CN107749396B - 一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 56
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005922 Phosphane Substances 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910000064 phosphane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，通过在扩散源层沉积后进行等离子刻边，然后再进行高温扩散的方法，解决晶体硅太阳电池扩散制结易于造成的边缘漏电问题。本发明结合沉积固态源再进行高温扩散的方法，适用于n型单晶硅或多晶硅PERT太阳电池的制备，也可用于p型单晶硅或多晶硅的扩磷、扩硼等。经过这样的刻边过程，扩散后硅片只需采用常规的HF酸溶液即可方便去除变为氧化层的扩散源层，包括侧边的氧化层。彻底解决边缘漏电问题，且有现有晶体硅产线技术兼容，成本也很低。
Description
技术领域
本发明属于太阳电池及半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。
背景技术
在扩散法制备晶体硅太阳电池的生产中，为了减少晶体硅太阳电池使用过程中的漏电，一般要进行“刻边” ，即将晶体硅片边缘刻蚀掉一定的厚度，或者用激光将硅片的边缘切掉一部分，这样可隔绝硅片的前后表面不同掺杂类型的硅膜层之间的短路漏电现象。但在现行的技术方案中，这一刻边步骤都是在硅片扩散工艺完成以后的某一工艺节点进行。其中激光切边一般应用在太阳电池完全完成以后，该方法会在边缘造成一部分烧蚀损伤区，造成太阳电池性能的下降；等离子刻边的方法一般用在硅片两面钝化膜制备完成后，其也会造成边缘区域形成一层缺陷，造成漏电；现在最常用的是湿化学刻蚀的方法，其用在扩散工艺完成后的二次刻蚀工序中，用化学试剂将硅片的边缘刻蚀掉一部分，该方法造成的损伤小，但会造成硅片前后表面本不应该被刻蚀的区域被刻蚀掉。
发明内容
本发明的目的是提出一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，更好的解决晶体硅太阳电池扩散工艺导致的边缘漏电问题，给沉积扩散源与扩散步骤分开的扩散技术路线配套更优的刻边技术。
本发明是通过以下技术方案实现的。
本发明所述的一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，按如下步骤：
先将做好预处理的硅片的一面或者两面沉积含有掺杂原子的扩散源薄膜层；再将需要刻边的硅片叠放在一起用等离子刻蚀机进行刻边；然后将刻边结束的硅片放入高温炉中进行扩散。
所述硅片可为单晶硅或多晶硅，可为n型导电或p型导电。
所述扩散源薄膜层可为重掺杂的非晶硅薄膜或微晶硅薄膜，也可为重掺杂的氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，也可为这几种薄膜的复合膜层，也可为离子注入形成的重掺杂硅层。
所述高温炉是指管式高温炉，所述扩散过程在洁净空气或氮氧混合气或氩氧混合气中进行。
所述扩散结束的硅片用湿化学的方法去除硅片表面的氧化层和残留扩散源层。
发明的技术效果是：通过在扩散前进行等离子刻边，可方便的去除硅片侧面沉积的扩散源层，且因为此时尚未扩散，所以需要刻蚀掉的厚度较小；另外，刻蚀所造成的边缘损伤，在后面扩散工艺进行的过程中可恢复，且扩散过程中硅片侧边的氧化也可去除一部分晶格质量不好的表面层；再者，经过这样的刻边过程，扩散后硅片只需采用常规的HF酸溶液即可方便去除变为氧化层的扩散源层，包括侧边的氧化层。彻底解决边缘漏电问题，且与现有晶体硅产线技术兼容，成本也很低。
具体实施方式
本发明将通过以下实施例作进一步说明。
实施例1。
采用等离子辅助化学气相沉积法以硅烷:硼烷流量比为1:0.1的比例，在清洗制绒好的n型多晶硅片表面沉积一层厚度为30纳米的非晶硅薄膜作为扩散源；然后再洁净空气气氛中进行950℃，1小时的热处理；取出后采用HF去除硅片表面氧化层；再采用等离子体辅助化学气相沉积法以硅烷：磷烷流量比1:0.01的比例在多晶硅未扩硼的一面沉积一层厚度为20nm的非晶硅层；将沉积结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约1微米的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行840℃，20分钟的退火；将硅片进入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；进行后继的硅片两个表面的钝化减反射层的沉积和银栅线的印刷烧结。最终得到了n型PERT结构多晶硅太阳电池。
实施例2。
采用等离子辅助化学气相沉积法以硅烷:硼烷流量比为1:0.06的比例，在清洗制绒好的n型单晶硅片表面沉积一层厚度为50纳米的非晶硅薄膜作为扩散源；然后在洁净空气气氛中进行950℃，1小时的热处理；取出后采用HF去除硅片表面氧化层；再采用等离子体辅助化学气相沉积法以硅烷：磷烷流量比1:0.01的比例在单晶硅未扩硼的一面沉积一层磷原子厚度为30nm的非晶硅层；将沉积结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约10微米的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行840℃，20分钟的退火；将硅片浸入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；进行后继的硅片两个表面的钝化减反射层的沉积和银栅线的印刷烧结。最终得到了n型PERT结构单晶硅太阳电池。
实施例3。
采用热丝化学气相沉积法以硅烷：磷烷流量比1:0.01的比例在制绒清洗好的p型多晶硅表面沉积一层厚度为50nm的非晶硅层；将沉积结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约500纳米的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行820℃，30分钟的退火；将硅片进入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；然后进行硅片背面化学刻蚀抛光，再进行后继的硅片两个表面的钝化减反射层的沉积和银栅线、背面铝背场的印刷烧结。最终得到了p型PERC结构单晶硅太阳电池。
实施例4。
采用磁控溅射沉积法在制绒清洗好的p型单晶硅表面沉积一层厚度为20nm的非晶氧化硅层；将沉积结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约200nm的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行850℃，20分钟的退火；将硅片进入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；然后进行扩散面氮化硅沉积、铝背场和正面银栅线的丝网印刷烧结。最终得到了p型铝背场单晶硅太阳电池。
实施例5。
采用磁控溅射沉积法在制绒清洗好的p型单晶硅表面沉积一层厚度为30nm的氮化硅层；将沉积结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约500nm的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行850℃，30分钟的退火；将硅片进入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；然后进行扩散面氮化硅沉积、铝背场和正面银栅线的丝网印刷烧结。最终得到了p型铝背场单晶硅太阳电池。
实施例6。
将制备了单面扩硼的n型硅片，采用离子注入法在未扩散硼的一面形成一种重掺杂磷元素的硅层，将注入结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约5微米的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行850℃，30分钟的退火；将硅片进入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；然后进行双面钝化减反膜的制备，再进行双面银栅线的制备。最终得到了n型PERT太阳电池。
实施例7。
采用等离子辅助化学气相沉积法以硅烷:硼烷流量比为1:0.1的比例，在清洗制绒好的n型多晶硅片表面沉积一层厚度为30纳米的非晶硅薄膜作为扩散源；然后在洁净空气气氛中进行1150℃，1小时的热处理；取出后采用HF去除硅片表面氧化层；再采用等离子体辅助化学气相沉积法以硅烷：磷烷流量比1:0.01的比例在多晶硅未扩硼的一面沉积一层厚度为20nm的非晶硅层；将沉积结束的硅片叠放在一起放入等离子刻蚀机，刻蚀掉边缘约1微米的厚度；然后将硅片放入到管式热处理中在洁净空气气氛下进行840℃，25分钟的退火；将硅片进入到HF溶液中去除硅片表面氧化层；再用混合酸溶液将硅片两面各刻蚀约300nm的厚度，进行清洗烘干。然后进行后继的硅片两个表面的钝化减反射层的沉积和银栅线的印刷烧结。最终得到了n型PERT结构多晶硅太阳电池。
Claims (4)
1.一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，其特征是在扩散源层沉积后、扩散工艺进行前采用等离子刻蚀的方法对硅片边缘进行刻蚀；技术流程为：先将做好预处理的硅片的一面或者两面沉积含有掺杂原子的扩散源薄膜层；再将需要刻边的硅片叠放在一起用等离子刻蚀机进行刻边；然后将刻边结束的硅片放入扩散炉中进行扩散，再进行后继工序。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述扩散源薄膜层为重掺杂的非晶硅薄膜或微晶硅薄膜，或者为重掺杂的氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，或者为前述几种薄膜的复合膜层，或者为离子注入形成的重掺杂硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述扩散工艺采用的炉子为管式高温炉，扩散过程在洁净空气或氮氧混合气或氩氧混合气中进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征是扩散工艺结束后，硅片用湿化学的方法去除硅片表面的氧化层和残留扩散源层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711012335.5A CN107749396B (zh) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711012335.5A CN107749396B (zh) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107749396A CN107749396A (zh) | 2018-03-02 |
| CN107749396B true CN107749396B (zh) | 2020-04-14 |
Family
ID=61253200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711012335.5A Active CN107749396B (zh) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107749396B (zh) |
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-
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107749396A (zh) | 2018-03-02 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |