设置在所述衬底表面的SiO2薄膜，所述SiO2薄膜包括多个在第一方向上层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层。其中，在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。可选的，所述SiO2层的厚度范围为10nm-500nm，包括端点值。
本发明实施例所述基板中，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐增大，同一层SiO2层的折射率逐渐增大，具体结构可以如图3所示。
本发明实施例所述基板中，在所述第一方向上，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐减小，同一层SiO2层的折射率逐渐减小，具体结构可以如图2所示。
本发明实施例所述基板中，通过上述方法形成SiO2薄膜，SiO2薄膜中周期结构的折射率连续渐变，周期结构中SiO2层的折射率连续渐变，SiO2薄膜的质量好，具有较好的致密性。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的基板而言，由于其与实施例公开的沉积方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见沉积方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种SiO2薄膜的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括：
提供一衬底；
对所述衬底进行清洗；
在干燥后的所述衬底表面沉积SiO2薄膜，通过调节反应参数以及分段沉积，使得所述SiO2薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层；
其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述对所述衬底进行清洗包括：
依次采用丙酮溶液和IPA溶液对所述衬底进行超声清洗，并通过N2进行旋干处理。
3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述在干燥后的所述衬底表面沉积SiO2薄膜包括：
通过PECVD设备沉积所述周期性结构，射频功率为50W-200W，所述衬底的温度为200℃-250℃，反应腔内压强为20Pa-100Pa，N2O/SiH4流量比为20-40。
4.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段；
根据时间顺序，前一工艺时段的沉积速率的变化趋势与后一工艺时段的沉积速率的变化趋势相同，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续渐变的SiO2层，且每层SiO2层的折射率连续渐变。
5.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率小于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续降低的SiO2层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率小于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO2层的折射率连续降低。
6.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率大于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续增大的SiO2层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率大于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO2层的折射率连续增大。
7.一种基板，其特征在于，所述基板包括：
衬底；
设置在所述衬底表面的SiO2薄膜，通过调节反应参数以及分段沉积，使得所述SiO2薄膜包括多个在第一方向上层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO2层；
其中，在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO2层的折射率连续渐变，每层所述SiO2层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO2层。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐增大，同一层SiO2层的折射率逐渐增大。
9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐减小，同一层SiO2层的折射率逐渐减小。
10.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述SiO2层的厚度范围为10nm-500nm，包括端点值。
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