CN107742526A - 一种刷新周期的调整方法、ddr控制器及ddr系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种刷新周期的调整方法、DDR控制器及DDR系统，用于解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。本申请实施例方法包括：DDR控制器确定DDR颗粒的特定存储单元，DDR颗粒包括特定存储单元及非特定存储单元，特定存储单元的数据保持能力与非特定存储单元的数据保持能力一致；DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；DDR控制器根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期。

Description

一种刷新周期的调整方法、DDR控制器及DDR系统

技术领域

本申请涉及计算机领域，具体涉及一种刷新周期的调整方法、DDR控制器及DDR系统。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的每个存储单元使用一个晶体管(Transistor)和一个电容器(Capacitor)，电容器非常小并且易于非常快地放电，需要刷新电路来保持充电，从而保持所存储的信息。

当前业界普遍做法是在主芯片启动时设置符合规范的、固定的刷新周期，例如，一个双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate，DDR)的DDR颗粒中具有固定值的计数行(Row count)，并且行与行之间刷新命令(Refresh)典型间隔，即tREFI(RefreshInterval)，为3.9us，该参数可大可小，但有一定范围限制，通常DDR控制器(DDRController，DDRC)采用等间隔发送方式，那么每一行的相邻两次刷新间隔tREFI*Rowcount是固定不变的。

但是，以上的做法中所有行刷新周期必须一致，对于运行代码与应用数据都存在DDR中的系统而言，DDRC不能采用扫描刷新周期的方式来检测DDR颗粒存储单元的数据保持(Data retention)能力；针对同一个产品的不同个体样本，刷新周期只能固定为某个值，无法根据具体单个产品上DDR颗粒的Data retention能力差异做针对性处理；而且实际运用中，DDR颗粒中存储单元的Data retention能力是会随着使用寿命的增加而恶化的，这就会导致DDR颗粒的生命末期在刷新周期未改变的情况下，有概率出现因Data retention能力不足出现误码。

发明内容

本申请提供了一种刷新周期的调整方法、DDR控制器及DDR系统，用于解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

本申请第一方面提供一种刷新周期的调整方法，包括：

DDR控制器确定DDR颗粒的特定存储单元，所述DDR颗粒包括所述特定存储单元及非特定存储单元，所述特定存储单元的数据保持能力与所述非特定存储单元的数据保持能力一致；

所述DDR控制器根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

所述DDR控制器根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期。

由于存储单元的Data retention能力与工艺设计强相关，同一个颗粒内部的存储单元，都是同一种工艺、同一个晶元(wafer)上生产出来的，所以可以认为特性的一致性很高，因此可以选取DDR颗粒中的一行或多行存储单元作为特定存储单元，那么DDR颗粒包括特定存储单元及非特定存储单元，而且保障了特定存储单元的Data retention能力与非特定存储单元的Data retention能力一致，DDR控制器确定DDR颗粒的特定存储单元，DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，DDR控制器根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，因此，特定刷新周期可以灵活设置，通过调整非特定存储单元的刷新周期，就能智能跟随DDR颗粒的实际Data retention能力，因此，可以解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

结合本申请第一方面，本申请第一方面第一实施方式中，所述DDR控制器根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果之前，还包括：

所述DDR控制器接收用户配置的扫描间隔；

所述DDR控制器确定当前扫描的扫描次数；

所述DDR控制器根据所述扫描间隔、所述扫描次数及预置固定周期，计算得到特定刷新周期。

在DDR颗粒分出了特定存储单元之后，用户还需要设置DDR控制器对特定存储单元进行扫描的刷新周期，而且为了实现数据保持能力扫描的尽量智能化，用户可以配置出扫描间隔，如果扫描间隔是按照固定的倍数增长(此处设为0.2)，预置固定周期为64ms，那么如果当前扫描是的扫描次数是1，特定刷新周期是64ms*1.2；如果当前扫描是的扫描次数是2，特定刷新周期是64ms*1.4；如果当前扫描是的扫描次数是3，特定刷新周期是64ms*1.6。

结合本申请第一方面，本申请第一方面第二实施方式中，所述DDR控制器根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，包括：

所述DDR控制器根据特定刷新周期生成刷新指令；

所述DDR控制器根据所述刷新指令对所述特定存储单元进行写入数据和读取数据；

所述DDR控制器根据所述写入数据和所述读取数据，得到特定扫描结果。

DDR控制器根据特定刷新周期生成刷新指令，对于JEDEC标准的提案，DDR5协议定义的Refresh命令有两种，分别为Refresh All和Refresh Same bank，以Refresh All命令为例，利用Refresh All命令中未使用的CA9，CA9为低则代表非特定存储单元的刷新指令，CA9为高则代表特定存储单元的刷新指令。对存储单元的Data retention能力扫描实际上是进行读写比对，那么DDR控制器根据刷新指令对特定存储单元进行写入数据和读取数据，DDR控制器根据写入数据和读取数据，就能得到Data retention能力扫描的结果，即为特定扫描结果。

结合本申请第一方面、第一方面第一实施方式或第一方面第二实施方式，本申请第一方面第三实施方式中，所述DDR控制器根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期，包括：

所述DDR控制器判断所述特定扫描结果是否满足用户预置的调整条件；

若所述特定扫描结果满足用户预置的调整条件，则所述DDR控制器根据所述特定刷新周期调整所述非特定存储单元的刷新周期。

根据特定扫描结果是如何对非特定存储单元的刷新周期进行调整的，具体可以是：DDR控制器得到扫描特定存储单元的特定扫描结果之后，能够通过特定扫描结果了解到非特定存储单元的Data retention能力，即知道了DDR颗粒的Data retention能力，而考虑到DDR颗粒在使用过程中，特别是到了末期，其Data retention能力会明显下降，那么用户可以预先设置一个Data retention能力的阈值，作为触发调整刷新周期的调整条件，Dataretention能力大于阈值或者小于阈值都需要调整，当Data retention能力大于阈值时，表示该DDR控制器不需要如此频繁的刷新DDR颗粒的存储单元，会造成浪费，那么就需要适当的提高非特定存储单元的刷新周期(例如，将30ms刷新周期提高到60ms刷新周期)，非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于提高了DDR颗粒的刷新周期了；当Data retention能力小于阈值时，表示该DDR颗粒已经出现Data retention能力不足，容易导致误码风险，那么就需要适当的加快刷新，由于非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于降低了DDR颗粒的刷新周期。

结合本申请第一方面第三实施方式，本申请第一方面第四实施方式中，所述方法还包括：

若所述特定扫描结果不满足用户预置的调整条件，则所述DDR控制器不调整所述非特定存储单元的刷新周期。

在特定扫描结果不满足用户预置的调整条件时，表示当前的刷新周期很适合目前的DDR颗粒，因此DDR控制器不需要调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请第二方面提供一种DDR控制器，包括：

处理模块，用于确定DDR颗粒的特定存储单元，所述DDR颗粒包括所述特定存储单元及非特定存储单元，所述特定存储单元的数据保持能力与所述非特定存储单元的数据保持能力一致；

扫描模块，用于根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

调整模块，用于根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期。

处理模块确定DDR颗粒的特定存储单元，扫描模块根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，调整模块根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，因此，特定刷新周期可以灵活设置，通过调整非特定存储单元的刷新周期，就能智能跟随DDR颗粒的实际Dataretention能力，因此，可以解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

结合本申请第二方面，本申请第二方面第一实施方式中，所述DDR控制器还包括：

接收模块，用于接收用户配置的扫描间隔；

所述处理模块，还用于确定当前扫描的扫描次数；

所述处理模块，还用于根据所述扫描间隔、所述扫描次数及预置固定周期，计算得到特定刷新周期。

本申请实施例中，在DDR颗粒分出了特定存储单元之后，用户还需要设置DDR控制器对特定存储单元进行扫描的刷新周期，而且为了实现数据保持能力扫描的尽量智能化，接收模块可以接收用户配置的扫描间隔，如果扫描间隔是按照固定的倍数增长(此处设为0.2)，预置固定周期为64ms，那么如果当前扫描是的扫描次数是1，处理模块301计算得到的特定刷新周期是64ms*1.2；如果当前扫描是的扫描次数是2，特定刷新周期是64ms*1.4；如果当前扫描是的扫描次数是3，处理模块301计算得到的特定刷新周期是64ms*1.6。

结合本申请第二方面，本申请第二方面第二实施方式中，

所述处理模块，还用于根据特定刷新周期生成刷新指令；

所述处理模块，还用于根据所述刷新指令对所述特定存储单元进行写入数据和读取数据；

所述处理模块，还用于根据所述写入数据和所述读取数据，得到特定扫描结果。

处理模块根据特定刷新周期生成刷新指令，对于JEDEC标准的提案，DDR5协议定义的Refresh命令有两种，分别为Refresh All和Refresh Same bank，以Refresh All命令为例，利用Refresh All命令中未使用的CA9，CA9为低则代表非特定存储单元的刷新指令，CA9为高则代表特定存储单元的刷新指令。对存储单元的Data retention能力扫描实际上是进行读写比对，那么DDR控制器根据刷新指令对特定存储单元进行写入数据和读取数据，处理模块根据写入数据和读取数据，就能得到Data retention能力扫描的结果，即为特定扫描结果。

结合本申请第二方面、第二方面第一实施方式或第二方面第二实施方式，本申请第二方面第三实施方式中，

所述处理模块，还用于判断所述特定扫描结果是否满足用户预置的调整条件；

所述调整模块，还用于当所述特定扫描结果满足用户预置的调整条件，根据所述特定刷新周期调整所述非特定存储单元的刷新周期。

根据特定扫描结果是如何对非特定存储单元的刷新周期进行调整的，具体可以是：扫描模块302得到扫描特定存储单元的特定扫描结果之后，能够通过特定扫描结果了解到非特定存储单元的Data retention能力，即知道了DDR颗粒的Data retention能力，而考虑到DDR颗粒在使用过程中，特别是到了末期，其Data retention能力会明显下降，那么用户可以预先设置一个Data retention能力的阈值，作为触发调整刷新周期的调整条件，Data retention能力大于阈值或者小于阈值都需要调整，当处理模块判断Data retention能力大于阈值时，表示该DDR控制器不需要如此频繁的刷新DDR颗粒的存储单元，会造成浪费，那么就需要调整模块适当的提高非特定存储单元的刷新周期(例如，将30ms刷新周期提高到60ms刷新周期)，非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于提高了DDR颗粒的刷新周期了；当Data retention能力小于阈值时，表示该DDR颗粒已经出现Data retention能力不足，容易导致误码风险，那么就需要适当的加快刷新，由于非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于降低了DDR颗粒的刷新周期。

结合本申请第二方面第三实施方式，本申请第二方面第四实施方式中，

所述调整模块，还用于当所述特定扫描结果不满足用户预置的调整条件，不调整所述非特定存储单元的刷新周期。

在处理模块特定扫描结果不满足用户预置的调整条件时，表示当前的刷新周期很适合目前的DDR颗粒，因此调整模块不需要调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请第三方面提供一种DDR系统，包括：

DDR控制器及DDR颗粒；

所述DDR控制器用于：

确定所述DDR颗粒的特定存储单元，所述DDR颗粒包括所述特定存储单元及非特定存储单元，所述特定存储单元的数据保持能力与所述非特定存储单元的数据保持能力一致；

根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期。

DDR系统包括DDR控制器及DDR颗粒，DDR控制器主要是对DDR颗粒中的存储单元进行刷新、扫描或者指令生成等，DDR控制器用于：确定DDR颗粒的特定存储单元，根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，因此，特定刷新周期可以灵活设置，通过调整非特定存储单元的刷新周期，就能智能跟随DDR颗粒的实际Data retention能力，因此，可以解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本申请提供的DDR颗粒的刷新过程示意图；

图2为本申请提供的一个刷新周期的调整方法的实施例流程示意图；

图3为本申请提供的一个DDR控制器的实施例结构示意图；

图4为本申请提供的另一个DDR控制器的实施例结构示意图；

图5为本申请提供的再一个DDR系统的实施例结构示意图。

具体实施方式

本申请提供了一种刷新周期的调整方法、DDR控制器及DDR系统，用于解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。

首先简单介绍本申请应用的系统构架或场景。

本申请针对DDR系列所有产品，只要用到DDRx的系统都可以使用，包括核心网、路由器、服务器、PC等等，DRAM的每个存储单元使用一个晶体管(Transistor)和一个电容器(Capacitor)，电容器非常小并且易于非常快地放电，需要刷新电路来保持充电，从而保持所存储的信息。当前业界普遍做法是在主芯片启动时设置符合规范的、固定的刷新周期，例如32ms/64ms刷新一次，后续不再改变刷新周期。DDR4和DDR5颗粒中增加了根据节温自动切换刷新率为2X/4X的模式，但该功能仅与温度挂钩，与是否经过长期使用无关，无法保证数据正确性。以Row count＝8192的DDR颗粒为例，tREFI＝3.9us，针对85-95C温度运用，每一行的相邻两次刷新间隔为tREFI*Row count＝32ms，该参数固定，不可违背，即任何一行相邻两次刷新间隔不大于32ms；行与行之间刷新命令典型间隔，即tREFI，为3.9us，该参数可大可小，但有一定范围限制，通常DDRC采用等间隔发送刷新命令的方法，即图1所示；，DDR的刷新机制为：周而复始的，对所有行按递增的方式依次刷新(刷完最后一行后，回到第一行)，实际工作时，从图1左上角的REFRESH Row0开始刷新，直到最下角的REFRESH Row8191，完成所有行的刷新，然后再重新刷Row0，按此流程不断的循环。任何一行，比如Row0，相邻两次的刷新间隔不超过32ms。所有个体在整个生命周期内的刷新周期设置相同且不变，存在如下问题：要么刷新周期设置从严，牺牲早期DDR接口有效带宽性能；要么刷新周期设置折中，承担DDR颗粒生命末期因Data retention能力不足产生的误码风险。

为了解决以上描述的问题，如图2所示，本申请实施例提供一种刷新周期的调整方法，包括：

201、DDR控制器确定DDR颗粒的特定存储单元；

本实施例中，由于存储单元的Data retention能力与工艺设计强相关，同一个颗粒内部的存储单元，都是同一种工艺、同一个晶元(wafer)上生产出来的，所以可以认为特性的一致性很高，因此可以选取DDR颗粒中的一行或多行存储单元作为特定存储单元，那么DDR颗粒包括特定存储单元及非特定存储单元，而且保障了特定存储单元的Dataretention能力与非特定存储单元的Data retention能力一致，同时，DDR颗粒分出来特定存储单元之后，由于DDR控制是需要对DDR颗粒中每个存储单元进行数据保持能力扫描的，那么DDR控制器必须先确定DDR颗粒的特定存储单元，例如，DDR颗粒中row8191时特定存储单元，那么DDR控制器中的gen0从原先控制所有行刷新，修改为不控制row8191；gen1仅控制row8191(这里假设特定的作为参考的row，选择的是row8191)。

202、DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

本实施例中，DDR控制器确定特定存储单元之后，特定存储单元的特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，但是与非特定存储单元的刷新周期是不同的，因为非特定存储单元的刷新周期是系统配置的固定周期，不会改变，那么DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描之后，得到的特定扫描结果。

203、DDR控制器根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期。

本实施例中，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期的具体设置又与非特定存储单元的刷新周期是不同的，那么DDR控制器根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期就成为可能。

本申请实施例中，DDR控制器确定DDR颗粒的特定存储单元，DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，DDR控制器根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，因此，特定刷新周期可以灵活设置，通过调整非特定存储单元的刷新周期，就能智能跟随DDR颗粒的实际Data retention能力，因此，可以解决部分在生命末期，由于老化导致Dataretention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

在上述图2所示的实施例中，介绍了特定存储单元的特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，下面对用户是如何设置的进行详细的说明。

可选的，本申请的一些实施例中，DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果之前，还包括：

DDR控制器接收用户配置的扫描间隔；

DDR控制器确定当前扫描的扫描次数；

DDR控制器根据扫描间隔、扫描次数及预置固定周期，计算得到特定刷新周期。

本申请实施例中，在DDR颗粒分出了特定存储单元之后，用户还需要设置DDR控制器对特定存储单元进行扫描的刷新周期，而且为了实现数据保持能力扫描的尽量智能化，用户可以配置出扫描间隔，如果扫描间隔是按照固定的倍数增长(此处设为0.2)，预置固定周期为64ms，那么如果当前扫描是的扫描次数是1，特定刷新周期是64ms*1.2；如果当前扫描是的扫描次数是2，特定刷新周期是64ms*1.4；如果当前扫描是的扫描次数是3，特定刷新周期是64ms*1.6。

可选的，本申请的一些实施例中，DDR控制器根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，包括：

DDR控制器根据特定刷新周期生成刷新指令；

DDR控制器根据刷新指令对特定存储单元进行写入数据和读取数据；

DDR控制器根据写入数据和读取数据，得到特定扫描结果。

本申请实施例中，DDR控制器根据特定刷新周期生成刷新指令，对于JEDEC标准的提案，DDR5协议定义的Refresh命令有两种，分别为Refresh All和Refresh Same bank，以Refresh All命令为例，利用Refresh All命令中未使用的CA9，CA9为低则代表非特定存储单元的刷新指令，CA9为高则代表特定存储单元的刷新指令。对存储单元的Data retention能力扫描实际上是进行读写比对，那么DDR控制器根据刷新指令对特定存储单元进行写入数据和读取数据，DDR控制器根据写入数据和读取数据，就能得到Data retention能力扫描的结果，即为特定扫描结果。

可选的，本申请的一些实施例中，DDR控制器根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，包括：

DDR控制器判断特定扫描结果是否满足用户预置的调整条件；

若特定扫描结果满足用户预置的调整条件，则DDR控制器根据特定刷新周期调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请实施例中，根据特定扫描结果是如何对非特定存储单元的刷新周期进行调整的，具体可以是：DDR控制器得到扫描特定存储单元的特定扫描结果之后，能够通过特定扫描结果了解到非特定存储单元的Data retention能力，即知道了DDR颗粒的Dataretention能力，而考虑到DDR颗粒在使用过程中，特别是到了末期，其Data retention能力会明显下降，那么用户可以预先设置一个Data retention能力的阈值，作为触发调整刷新周期的调整条件，Data retention能力大于阈值或者小于阈值都需要调整，当Dataretention能力大于阈值时，表示该DDR控制器不需要如此频繁的刷新DDR颗粒的存储单元，会造成浪费，那么就需要适当的提高非特定存储单元的刷新周期(例如，将30ms刷新周期提高到60ms刷新周期)，非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于提高了DDR颗粒的刷新周期了；当Data retention能力小于阈值时，表示该DDR颗粒已经出现Data retention能力不足，容易导致误码风险，那么就需要适当的加快刷新，由于非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于降低了DDR颗粒的刷新周期。

可选的，本申请的一些实施例中，方法还包括：

若特定扫描结果不满足用户预置的调整条件，则DDR控制器不调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请实施例中，结合以上描述的实施例，在特定扫描结果不满足用户预置的调整条件时，表示当前的刷新周期很适合目前的DDR颗粒，因此DDR控制器不需要调整非特定存储单元的刷新周期。

上述实施例介绍的是刷新周期的调整方法，下面对DDR控制器进行详细说明。

如图3所示，本申请实施例提供一种DDR控制器，其特定在于，包括：

处理模块301，用于确定DDR颗粒的特定存储单元，DDR颗粒包括特定存储单元及非特定存储单元，特定存储单元的数据保持能力与非特定存储单元的数据保持能力一致；

扫描模块302，用于根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

调整模块303，用于根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请实施例中，处理模块301确定DDR颗粒的特定存储单元，扫描模块302根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，调整模块303根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，因此，特定刷新周期可以灵活设置，通过调整非特定存储单元的刷新周期，就能智能跟随DDR颗粒的实际Data retention能力，因此，可以解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

可选的，如图4所示，本申请的一些实施例中，DDR控制器还包括：

接收模块401，用于接收用户配置的扫描间隔；

处理模块301，还用于确定当前扫描的扫描次数；

处理模块301，还用于根据扫描间隔、扫描次数及预置固定周期，计算得到特定刷新周期。

本申请实施例中，在DDR颗粒分出了特定存储单元之后，用户还需要设置DDR控制器对特定存储单元进行扫描的刷新周期，而且为了实现数据保持能力扫描的尽量智能化，接收模块401可以接收用户配置的扫描间隔，如果扫描间隔是按照固定的倍数增长(此处设为0.2)，预置固定周期为64ms，那么如果当前扫描是的扫描次数是1，处理模块301计算得到的特定刷新周期是64ms*1.2；如果当前扫描是的扫描次数是2，特定刷新周期是64ms*1.4；如果当前扫描是的扫描次数是3，处理模块301计算得到的特定刷新周期是64ms*1.6。

可选的，如图4所示，本申请的一些实施例中，

处理模块301，还用于根据特定刷新周期生成刷新指令；

处理模块301，还用于根据刷新指令对特定存储单元进行写入数据和读取数据；

处理模块301，还用于根据写入数据和读取数据，得到特定扫描结果。

本申请实施例中，处理模块301根据特定刷新周期生成刷新指令，对于JEDEC标准的提案，DDR5协议定义的Refresh命令有两种，分别为Refresh All和Refresh Same bank，以Refresh All命令为例，利用Refresh All命令中未使用的CA9，CA9为低则代表非特定存储单元的刷新指令，CA9为高则代表特定存储单元的刷新指令。对存储单元的Dataretention能力扫描实际上是进行读写比对，那么DDR控制器根据刷新指令对特定存储单元进行写入数据和读取数据，处理模块301根据写入数据和读取数据，就能得到Dataretention能力扫描的结果，即为特定扫描结果。

可选的，如图4所示，本申请的一些实施例中，

处理模块301，还用于判断特定扫描结果是否满足用户预置的调整条件；

调整模块303，还用于当特定扫描结果满足用户预置的调整条件时，根据特定刷新周期调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请实施例中，根据特定扫描结果是如何对非特定存储单元的刷新周期进行调整的，具体可以是：扫描模块302得到扫描特定存储单元的特定扫描结果之后，能够通过特定扫描结果了解到非特定存储单元的Data retention能力，即知道了DDR颗粒的Dataretention能力，而考虑到DDR颗粒在使用过程中，特别是到了末期，其Data retention能力会明显下降，那么用户可以预先设置一个Data retention能力的阈值，作为触发调整刷新周期的调整条件，Data retention能力大于阈值或者小于阈值都需要调整，当处理模块301判断Data retention能力大于阈值时，表示该DDR控制器不需要如此频繁的刷新DDR颗粒的存储单元，会造成浪费，那么就需要调整模块303适当的提高非特定存储单元的刷新周期(例如，将30ms刷新周期提高到60ms刷新周期)，非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于提高了DDR颗粒的刷新周期了；当Data retention能力小于阈值时，表示该DDR颗粒已经出现Data retention能力不足，容易导致误码风险，那么就需要适当的加快刷新，由于非特定存储单元的刷新周期就是系统配置的固定周期，那么就相当于降低了DDR颗粒的刷新周期。

可选的，如图4所示，本申请的一些实施例中，

调整模块303，还用于当特定扫描结果不满足用户预置的调整条件，不调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请实施例中，结合以上描述的实施例，在处理模块301特定扫描结果不满足用户预置的调整条件时，表示当前的刷新周期很适合目前的DDR颗粒，因此调整模块303不需要调整非特定存储单元的刷新周期。

以上实施例中介绍了刷新周期的调整方法，以及实施该方法的DDR控制器，下面对包括该DDR控制器的DDR系统进行详细说明。

如图5所示，本申请实施例提供一种DDR系统，包括：

DDR控制器51及DDR颗粒52；

DDR控制器51用于：

确定DDR颗粒的特定存储单元，DDR颗粒包括特定存储单元及非特定存储单元，特定存储单元的数据保持能力与非特定存储单元的数据保持能力一致；

根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期。

本申请实施例中，DDR系统包括DDR控制器51及DDR颗粒52，DDR控制器51主要是对DDR颗粒52中的存储单元进行刷新、扫描或者指令生成等，DDR控制器51用于：确定DDR颗粒的特定存储单元，根据特定刷新周期对特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，根据特定扫描结果调整非特定存储单元的刷新周期，由于特定扫描结果是按照特定刷新周期扫描特定存储单元得到的，而特定刷新周期可以由用户预先设置的，也可以是按照预置规则设置的，因此，特定刷新周期可以灵活设置，通过调整非特定存储单元的刷新周期，就能智能跟随DDR颗粒的实际Data retention能力，因此，可以解决部分在生命末期，由于老化导致Data retention能力不满足DDR规格的DDR颗粒出现的误码问题。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种实现访问请求处理方法的计算机程序产品，包括存储了程序代码的计算机可读存储介质，所述程序代码包括的指令用于执行前述任意一个方法实施例所述的方法流程。本领域普通技术人员可以理解，前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、随机存储器(Random-Access Memory，RAM)、固态硬盘(Solid State Disk，SSD)或者其他非易失性存储器(non-volatile memory)等各种可以存储程序代码的非短暂性的(non-transitory)机器可读介质。

需要说明的是，本申请所提供的实施例仅仅是示意性的。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。在本申请实施例、权利要求以及附图中揭示的特定可以独立存在也可以组合存在。在本申请实施例中以硬件形式描述的特定可以通过软件来执行，反之亦然。在此不做限定。

Claims (11)

1.一种刷新周期的调整方法，其特定在于，包括：

DDR控制器确定DDR颗粒的特定存储单元，所述DDR颗粒包括所述特定存储单元及非特定存储单元，所述特定存储单元的数据保持能力与所述非特定存储单元的数据保持能力一致；

所述DDR控制器根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

所述DDR控制器根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期。

2.根据权利要求1所述的方法，其特定在于，所述DDR控制器根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果之前，还包括：

所述DDR控制器接收用户配置的扫描间隔；

所述DDR控制器确定当前扫描的扫描次数；

所述DDR控制器根据所述扫描间隔、所述扫描次数及预置固定周期，计算得到特定刷新周期。

3.根据权利要求1所述的方法，其特定在于，所述DDR控制器根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果，包括：

所述DDR控制器根据特定刷新周期生成刷新指令；

所述DDR控制器根据所述刷新指令对所述特定存储单元进行写入数据和读取数据；

所述DDR控制器根据所述写入数据和所述读取数据，得到特定扫描结果。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特定在于，所述DDR控制器根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期，包括：

所述DDR控制器判断所述特定扫描结果是否满足用户预置的调整条件；

若所述特定扫描结果满足用户预置的调整条件，则所述DDR控制器根据所述特定刷新周期调整所述非特定存储单元的刷新周期。

5.根据权利要求4所述的方法，其特定在于，所述方法还包括：

若所述特定扫描结果不满足用户预置的调整条件，则所述DDR控制器不调整所述非特定存储单元的刷新周期。

6.一种DDR控制器，其特定在于，包括：

处理模块，用于确定DDR颗粒的特定存储单元，所述DDR颗粒包括所述特定存储单元及非特定存储单元，所述特定存储单元的数据保持能力与所述非特定存储单元的数据保持能力一致；

扫描模块，用于根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

调整模块，用于根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期。

7.根据权利要求6所述的DDR控制器，其特定在于，所述DDR控制器还包括：

接收模块，用于接收用户配置的扫描间隔；

所述处理模块，还用于确定当前扫描的扫描次数；

所述处理模块，还用于根据所述扫描间隔、所述扫描次数及预置固定周期，计算得到特定刷新周期。

8.根据权利要求6所述的DDR控制器，其特定在于，

所述处理模块，还用于根据特定刷新周期生成刷新指令；

所述处理模块，还用于根据所述刷新指令对所述特定存储单元进行写入数据和读取数据；

所述处理模块，还用于根据所述写入数据和所述读取数据，得到特定扫描结果。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的DDR控制器，其特定在于，

所述处理模块，还用于判断所述特定扫描结果是否满足用户预置的调整条件；

所述调整模块，还用于当所述特定扫描结果满足用户预置的调整条件时，根据所述特定刷新周期调整所述非特定存储单元的刷新周期。

10.根据权利要求9所述的DDR控制器，其特定在于，

所述调整模块，还用于当所述特定扫描结果不满足用户预置的调整条件时，不调整所述非特定存储单元的刷新周期。

11.一种DDR系统，其特定在于，包括：

DDR控制器及DDR颗粒；

所述DDR控制器用于：

确定所述DDR颗粒的特定存储单元，所述DDR颗粒包括所述特定存储单元及非特定存储单元，所述特定存储单元的数据保持能力与所述非特定存储单元的数据保持能力一致；

根据特定刷新周期对所述特定存储单元进行数据保持能力扫描，得到特定扫描结果；

根据所述特定扫描结果调整所述非特定存储单元的刷新周期。