CN107749481A - 硅银碳三元复合材料的制备方法 - Google Patents

硅银碳三元复合材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107749481A
CN107749481A CN201710878761.0A CN201710878761A CN107749481A CN 107749481 A CN107749481 A CN 107749481A CN 201710878761 A CN201710878761 A CN 201710878761A CN 107749481 A CN107749481 A CN 107749481A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
silicon
preparation
composite material
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710878761.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107749481B (zh
Inventor
施利毅
陈国荣
吴媛
袁帅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201710878761.0A priority Critical patent/CN107749481B/zh
Publication of CN107749481A publication Critical patent/CN107749481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107749481B publication Critical patent/CN107749481B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
    • H01M4/624—Electric conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
    • H01M4/624—Electric conductive fillers
    • H01M4/625—Carbon or graphite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Abstract

本发明公开了一种硅银碳三元复合材料的制备方法，包括如下步骤：首先将多孔硅粉末与银源按设定配比混合并搅拌0.5～5h，再加入有机碳源，继续搅拌12～24h，使硅粉末‑银源材料‑碳源的混合物反应，反应结束后，进行抽滤，再用去离子水进行洗涤，然后在40～120℃下烘干至少10h，从而得到硅‑纳米银‑有机碳源复合粉体；然后在惰性气体环境中，将硅‑纳米银‑有机碳源复合粉体在400～900℃下进行碳化反应2～5h，即得到硅银碳三元复合材料。本发明方法制备工艺简单，反应条件温和，所合成的硅银碳三元复合锂电负极材料具有高首次库伦效率、较稳定的循环性能和较高的容量保持率，适合进一步规模化生产。

Description

硅银碳三元复合材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种硅负极材料的制备方法，特别是涉及一种硅银复合材料的制备方法，还涉及一种硅碳复合材料的制备方法，应用于介孔硅复合材料和锂离子电池电极材料技术领域。
背景技术
如今锂离子电池因其高能量密度、长循环寿命、无记忆效应等优势已在移动通讯、电动汽车等领域得到广泛使用，其中电极材料是锂离子电池的核心，直接决定了电池的储锂性能。然而，目前商业化的锂离子电池中主要采用的石墨负极材料理论容量仅有372mAh/g，在一定程度上限制了高性能锂离子电池的发展。因此研究制备高比容量、循环性能更稳定的负极材料对于下一代锂离子电池的发展具有重要意义。
目前已报道的高比容量负极材料有硅基材料、锡基材料、金属氧化物等，其中硅的理论比容量可达3579mAh/g，且工作电压低、原材料来源丰富，是最具有发展前景的负极材料。然而硅的电子导电能力较差，且在嵌锂和脱锂过程中会产生严重的体积变化，甚至提价变化率达到400％，极易造成硅颗粒的破碎并与集流体失去接触，同时硅表面不断重新形成SEI膜持续消耗电解质中大量的Li+，造成了比容量的迅速衰减和电极厚度极大膨胀，尤其在大电流密度下进行充放电更为明显。
将硅与导电性材料进行复合是改善硅负极材料电化学性能的有效方式。公开号为CN105655555A中国专利文献公开了通过硅石墨混合球磨、二次酸洗和有机碳源包覆制备硅碳复合材料的方法，公开号为CN105226244A中国专利文献公开了通过酸刻蚀、氢氟酸还原硝酸银制备硅银复合材料的方法。上述两种材料在一定程度上延长了硅基负极材料的循环寿命，但是电池首次库伦效率低、循环稳定性较差，有待进一步提升，且制备过程比较复杂，作为复合材料不能满足材料结构设计的需要。
发明内容
为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种硅银碳三元复合材料的制备方法，工艺简单、条件温和，制备得到的硅银碳复合负极材料具有高比容量、高首次效率特性，且循环性能稳定，在大电流密度下充放电仍具有较长的循环寿命。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：
a.硅-纳米银-有机碳源复合粉体的制备：
将多孔硅粉末与银源材料按设定配比混合并进行搅拌0.5～5h，再加入有机碳源材料，继续搅拌12～24h，使多孔硅粉末-银源材料-有机碳源材料的混合物进行反应，在反应结束后，对反应产物进行抽滤，得到固体产物，再用去离子水对固体产物进行洗涤，然后在40～120℃下对固体产物烘干至少10h，从而得到硅-纳米银-有机碳源复合粉体；优选多孔硅粉末、银源材料和有机碳源材料的混合质量配比为(1～3):1:1；所述银源材料优选银盐或银氨溶液；所述银源材料进一步优选采用硝酸银；将多孔硅粉末与银盐进行混合时，优选采用Tris-HCl缓冲液作为反应物溶剂；作为优选的技术方案，所述多孔硅粉末的粒径为0.1～1μm，其孔径大小为1～100nm，其孔隙率为20～80％；有机碳源优选采用能够对一价银进行还原反应生成单质银的有机材料；有机碳源进一步优选采用多巴胺盐、多元胺和葡萄糖中的任意一种有机材料或任意几种有机材料的混合物质；在制备多孔硅粉末时，首先配置H+浓度为1.0～10.0mol/L的酸溶液，然后将硅含量为20％以上的硅铝合金粉末分多次加入至该溶液中，室温下搅拌反应24～48h，反应结束后进行抽滤和去离子水洗涤，然后在40～120℃下烘干，得到枝状多孔道硅粉末；
b.硅银碳三元复合材料的制备：
在惰性气体的环境中，将在所述步骤a中制备的硅-纳米银-有机碳源复合粉体在400～900℃下进行碳化反应2～5h，即得到硅银碳三元复合材料。在进行碳化反应时，惰性气体优选采用氮气。在进行碳化反应时，优选采用如下任意一种热处理制度方案：
方案一：首先将在所述步骤a中制备的硅-纳米银-有机碳源复合粉体在400～600℃的温度下进行低温碳化反应至少2h；然后在800～900℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应，最终得到硅银碳三元复合材料；
方案二：首先将在所述步骤a中制备的硅-纳米银-有机碳源复合粉体在400～600℃的温度下进行低温碳化反应；然后在800～900℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应至少3h，最终得到硅银碳三元复合材料。
本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：
1.本发明通过实现碳源还原银离子过程同时进行碳包覆构建了三维多孔硅表面的Ag/C导电网络结构，从而显著提高材料的电子导电能力，另外多孔结构和碳层包覆也能为Si的膨胀和收缩提供缓冲空间；
2.本发明在保证高比容量的同时增强了充放电过程容量可逆性和循环稳定性，进一步延长了循环寿命；
3.本发明方法所需原料廉价易得，制备工艺简单，反应条件温和，工艺成本低，适合进一步规模化生产。
附图说明
图1是本发明实施例一方法合成的硅银碳三元复合负极材料的扫描电子显微镜(SEM)图。
图2是本发明实施例一方法合成的硅银碳三元复合负极材料在200mA/g的电流密度下的首次循环充放电曲线图。
图3是本发明实施例一方法合成的硅银碳三元复合负极材料在200mA/g的电流密度下的循环充电曲线与库伦效率曲线图。
图4是本发明实施例二方法合成的硅银碳三元复合负极材料在200mA/g的电流密度下的循环充电曲线与库伦效率曲线图。
具体实施方式
以下结合具体的实施例子对上述方案做进一步说明，本发明的优选实施例详述如下：
实施例一：
在本实施例中，一种硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：
(1)多孔硅粉末的制备：
采用酸刻蚀法制备多孔硅，首先配置2L浓度为3.87mol/L的盐酸溶液，将20g的硅质量分数为40％的硅铝合金分5次加至该溶液中，并待气泡冒完后可继续添加，加完合金粉末后继续在室温下搅拌反应24h，待反应结束后进行抽滤，并用去离子水洗涤3次，然后在60℃下干燥10h，得到多孔硅粉末；
(2)硅-纳米银-有机碳源复合粉体的制备：
称取0.3g在所述步骤(1)中制备的多孔硅粉末，与0.15g硝酸银一同加至200mL的Tris-HCl缓冲液中进行混合，在搅拌0.5h后，再加入0.3g盐酸多巴胺，继续搅拌24h，使多孔硅粉末、硝酸银和盐酸多巴胺的混合物进行反应，在反应结束后，用滤膜对反应产物进行抽滤，得到固体产物，再用去离子水对固体产物进行洗涤，然后在60℃下对固体产物烘干10h，从而得到硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体；
(3)硅银碳三元复合材料的制备：
在氮气的环境中，将在所述步骤(2)中制备的硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体进行碳化反应，在进行碳化反应时，首先将硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体在400℃的温度下进行低温碳化反应2h；然后在800℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应3h，并控制升温速率为5℃/min，最终得到硅银碳三元复合材料。参加图1，本实施例实现碳源还原银离子过程同时进行碳包覆构建了三维多孔硅表面的Ag/C导电网络结构，从而显著提高材料的电子导电能力，另外多孔结构和碳层包覆也能为Si的膨胀和收缩提供缓冲空间。
实施例二：
本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：
(1)多孔硅粉末的制备：
采用酸刻蚀法制备多孔硅，首先配置2L浓度为3.50mol/L的稀硫酸溶液，将80g的硅质量分数为40％的硅铝合金分5次加至该溶液中，并待气泡冒完后可继续添加，加完合金粉末后继续在室温下搅拌反应48h，待反应结束后进行抽滤，并用去离子水洗涤3次，然后在80℃下干燥10h，得到多孔硅粉末；
(2)硅-纳米银-有机碳源复合粉体的制备：
称取1.0g在所述步骤(1)中制备的多孔硅粉末，与1.0g硝酸银一同加至200mL的Tris-HCl缓冲液中进行混合，在搅拌1h后，再加入1.0g盐酸多巴胺，继续搅拌24h，使多孔硅粉末、硝酸银和盐酸多巴胺的混合物进行反应，在反应结束后，用滤膜对反应产物进行抽滤，得到固体产物，再用去离子水对固体产物进行洗涤，然后在80℃下对固体产物烘干10h，从而得到硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体；
(3)硅银碳三元复合材料的制备：
在氮气的环境中，将在所述步骤(2)中制备的硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体进行碳化反应，在进行碳化反应时，首先将硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体在400℃的温度下进行低温碳化反应2h；然后在800℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应3h，并控制升温速率为5℃/min，最终得到硅银碳三元复合材料。
实验测试分析：
对上述实施例制备的硅银碳三元复合材料进行测试分析，将上述实施例制备的硅银碳三元复合材料用于锂离子电池负极时进行的电化学性能测试方法如下：
以硅银碳三元复合材料为负极活性材料，金属锂为对电极，组成2032式扣式电池，在恒温恒湿环境下进行恒流充放电，电压范围为0.1～1.5V，测试结果如图2、图3、图4所示。
从图2可以看出，实施例一所合成的硅银碳三元复合负极材料的首次库伦效率为89.66％，且充放电平台与典型的硅基材料充放电曲线一致。从图3和图4能看出，实施例一、实施例二所合成的硅银碳三元复合负极材料在200mA/g的电流密度下均具有较稳定的循环性能和较高的容量保持率，说明Ag/C导电网络结构的存在有利于提升循环过程中形成Si与Li合金的可逆化程度，使可逆容量值增加，减缓了容量的衰减，最终延长了循环寿命。
实施例三：
本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：
(1)多孔硅粉末的制备：
采用酸刻蚀法制备多孔硅，首先配置2L浓度为1.00mol/L的稀硫酸溶液，将80g的硅质量分数为20％的硅铝合金分5次加至该溶液中，并待气泡冒完后可继续添加，加完合金粉末后继续在室温下搅拌反应48h，待反应结束后进行抽滤，并用去离子水洗涤3次，然后在40℃下干燥10h，得到多孔硅粉末；
(2)硅-纳米银-有机碳源复合粉体的制备：
称取3.0g在所述步骤(1)中制备的多孔硅粉末，与1.0g硝酸银一同加至200mL的Tris-HCl缓冲液中进行混合，在搅拌5h后，再加入1.0g盐酸多巴胺，继续搅拌12h，使多孔硅粉末、硝酸银和盐酸多巴胺的混合物进行反应，在反应结束后，用滤膜对反应产物进行抽滤，得到固体产物，再用去离子水对固体产物进行洗涤，然后在40℃下对固体产物烘干10h，从而得到硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体；
(3)硅银碳三元复合材料的制备：
在氮气的环境中，将在所述步骤(2)中制备的硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体进行碳化反应，在进行碳化反应时，首先将硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体在400℃的温度下进行低温碳化反应2h；然后在900℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应3h，并控制升温速率为5℃/min，最终得到硅银碳三元复合材料，硅银碳三元复合材料结构特征是在多孔硅的表面银和碳呈均匀分布。本实施例所合成的硅银碳三元复合负极材料在200mA/g的电流密度下均具有较稳定的循环性能和较高的容量保持率，说明Ag/C导电网络结构的存在有利于提升循环过程中形成Si与Li合金的可逆化程度，使可逆容量值增加，减缓了容量的衰减，最终延长了循环寿命。本实施例方法制备工艺简单，反应条件温和，所合成的硅银碳三元复合锂电负极材料具有高首次库伦效率、较稳定的循环性能和较高的容量保持率，适合进一步规模化生产。
实施例四：
本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：
(1)多孔硅粉末的制备：
采用酸刻蚀法制备多孔硅，首先配置2L浓度为10.00mol/L的稀硫酸溶液，将80g的硅质量分数为20％的硅铝合金分5次加至该溶液中，并待气泡冒完后可继续添加，加完合金粉末后继续在室温下搅拌反应48h，待反应结束后进行抽滤，并用去离子水洗涤3次，然后在120℃下干燥10h，得到多孔硅粉末；
(2)硅-纳米银-有机碳源复合粉体的制备：
称取3.0g在所述步骤(1)中制备的多孔硅粉末，与1.0g硝酸银一同加至200mL的Tris-HCl缓冲液中进行混合，在搅拌5h后，再加入1.0g盐酸多巴胺，继续搅拌12h，使多孔硅粉末、硝酸银和盐酸多巴胺的混合物进行反应，在反应结束后，用滤膜对反应产物进行抽滤，得到固体产物，再用去离子水对固体产物进行洗涤，然后在120℃下对固体产物烘干10h，从而得到硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体；
(3)硅银碳三元复合材料的制备：
在氮气的环境中，将在所述步骤(2)中制备的硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体进行碳化反应，在进行碳化反应时，首先将硅-纳米银-聚多巴胺复合粉体在600℃的温度下进行低温碳化反应2h；然后在800℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应3h，并控制升温速率为5℃/min，最终得到硅银碳三元复合材料，硅银碳三元复合材料结构特征是在多孔硅的表面银和碳呈均匀分布。本实施例所合成的硅银碳三元复合负极材料在200mA/g的电流密度下均具有较稳定的循环性能和较高的容量保持率，说明Ag/C导电网络结构的存在有利于提升循环过程中形成Si与Li合金的可逆化程度，使可逆容量值增加，减缓了容量的衰减，最终延长了循环寿命。本实施例方法制备工艺简单，反应条件温和，所合成的硅银碳三元复合锂电负极材料具有高首次库伦效率、较稳定的循环性能和较高的容量保持率，适合进一步规模化生产。
上面结合附图对本发明实施例进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合或简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明硅银碳三元复合材料的制备方法的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：
a.硅-纳米银-有机碳源复合粉体的制备：
将多孔硅粉末与银源材料按设定配比混合并进行搅拌0.5～5h，再加入有机碳源材料，继续搅拌12～24h，使多孔硅粉末-银源材料-有机碳源材料的混合物进行反应，在反应结束后，对反应产物进行抽滤，得到固体产物，再用去离子水对固体产物进行洗涤，然后在40～120℃下对固体产物烘干至少10h，从而得到硅-纳米银-有机碳源复合粉体；
b.硅银碳三元复合材料的制备：
在惰性气体的环境中，将在所述步骤a中制备的硅-纳米银-有机碳源复合粉体在400～900℃下进行碳化反应2～5h，即得到硅银碳三元复合材料。
2.根据权利要求1所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，多孔硅粉末、银源材料和有机碳源材料的混合质量配比为(1～3):1:1。
3.根据权利要求1或2所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，所述银源材料为银盐或银氨溶液。
4.根据权利要求3所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，所述银源材料为硝酸银。
5.根据权利要求3所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，将多孔硅粉末与银盐进行混合时，采用Tris-HCl缓冲液作为反应物溶剂。
6.根据权利要求1或2所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，所述多孔硅粉末的粒径为0.1～1μm，其孔径大小为1～100nm，其孔隙率为20～80％。
7.根据权利要求1或2所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，所述有机碳源采用能够对一价银进行还原反应生成单质银的有机材料。
8.根据权利要求7所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，所述有机碳源采用多巴胺盐、多元胺和葡萄糖中的任意一种有机材料或任意几种有机材料的混合物质。
9.根据权利要求1或2所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤b中进行碳化反应时，惰性气体采用氮气。
10.根据权利要求1所述硅银碳三元复合材料的制备方法，其特征在于：在所述步骤b中进行碳化反应时，采用如下任意一种热处理制度方案：
方案一：首先将在所述步骤a中制备的硅-纳米银-有机碳源复合粉体在400～600℃的温度下进行低温碳化反应至少2h；然后在800～900℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应，最终得到硅银碳三元复合材料；
方案二：首先将在所述步骤a中制备的硅-纳米银-有机碳源复合粉体在400～600℃的温度下进行低温碳化反应；然后在800～900℃下，在对经过低温碳化处理的硅-纳米银-有机碳源复合粉体进行高温碳化反应至少3h，最终得到硅银碳三元复合材料。
CN201710878761.0A 2017-09-26 2017-09-26 硅银碳三元复合材料的制备方法 Active CN107749481B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710878761.0A CN107749481B (zh) 2017-09-26 2017-09-26 硅银碳三元复合材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710878761.0A CN107749481B (zh) 2017-09-26 2017-09-26 硅银碳三元复合材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107749481A true CN107749481A (zh) 2018-03-02
CN107749481B CN107749481B (zh) 2020-10-30

Family

ID=61255023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710878761.0A Active CN107749481B (zh) 2017-09-26 2017-09-26 硅银碳三元复合材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107749481B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110931727A (zh) * 2019-10-25 2020-03-27 合肥国轩高科动力能源有限公司 一种导电型聚合物包覆硅基负极材料的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102484241A (zh) * 2009-03-03 2012-05-30 尤米科尔公司 制备用于锂离子电池的合金复合负电极材料的方法
CN102914580A (zh) * 2012-10-27 2013-02-06 信阳师范学院 一种银-聚多巴胺-石墨烯修饰的电化学传感器及其制备方法
CN103151504A (zh) * 2013-04-08 2013-06-12 廖小玉 一种银掺杂碳-硅复合负极材料的制备方法
CN103165868A (zh) * 2011-12-13 2013-06-19 上海杉杉科技有限公司 一种硅基复合负极材料、锂离子电池及其制备方法和用途
CN103545488A (zh) * 2013-10-18 2014-01-29 中国第一汽车股份有限公司 基于葡萄糖银镜反应原理制备Si/Ag/C复合负极材料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102484241A (zh) * 2009-03-03 2012-05-30 尤米科尔公司 制备用于锂离子电池的合金复合负电极材料的方法
CN103165868A (zh) * 2011-12-13 2013-06-19 上海杉杉科技有限公司 一种硅基复合负极材料、锂离子电池及其制备方法和用途
CN102914580A (zh) * 2012-10-27 2013-02-06 信阳师范学院 一种银-聚多巴胺-石墨烯修饰的电化学传感器及其制备方法
CN103151504A (zh) * 2013-04-08 2013-06-12 廖小玉 一种银掺杂碳-硅复合负极材料的制备方法
CN103545488A (zh) * 2013-10-18 2014-01-29 中国第一汽车股份有限公司 基于葡萄糖银镜反应原理制备Si/Ag/C复合负极材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110931727A (zh) * 2019-10-25 2020-03-27 合肥国轩高科动力能源有限公司 一种导电型聚合物包覆硅基负极材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107749481B (zh) 2020-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110649267B (zh) 一种复合金属锂负极、制备方法及金属锂电池
CN112909234A (zh) 一种锂负极或钠负极的制备方法与应用
CN110423358B (zh) 一维管状mof材料的制备方法及一维氮掺杂的多孔碳纳米管材料的制备和应用
CN110010895B (zh) 碳纤维负载氧化镁颗粒交联纳米片阵列复合材料及其制备方法和应用
CN106058167A (zh) 一种多孔硅基合金复合材料
CN106558729B (zh) 一种石墨烯作为正极浆料导电剂的锂离子电池
CN103560233A (zh) 一种锂离子电池负极材料碳包覆的硅石墨及其制备方法
CN108400297B (zh) 一种硅基锂离子电池负极材料及其制备方法
CN102881871A (zh) 一种制备锂离子电池负极石墨/硅复合材料的方法
CN103050668A (zh) 一种锂离子电池Si/C复合负极材料的制备方法
CN104638253A (zh) 一种作为锂离子电池负极的Si@C-RG核壳结构复合材料的制备方法
CN111193005A (zh) 一种铜箔集流体及其制备方法和应用
CN109326798B (zh) 一种用于金属锂负极保护层的制备方法及应用
CN111646459A (zh) 一种硼掺杂石墨烯材料的制备方法及其应用
CN111430672B (zh) 一种二氧化硅/碳布自支撑电极材料的制备方法与应用
CN110790248B (zh) 具有花状结构的铁掺杂磷化钴微米球电极材料及其制备方法和应用
CN114023948B (zh) 硅碳负极材料及其制备方法、锂离子电池
CN112289985A (zh) 一种C@MgAl2O4复合包覆改性的硅基负极材料及其制备方法
CN107749481A (zh) 硅银碳三元复合材料的制备方法
CN109994737A (zh) 一种锂电池复合金属锂型负极片及其制造工艺
CN106784759A (zh) 一种硅/活性炭复合负极材料及其制备方法
CN110148752A (zh) 一种负极集流体表面电聚合吡咯改性方法
CN116014144B (zh) 一种氧化亚硅复合材料及其制备方法
CN114180620B (zh) 一种聚吡咯为模板制备二氧化钛/碳负极的制备方法
CN108288714A (zh) 一种用于硅基负极动力电池的石墨烯改性铜箔电极

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant